| ■ 영문 제목 : GaAs Wafer and Epiwafer Market, Global Outlook and Forecast 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : MONT2407F21911 ■ 조사/발행회사 : Market Monitor Global ■ 발행일 : 2024년 5월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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본 조사 보고서는 현재 동향, 시장 역학 및 미래 전망에 초점을 맞춰, GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 시장에 대한 포괄적인 분석을 제공합니다. 본 보고서는 북미, 유럽, 아시아 태평양 및 신흥 시장과 같은 주요 지역을 포함한 전 세계 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 시장을 대상으로 합니다. 또한 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼의 성장을 주도하는 주요 요인, 업계가 직면한 과제 및 시장 참여자를 위한 잠재적 기회도 기재합니다.
글로벌 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 시장은 최근 몇 년 동안 환경 문제, 정부 인센티브 및 기술 발전의 증가로 인해 급속한 성장을 목격했습니다. GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 시장은 RF, LED, PV, VCSEL, EEL를 포함한 다양한 이해 관계자에게 기회를 제공합니다. 민간 부문과 정부 간의 협력은 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 시장에 대한 지원 정책, 연구 개발 노력 및 투자를 가속화 할 수 있습니다. 또한 증가하는 소비자 수요는 시장 확장의 길을 제시합니다.
글로벌 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 시장은 2023년에 미화 XXX백만 달러로 조사되었으며 2030년까지 미화 XXX백만 달러에 도달할 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 XXX%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.
[주요 특징]
GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 시장에 대한 조사 보고서에는 포괄적인 통찰력을 제공하고 이해 관계자의 의사 결정을 용이하게하는 몇 가지 주요 항목이 포함되어 있습니다.
요약 : 본 보고서는 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 시장의 주요 결과, 시장 동향 및 주요 통찰력에 대한 개요를 제공합니다.
시장 개요: 본 보고서는 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 시장의 정의, 역사적 추이, 현재 시장 규모를 포함한 포괄적인 개요를 제공합니다. 종류(예: 4-6인치, 12인치), 지역 및 용도별로 시장을 세분화하여 각 세그먼트 내의 주요 동인, 과제 및 기회를 중점적으로 다룹니다.
시장 역학: 본 보고서는 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 시장의 성장과 발전을 주도하는 시장 역학을 분석합니다. 본 보고서에는 정부 정책 및 규정, 기술 발전, 소비자 동향 및 선호도, 인프라 개발, 업계 협력에 대한 평가가 포함되어 있습니다. 이 분석은 이해 관계자가 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 시장의 궤적에 영향을 미치는 요인을 이해하는데 도움이됩니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 시장내 경쟁 환경에 대한 심층 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 시장 플레이어의 프로필, 시장 점유율, 전략, 제품 포트폴리오 및 최근 동향이 포함됩니다.
시장 세분화 및 예측: 본 보고서는 종류, 지역 및 용도와 같은 다양한 매개 변수를 기반으로 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 시장을 세분화합니다. 정량적 데이터 및 분석을 통해 각 세그먼트의 시장 규모와 성장 예측을 제공합니다. 이를 통해 이해 관계자가 성장 기회를 파악하고 정보에 입각한 투자 결정을 내릴 수 있습니다.
기술 동향: 본 보고서는 주요기술의 발전과 새로운 대체품 등 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 시장을 형성하는 주요 기술 동향을 강조합니다. 이러한 트렌드가 시장 성장, 채택률, 소비자 선호도에 미치는 영향을 분석합니다.
시장 과제와 기회: 본 보고서는 기술적 병목 현상, 비용 제한, 높은 진입 장벽 등 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 시장이 직면한 주요 과제를 파악하고 분석합니다. 또한 정부 인센티브, 신흥 시장, 이해관계자 간의 협업 등 시장 성장의 기회에 대해서도 강조합니다.
규제 및 정책 분석: 본 보고서는 정부 인센티브, 배출 기준, 인프라 개발 계획 등 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼에 대한 규제 및 정책 환경을 평가합니다. 이러한 정책이 시장 성장에 미치는 영향을 분석하고 향후 규제 동향에 대한 인사이트를 제공합니다.
