| ■ 영문 제목 : Global Avalanche Photodiode (APD) Market Growth 2025-2031 | |
 | ■ 상품코드 : LPK23JU1481 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2025년 3월 ■ 페이지수 : 105 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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| LPI (LP Information)의 최신 조사 보고서는 애벌런치 포토다이오드 (APD)의 과거 판매실적을 살펴보고 2024년의 애벌런치 포토다이오드 (APD) 판매실적을 검토하여 2025년부터 2031년까지 예상되는 애벌런치 포토다이오드 (APD) 판매에 대한 지역 및 시장 세그먼트별 포괄적인 분석을 제공합니다. 세계의 애벌런치 포토다이오드 (APD) 시장규모는 2024년 xxx백만 달러에서 연평균 xx% 성장하여 2031년에는 xxx백만 달러에 달할 것으로 예측되고 있습니다. 본 보고서의 시장규모 데이터는 무역 전쟁 및 러시아-우크라이나 전쟁의 영향을 반영했습니다. 본 보고서는 애벌런치 포토다이오드 (APD)의 세계시장에 관해서 조사, 분석한 자료로서, 기업별 시장 점유율, 지역별 시장규모 (미주, 미국, 캐나다, 멕시코, 브라질, 아시아, 중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 유럽, 독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아, 중동/아프리카, 이집트, 남아프리카, 터키, 중동GCC국 등), 시장동향, 판매/유통업자/고객 리스트, 시장예측 (2026년-2031년), 주요 기업동향 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) 등의 정보를 포함하고 있습니다. 또한, 주요지역의 종류별 시장규모 (Si-APD, InGaAs-APD, 기타)와 용도별 시장규모 (산업용, 의료용, 기타) 데이터도 수록되어 있습니다. ***** 목차 구성 ***** 보고서의 범위 경영자용 요약 - 세계의 애벌런치 포토다이오드 (APD) 시장규모 2020년-2031년 - 지역별 애벌런치 포토다이오드 (APD) 시장분석 - 종류별 애벌런치 포토다이오드 (APD) 시장규모 2020년-2025년 (Si-APD, InGaAs-APD, 기타) - 용도별 애벌런치 포토다이오드 (APD) 시장규모 2020년-2025년 (산업용, 의료용, 기타) 기업별 애벌런치 포토다이오드 (APD) 시장분석 - 기업별 애벌런치 포토다이오드 (APD) 판매량 - 기업별 애벌런치 포토다이오드 (APD) 매출액 - 기업별 애벌런치 포토다이오드 (APD) 판매가격 - 주요기업의 애벌런치 포토다이오드 (APD) 생산거점, 판매거점 - 시장 집중도 분석 지역별 분석 - 지역별 애벌런치 포토다이오드 (APD) 판매량 2020년-2025년 - 지역별 애벌런치 포토다이오드 (APD) 매출액 2020년-2025년 미주 시장 - 미주의 애벌런치 포토다이오드 (APD) 시장규모 2020년-2025년 - 미주의 애벌런치 포토다이오드 (APD) 시장규모 : 종류별 - 미주의 애벌런치 포토다이오드 (APD) 시장규모 : 용도별 - 미국 애벌런치 포토다이오드 (APD) 시장규모 - 캐나다 애벌런치 포토다이오드 (APD) 시장규모 - 멕시코 애벌런치 포토다이오드 (APD) 시장규모 - 브라질 애벌런치 포토다이오드 (APD) 시장규모 아시아 시장 - 아시아의 애벌런치 포토다이오드 (APD) 시장규모 2020년-2025년 - 아시아의 애벌런치 포토다이오드 (APD) 시장규모 : 종류별 - 아시아의 애벌런치 포토다이오드 (APD) 시장규모 : 용도별 - 중국 애벌런치 포토다이오드 (APD) 시장규모 - 일본 애벌런치 포토다이오드 (APD) 시장규모 - 한국 애벌런치 포토다이오드 (APD) 시장규모 - 동남아시아 애벌런치 포토다이오드 (APD) 시장규모 - 인도 애벌런치 포토다이오드 (APD) 시장규모 유럽 시장 - 유럽의 애벌런치 포토다이오드 (APD) 시장규모 2020년-2025년 - 유럽의 애벌런치 포토다이오드 (APD) 시장규모 : 종류별 - 유럽의 애벌런치 포토다이오드 (APD) 시장규모 : 용도별 - 독일 애벌런치 포토다이오드 (APD) 시장규모 - 프랑스 애벌런치 포토다이오드 (APD) 시장규모 - 영국 애벌런치 포토다이오드 (APD) 시장규모 중동/아프리카 시장 - 중동/아프리카의 애벌런치 포토다이오드 (APD) 시장규모 2020년-2025년 - 중동/아프리카의 애벌런치 포토다이오드 (APD) 시장규모 : 종류별 - 중동/아프리카의 애벌런치 포토다이오드 (APD) 시장규모 : 용도별 - 이집트 애벌런치 포토다이오드 (APD) 시장규모 - 남아프리카 애벌런치 