| ■ 영문 제목 : Global Emerging Non-Volatile Memory Market Growth 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : LPI2407D18048 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2024년 5월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
| Single User (1명 열람용) | USD3,660 ⇒환산￦4,941,000 | 견적의뢰/주문/질문 |
| Multi User (5명 열람용) | USD5,490 ⇒환산￦7,411,500 | 견적의뢰/주문/질문 |
| Corporate User (동일기업내 공유가능) | USD7,320 ⇒환산￦9,882,000 | 견적의뢰/구입/질문 |
|
※가격옵션 설명 - 납기는 즉일~2일소요됩니다. 3일이상 소요되는 경우는 별도표기 또는 연락드립니다. - 지불방법은 계좌이체/무통장입금 또는 카드결제입니다. |
LP Information (LPI)사의 최신 조사에 따르면, 글로벌 첨단 비휘발성 메모리 시장 규모는 2023년에 미화 XXX백만 달러로 산출되었습니다. 다운 스트림 시장의 수요가 증가함에 따라 첨단 비휘발성 메모리은 조사 대상 기간 동안 XXX%의 CAGR(연평균 성장율)로 2030년까지 미화 XXX백만 달러의 시장규모로 예상됩니다.
본 조사 보고서는 글로벌 첨단 비휘발성 메모리 시장의 성장 잠재력을 강조합니다. 첨단 비휘발성 메모리은 향후 시장에서 안정적인 성장을 보일 것으로 예상됩니다. 그러나 제품 차별화, 비용 절감 및 공급망 최적화는 첨단 비휘발성 메모리의 광범위한 채택을 위해 여전히 중요합니다. 시장 참여자들은 연구 개발에 투자하고, 전략적 파트너십을 구축하고, 진화하는 소비자 선호도에 맞춰 제품을 제공함으로써 첨단 비휘발성 메모리 시장이 제공하는 막대한 기회를 활용해야 합니다.
[주요 특징]
첨단 비휘발성 메모리 시장에 대한 보고서는 다양한 측면을 반영하고 업계에 대한 소중한 통찰력을 제공합니다.
시장 규모 및 성장: 본 조사 보고서는 첨단 비휘발성 메모리 시장의 현재 규모와 성장에 대한 개요를 제공합니다. 여기에는 과거 데이터, 유형별 시장 세분화 (예 : 3D NAND, 자기 저항 랜덤 액세스 메모리 (MRAM), 스핀 전송 토크 랜덤 액세스 메모리 (STT-RAM), 강유전체 RAM (FRAM), 저항 랜덤 액세스 메모리 (RERAM), 3D X 포인트, 나노 RAM, 기타) 및 지역 분류가 포함될 수 있습니다.
시장 동인 및 과제: 본 보고서는 정부 규제, 환경 문제, 기술 발전 및 소비자 선호도 변화와 같은 첨단 비휘발성 메모리 시장의 성장을 주도하는 요인을 식별하고 분석 할 수 있습니다. 또한 인프라 제한, 범위 불안, 높은 초기 비용 등 업계가 직면한 과제를 강조할 수 있습니다.
경쟁 환경: 본 조사 보고서는 첨단 비휘발성 메모리 시장 내 경쟁 환경에 대한 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 업체의 프로필, 시장 점유율, 전략 및 제공 제품이 포함됩니다. 본 보고서는 또한 신흥 플레이어와 시장에 대한 잠재적 영향을 강조할 수 있습니다.
기술 개발: 본 조사 보고서는 첨단 비휘발성 메모리 산업의 최신 기술 개발에 대해 자세히 살펴볼 수 있습니다. 여기에는 첨단 비휘발성 메모리 기술의 발전, 첨단 비휘발성 메모리 신규 진입자, 첨단 비휘발성 메모리 신규 투자, 그리고 첨단 비휘발성 메모리의 미래를 형성하는 기타 혁신이 포함됩니다.