권장 사항 및 결론: 본 보고서는 소비자, 정책 입안자, 투자자, 인프라 제공업체 등 이해관계자를 위한 실행 가능한 권고 사항으로 마무리합니다. 이러한 권장 사항은 조사 결과를 바탕으로 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 시장의 주요 과제와 기회를 해결할 수 있습니다.
참고 데이터 및 부록: 보고서에는 분석 및 조사 결과를 입증하기 위한 보조 데이터, 차트, 그래프가 포함되어 있습니다. 또한 데이터 소스, 설문조사, 상세한 시장 예측과 같은 추가 세부 정보가 담긴 부록도 포함되어 있습니다.
[시장 세분화]
GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 시장은 종류별 및 용도별로 세분화됩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
■ 종류별 시장 세그먼트
– 4-6인치, 12인치
■ 용도별 시장 세그먼트
– RF, LED, PV, VCSEL, EEL
■ 지역별 및 국가별 글로벌 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 시장 점유율, 2023년(%)
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 아시아 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도)
– 남미 (브라질, 아르헨티나)
– 중동 및 아프리카 (터키, 이스라엘, 사우디 아라비아, UAE)
■ 주요 업체
– Hwaya Technology,Advanced Wireless Semiconductor,Qorvo,II-VI Incorporated,IQE Corporation,Wafer Technology,Freiberger Compound Materials,AXT,Sumitomo Electric,China Crystal Technologies,Shenzhou Crystal Technology,Tianjin Jingming Electronic Materials,Yunnan Germanium,DOWA Electronics Materials,EpiWorks
[주요 챕터의 개요]
1 장 : GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼의 정의, 시장 개요를 소개
2 장 : 매출 및 판매량을 기준으로한 글로벌 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 시장 규모
3 장 : GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 제조업체 경쟁 환경, 가격, 판매량 및 매출 시장 점유율, 최신 동향, M&A 정보 등에 대한 자세한 분석
4 장 : 종류별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
5 장 : 용도별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
6 장 : 지역 및 국가별 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 판매량. 각 지역 및 주요 국가의 시장 규모와 성장 잠재력에 대한 정량적 분석을 제공. 세계 각국의 시장 개발, 향후 개발 전망, 시장 기회을 소개
7 장 : 주요 업체의 프로필을 제공. 제품 판매, 매출, 가격, 총 마진, 제품 소개, 최근 동향 등 시장 내 주요 업체의 기본 상황을 자세히 소개
8 장 : 지역별 및 국가별 글로벌 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 시장규모
9 장 : 시장 역학, 시장의 최신 동향, 시장의 추진 요인 및 제한 요인, 업계내 업체가 직면한 과제 및 리스크, 업계의 관련 정책 분석을 소개
10 장 : 산업의 업 스트림 및 다운 스트림을 포함한 산업 체인 분석
11 장 : 보고서의 주요 요점 및 결론
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■ 보고서 목차1. 조사 및 분석 보고서 소개 2. 글로벌 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 전체 시장 규모 3. 기업 환경 4. 종류별 시장 분석 5. 용도별 시장 분석 6. 지역별 시장 분석 7. 제조업체 및 브랜드 프로필 Hwaya Technology,Advanced Wireless Semiconductor,Qorvo,II-VI Incorporated,IQE Corporation,Wafer Technology,Freiberger Compound Materials,AXT,Sumitomo Electric,China Crystal Technologies,Shenzhou Crystal Technology,Tianjin Jingming Electronic Materials,Yunnan Germanium,DOWA Electronics Materials,EpiWorks Hwaya Technology Advanced Wireless Semiconductor Qorvo 8. 글로벌 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 생산 능력 분석 9. 