포토다이오드 (APD) 시장규모 - 중동GCC 애벌런치 포토다이오드 (APD) 시장규모 시장의 성장요인, 과제, 동향 - 시장의 성장요인, 기회 - 시장의 과제, 리스크 - 산업 동향 제조원가 구조 분석 - 원재료 및 공급업체 - 애벌런치 포토다이오드 (APD)의 제조원가 구조 분석 - 애벌런치 포토다이오드 (APD)의 제조 프로세스 분석 - 애벌런치 포토다이오드 (APD)의 산업체인 구조 마케팅, 유통업체, 고객 - 판매채널 - 애벌런치 포토다이오드 (APD)의 유통업체 - 애벌런치 포토다이오드 (APD)의 주요 고객 지역별 애벌런치 포토다이오드 (APD) 시장 예측 - 지역별 애벌런치 포토다이오드 (APD) 시장규모 예측 2026년-2031년 - 미주 지역 예측 - 아시아 지역 예측 - 유럽 지역 예측 - 중동/아프리카 지역 예측 - 애벌런치 포토다이오드 (APD)의 종류별 시장예측 (Si-APD, InGaAs-APD, 기타) - 애벌런치 포토다이오드 (APD)의 용도별 시장예측 (산업용, 의료용, 기타) 주요 기업 분석 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) - First-sensor, Hamamatsu, Kyosemi, Luna, Excelitas, Osi optoelectronics, Edmund Optics, GCS, SiFotonics, Beijing Lightsensing Technology, Realphoton, Thorlabs, Ruilon 조사의 결론 |
APD Avalanche Photodiode (APD) is a highly sensitive semiconductor electronic device that exploits the photoelectric effect to convert light to electricity. APDs can be thought of as photodetectors that provide a built-in first stage of gain through avalanche multiplication. From a functional standpoint, they can be regarded as the semiconductor analog to photomultipliers. By applying a high reverse bias voltage, APDs show an internal current gain effect due to impact ionization. However, some silicon APDs employ alternative doping and beveling techniques compared to traditional APDs that allow greater voltage to be applied before breakdown is reached and hence a greater operating gain. In general, the higher the reverse voltage, the higher the gain.
APD Avalanche Photodiode (APD) applicability and usefulness depends on many parameters. Two of the larger factors are: quantum efficiency, which indicates how well incident optical photons are absorbed and then used to generate primary charge carriers; and total leakage current, which is the sum of the dark current and photocurrent and noise. Electronic dark noise components are series and parallel noise. Series noise, which is the effect of shot noise, is basically proportional to the APD capacitance while the parallel noise is associated with the fluctuations of the APD bulk and surface dark currents. Another noise source is the excess noise factor, ENF. It describes the statistical noise that is inherent with the stochastic APD multiplication process. This is not to be confused with the fano noise (F), which describes the fluctuation of the total electric charge collected in the APD.
