| ■ 영문 제목 : Global Gallium Nitride (GaN) Epiwafers Market Growth 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : LPI2407D21968 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2024년 5월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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LP Information (LPI)사의 최신 조사에 따르면, 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장 규모는 2023년에 미화 XXX백만 달러로 산출되었습니다. 다운 스트림 시장의 수요가 증가함에 따라 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼은 조사 대상 기간 동안 XXX%의 CAGR(연평균 성장율)로 2030년까지 미화 XXX백만 달러의 시장규모로 예상됩니다.
본 조사 보고서는 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장의 성장 잠재력을 강조합니다. 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼은 향후 시장에서 안정적인 성장을 보일 것으로 예상됩니다. 그러나 제품 차별화, 비용 절감 및 공급망 최적화는 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼의 광범위한 채택을 위해 여전히 중요합니다. 시장 참여자들은 연구 개발에 투자하고, 전략적 파트너십을 구축하고, 진화하는 소비자 선호도에 맞춰 제품을 제공함으로써 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장이 제공하는 막대한 기회를 활용해야 합니다.
[주요 특징]
질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장에 대한 보고서는 다양한 측면을 반영하고 업계에 대한 소중한 통찰력을 제공합니다.
시장 규모 및 성장: 본 조사 보고서는 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장의 현재 규모와 성장에 대한 개요를 제공합니다. 여기에는 과거 데이터, 유형별 시장 세분화 (예 : 2인치, 4인치, 6인치, 기타) 및 지역 분류가 포함될 수 있습니다.
시장 동인 및 과제: 본 보고서는 정부 규제, 환경 문제, 기술 발전 및 소비자 선호도 변화와 같은 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장의 성장을 주도하는 요인을 식별하고 분석 할 수 있습니다. 또한 인프라 제한, 범위 불안, 높은 초기 비용 등 업계가 직면한 과제를 강조할 수 있습니다.
경쟁 환경: 본 조사 보고서는 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장 내 경쟁 환경에 대한 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 업체의 프로필, 시장 점유율, 전략 및 제공 제품이 포함됩니다. 본 보고서는 또한 신흥 플레이어와 시장에 대한 잠재적 영향을 강조할 수 있습니다.
기술 개발: 본 조사 보고서는 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 산업의 최신 기술 개발에 대해 자세히 살펴볼 수 있습니다. 여기에는 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 기술의 발전, 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 신규 진입자, 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 신규 투자, 그리고 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼의 미래를 형성하는 기타 혁신이 포함됩니다.
다운스트림 고객 선호도: 본 보고서는 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장의 고객 구매 행동 및 채택 동향을 조명할 수 있습니다. 여기에는 고객의 구매 결정에 영향을 미치는 요인, 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 제품에 대한 선호도가 포함됩니다.
정부 정책 및 인센티브: 본 조사 보고서는 정부 정책 및 인센티브가 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장에 미치는 영향을 분석합니다. 여기에는 규제 프레임워크, 보조금, 세금 인센티브 및 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장을 촉진하기위한 기타 조치에 대한 평가가 포함될 수 있습니다. 본 보고서는 또한 이러한 정책이 시장 성장을 촉진하는데 미치는 효과도 분석합니다.
환경 영향 및 지속 가능성: 조사 보고서는 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장의 환경 영향 및 지속 가능성 측면을 분석합니다.
시장 예측 및 미래 전망: 수행된 분석을 기반으로 본 조사 보고서는 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 산업에 대한 시장 예측 및 전망을 제공합니다. 여기에는 시장 규모, 성장률, 지역 동향, 기술 발전 및 정책 개발에 대한 예측이 포함됩니다.
권장 사항 및 기회: 본 보고서는 업계 이해 관계자, 정책 입안자, 투자자를 위한 권장 사항으로 마무리됩니다. 본 보고서는 시장 참여자들이 새로운 트렌드를 활용하고, 도전 과제를 극복하며, 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장의 성장과 발전에 기여할 수 있는 잠재적 기회를 강조합니다.
[시장 세분화]
질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 수량 및 금액 측면에서 제공합니다.
*** 종류별 세분화 ***
2인치, 4인치, 6인치, 기타
*** 용도별 세분화 ***
RF, 전력 전자, 광전자, 기타
본 보고서는 또한 시장을 지역별로 분류합니다:
– 미주 (미국, 캐나다, 멕시코, 브라질)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 호주)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 중동 및 아프리카 (이집트, 남아프리카 공화국, 이스라엘, 터키, GCC 국가)
아래 프로파일링 대상 기업은 주요 전문가로부터 수집한 정보를 바탕으로 해당 기업의 서비스 범위, 제품 포트폴리오, 시장 점유율을 분석하여 선정되었습니다.
NTT AT, Mitsubishi, Sumitomo, EpiGaN, Qorvo, San’an Optoelectronics Co, Sai MicroElectronics Inc, Hailu Heavy Industry, Enkris, CoreEnergy Semiconductor, Innoscience
[본 보고서에서 다루는 주요 질문]
– 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장의 향후 10년 전망은 어떻게 될까요?