주요 시장 동향, 기회, 동인 및 제약 요인 10. GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 공급망 분석 11. 결론 [그림 목록]- 종류별 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 세그먼트, 2023년 - 용도별 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 세그먼트, 2023년 - 글로벌 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 시장 개요, 2023년 - 글로벌 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 시장 규모: 2023년 VS 2030년 - 글로벌 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 매출, 2019-2030 - 글로벌 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 판매량: 2019-2030 - GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 매출 기준 상위 3개 및 5개 업체 시장 점유율, 2023년 - 글로벌 종류별 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 종류별 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 매출 시장 점유율 - 글로벌 종류별 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 글로벌 종류별 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 가격 - 글로벌 용도별 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 용도별 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 매출 시장 점유율 - 글로벌 용도별 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 글로벌 용도별 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 가격 - 지역별 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 매출, 2023년 VS 2030년 - 지역별 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 매출 시장 점유율 - 지역별 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 매출 시장 점유율 - 지역별 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 북미 국가별 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 매출 시장 점유율 - 북미 국가별 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 미국 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 시장규모 - 캐나다 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 시장규모 - 멕시코 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 시장규모 - 유럽 국가별 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 매출 시장 점유율 - 유럽 국가별 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 독일 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 시장규모 - 프랑스 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 시장규모 - 영국 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 시장규모 - 이탈리아 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 시장규모 - 러시아 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 시장규모 - 아시아 지역별 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 매출 시장 점유율 - 아시아 지역별 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 중국 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 시장규모 - 일본 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 시장규모 - 한국 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 시장규모 - 