LPI (LP Information)’ newest research report, the “Avalanche Photodiode (APD) Industry Forecast” looks at past sales and reviews total world Avalanche Photodiode (APD) sales in 2024, providing a comprehensive analysis by region and market sector of projected Avalanche Photodiode (APD) sales for 2025 through 2031. With Avalanche Photodiode (APD) sales broken down by region, market sector and sub-sector, this report provides a detailed analysis in US$ millions of the world Avalanche Photodiode (APD) industry.
This Insight Report provides a comprehensive analysis of the global Avalanche Photodiode (APD) landscape and highlights key trends related to product segmentation, company formation, revenue, and market share, latest development, and M&A activity. This report also analyzes the strategies of leading global companies with a focus on Avalanche Photodiode (APD) portfolios and capabilities, market entry strategies, market positions, and geographic footprints, to better understand these firms’ unique position in an accelerating global Avalanche Photodiode (APD) market.
This Insight Report evaluates the key market trends, drivers, and affecting factors shaping the global outlook for Avalanche Photodiode (APD) and breaks down the forecast by type, by application, geography, and market size to highlight emerging pockets of opportunity. With a transparent methodology based on hundreds of bottom-up qualitative and quantitative market inputs, this study forecast offers a highly nuanced view of the current state and future trajectory in the global Avalanche Photodiode (APD).
The global Avalanche Photodiode (APD) market size is projected to grow from US$ 141.8 million in 2024 to US$ 179.5 million in 2031; it is expected to grow at a CAGR of 179.5 from 2025 to 2031.
Global APD Avalanche Photodiode key players include First-sensor, Luna, Hamamatsu, etc. Global top three manufacturers hold a share over 45%.
Europe is the largest market, with a share about 35%, followed by Japan, and North America, both have a share over 45 percent.
In terms of product, Si APD is the largest segment, with a share over 50%. And in terms of application, the largest application is Mobility, followed by Industrial, etc.
This report presents a comprehensive overview, market shares, and growth opportunities of Avalanche Photodiode (APD) market by product type, application, key manufacturers and key regions and countries.
[Market Segmentation]
Segmentation by type
Si-APD
InGaAs-APD
Others
Segmentation by application
Industrial
Medical
Others
This report also splits the market by region:
Americas
United States
Canada
Mexico
Brazil
APAC
China
Japan
Korea
Southeast Asia
India
Australia
Europe
Germany
France
UK
Italy
Russia
Middle East & Africa
Egypt
South Africa
Israel
Turkey
GCC Countries
The below companies that are profiled have been selected based on inputs gathered from primary experts and analyzing the company’s coverage, product portfolio, its market penetration.
First-sensor
Hamamatsu
Kyosemi
Luna
Excelitas
Osi optoelectronics
Edmund Optics
GCS
SiFotonics
Beijing Lightsensing Technology
Realphoton
Thorlabs
Ruilon
[Key Questions Addressed in this Report]
What is the 10-year outlook for the global Avalanche Photodiode (APD) market?
What factors are driving Avalanche Photodiode (APD) market growth, globally and by region?
Which technologies are poised for the fastest growth by market and region?
How do Avalanche Photodiode (APD) market opportunities vary by end market size?
How does Avalanche Photodiode (APD) break out type, application?
What are the influences of trade war and Russia-Ukraine war?
