| ■ 영문 제목 : Global 600V GaN Transistors Market 2024 by Manufacturers, Regions, Type and Application, Forecast to 2030 | |
 | ■ 상품코드 : GIR2406C4281 ■ 조사/발행회사 : Globalinforesearch ■ 발행일 : 2024년 6월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자＆반도체 |
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조사회사 Global Info Research의 최신 조사에 따르면, 세계의 600V GaN 트랜지스터 시장 규모는 2023년에 XXX백만 달러로 분석되었으며, 검토 기간 동안 xx%의 CAGR로 2030년까지 XXX백만 달러의 재조정된 규모로 성장이 예측됩니다.
Global Info Research 보고서에는 600V GaN 트랜지스터 산업 체인 동향 개요, 전원 어댑터, LED 조명 드라이버, 가전 제품 모터 드라이버, 무선 전원 공급, 산업용 전원, 기타 응용분야 및 선진 및 개발 도상국의 주요 기업의 시장 현황, 600V GaN 트랜지스터의 최첨단 기술, 특허, 최신 용도 및 시장 동향을 분석했습니다.
지역별로는 주요 지역의 600V GaN 트랜지스터 시장을 분석합니다. 북미와 유럽은 정부 이니셔티브와 수요자 인식 제고에 힘입어 꾸준한 성장세를 보이고 있습니다. 아시아 태평양, 특히 중국은 탄탄한 내수 수요와 지원 정책, 강력한 제조 기반을 바탕으로 글로벌 600V GaN 트랜지스터 시장을 주도하고 있습니다.
[주요 특징]
본 보고서는 600V GaN 트랜지스터 시장에 대한 포괄적인 이해를 제공합니다. 본 보고서는 산업에 대한 전체적인 관점과 개별 구성 요소 및 이해 관계자에 대한 자세한 통찰력을 제공합니다. 본 보고서는 600V GaN 트랜지스터 산업 내의 시장 역학, 동향, 과제 및 기회를 분석합니다. 또한, 거시적 관점에서 시장을 분석하는 것이 포함됩니다.
시장 규모 및 세분화: 본 보고서는 판매량, 매출 및 종류별 (예 : FET, HEMT)의 시장 점유율을 포함한 전체 시장 규모에 대한 데이터를 수집합니다.
산업 분석: 보고서는 정부 정책 및 규제, 기술 발전, 수요자 선호도, 시장 역학 등 광범위한 산업 동향을 분석합니다. 이 분석은 600V GaN 트랜지스터 시장에 영향을 미치는 주요 동인과 과제를 이해하는데 도움이 됩니다.
지역 분석: 본 보고서에는 지역 또는 국가 단위로 600V GaN 트랜지스터 시장을 조사하는 것이 포함됩니다. 보고서는 정부 인센티브, 인프라 개발, 경제 상황 및 수요자 행동과 같은 지역 요인을 분석하여 다양한 시장 내의 변화와 기회를 식별합니다.
시장 전망: 보고서는 수집된 데이터와 분석을 통해 600V GaN 트랜지스터 시장에 대한 미래 전망 및 예측을 다룹니다. 여기에는 시장 성장률 추정, 시장 수요 예측, 새로운 트렌드 파악 등이 포함될 수 있습니다. 본 보고서에는 600V GaN 트랜지스터에 대한 보다 세분화된 접근 방식도 포함됩니다.
기업 분석: 본 보고서는 600V GaN 트랜지스터 제조업체, 공급업체 및 기타 관련 업계 플레이어를 다룹니다. 이 분석에는 재무 성과, 시장 포지셔닝, 제품 포트폴리오, 파트너십 및 전략에 대한 조사가 포함됩니다.
수요자 분석: 보고서는 600V GaN 트랜지스터에 대한 수요자 행동, 선호도 및 태도에 대한 데이터를 다룹니다. 여기에는 설문 조사, 인터뷰 및 응용 분야별 (전원 어댑터, LED 조명 드라이버, 가전 제품 모터 드라이버, 무선 전원 공급, 산업용 전원, 기타)의 다양한 수요자 리뷰 및 피드백 분석이 포함될 수 있습니다.