동남아시아 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 시장규모 - 인도 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 시장규모 - 남미 국가별 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 매출 시장 점유율 - 남미 국가별 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 브라질 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 시장규모 - 아르헨티나 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 시장규모 - 중동 및 아프리카 국가별 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 매출 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 국가별 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 터키 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 시장규모 - 이스라엘 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 시장규모 - 사우디 아라비아 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 시장규모 - 아랍에미리트 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 시장규모 - 글로벌 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 생산 능력 - 지역별 GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 생산량 비중, 2023년 VS 2030년 - GaAs 웨이퍼/에피 웨이퍼 산업 가치 사슬 - 마케팅 채널 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 GaAs 웨이퍼 및 에피 웨이퍼는 반도체 산업, 특히 고주파 및 광전자 분야에서 매우 중요한 역할을 하는 핵심 소재입니다. 이러한 소재들은 실리콘(Si) 기반 반도체의 한계를 극복하고 더 높은 성능과 기능을 구현하기 위해 개발되었습니다. GaAs는 갈륨(Ga)과 비소(As)의 화합물 반도체로, 독특한 전기적, 광학적 특성을 지니고 있어 다양한 첨단 응용 분야에 활용됩니다. GaAs 웨이퍼는 갈륨비소 단결정을 성장시켜 얇고 평평한 원판 형태로 가공한 것을 의미합니다. 마치 실리콘 웨이퍼와 유사한 개념이지만, 기본 재료가 실리콘이 아닌 GaAs라는 점에서 차이가 있습니다. 이 웨이퍼는 반도체 칩을 제작하기 위한 기판으로 사용됩니다. GaAs 웨이퍼 자체는 전기적 특성을 나타내지만, 일반적으로는 이 웨이퍼 위에 원하는 기능의 반도체 박막을 성장시키는 과정을 거치게 됩니다. 에피 웨이퍼(Epiwafer)는 이러한 GaAs 웨이퍼 위에 고품질의 단결정 박막을 성장시킨 것을 말합니다. 에피탁시(Epitaxy)라는 성장 기술을 사용하여 웨이퍼의 결정 구조를 그대로 유지하면서 특정 조성과 도핑 농도를 갖는 박막을 형성하는 것입니다. 이 박막은 실제 반도체 소자의 기능을 수행하는 핵심적인 역할을 합니다. 따라서 에피 웨이퍼는 웨이퍼 자체와 그 위에 성장된 기능성 박막을 포함하는 개념으로 이해할 수 있습니다. GaAs 웨이퍼 및 에피 웨이퍼의 가장 두드러진 특징은 실리콘에 비해 훨씬 뛰어난 전자 이동도(electron mobility)를 가진다는 점입니다. 전자 이동도는 전자가 물질 내에서 얼마나 자유롭게 움직일 수 있는지를 나타내는 지표로, 이 값이 높을수록 더 빠른 스위칭 속도와 높은 동작 주파수를 구현할 수 있습니다. GaAs는 실리콘보다 약 5~6배 높은 전자 이동도를 가지므로, 고주파 신호를 처리해야 하는 통신 장비나 레이더 시스템 등에서 탁월한 성능을 발휘합니다. 또한, GaAs는 직접 천이형(direct bandgap) 반도체라는 중요한 특징을 가지고 있습니다. 이는 전자가 에너지를 잃을 때 빛의 형태로 직접 방출될 수 있다는 것을 의미합니다. 실리콘은 간접 천이형(indirect bandgap) 반도체로, 전자가 빛을 방출하기 위해서는 다른 경로를 거쳐야 하므로 빛을 효율적으로 발생시키기 어렵습니다. 따라서 GaAs는 레이저 다이오드, 발광 다이오드(LED)와 같은 광전자 소자 제작에 매우 적합한 소재입니다. 이러한 특성 덕분에 GaAs 웨이퍼 및 에피 웨이퍼는 다양한 분야에서 활용됩니다. 대표적으로는 무선 통신 기기의 고주파 증폭기(Power Amplifier, PA) 및 저잡음 증폭기(Low Noise Amplifier, LNA), 위성 통신 시스템, 이동 통신 기지국 등에 사용되는 고성능 트랜지스터 제작에 필수적입니다. 또한, 광통신 시스템에 사용되는 레이저 다이오드 및 광검출기, 고속 센서, 적외선 감지기 등에서도 중요한 역할을 합니다. 