| ■ 영문 제목 : GaN Devices Market, Global Outlook and Forecast 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : MONT2407F22031 ■ 조사/발행회사 : Market Monitor Global ■ 발행일 : 2024년 5월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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본 조사 보고서는 현재 동향, 시장 역학 및 미래 전망에 초점을 맞춰, GaN 장치 시장에 대한 포괄적인 분석을 제공합니다. 본 보고서는 북미, 유럽, 아시아 태평양 및 신흥 시장과 같은 주요 지역을 포함한 전 세계 GaN 장치 시장을 대상으로 합니다. 또한 GaN 장치의 성장을 주도하는 주요 요인, 업계가 직면한 과제 및 시장 참여자를 위한 잠재적 기회도 기재합니다.
글로벌 GaN 장치 시장은 최근 몇 년 동안 환경 문제, 정부 인센티브 및 기술 발전의 증가로 인해 급속한 성장을 목격했습니다. GaN 장치 시장은 가전 제품, 자동차/운송, 산업용, 항공 우주/국방, 기타를 포함한 다양한 이해 관계자에게 기회를 제공합니다. 민간 부문과 정부 간의 협력은 GaN 장치 시장에 대한 지원 정책, 연구 개발 노력 및 투자를 가속화 할 수 있습니다. 또한 증가하는 소비자 수요는 시장 확장의 길을 제시합니다.
글로벌 GaN 장치 시장은 2023년에 미화 XXX백만 달러로 조사되었으며 2030년까지 미화 XXX백만 달러에 도달할 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 XXX%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.
[주요 특징]
GaN 장치 시장에 대한 조사 보고서에는 포괄적인 통찰력을 제공하고 이해 관계자의 의사 결정을 용이하게하는 몇 가지 주요 항목이 포함되어 있습니다.
요약 : 본 보고서는 GaN 장치 시장의 주요 결과, 시장 동향 및 주요 통찰력에 대한 개요를 제공합니다.
시장 개요: 본 보고서는 GaN 장치 시장의 정의, 역사적 추이, 현재 시장 규모를 포함한 포괄적인 개요를 제공합니다. 종류(예: 전력 반도체, 광 반도체, 기타), 지역 및 용도별로 시장을 세분화하여 각 세그먼트 내의 주요 동인, 과제 및 기회를 중점적으로 다룹니다.
시장 역학: 본 보고서는 GaN 장치 시장의 성장과 발전을 주도하는 시장 역학을 분석합니다. 본 보고서에는 정부 정책 및 규정, 기술 발전, 소비자 동향 및 선호도, 인프라 개발, 업계 협력에 대한 평가가 포함되어 있습니다. 이 분석은 이해 관계자가 GaN 장치 시장의 궤적에 영향을 미치는 요인을 이해하는데 도움이됩니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 GaN 장치 시장내 경쟁 환경에 대한 심층 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 시장 플레이어의 프로필, 시장 점유율, 전략, 제품 포트폴리오 및 최근 동향이 포함됩니다.
시장 세분화 및 예측: 본 보고서는 종류, 지역 및 용도와 같은 다양한 매개 변수를 기반으로 GaN 장치 시장을 세분화합니다. 정량적 데이터 및 분석을 통해 각 세그먼트의 시장 규모와 성장 예측을 제공합니다. 이를 통해 이해 관계자가 성장 기회를 파악하고 정보에 입각한 투자 결정을 내릴 수 있습니다.
기술 동향: 본 보고서는 주요기술의 발전과 새로운 대체품 등 GaN 장치 시장을 형성하는 주요 기술 동향을 강조합니다. 이러한 트렌드가 시장 성장, 채택률, 소비자 선호도에 미치는 영향을 분석합니다.
시장 과제와 기회: 본 보고서는 기술적 병목 현상, 비용 제한, 높은 진입 장벽 등 GaN 장치 시장이 직면한 주요 과제를 파악하고 분석합니다. 또한 정부 인센티브, 신흥 시장, 이해관계자 간의 협업 등 시장 성장의 기회에 대해서도 강조합니다.