기술 분석: 600V GaN 트랜지스터과 관련된 특정 기술을 다루는 보고서입니다. 600V GaN 트랜지스터 분야의 현재 상황 및 잠재적 미래 발전 가능성을 평가합니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 개별 기업, 공급업체 및 수요업체를 분석하여 600V GaN 트랜지스터 시장의 경쟁 환경에 대한 통찰력을 제공합니다. 이 분석은 시장 점유율, 경쟁 우위 및 업계 플레이어 간의 차별화 가능성을 이해하는 데 도움이 됩니다.
시장 검증: 본 보고서에는 설문 조사, 인터뷰 및 포커스 그룹과 같은 주요 조사를 통해 결과 및 예측을 검증하는 작업이 포함됩니다.
[시장 세분화]
600V GaN 트랜지스터 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
종류별 시장 세그먼트
– FET, HEMT
용도별 시장 세그먼트
– 전원 어댑터, LED 조명 드라이버, 가전 제품 모터 드라이버, 무선 전원 공급, 산업용 전원, 기타
주요 대상 기업
– Infineon, Texas Instruments, GaN Systems, Nexperia, STMicroelectronics, Navitas, Power Integrations, Transphorm, Panasonic, GaNPower
지역 분석은 다음을 포함합니다.
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 러시아, 이탈리아)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 인도, 동남아시아, 호주)
– 남미 (브라질, 아르헨티나, 콜롬비아)
– 중동 및 아프리카 (사우디아라비아, 아랍에미리트, 이집트, 남아프리카공화국)
본 조사 보고서는 아래 항목으로 구성되어 있습니다.
– 600V GaN 트랜지스터 제품 범위, 시장 개요, 시장 추정, 주의 사항 및 기준 연도를 설명합니다.
– 2019년부터 2024년까지 600V GaN 트랜지스터의 가격, 판매량, 매출 및 세계 시장 점유율과 함께 600V GaN 트랜지스터의 주요 제조업체를 프로파일링합니다.
– 600V GaN 트랜지스터 경쟁 상황, 판매량, 매출 및 주요 제조업체의 글로벌 시장 점유율이 상세하게 분석 됩니다.
– 600V GaN 트랜지스터 상세 데이터는 2019년부터 2030년까지 지역별 판매량, 소비금액 및 성장성을 보여주기 위해 지역 레벨로 표시됩니다.
– 2019년부터 2030년까지 판매량 시장 점유율 및 성장률을 종류별, 용도별로 분류합니다.
– 2017년부터 2023년까지 세계 주요 국가의 판매량, 소비금액 및 시장 점유율과 함께 국가 레벨로 판매 데이터를 분류하고, 2025년부터 2030년까지 판매량 및 매출과 함께 지역, 종류 및 용도별로 600V GaN 트랜지스터 시장 예측을 수행합니다.
– 시장 역학, 성장요인, 저해요인, 동향 및 포터의 다섯 가지 힘 분석.
– 주요 원자재 및 주요 공급 업체, 600V GaN 트랜지스터의 산업 체인.
– 600V GaN 트랜지스터 판매 채널, 유통 업체, 고객(수요기업), 조사 결과 및 결론을 설명합니다.