최근에는 자율주행 자동차의 라이다(LiDAR) 센서, 스마트폰의 고속 데이터 처리 등 다양한 첨단 기술 분야에서도 GaAs 기반 소자의 적용이 확대되고 있습니다. GaAs 웨이퍼 및 에피 웨이퍼를 제작하고 활용하는 데에는 여러 가지 관련 기술이 필요합니다. 웨이퍼 제조 단계에서는 고품질의 GaAs 단결정을 성장시키기 위한 초크랄스키법(Czochralski method) 또는 부유대역법(Floating Zone method) 등이 사용됩니다. 이후 웨이퍼를 얇고 평평하게 절단하고 연마하는 공정을 거칩니다. 에피 웨이퍼 제작의 핵심 기술은 앞서 언급한 에피탁시입니다. 에피탁시에는 크게 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD)과 분자빔에피탁시법(Molecular Beam Epitaxy, MBE)이 있습니다. CVD는 반응 가스를 이용하여 박막을 성장시키는 방법으로, 상대적으로 대량 생산에 유리하며 비용 효율적입니다. 특히 유기금속화학기상증착법(Metalorganic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)은 고품질의 GaAs 기반 화합물 반도체 박막을 성장시키는 데 널리 사용됩니다. MBE는 고진공 상태에서 원자 또는 분자 빔을 기판에 조사하여 박막을 성장시키는 방법으로, 매우 정밀한 박막 두께와 조성을 제어할 수 있어 최첨단 소자 제작에 적합합니다. 에피 웨이퍼 상에 특정 반도체 소자를 만들기 위해서는 리소그래피(Lithography), 식각(Etching), 증착(Deposition), 이온 주입(Ion Implantation), 열처리(Annealing) 등 다양한 반도체 공정 기술이 필요합니다. 특히 GaAs는 실리콘과는 다른 공정 조건과 화학적 특성을 가지므로, 각 공정마다 최적화된 기술이 요구됩니다. 예를 들어, GaAs는 실리콘보다 화학적으로 불안정하고 높은 온도에 민감하기 때문에 공정 온도, 사용되는 화학 물질, 식각 방식 등을 신중하게 선택해야 합니다. GaAs 웨이퍼 및 에피 웨이퍼의 종류는 기판 자체의 특성뿐만 아니라 위에 성장된 에피층의 구조와 조성에 따라 다양하게 분류될 수 있습니다. GaAs 단결정 기판 위에 GaAs 자체를 성장시킨 에피 웨이퍼도 있지만, GaAs 기판 위에 다른 화합물 반도체 물질을 성장시킨 헤테로 구조 에피 웨이퍼도 매우 중요합니다. 대표적으로는 다음과 같은 종류들이 있습니다. 첫째, **GaAs 에피 웨이퍼**는 GaAs 기판 위에 GaAs 박막을 성장시킨 것입니다. 이는 GaAs 자체의 우수한 전기적, 광학적 특성을 최대한 활용하고자 할 때 사용됩니다. 둘째, **AlGaAs/GaAs 에피 웨이퍼**는 알루미늄갈륨비소(AlGaAs)와 GaAs를 번갈아 쌓아 올린 다층 구조의 에피 웨이퍼입니다. AlGaAs는 GaAs와 결정 격자 상수가 비슷하면서도 밴드갭 에너지를 조절할 수 있어, 헤테로 접합을 통해 전자 구속 효과를 만들거나 광학적 특성을 제어하는 데 사용됩니다. 이는 고속 트랜지스터(HEMT 등)나 레이저 다이오드의 활성층에 흔히 사용됩니다. 셋째, **InGaP/GaAs 에피 웨이퍼**는 인화인듐갈륨(InGaP)과 GaAs를 결합한 구조입니다. InGaP는 GaAs보다 밴드갭이 넓어 절연층 역할을 하거나 특정 광학 특성을 구현하는 데 사용될 수 있습니다. 고효율 태양전지나 특정 종류의 고속 트랜지스터에 응용됩니다. 넷째, **고전자 이동도 트랜지스터(HEMT: High Electron Mobility Transistor)용 에피 웨이퍼**는 GaAs 또는 다른 기판 위에 AlGaAs/GaAs와 같은 헤테로 구조를 형성하여 두 물질 계면에서 발생하는 2차원 전자 가스(2DEG: two-dimensional electron gas)를 활용하는 트랜지스터를 제작하기 위한 것입니다. HEMT는 뛰어난 고주파 및 저잡음 특성을 자랑합니다. 다섯째, **수직공진기표면광방출레이저(VCSEL: Vertical Cavity Surface Emitting Laser)용 에피 웨이퍼**는 다층의 반사경 구조와 활성층을 GaAs 기반으로 제작하여 수직 방향으로 빛을 방출하는 레이저를 만들기 위한 것입니다. VCSEL은 저렴한 비용으로 대량 생산이 가능하고 좁은 스펙트럼 폭을 가지는 장점이 있어 광통신 및 센서 분야에 널리 사용됩니다. 이 외에도 InP(인화인듐) 기판 위에 성장된 InP 계열 에피 웨이퍼나 GaN(질화갈륨) 기판 위에 성장된 GaN 계열 에피 웨이퍼 등도 있지만, GaAs 웨이퍼 및 에피 웨이퍼는 그 역사와 적용 범위 면에서 가장 중요하고 널리 사용되는 화합물 반도체 소재 중 하나입니다. GaAs 웨이퍼 및 에피 웨이퍼 산업은 지속적인 기술 발전과 새로운 응용 분야의 출현으로 그 중요성이 더욱 커지고 있습니다. 특히 5G, 6G 통신, 인공지능, 사물 인터넷(IoT) 등 미래 첨단 산업의 발전에 필수적인 역할을 수행할 것으로 기대됩니다. 이러한 소재들이 제공하는 고유한 성능은 기존의 실리콘 기반 기술로는 달성하기 어려운 새로운 가능성을 열어주고 있습니다. 따라서 GaAs 웨이퍼 및 에피 웨이퍼의 제조 및 응용 기술에 대한 연구 개발은 반도체 산업 경쟁력 강화에 매우 중요한 과제라고 할 수 있습니다. |
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