규제 및 정책 분석: 본 보고서는 정부 인센티브, 배출 기준, 인프라 개발 계획 등 GaN 장치에 대한 규제 및 정책 환경을 평가합니다. 이러한 정책이 시장 성장에 미치는 영향을 분석하고 향후 규제 동향에 대한 인사이트를 제공합니다.
권장 사항 및 결론: 본 보고서는 소비자, 정책 입안자, 투자자, 인프라 제공업체 등 이해관계자를 위한 실행 가능한 권고 사항으로 마무리합니다. 이러한 권장 사항은 조사 결과를 바탕으로 GaN 장치 시장의 주요 과제와 기회를 해결할 수 있습니다.
참고 데이터 및 부록: 보고서에는 분석 및 조사 결과를 입증하기 위한 보조 데이터, 차트, 그래프가 포함되어 있습니다. 또한 데이터 소스, 설문조사, 상세한 시장 예측과 같은 추가 세부 정보가 담긴 부록도 포함되어 있습니다.
[시장 세분화]
GaN 장치 시장은 종류별 및 용도별로 세분화됩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
■ 종류별 시장 세그먼트
– 전력 반도체, 광 반도체, 기타
■ 용도별 시장 세그먼트
– 가전 제품, 자동차/운송, 산업용, 항공 우주/국방, 기타
■ 지역별 및 국가별 글로벌 GaN 장치 시장 점유율, 2023년(%)
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 아시아 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도)
– 남미 (브라질, 아르헨티나)
– 중동 및 아프리카 (터키, 이스라엘, 사우디 아라비아, UAE)
■ 주요 업체
– Fujitsu, Toshiba, Koninklijke Philips, Texas Instruments, EPIGAN, NTT Advanced Technology, RF Micro Devices, Cree Incorporated, Avago Technologies, GaN Systems, Infineon Technologies, OSRAM Opto Semiconductors, Qorvo, Aixtron, Nichia, NXP Semiconductors, Panasonic Semiconductors, International Quantum Epitaxy (IQE), Mitsubi
[주요 챕터의 개요]
1 장 : GaN 장치의 정의, 시장 개요를 소개
2 장 : 매출 및 판매량을 기준으로한 글로벌 GaN 장치 시장 규모
3 장 : GaN 장치 제조업체 경쟁 환경, 가격, 판매량 및 매출 시장 점유율, 최신 동향, M&A 정보 등에 대한 자세한 분석
4 장 : 종류별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
5 장 : 용도별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
6 장 : 지역 및 국가별 GaN 장치 판매량. 각 지역 및 주요 국가의 시장 규모와 성장 잠재력에 대한 정량적 분석을 제공. 세계 각국의 시장 개발, 향후 개발 전망, 시장 기회을 소개
7 장 : 주요 업체의 프로필을 제공. 제품 판매, 매출, 가격, 총 마진, 제품 소개, 최근 동향 등 시장 내 주요 업체의 기본 상황을 자세히 소개
8 장 : 지역별 및 국가별 글로벌 GaN 장치 시장규모
9 장 : 시장 역학, 시장의 최신 동향, 시장의 추진 요인 및 제한 요인, 업계내 업체가 직면한 과제 및 리스크, 업계의 관련 정책 분석을 소개
10 장 : 산업의 업 스트림 및 다운 스트림을 포함한 산업 체인 분석
11 장 : 보고서의 주요 요점 및 결론