– 전 세계 및 지역별 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장 성장을 주도하는 요인은 무엇입니까?
– 시장과 지역별로 가장 빠르게 성장할 것으로 예상되는 분야는 무엇인가요?
– 최종 시장 규모에 따라 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장 기회는 어떻게 다른가요?
– 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼은 종류, 용도를 어떻게 분류합니까?
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■ 보고서 목차■ 보고서의 범위 ■ 보고서의 요약 ■ 기업별 세계 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장분석 ■ 지역별 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼에 대한 추이 분석 ■ 미주 시장 ■ 아시아 태평양 시장 ■ 유럽 시장 ■ 중동 및 아프리카 시장 ■ 시장 동인, 도전 과제 및 동향 ■ 제조 비용 구조 분석 ■ 마케팅, 유통업체 및 고객 ■ 지역별 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장 예측 ■ 주요 기업 분석 NTT AT, Mitsubishi, Sumitomo, EpiGaN, Qorvo, San’an Optoelectronics Co, Sai MicroElectronics Inc, Hailu Heavy Industry, Enkris, CoreEnergy Semiconductor, Innoscience – NTT AT – Mitsubishi – Sumitomo ■ 조사 결과 및 결론 [그림 목록]질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 이미지 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 판매량 성장률 (2019-2030) 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 매출 성장률 (2019-2030) 지역별 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 매출 (2019, 2023 및 2030) 글로벌 종류별 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 종류별 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 매출 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 용도별 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 용도별 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 매출 시장 점유율 기업별 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 판매량 시장 2023 기업별 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 판매량 시장 점유율 2023 기업별 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 매출 시장 2023 기업별 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 매출 시장 점유율 2023 지역별 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 판매량 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 매출 시장 점유율 2023 미주 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 판매량 (2019-2024) 미주 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 매출 (2019-2024) 아시아 태평양 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 판매량 (2019-2024) 아시아 태평양 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 매출 (2019-2024) 유럽 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 판매량 (2019-2024) 유럽 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 매출 (2019-2024) 중동 및 아프리카 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 판매량 (2019-2024) 중동 및 아프리카 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 매출 (2019-2024) 미국 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 캐나다 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 멕시코 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 브라질 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 중국 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 일본 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 한국 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 동남아시아 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 인도 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 호주 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 독일 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 프랑스 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 영국 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 이탈리아 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 러시아 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 이집트 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 남아프리카 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 이스라엘 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 