다운스트림 고객 선호도: 본 보고서는 첨단 비휘발성 메모리 시장의 고객 구매 행동 및 채택 동향을 조명할 수 있습니다. 여기에는 고객의 구매 결정에 영향을 미치는 요인, 첨단 비휘발성 메모리 제품에 대한 선호도가 포함됩니다.
정부 정책 및 인센티브: 본 조사 보고서는 정부 정책 및 인센티브가 첨단 비휘발성 메모리 시장에 미치는 영향을 분석합니다. 여기에는 규제 프레임워크, 보조금, 세금 인센티브 및 첨단 비휘발성 메모리 시장을 촉진하기위한 기타 조치에 대한 평가가 포함될 수 있습니다. 본 보고서는 또한 이러한 정책이 시장 성장을 촉진하는데 미치는 효과도 분석합니다.
환경 영향 및 지속 가능성: 조사 보고서는 첨단 비휘발성 메모리 시장의 환경 영향 및 지속 가능성 측면을 분석합니다.
시장 예측 및 미래 전망: 수행된 분석을 기반으로 본 조사 보고서는 첨단 비휘발성 메모리 산업에 대한 시장 예측 및 전망을 제공합니다. 여기에는 시장 규모, 성장률, 지역 동향, 기술 발전 및 정책 개발에 대한 예측이 포함됩니다.
권장 사항 및 기회: 본 보고서는 업계 이해 관계자, 정책 입안자, 투자자를 위한 권장 사항으로 마무리됩니다. 본 보고서는 시장 참여자들이 새로운 트렌드를 활용하고, 도전 과제를 극복하며, 첨단 비휘발성 메모리 시장의 성장과 발전에 기여할 수 있는 잠재적 기회를 강조합니다.
[시장 세분화]
첨단 비휘발성 메모리 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 수량 및 금액 측면에서 제공합니다.
*** 종류별 세분화 ***
3D NAND, 자기 저항 랜덤 액세스 메모리 (MRAM), 스핀 전송 토크 랜덤 액세스 메모리 (STT-RAM), 강유전체 RAM (FRAM), 저항 랜덤 액세스 메모리 (RERAM), 3D X 포인트, 나노 RAM, 기타
*** 용도별 세분화 ***
군사 및 항공, 공업, 통신, 에너지 및 전력, 의료, 농업, 소매
본 보고서는 또한 시장을 지역별로 분류합니다:
– 미주 (미국, 캐나다, 멕시코, 브라질)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 호주)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 중동 및 아프리카 (이집트, 남아프리카 공화국, 이스라엘, 터키, GCC 국가)
아래 프로파일링 대상 기업은 주요 전문가로부터 수집한 정보를 바탕으로 해당 기업의 서비스 범위, 제품 포트폴리오, 시장 점유율을 분석하여 선정되었습니다.
Samsung Electronics Co., Ltd. (South Korea), Toshiba Corp. (Japan), Micron Technology, Inc. (U.S.), SK Hynix, Inc. (South Korea), Western Digital Corp. (U.S.), Adesto Technologies Corp. (U.S.), Intel Corporation. (U.S.), Microchip Technology, Inc. (U.S.), Fujitsu Ltd. (Japan), Everspin Technologies, Inc. (U.S.), Viking Technologes Ltd. (U.S.), Crossba
[본 보고서에서 다루는 주요 질문]
– 글로벌 첨단 비휘발성 메모리 시장의 향후 10년 전망은 어떻게 될까요?
– 전 세계 및 지역별 첨단 비휘발성 메모리 시장 성장을 주도하는 요인은 무엇입니까?
– 시장과 지역별로 가장 빠르게 성장할 것으로 예상되는 분야는 무엇인가요?
– 최종 시장 규모에 따라 첨단 비휘발성 메모리 시장 기회는 어떻게 다른가요?