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■ 보고서 목차■ 시장 개요 ■ 제조업체 프로필 Infineon Texas Instruments GaN Systems ■ 제조업체간 경쟁 환경 ■ 지역별 소비 분석 ■ 종류별 시장 세분화 ■ 용도별 시장 세분화 ■ 북미 ■ 유럽 ■ 아시아 태평양 ■ 남미 ■ 중동 및 아프리카 ■ 시장 역학 ■ 원자재 및 산업 체인 ■ 유통 채널별 출하량 ■ 조사 결과 [그림 목록]- 600V GaN 트랜지스터 이미지 - 종류별 세계의 600V GaN 트랜지스터 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 종류별 세계의 600V GaN 트랜지스터 소비 금액 시장 점유율 - 용도별 세계의 600V GaN 트랜지스터 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 용도별 세계의 600V GaN 트랜지스터 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 600V GaN 트랜지스터 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 세계의 600V GaN 트랜지스터 소비 금액 및 예측 (2019-2030) - 세계의 600V GaN 트랜지스터 판매량 (2019-2030) - 세계의 600V GaN 트랜지스터 평균 가격 (2019-2030) - 2023년 제조업체별 세계의 600V GaN 트랜지스터 판매량 시장 점유율 - 2023년 제조업체별 세계의 600V GaN 트랜지스터 소비 금액 시장 점유율 - 2023년 상위 3개 600V GaN 트랜지스터 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 2023년 상위 6개 600V GaN 트랜지스터 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 지역별 600V GaN 트랜지스터 판매량 시장 점유율 - 지역별 600V GaN 트랜지스터 소비 금액 시장 점유율 - 북미 600V GaN 트랜지스터 소비 금액 - 유럽 600V GaN 트랜지스터 소비 금액 - 아시아 태평양 600V GaN 트랜지스터 소비 금액 - 남미 600V GaN 트랜지스터 소비 금액 - 중동 및 아프리카 600V GaN 트랜지스터 소비 금액 - 세계의 종류별 600V GaN 트랜지스터 판매량 시장 점유율 - 세계의 종류별 600V GaN 트랜지스터 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 종류별 600V GaN 트랜지스터 평균 가격 - 세계의 용도별 600V GaN 트랜지스터 판매량 시장 점유율 - 세계의 용도별 600V GaN 트랜지스터 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 용도별 600V GaN 트랜지스터 평균 가격 - 북미 600V GaN 트랜지스터 종류별 판매량 시장 점유율 - 북미 600V GaN 트랜지스터 용도별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 600V GaN 트랜지스터 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 600V GaN 트랜지스터 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 미국 600V GaN 트랜지스터 소비 금액 및 성장률 - 캐나다 600V GaN 트랜지스터 소비 금액 및 성장률 - 멕시코 600V GaN 트랜지스터 소비 금액 및 성장률 - 유럽 600V GaN 트랜지스터 종류별 판매량 시장 점유율 - 유럽 600V GaN 트랜지스터 용도별 판매량 시장 점유율 - 유럽 600V GaN 트랜지스터 국가별 판매량 시장 점유율 - 유럽 600V GaN 트랜지스터 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 독일 600V GaN 트랜지스터 소비 금액 및 성장률 - 프랑스 600V GaN 트랜지스터 소비 금액 및 성장률 - 영국 600V GaN 트랜지스터 소비 금액 및 성장률 - 러시아 600V GaN 트랜지스터 소비 금액 및 성장률 - 이탈리아 600V GaN 트랜지스터 소비 금액 및 성장률 - 아시아 태평양 600V GaN 트랜지스터 