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■ 보고서 목차1. 조사 및 분석 보고서 소개 2. 글로벌 GaN 장치 전체 시장 규모 3. 기업 환경 4. 종류별 시장 분석 5. 용도별 시장 분석 6. 지역별 시장 분석 7. 제조업체 및 브랜드 프로필 Fujitsu, Toshiba, Koninklijke Philips, Texas Instruments, EPIGAN, NTT Advanced Technology, RF Micro Devices, Cree Incorporated, Avago Technologies, GaN Systems, Infineon Technologies, OSRAM Opto Semiconductors, Qorvo, Aixtron, Nichia, NXP Semiconductors, Panasonic Semiconductors, International Quantum Epitaxy (IQE), Mitsubi Fujitsu Toshiba Koninklijke Philips 8. 글로벌 GaN 장치 생산 능력 분석 9. 주요 시장 동향, 기회, 동인 및 제약 요인 10. GaN 장치 공급망 분석 11. 결론 [그림 목록]- 종류별 GaN 장치 세그먼트, 2023년 - 용도별 GaN 장치 세그먼트, 2023년 - 글로벌 GaN 장치 시장 개요, 2023년 - 글로벌 GaN 장치 시장 규모: 2023년 VS 2030년 - 글로벌 GaN 장치 매출, 2019-2030 - 글로벌 GaN 장치 판매량: 2019-2030 - GaN 장치 매출 기준 상위 3개 및 5개 업체 시장 점유율, 2023년 - 글로벌 종류별 GaN 장치 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 종류별 GaN 장치 매출 시장 점유율 - 글로벌 종류별 GaN 장치 판매량 시장 점유율 - 글로벌 종류별 GaN 장치 가격 - 글로벌 용도별 GaN 장치 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 용도별 GaN 장치 매출 시장 점유율 - 글로벌 용도별 GaN 장치 판매량 시장 점유율 - 글로벌 용도별 GaN 장치 가격 - 지역별 GaN 장치 매출, 2023년 VS 2030년 - 지역별 GaN 장치 매출 시장 점유율 - 지역별 GaN 장치 매출 시장 점유율 - 지역별 GaN 장치 판매량 시장 점유율 - 북미 국가별 GaN 장치 매출 시장 점유율 - 북미 국가별 GaN 장치 판매량 시장 점유율 - 미국 GaN 장치 시장규모 - 캐나다 GaN 장치 시장규모 - 멕시코 GaN 장치 시장규모 - 유럽 국가별 GaN 장치 매출 시장 점유율 - 유럽 국가별 GaN 장치 판매량 시장 점유율 - 독일 GaN 장치 시장규모 - 프랑스 GaN 장치 시장규모 - 영국 GaN 장치 시장규모 - 이탈리아 GaN 장치 시장규모 - 러시아 GaN 장치 시장규모 - 아시아 지역별 GaN 장치 매출 시장 점유율 - 아시아 지역별 GaN 장치 판매량 시장 점유율 - 중국 GaN 장치 시장규모 - 일본 GaN 장치 시장규모 - 한국 GaN 장치 시장규모 - 동남아시아 GaN 장치 시장규모 - 인도 GaN 장치 시장규모 - 남미 국가별 GaN 장치 매출 시장 점유율 - 남미 국가별 GaN 장치 판매량 시장 점유율 - 브라질 GaN 장치 시장규모 - 아르헨티나 GaN 장치 시장규모 - 중동 및 아프리카 국가별 GaN 장치 매출 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 국가별 GaN 장치 판매량 시장 점유율 - 터키 GaN 장치 시장규모 - 이스라엘 GaN 장치 시장규모 - 사우디 아라비아 GaN 장치 시장규모 - 아랍에미리트 GaN 장치 시장규모 - 글로벌 GaN 장치 생산 능력 - 지역별 GaN 장치 생산량 비중, 2023년 VS 2030년 - GaN 장치 산업 가치 사슬 - 마케팅 채널 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 질화갈륨(GaN)은 넓은 밴드갭, 높은 항복 전압, 빠른 스위칭 속도, 높은 열 전도성 등 우수한 전기적, 열적 특성을 지닌 화합물 반도체 소재입니다. 