1 Scope of the Report |
| ※참고 정보 애벌런치 포토다이오드(APD)는 빛 에너지를 전기 신호로 변환하는 반도체 소자인 포토다이오드의 일종으로, 외부 광전 효과를 이용합니다. 일반적인 포토다이오드와 달리 APD는 내부 이득(Internal Gain) 메커니즘을 가지고 있어, 입력되는 광 신호 대비 훨씬 증폭된 전기 신호를 출력할 수 있다는 점에서 차별화됩니다. 이러한 특징 때문에 APD는 매우 약한 광 신호도 민감하게 감지해야 하는 다양한 응용 분야에서 핵심적인 역할을 수행합니다. APD의 작동 원리는 기본적인 PN 접합 다이오드의 광전 효과에 기반합니다. 빛이 APD의 활성 영역에 입사하면, 광자 에너지가 반도체 내의 전자를 여기시켜 전자-정공 쌍을 생성합니다. 이때, APD는 일반 포토다이오드보다 훨씬 높은 역방향 전압(역바이어스 전압)을 인가받습니다. 이 높은 역방향 전압은 접합부에 강한 전기장을 형성하게 됩니다. 생성된 전자-정공 쌍 중 하나인 캐리어(전자 또는 정공)가 이 강한 전기장 영역을 통과하게 되면, 높은 에너지를 얻게 됩니다. 이 높은 에너지의 캐리어가 반도체 결정 격자와 충돌하면서 더 많은 전자-정공 쌍을 추가로 생성하는 연쇄적인 충돌 이온화(Impact Ionization) 과정을 일으킵니다. 마치 눈덩이가 굴러가면서 점점 더 커지는 것처럼, 최초의 광자에 의해 생성된 하나의 전자-정공 쌍이 수십, 수백, 심지어 수천 개의 전자-정공 쌍으로 증폭되는 것입니다. 이러한 과정을 '눈사태 효과(Avalanche Effect)'라고 부르며, APD라는 이름의 기원이기도 합니다. 이렇게 증폭된 수많은 캐리어들이 외부 회로로 흘러나가면서 검출되는 전기 신호는 최초 입사된 광 신호에 비해 훨씬 커지게 됩니다. 이것이 바로 APD가 약한 광 신호를 효과적으로 증폭할 수 있는 이유입니다. APD의 이득(Gain)은 인가되는 역바이어스 전압에 의해 결정되며, 특정 전압 이상에서는 눈사태 현상이 지속적으로 유지되어 높은 이득을 얻을 수 있습니다. 하지만 과도하게 높은 전압을 인가하면 다이오드가 파괴될 수 있으므로, 작동 전압 범위 내에서 적절한 역바이어스 전압을 설정하는 것이 중요합니다. APD는 일반 포토다이오드에 비해 여러 가지 우수한 특징을 가지고 있습니다. 첫째, 앞서 언급한 바와 같이 **내부 이득**을 통해 높은 감도를 제공합니다. 이는 외부에서 별도의 증폭 회로를 추가하지 않고도 약한 빛을 감지할 수 있게 해주므로 시스템의 복잡성을 줄이고 노이즈를 최소화하는 데 기여합니다. 둘째, **빠른 응답 속도**를 자랑합니다. 눈사태 효과에 의해 캐리어 수가 급격히 증가하지만, 이 과정이 매우 빠르게 일어나기 때문에 고속으로 변화하는 광 신호를 효과적으로 추적할 수 있습니다. 셋째, **낮은 노이즈 특성**을 가집니다. 물론 내부 이득 과정에서 발생하는 '눈사태 노이즈(Avalanche Noise)'가 존재하지만, 적절히 설계된 APD는 전체적인 노이즈 성능 면에서 다른 광 검출기에 비해 우수한 경우가 많습니다. 특히, 광자 계수 모드(Photon Counting Mode)로 작동하는 APD는 단일 광자 수준의 신호도 검출할 수 있어 궁극적으로 매우 낮은 노이즈로 작동한다고 볼 수 있습니다. APD의 구조에 따라 여러 종류로 나눌 수 있지만, 가장 대표적인 구조는 '원칩 구조(Reach-Through Structure)'와 '실리콘 온 실리콘(Si-on-Si)' 구조, 그리고 가장 널리 사용되는 'APD 구조(AP Structure)' 등이 있습니다. APD 구조는 가장 일반적인 형태로, PN 접합 위에 고농도 도핑된 P+ 층을 형성하여 내부 전기장의 분포를 조절함으로써 눈사태 효과를 효과적으로 제어합니다. 