종류별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 600V GaN 트랜지스터 용도별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 600V GaN 트랜지스터 지역별 판매 수량 시장 점유율 - 아시아 태평양 600V GaN 트랜지스터 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 중국 600V GaN 트랜지스터 소비 금액 및 성장률 - 일본 600V GaN 트랜지스터 소비 금액 및 성장률 - 한국 600V GaN 트랜지스터 소비 금액 및 성장률 - 인도 600V GaN 트랜지스터 소비 금액 및 성장률 - 동남아시아 600V GaN 트랜지스터 소비 금액 및 성장률 - 호주 600V GaN 트랜지스터 소비 금액 및 성장률 - 남미 600V GaN 트랜지스터 종류별 판매량 시장 점유율 - 남미 600V GaN 트랜지스터 용도별 판매량 시장 점유율 - 남미 600V GaN 트랜지스터 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 남미 600V GaN 트랜지스터 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 브라질 600V GaN 트랜지스터 소비 금액 및 성장률 - 아르헨티나 600V GaN 트랜지스터 소비 금액 및 성장률 - 중동 및 아프리카 600V GaN 트랜지스터 종류별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 600V GaN 트랜지스터 용도별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 600V GaN 트랜지스터 지역별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 600V GaN 트랜지스터 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 터키 600V GaN 트랜지스터 소비 금액 및 성장률 - 이집트 600V GaN 트랜지스터 소비 금액 및 성장률 - 사우디 아라비아 600V GaN 트랜지스터 소비 금액 및 성장률 - 남아프리카 공화국 600V GaN 트랜지스터 소비 금액 및 성장률 - 600V GaN 트랜지스터 시장 성장 요인 - 600V GaN 트랜지스터 시장 제약 요인 - 600V GaN 트랜지스터 시장 동향 - 포터의 다섯 가지 힘 분석 - 2023년 600V GaN 트랜지스터의 제조 비용 구조 분석 - 600V GaN 트랜지스터의 제조 공정 분석 - 600V GaN 트랜지스터 산업 체인 - 직접 채널 장단점 - 간접 채널 장단점 - 방법론 - 조사 프로세스 및 데이터 소스 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 600V GaN 트랜지스터는 질화갈륨(GaN)이라는 반도체 물질을 기반으로 하여 600볼트(V)의 높은 전압을 견딜 수 있도록 설계된 트랜지스터를 의미합니다. 이는 기존의 실리콘(Si) 기반 트랜지스터에 비해 뛰어난 성능과 효율성을 제공하며, 다양한 전력전자 응용 분야에서 혁신을 이끌고 있습니다. GaN은 실리콘보다 높은 전자 이동도와 항복 전압을 가지고 있어, 더 높은 스위칭 주파수에서도 낮은 전력 손실을 구현할 수 있습니다. 이러한 특성 덕분에 600V GaN 트랜지스터는 기존의 실리콘 기반 스위칭 소자로는 달성하기 어려웠던 고효율, 소형화, 경량화라는 목표를 실현하는 데 핵심적인 역할을 하고 있습니다. GaN 트랜지스터의 가장 두드러진 특징 중 하나는 높은 항복 전압과 낮은 온 저항(On-resistance)의 조합입니다. 항복 전압이 높다는 것은 동일한 크기의 소자에서 더 높은 전압을 견딜 수 있다는 것을 의미하며, 이는 전력 변환 장치의 설계에서 중요한 이점을 제공합니다. 또한, 낮은 온 저항은 트랜지스터가 켜져 있을 때 발생하는 전력 손실을 최소화하여 전체 시스템의 효율성을 극대화합니다. 스위칭 주파수에서도 매우 뛰어난 성능을 발휘하는데, 이는 기존 실리콘 MOSFET이나 IGBT에 비해 훨씬 빠른 스위칭 속도를 가능하게 합니다. 이로 인해 더 작고 효율적인 수동 소자(커패시터, 인덕터 등)를 사용할 수 있게 되어 전체 시스템의 크기와 무게를 줄일 수 있습니다. 또한, GaN은 열 전도성이 우수하여 고온에서도 안정적인 동작이 가능하며, 이는 전력 밀도 향상과 더불어 시스템의 신뢰성을 높이는 데 기여합니다. 