이러한 특성으로 인해 기존의 실리콘(Si) 기반 반도체 소재로는 구현하기 어려웠던 고전력, 고주파, 고온 환경에서의 동작이 가능한 새로운 개념의 전자 소자 개발을 가능하게 합니다. GaN 소자는 이러한 질화갈륨 소재를 기반으로 제작된 다양한 전자 소자들을 총칭하며, 현대 전자기술의 발전에 지대한 영향을 미치고 있습니다. GaN 소자의 핵심적인 특징 중 하나는 바로 **높은 전자 이동도**입니다. 이는 GaN 소재 내에서 전자들이 매우 빠르게 이동할 수 있음을 의미하며, 결과적으로 소자의 스위칭 속도를 획기적으로 향상시킬 수 있습니다. 기존 실리콘 소자에 비해 수십 배에서 수백 배 빠른 스위칭 속도는 전력 변환 효율을 높이고, 소형화 및 경량화를 가능하게 합니다. 또한, GaN은 **넓은 밴드갭**을 가지고 있어 높은 온도에서도 안정적으로 동작할 수 있으며, 높은 항복 전압을 견딜 수 있습니다. 이는 고전력 애플리케이션에서 안정성과 신뢰성을 확보하는 데 매우 중요합니다. 예를 들어, 수백 볼트 이상의 고전압을 다루는 전력 변환 장치나 높은 온도 환경에서 동작해야 하는 통신 장비 등에 GaN 소자가 필수적으로 사용됩니다. GaN 소자의 종류는 그 작동 원리 및 구조에 따라 다양하게 분류될 수 있습니다. 가장 대표적인 GaN 소자로는 **GaN 고전자 이동 트랜지스터(HEMT, High Electron Mobility Transistor)**가 있습니다. GaN HEMT는 질화갈륨(GaN)과 다른 화합물 반도체 소재(예: 질화알루미늄갈륨, AlGaN)를 접합하여 2차원 전자 가스(2DEG, two-dimensional electron gas) 채널을 형성하고, 이를 통해 높은 전자 이동도를 구현하는 구조입니다. AlGaN/GaN HEMT는 높은 전력 밀도와 고주파 동작 특성을 동시에 만족시키므로 고출력 RF 증폭기 및 고속 스위칭 소자로 널리 사용됩니다. 또 다른 중요한 GaN 소자로는 **GaN p-n 접합 다이오드(Diode)**가 있습니다. 이는 고효율의 정류기 또는 스위칭 소자로 활용될 수 있으며, 특히 실리콘 카바이드(SiC) 다이오드 대비 더욱 높은 스위칭 속도를 제공할 수 있습니다. GaN 다이오드는 전기 자동차의 충전기, 산업용 전원 공급 장치 등 다양한 전력 전자 시스템에서 효율을 높이는 데 기여합니다. **GaN 전계 효과 트랜지스터(FET, Field-Effect Transistor)** 역시 중요한 GaN 소자 중 하나입니다. 특히 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor FET) 구조를 따르는 GaN MOSFET은 고효율의 스위칭 소자로서 주목받고 있습니다. 기존 Si MOSFET 대비 낮은 온저항과 빠른 스위칭 속도를 제공하여 전력 밀도를 향상시키고 에너지 손실을 줄이는 데 효과적입니다. 이 외에도 **GaN 기반의 발광 다이오드(LED)**는 이미 우리 생활 깊숙이 자리 잡고 있습니다. GaN LED는 높은 효율과 긴 수명, 다양한 색 구현 능력으로 인해 조명, 디스플레이, 자동차 헤드라이트 등 광범위한 분야에서 실리콘 기반의 기존 광원들을 대체하고 있습니다. 