또한, 캐리어 생성이 주로 한 종류의 캐리어(주로 전자)에 의해 발생하는 '단일 캐리어 눈사태(Single Carrier Avalanche)'를 유도하여 노이즈를 줄이는 방향으로 발전하고 있습니다. 재료 측면에서는 실리콘(Si) 외에도 게르마늄(Ge), 갈륨비소(GaAs), 인듐갈륨비소(InGaAs) 등 다양한 반도체 재료를 사용하여 특정 파장 대역의 빛을 감지할 수 있도록 설계된 APD들도 존재합니다. 예를 들어, 통신에 많이 사용되는 1550nm 파장의 빛을 감지하기 위해서는 인듐갈륨비소(InGaAs) 기반의 APD가 사용됩니다. APD는 그 뛰어난 감도와 응답 속도를 바탕으로 매우 광범위한 분야에서 활용되고 있습니다. * **광 통신:** 유선 및 무선 광 통신 시스템에서 약한 광 신호를 증폭하여 장거리 전송을 가능하게 하는 핵심 부품으로 사용됩니다. 특히 높은 데이터 전송률을 요구하는 네트워크에서 필수적입니다. * **의료 기기:** 혈당 측정기와 같이 미세한 광 신호를 감지해야 하는 진단 장비, 생체 신호 측정 장비 등에서 활용됩니다. 또한, 레이저 수술 장비나 내시경 카메라 등에서도 사용될 수 있습니다. * **거리 측정 및 라이다(LiDAR):** 자율 주행 자동차, 로봇 공학, 지형 측량 등에서 사용되는 라이다 시스템은 레이저 펄스를 발사하고 반사되어 돌아오는 빛을 감지하여 거리와 물체의 형상을 파악합니다. APD는 매우 약한 반사광도 정확하게 감지하여 정밀한 거리 측정을 가능하게 합니다. * **과학 연구 및 측정:** 천문학 분야에서 멀리 떨어진 천체에서 오는 희미한 빛을 감지하거나, 핵물리학 실험에서 발생하는 입자 신호를 검출하는 데 사용됩니다. 또한, 분광학, 형광 현미경 등 다양한 과학 실험 장비에서도 중요한 역할을 합니다. * **보안 및 감시:** 저조도 환경에서도 선명한 영상을 얻거나, 보안 시스템에서 미세한 움직임이나 광 신호 변화를 감지하는 데 사용될 수 있습니다. APD와 관련된 기술은 지속적으로 발전하고 있습니다. **단일 광자 검출(Single Photon Detection, SPD)**은 APD의 가장 극단적인 응용 분야 중 하나로, 단일 광자 수준의 극히 약한 빛을 감지하는 기술입니다. 이는 양자 통신, 양자 암호화 등 최첨단 기술의 발전에 기여하고 있습니다. 또한, 여러 개의 APD 소자를 집적하여 면적을 넓히고 신호 처리 능력을 향상시킨 **실리콘 광 증폭기(Silicon Photomultiplier, SiPM)**와 같은 기술도 등장하고 있습니다. SiPM은 기존 APD의 단점을 보완하고 더 넓은 면적에서 효과적으로 빛을 감지할 수 있도록 설계되었습니다. 최근에는 APD의 제조 공정 개선을 통해 노이즈를 더욱 줄이고 응답 속도를 향상시키려는 연구가 활발히 진행되고 있으며, 특정 파장 대역에 대한 민감도를 높이기 위한 새로운 반도체 재료 및 구조에 대한 연구도 지속되고 있습니다. 결론적으로, 애벌런치 포토다이오드(APD)는 내부 이득 메커니즘을 통해 약한 광 신호를 효과적으로 증폭할 수 있는 고성능 광 검출기입니다. 뛰어난 감도, 빠른 응답 속도, 상대적으로 낮은 노이즈 특성을 바탕으로 광 통신, 의료, 라이다, 과학 연구 등 다양한 첨단 기술 분야에서 필수적인 역할을 수행하며, 단일 광자 검출 및 SiPM과 같은 혁신적인 기술의 발전을 견인하고 있습니다. |
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