– 첨단 비휘발성 메모리은 종류, 용도를 어떻게 분류합니까?
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차■ 보고서의 범위 ■ 보고서의 요약 ■ 기업별 세계 첨단 비휘발성 메모리 시장분석 ■ 지역별 첨단 비휘발성 메모리에 대한 추이 분석 ■ 미주 시장 ■ 아시아 태평양 시장 ■ 유럽 시장 ■ 중동 및 아프리카 시장 ■ 시장 동인, 도전 과제 및 동향 ■ 제조 비용 구조 분석 ■ 마케팅, 유통업체 및 고객 ■ 지역별 첨단 비휘발성 메모리 시장 예측 ■ 주요 기업 분석 Samsung Electronics Co., Ltd. (South Korea), Toshiba Corp. (Japan), Micron Technology, Inc. (U.S.), SK Hynix, Inc. (South Korea), Western Digital Corp. (U.S.), Adesto Technologies Corp. (U.S.), Intel Corporation. (U.S.), Microchip Technology, Inc. (U.S.), Fujitsu Ltd. (Japan), Everspin Technologies, Inc. (U.S.), Viking Technologes Ltd. (U.S.), Crossba – Samsung Electronics Co. – Ltd. (South Korea) – Toshiba Corp. (Japan) ■ 조사 결과 및 결론 [그림 목록]첨단 비휘발성 메모리 이미지 첨단 비휘발성 메모리 판매량 성장률 (2019-2030) 글로벌 첨단 비휘발성 메모리 매출 성장률 (2019-2030) 지역별 첨단 비휘발성 메모리 매출 (2019, 2023 및 2030) 글로벌 종류별 첨단 비휘발성 메모리 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 종류별 첨단 비휘발성 메모리 매출 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 용도별 첨단 비휘발성 메모리 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 용도별 첨단 비휘발성 메모리 매출 시장 점유율 기업별 첨단 비휘발성 메모리 판매량 시장 2023 기업별 글로벌 첨단 비휘발성 메모리 판매량 시장 점유율 2023 기업별 첨단 비휘발성 메모리 매출 시장 2023 기업별 글로벌 첨단 비휘발성 메모리 매출 시장 점유율 2023 지역별 글로벌 첨단 비휘발성 메모리 판매량 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 첨단 비휘발성 메모리 매출 시장 점유율 2023 미주 첨단 비휘발성 메모리 판매량 (2019-2024) 미주 첨단 비휘발성 메모리 매출 (2019-2024) 아시아 태평양 첨단 비휘발성 메모리 판매량 (2019-2024) 아시아 태평양 첨단 비휘발성 메모리 매출 (2019-2024) 유럽 첨단 비휘발성 메모리 판매량 (2019-2024) 유럽 첨단 비휘발성 메모리 매출 (2019-2024) 중동 및 아프리카 첨단 비휘발성 메모리 판매량 (2019-2024) 중동 및 아프리카 첨단 비휘발성 메모리 매출 (2019-2024) 미국 첨단 비휘발성 메모리 시장규모 (2019-2024) 캐나다 첨단 비휘발성 메모리 시장규모 (2019-2024) 멕시코 첨단 비휘발성 메모리 시장규모 (2019-2024) 브라질 첨단 비휘발성 메모리 시장규모 (2019-2024) 중국 첨단 비휘발성 메모리 시장규모 (2019-2024) 일본 첨단 비휘발성 메모리 시장규모 (2019-2024) 한국 첨단 비휘발성 메모리 시장규모 (2019-2024) 동남아시아 첨단 비휘발성 메모리 시장규모 (2019-2024) 인도 첨단 비휘발성 메모리 시장규모 (2019-2024) 호주 첨단 비휘발성 메모리 시장규모 (2019-2024) 독일 첨단 비휘발성 메모리 시장규모 (2019-2024) 프랑스 첨단 비휘발성 메모리 시장규모 (2019-2024) 영국 첨단 비휘발성 메모리 시장규모 (2019-2024) 이탈리아 첨단 비휘발성 메모리 시장규모 (2019-2024) 러시아 첨단 비휘발성 메모리 시장규모 (2019-2024) 이집트 첨단 비휘발성 메모리 시장규모 (2019-2024) 남아프리카 첨단 비휘발성 메모리 시장규모 (2019-2024) 이스라엘 첨단 비휘발성 메모리 시장규모 (2019-2024) 터키 첨단 비휘발성 메모리 시장규모 (2019-2024) GCC 국가 첨단 비휘발성 메모리 시장규모 (2019-2024) 첨단 비휘발성 메모리의 제조 원가 구조 분석 첨단 비휘발성 메모리의 제조 공정 분석 첨단 비휘발성 메모리의 산업 체인 구조 첨단 비휘발성 메모리의 유통 채널 글로벌 지역별 첨단 비휘발성 메모리 판매량 시장 전망 (2025-2030) 글로벌 지역별 첨단 비휘발성 메모리 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 첨단 비휘발성 메모리 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 첨단 비휘발성 메모리 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 첨단 비휘발성 메모리 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 첨단 비휘발성 메모리 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 첨단 비휘발성 메모리(Emerging Non-Volatile Memory)는 기존의 주요 비휘발성 메모리 기술인 NAND 플래시와 NOR 플래시의 한계를 극복하고 더 나은 성능, 전력 효율성, 내구성, 집적도 등을 제공하기 위해 개발되고 있는 차세대 메모리 기술들을 총칭합니다. 비휘발성 메모리란 전원이 공급되지 않아도 데이터가 영구적으로 저장되는 특성을 지닌 메모리를 의미하며, 현재 컴퓨터의 저장 장치로 널리 사용되는 SSD(Solid State Drive)의 핵심 기술인 NAND 플래시가 대표적인 예입니다. 하지만 NAND 플래시 역시 셀당 저장 용량 증가에 따른 성능 저하, 쓰기/지우기 횟수 제한으로 인한 내구성 문제, 높은 전력 소비 등 몇 가지 근본적인 한계를 가지고 있습니다. 이러한 배경에서 첨단 비휘발성 메모리 기술들이 주목받고 있으며, 이는 디지털 정보 저장 및 처리에 있어 혁신적인 변화를 가져올 잠재력을 지니고 있습니다. 첨단 비휘발성 메모리 기술들은 기본적으로 데이터를 저장하는 물리적인 메커니즘이 기존 플래시 메모리와는 다릅니다. 기존 플래시 메모리가 전하의 이동을 통해 데이터를 저장하는 반면, 첨단 비휘발성 메모리들은 다양한 물리적 현상을 활용하여 데이터를 기록합니다. 이러한 차이는 각 기술마다 고유한 특징과 장단점을 가지게 하며, 특정 응용 분야에 더욱 적합한 특성을 제공할 수 있습니다. 예를 들어, 일부 첨단 메모리는 훨씬 빠른 데이터 접근 속도를 제공하여 CPU와의 병목 현상을 완화하거나, 극도로 낮은 전력으로 동작하여 휴대용 기기의 배터리 수명을 획기적으로 늘릴 수 있습니다. 