600V GaN 트랜지스터의 대표적인 종류로는 크게 두 가지로 나눌 수 있습니다. 첫 번째는 질화갈륨 헤테로접합 고전자 이동도 트랜지스터(GaN-on-GaN HEMT)입니다. 이 구조는 GaN 기판 위에 GaN 또는 AlGaN과 같은 서로 다른 밴드갭을 갖는 화합물 반도체 물질을 적층하여 소자를 제작합니다. AlGaN/GaN 계면에서 발생하는 2차원 전자 가스(2DEG)를 이용하여 높은 전자 이동도를 얻는 방식입니다. GaN-on-GaN 방식은 가장 우수한 성능을 제공하지만, GaN 웨이퍼의 높은 비용으로 인해 보급에 제약이 있을 수 있습니다. 두 번째는 실리콘 카바이드(SiC) 또는 실리콘(Si) 기판 위에 GaN을 성장시키는 헤테로 접합 트랜지스터(Heteroepitaxial GaN Transistors)입니다. 주로 실리콘 기판 위에 GaN을 성장시키는 GaN-on-Si 기술이 활발히 연구 및 상용화되고 있습니다. GaN-on-Si는 실리콘 웨이퍼의 낮은 비용으로 인해 생산 단가를 낮출 수 있다는 장점이 있지만, 기판 간의 격자 불일치 및 열팽창 계수 차이로 인해 소자의 성능이나 신뢰성 측면에서 GaN-on-GaN 방식보다 다소 제한적일 수 있습니다. 하지만 최근 기술 발전으로 이러한 단점을 극복하려는 노력이 지속되고 있습니다. 600V GaN 트랜지스터는 그 뛰어난 성능 덕분에 다양한 첨단 기술 분야에서 핵심 부품으로 활용되고 있습니다. 전력 밀도가 높고 효율적인 충전기 및 어댑터 설계에 필수적이며, 스마트폰, 노트북, 서버 전원 공급 장치 등에서 에너지 손실을 줄이고 소형화를 달성하는 데 크게 기여합니다. 전기 자동차(EV) 분야에서는 차량 내 전력 변환 장치(DC-DC 컨버터, 온보드 충전기 등)의 효율을 높여 주행 거리를 늘리고 충전 시간을 단축하는 데 중요한 역할을 합니다. 또한, 태양광 발전 시스템 및 에너지 저장 시스템(ESS)에서 전력 변환 효율을 향상시켜 에너지 생산 및 활용을 극대화하는 데 사용됩니다. 산업용 전력 공급 장치, 모터 드라이브, 산업용 전원 장치 등에서도 높은 효율과 견고한 성능을 제공하여 전반적인 시스템의 성능 향상과 에너지 절감에 기여합니다. 서버 및 데이터 센터의 전원 공급 장치에서도 고효율 및 고밀도 구현을 통해 운영 비용을 절감하고 공간 활용도를 높이는 데 기여합니다. 의료 기기, 통신 장비, 항공 우주 및 방위 산업 등에서도 소형화, 경량화, 고효율이라는 장점을 살려 다양한 응용 분야에 적용되고 있습니다. 600V GaN 트랜지스터의 활용을 지원하고 성능을 더욱 향상시키기 위한 관련 기술들도 함께 발전하고 있습니다. GaN 소자의 집적도를 높이고 더 높은 전압을 지원하기 위한 차세대 GaN 기술 개발이 활발히 진행 중입니다. 또한, GaN 소자의 안정적인 구동을 위한 게이트 드라이버 IC 기술이 중요하게 발전하고 있으며, 이는 빠른 스위칭 속도를 효과적으로 제어하고 과도 상태에서의 손상을 방지하는 역할을 합니다. GaN 소자의 열 관리를 위한 열 방출 설계 및 패키징 기술 또한 중요한 연구 분야이며, 고효율 동작 시 발생하는 열을 효과적으로 제거하여 소자의 수명과 신뢰성을 보장합니다. 그리고 GaN 소자의 특성을 최적으로 활용하기 위한 제어 알고리즘 및 회로 설계 기술도 함께 발전하며, 전력 변환 시스템의 전반적인 성능을 최적화하는 데 기여합니다. 이 외에도 GaN 소자의 장점을 극대화하기 위한 모듈화 기술, GaN FET와 SiC MOSFET을 결합한 하이브리드 모듈 기술 등 다양한 기술들이 함께 발전하고 있습니다. 요약하자면, 600V GaN 트랜지스터는 고성능, 고효율, 소형화, 경량화라는 현대 전력전자 시스템이 요구하는 핵심 가치를 실현하는 데 있어 매우 중요한 반도체 소자입니다. 빠른 스위칭 속도, 낮은 전력 손실, 높은 항복 전압 등의 뛰어난 물리적 특성을 바탕으로 다양한 첨단 산업 분야에서 혁신을 주도하고 있으며, 관련 기술의 지속적인 발전과 함께 그 응용 범위는 더욱 확대될 것으로 기대됩니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 600V GaN 트랜지스터 시장 2024 : 기업, 종류, 용도, 시장예측] (코드 : GIR2406C4281) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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