특히 청색 GaN LED는 백색 LED 구현의 핵심 기술이며, 이는 에너지 효율적인 조명 시대를 열었습니다. GaN 소자의 주요 용도는 **전력 전자 분야**와 **고주파 통신 분야**로 크게 나눌 수 있습니다. 전력 전자 분야에서는 고효율의 전력 변환 및 제어에 GaN 소자가 혁신을 가져오고 있습니다. 스마트폰, 노트북, 서버의 전원 어댑터는 GaN 기반 스위칭 소자를 통해 더욱 작고 가벼워졌으며 효율 또한 향상되었습니다. 전기 자동차의 모터 드라이버, 충전 시스템, 전력 관리 시스템에서도 GaN 소자의 도입은 에너지 효율을 높이고 배터리 사용 시간을 늘리는 데 중요한 역할을 합니다. 또한, 태양광 인버터, 풍력 발전 시스템 등 신재생 에너지 관련 장치에서도 GaN 소자는 에너지 손실을 최소화하고 시스템의 전반적인 성능을 향상시키는 데 기여합니다. 산업용 전원 공급 장치, 전기차 급속 충전기 등에서도 GaN은 필수적인 소재로 자리매김하고 있습니다. 고주파 통신 분야에서는 **5G 및 차세대 통신 시스템**에서 GaN 소자의 역할이 매우 중요합니다. GaN HEMT는 높은 출력 파워와 우수한 선형성으로 인해 기지국의 RF 전력 증폭기(PA, Power Amplifier)에 주로 사용됩니다. 이를 통해 더 빠르고 안정적인 무선 통신을 지원하며, 통신 장비의 에너지 효율을 높이는 데 기여합니다. 또한, 위성 통신, 레이더 시스템 등 고출력이 요구되는 다양한 통신 및 센싱 애플리케이션에서도 GaN 소자가 핵심적인 역할을 수행합니다. 높은 주파수 대역에서의 동작 특성이 뛰어나기 때문에 밀리미터파(mmWave) 통신과 같은 미래 기술에서도 그 중요성이 더욱 커질 것으로 예상됩니다. GaN 소자와 관련된 주요 기술로는 **소재 성장 기술**이 있습니다. GaN 단결정 웨이퍼를 성장시키는 것은 매우 까다로운 공정이며, 고품질의 GaN 기판을 얻는 것이 소자 성능에 결정적인 영향을 미칩니다. 주로 사파이어(Sapphire), 탄화규소(SiC) 기판 위에 GaN 박막을 성장시키는 방법을 사용합니다. 최근에는 GaN 자체를 기판으로 사용하는 기술도 발전하고 있으며, 이는 계면 결함을 줄여 소자 성능을 더욱 향상시킬 수 있습니다. 또한, **에피 성장 기술**을 통해 GaN과 다른 물질(AlGaN 등)을 정밀하게 쌓아 올려 HEMT와 같은 고성능 소자를 제작합니다. **소자 공정 기술** 또한 중요한 부분입니다. GaN 소자는 높은 온도에서도 안정적인 특성을 가지므로, 고온에서의 식각, 증착, 금속화 공정이 필요합니다. 특히, 높은 이동도를 가지는 2DEG 채널을 효율적으로 제어하기 위한 게이트 구조 설계 및 전극 형성 기술이 중요합니다. 또한, 고전압 동작 시 발생하는 전기장 집중 문제를 해결하기 위한 **전력 소자 설계 및 패키징 기술**도 발전하고 있습니다. GaN 소자는 높은 열 방출 특성을 가지므로, 효과적인 열 관리 기술 또한 소자의 신뢰성과 성능 유지에 필수적입니다. 결론적으로 GaN 소자는 기존 반도체 기술의 한계를 뛰어넘어 다양한 산업 분야에 혁신적인 변화를 가져오고 있습니다. 더욱 효율적이고 강력한 전력 변환, 빠르고 안정적인 통신, 그리고 혁신적인 광원 기술 등 GaN 소자가 열어갈 미래는 매우 밝습니다. 지속적인 연구 개발을 통해 GaN 소자의 성능 향상, 생산 단가 절감, 그리고 새로운 응용 분야 개척이 이루어질 것으로 기대됩니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 GaN 장치 시장예측 2024-2030] (코드 : MONT2407F22031) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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