또한, 수십 년 이상 데이터 보존이 가능하거나 수백만 번 이상의 쓰기/지우기 횟수를 견딜 수 있는 내구성을 제공하기도 합니다. 첨단 비휘발성 메모리의 종류는 매우 다양하며, 각 기술은 고유한 작동 원리와 특성을 가지고 있습니다. 가장 많이 연구되고 상용화 가능성이 높은 기술 중 하나는 **상변화 메모리(Phase Change Memory, PCM)**입니다. PCM은 chalcogenide 합금 물질이 열에 의해 비정질(amorphous) 상태와 결정질(crystalline) 상태 사이를 오가는 상변화 현상을 이용해 데이터를 저장합니다. 비정질 상태는 높은 전기 저항을, 결정질 상태는 낮은 전기 저항을 가지며, 이 저항 값의 차이를 이용하여 데이터를 구분합니다. PCM은 NAND 플래시보다 훨씬 빠른 읽기/쓰기 속도와 높은 내구성을 제공하며, 비교적 간단한 구조를 가지고 있어 집적도를 높이기 용이하다는 장점이 있습니다. 특히, 빠른 응답 속도가 중요한 실시간 데이터 처리나 캐시 메모리 등의 분야에서 활용될 가능성이 높습니다. 또 다른 유망한 기술로는 **강유전체 메모리(Ferroelectric RAM, FeRAM 또는 FRAM)**가 있습니다. FeRAM은 강유전체 물질의 분극 방향을 이용하여 데이터를 저장합니다. 강유전체 물질은 외부 전기장에 의해 분극 방향이 바뀌고, 외부 전기장이 제거된 후에도 그 분극 상태를 유지하는 특성을 가지고 있습니다. 이 분극 상태의 변화를 전기 신호로 감지하여 데이터를 읽습니다. FeRAM은 기존 SRAM(Static RAM)과 비슷한 수준의 매우 빠른 읽기/쓰기 속도와 낮은 전력 소비, 높은 내구성을 제공하는 것이 특징입니다. 특히, 전력 공급이 불안정한 환경이나 데이터 무결성이 중요한 임베디드 시스템, IoT(Internet of Things) 장치 등에서 강점을 발휘할 수 있습니다. 하지만 강유전체 물질의 특성상 셀 크기를 줄이는 데 기술적인 어려움이 있어 고집적화에는 한계가 있을 수 있습니다. **저항 변화 메모리(Resistive RAM, ReRAM 또는 RRAM)** 또한 주목받는 첨단 비휘발성 메모리 기술입니다. ReRAM은 금속 산화물 또는 기타 절연체 물질에 전압을 가하여 절연체 내부에 형성되는 전도성 필라멘트(conductive filament)의 유무 또는 상태 변화를 이용하여 데이터를 저장합니다. 전도성 필라멘트가 형성되면 낮은 저항 상태가 되고, 필라멘트가 끊기면 높은 저항 상태가 됩니다. 이 저항 값의 차이를 이용해 데이터를 읽습니다. ReRAM은 극도로 단순한 셀 구조를 가지면서도 높은 집적도, 빠른 속도, 낮은 전력 소비, 높은 내구성을 제공할 수 있다는 잠재력을 가지고 있습니다. 특히, 인공지능 연산에 필요한 뉴럴 네트워크의 시냅스(synapse)를 모방하는 데 적합하여 인공지능 반도체 분야에서 큰 기대를 받고 있습니다. 다양한 소재와 구조에 대한 연구가 활발히 진행 중이며, 상용화를 위한 기술적 과제들도 남아 있습니다. 이 외에도 자기 저항 메모리(Magnetoresistive RAM, MRAM), 낸드 기반 첨단 메모리 기술(예: 3D NAND의 고집적화 기술), 그리고 전기화학적 메모리(Electrochemical RAM, ECRAM) 등 다양한 종류의 첨단 비휘발성 메모리 기술들이 연구 개발되고 있습니다. MRAM은 자기 터널 접합(Magnetic Tunnel Junction, MTJ) 소자를 이용하여 저장되는 자화 상태의 변화를 이용하며, 빠른 속도와 무한한 내구성을 제공한다는 장점이 있습니다. 