터키 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) GCC 국가 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼의 제조 원가 구조 분석 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼의 제조 공정 분석 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼의 산업 체인 구조 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼의 유통 채널 글로벌 지역별 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 판매량 시장 전망 (2025-2030) 글로벌 지역별 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 질화 갈륨(Gallium Nitride, GaN) 에피 웨이퍼는 반도체 소재인 질화 갈륨을 기판 위에 얇게 성장시킨 구조를 의미합니다. 웨이퍼는 반도체 칩을 만들기 위한 얇은 원판 형태의 기판을 말하며, 에피 성장은 특정 결정 구조를 가진 물질 위에 동일하거나 다른 결정 구조를 가진 물질을 얇게 성장시키는 박막 증착 기술입니다. 따라서 질화 갈륨 에피 웨이퍼는 고품질의 질화 갈륨 박막이 성장된 실리콘(Si) 또는 사파이어(Sapphire)와 같은 기판을 포함하는 형태입니다. 질화 갈륨은 실리콘과 같은 기존 반도체 소재에 비해 여러 가지 뛰어난 물성을 가지고 있어 차세대 고성능 반도체 소재로 각광받고 있습니다. 가장 두드러지는 특징으로는 높은 밴드갭 에너지, 높은 전자 이동도, 높은 항복 전압, 그리고 우수한 열전도성을 들 수 있습니다. 높은 밴드갭 에너지는 넓은 동작 온도 범위와 높은 전압을 견딜 수 있게 해주며, 높은 전자 이동도는 더 빠른 스위칭 속도를 가능하게 합니다. 또한, 높은 항복 전압은 고출력 애플리케이션에 유리하며, 우수한 열전도성은 발열 문제를 효과적으로 관리할 수 있게 해줍니다. 이러한 장점들은 기존 실리콘 기반 반도체가 가지는 한계를 극복하고 더 높은 성능과 효율을 구현할 수 있게 합니다. 질화 갈륨 에피 웨이퍼는 그 특성을 활용하여 다양한 분야에 적용되고 있습니다. 주요 응용 분야로는 고효율 전력 변환 장치, 고주파 통신 장비, 그리고 발광 다이오드(LED)와 레이저 다이오드(LD)와 같은 광전자 소자들이 있습니다. 전력 변환 장치의 경우, 질화 갈륨 기반의 스위칭 소자는 기존 실리콘 기반 소자에 비해 스위칭 손실이 적고 동작 주파수가 높아 전력 효율을 크게 향상시킬 수 있습니다. 이는 전기차 충전기, 태양광 인버터, 스마트폰 충전기 등 다양한 전자기기의 에너지 효율을 높이는 데 기여합니다. 고주파 통신 장비 분야에서는 질화 갈륨 소자의 높은 전자 이동도와 항복 전압 덕분에 더 높은 주파수 대역에서 안정적이고 높은 출력을 제공할 수 있습니다. 이는 5G 이동통신 기지국 및 스마트폰 통신 모듈에 필수적인 기술입니다. 또한, 질화 갈륨은 청색 및 녹색 스펙트럼의 LED 및 레이저 다이오드를 구현하는 데 핵심적인 소재이며, 이를 통해 고품질의 디스플레이 및 조명, 차세대 광학 저장 장치 개발에 중요한 역할을 하고 있습니다. 질화 갈륨 에피 웨이퍼를 제조하는 데에는 여러 가지 핵심적인 기술이 요구됩니다. 가장 중요한 것은 기판 위에 고품질의 질화 갈륨 박막을 균일하게 성장시키는 박막 증착 기술입니다. 현재 가장 널리 사용되는 박막 증착 방법으로는 금속 유기 화학 기상 증착(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)과 분자선 에피 성장(Molecular Beam Epitaxy, MBE)이 있습니다. MOCVD는 비교적 대량 생산에 유리하며, 다양한 기판 위에 박막을 성장시키는 데 널리 사용됩니다. MBE는 매우 정밀한 박막 제어가 가능하여 고품질의 저차원 구조 제작에 적합하지만, 생산성이 상대적으로 낮습니다. 질화 갈륨 에피 웨이퍼의 종류는 주로 사용되는 기판의 종류에 따라 구분될 수 있습니다. 전통적으로는 사파이어(Sapphire) 기판이 가장 많이 사용되어 왔습니다. 사파이어 기판은 상대적으로 저렴하고 대구경 웨이퍼 제조가 용이하다는 장점이 있습니다. 그러나 질화 갈륨과 사파이어는 결정 격자 불일치(lattice mismatch)가 커서 성장 과정에서 많은 결함이 발생할 수 있으며, 이는 소자 성능에 부정적인 영향을 미칠 수 있습니다. 또한, 사파이어는 열전도성이 낮아 고출력 소자에서 발생하는 열을 효과적으로 방출하는 데 한계가 있습니다. 이러한 사파이어 기판의 단점을 극복하기 위해 실리콘(Silicon, Si) 기판이 차세대 기판으로 주목받고 있습니다. 실리콘 기판은 이미 반도체 산업에서 성숙된 기술과 대량 생산 기반을 갖추고 있으며, 웨이퍼 가격이 저렴하고 대구경 웨이퍼 제조가 용이합니다. 또한, 실리콘은 사파이어보다 우수한 열전도성을 가지고 있어 고출력 소자 개발에 더욱 적합합니다. 하지만, 질화 갈륨과 실리콘 역시 상당한 결정 격자 불일치를 가지고 있으며, 열팽창 계수 차이도 커서 고품질의 질화 갈륨 박막을 성장시키기 위해서는 복잡한 버퍼층(buffer layer) 기술이 필수적입니다. 이러한 버퍼층 기술은 결정 결함을 줄이고 우수한 품질의 질화 갈륨 박막을 얻기 위해 알루미늄 갈륨 질화물(AlGaN)과 같은 다양한 조성의 합금층을 여러 겹으로 적층하는 과정을 포함합니다. 최근에는 질화 갈륨 자체 기판(GaN substrate)도 연구 및 개발되고 있습니다. 질화 갈륨 기판은 결정 격자 불일치가 없어 이론적으로 가장 이상적인 기판으로 간주되며, 고품질의 질화 갈륨 에피 박막을 성장시키는 데 유리합니다. 하지만 현재까지는 제조 비용이 매우 높고 대구경 웨이퍼 생산에 어려움이 있어 상용화에 제약이 있습니다. 질화 갈륨 에피 웨이퍼 기술은 끊임없이 발전하고 있으며, 이러한 발전은 반도체 기술의 혁신을 이끌고 있습니다. 특히, 실리콘 기판 위에 고품질의 질화 갈륨 에피를 성장시키는 기술은 기존 실리콘 반도체 공정과의 호환성을 높여 생산 단가를 낮추고 대량 생산을 용이하게 만들 가능성이 높습니다. 또한, 질화 갈륨 에피의 두께를 제어하고, 질화 갈륨과 다른 화합물 반도체 소재(예: 인듐 갈륨 비소, InGaAs)를 혼합하여 성장시키는 기술(heteroepitaxy)은 더 넓은 범위의 파장을 이용하는 광전자 소자나 더욱 향상된 고주파 성능을 가진 소자를 구현하는 데 중요한 역할을 합니다. 이러한 기술 발전은 차세대 전자 및 광전자 소자의 성능 향상을 넘어, 에너지 절감, 통신 속도 향상 등 다양한 사회적 요구를 충족시키는 데 기여할 것으로 기대됩니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장 2024-2030] (코드 : LPI2407D21968) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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