이러한 첨단 비휘발성 메모리 기술들은 다양한 분야에서 혁신적인 응용 가능성을 제시합니다. **데이터 센터**에서는 기존 NAND 플래시보다 훨씬 빠른 입출력 속도를 제공하여 CPU와 스토리지 간의 병목 현상을 완화하고 전반적인 시스템 성능을 향상시킬 수 있습니다. 특히, 인메모리 컴퓨팅(In-memory Computing)과 같은 새로운 컴퓨팅 패러다임에서는 메모리 내에서 직접 연산을 수행하는 것이 중요하며, 이를 위해서는 빠른 속도와 낮은 지연 시간을 제공하는 첨단 비휘발성 메모리가 필수적입니다. **모바일 기기 및 IoT 장치**에서도 첨단 비휘발성 메모리의 역할이 기대됩니다. 낮은 전력 소비는 배터리 수명을 획기적으로 늘릴 수 있으며, 빠른 데이터 접근은 사용자 경험을 향상시킬 수 있습니다. 또한, 센서 데이터의 실시간 처리, 엣지 컴퓨팅(Edge Computing) 등에서 요구되는 신속하고 효율적인 데이터 관리를 가능하게 합니다. **인공지능 및 머신러닝 분야**는 첨단 비휘발성 메모리 기술의 가장 큰 수혜자 중 하나가 될 수 있습니다. 특히 ReRAM과 같은 기술은 인간의 신경망을 모방하는 데 유리하여, AI 학습 및 추론 과정을 더욱 빠르고 효율적으로 만들 수 있습니다. 메모리 내에서 직접 연산을 수행하는 뉴로모픽 컴퓨팅(Neuromorphic Computing)의 구현에 있어 첨단 비휘발성 메모리는 핵심적인 구성 요소가 될 것입니다. 첨단 비휘발성 메모리 기술의 발전을 뒷받침하는 관련 기술들도 다양합니다. **소재 과학** 분야에서는 데이터 저장 메커니즘에 적합한 새로운 물질을 개발하고 기존 물질의 성능을 개선하는 연구가 중요합니다. 예를 들어, 강유전체 물질의 두께를 줄이거나, ReRAM의 전도성 필라멘트 형성 및 제어 메커니즘을 최적화하는 연구 등이 이에 해당합니다. **공정 기술** 또한 첨단 비휘발성 메모리 상용화에 필수적인 요소입니다. 나노미터 수준의 정밀한 패턴 형성과 다양한 소재를 안정적으로 집적하는 기술은 고성능, 고집적 메모리 칩 생산의 핵심입니다. 특히, 수직으로 쌓아 올리는 3D 적층 기술은 저장 용량을 획기적으로 늘리는 데 중요한 역할을 합니다. **메모리 컨트롤러 및 인터페이스 기술** 역시 첨단 비휘발성 메모리의 성능을 최대한 끌어내기 위해 중요합니다. 각 메모리 기술의 고유한 특성에 맞춰 최적의 데이터 입출력을 관리하고, CPU와의 효율적인 통신을 지원하는 컨트롤러 설계가 필요합니다. 또한, PCIe와 같은 고속 인터페이스와의 호환성 확보도 중요합니다. 결론적으로, 첨단 비휘발성 메모리 기술들은 기존 메모리의 한계를 극복하고 새로운 가능성을 열어가는 중요한 분야입니다. PCM, FeRAM, ReRAM 등 다양한 기술들이 각자의 장점을 바탕으로 빠르게 발전하고 있으며, 데이터 센터, 모바일 기기, 인공지능 등 미래 사회의 핵심 분야에 혁신적인 변화를 가져올 것으로 기대됩니다. 이러한 기술의 발전은 단순히 더 많은 데이터를 더 빠르게 저장하는 것을 넘어, 컴퓨팅의 패러다임을 바꾸고 우리 삶의 다양한 측면을 더욱 풍요롭게 만들 잠재력을 지니고 있습니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 첨단 비휘발성 메모리 시장 2024-2030] (코드 : LPI2407D18048) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
| ※본 조사보고서 [세계의 첨단 비휘발성 메모리 시장 2024-2030] 에 대해서 E메일 문의는 여기를 클릭하세요. |