| ■ 영문 제목 : Wide Bandgap Semiconductors Market By Material (Silicon Carbide (SiC), Gallium Nitride (GaN), Diamond, Others), By Industry Vertical (Consumer Electronics, Automotive, Aerospace and Defense, IT and Telecom, Energy and Utility, Others): Global Opportunity Analysis and Industry Forecast, 2023-2032 | |
![]() | ■ 상품코드 : ALD24FEB214 ■ 조사/발행회사 : Allied Market Research ■ 발행일 : 2023년 11월 최신판(2025년 또는 2026년)은 문의주세요. ■ 페이지수 : 290 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 ■ 조사대상 지역 : 세계 ■ 산업 분야 : 반도체&전자 |
| Single User | USD5,730 ⇒환산₩8,022,000 | 견적의뢰/주문/질문 |
| 5 User | USD6,450 ⇒환산₩9,030,000 | 견적의뢰/주문/질문 |
| Enterprise User | USD9,600 ⇒환산₩13,440,000 | 견적의뢰/구입/질문 |
|
※가격옵션 설명 - 납기는 즉일~2일소요됩니다. 3일이상 소요되는 경우는 별도표기 또는 연락드립니다. - 지불방법은 계좌이체/무통장입금 또는 카드결제입니다. |
| 1. 소개 2. 개요 3. 시장 개요 4. 세계의 와이드 밴드갭 (WBG) 반도체 시장 규모 : 재료별 5. 세계의 와이드 밴드갭 (WBG) 반도체 시장 규모 : 산업별 6. 세계의 와이드 밴드갭 (WBG) 반도체 시장 규모 : 지역별 7. 경쟁 현황 8. 기업 정보 |
글로벌 와이드 밴드갭 (WBG) 반도체 시장은 2022년 16억 달러로 평가되며, 2023년부터 2032년까지 연평균 13.17%의 성장률로 2032년에는 54억 달러에 달할 것으로 예상됩니다.와이드 밴드갭 (WBG) 반도체로 알려진 일련의 재료는 넓은 에너지 밴드갭, 즉 전도대 전자의 움직임을 수용할 수 있는 가장 낮은 에너지 대역과 원자가대 전자가 서식하는 가장 높은 에너지 대역 사이의 에너지 차이를 가지고 있습니다. 이러한 재료는 밴드갭이 좁은 실리콘과 같은 기존 반도체와 달리 밴드갭이 넓습니다.
고성능, 에너지 효율이 높은 전자기기에 대한 수요는 와이드 밴드갭 (WBG) 반도체 산업의 혁명적인 발전을 촉진하고 있습니다. 실리콘 카바이드(SiC)와 질화갈륨(GaN)은 전력전자, 전기 자동차, 5G 인프라, 재생 에너지 시스템 등에 활용되며 기술 혁신을 주도하고 있습니다. 전 세계적으로 산업계가 지속 가능성과 효율성을 중시함에 따라 와이드 밴드갭 (WBG) 반도체는 점점 더 널리 보급되고 있습니다. 현재 추세는 기술 통합을 촉진하는 파트너십, 수율을 향상시키는 제조 기술 개선, 현대 전자 분야를 변화시키는 반도체의 잠재력을 실현하기 위한 끊임없는 추진력을 포함합니다.
질화갈륨(GaN)과 탄화규소(SiC)는 일반적인 와이드 밴드갭 (WBG) 반도체 재료입니다. 이들 재료는 밴드갭이 크기 때문에 더 높은 온도와 전압에서 작동할 수 있어 고출력 및 고주파 전자 장치가 필요한 애플리케이션에 적합합니다. 와이드 밴드갭 (WBG) 반도체의 응용 분야에는 파워 일렉트로닉스, 고주파(RF) 기기, LED 조명, 전기 자동차, 재생 가능 에너지원 등이 포함됩니다. 와이드 밴드갭 (WBG) 반도체의 특수한 특성은 여러 응용 분야에서 더 나은 성능, 더 높은 에너지 효율 및 기술 성장을 뒷받침하고 있습니다.
와이드 밴드갭 (WBG) 반도체 시장은 재료, 응용 분야, 배터리 유형 및 지역으로 구분됩니다. 재료별로는 실리콘 카바이드(SiC), 질화갈륨(GaN), 다이아몬드, 기타로 분류됩니다. 업종별로는 가전, 자동차, 항공우주/국방, IT/통신, 에너지/유틸리티, 기타로 분류됩니다. 지역별로는 북미(미국, 캐나다, 멕시코), 유럽(영국, 독일, 프랑스, 기타 유럽), 아시아 태평양(중국, 일본, 인도, 한국, 기타 아시아 태평양), LAMEA(중남미, 중동, 아프리카)의 와이드밴드갭 반도체 시장 동향을 분석합니다.
본 보고서에서 제공하는 글로벌 주요 광대역갭 반도체 시장 플레이어의 경쟁 분석 및 프로필에는 Infineon Technologies AG, Microsemi Corporation, STMicroelectronics, Maxell Ltd. ROHM Semiconductor, Texas Instruments Inc. Inc. 등이 포함됩니다. 와이드 밴드갭 (WBG) 반도체 시장의 주요 기업들이 채택하는 주요 전략은 제품 출시입니다.
이해관계자를 위한 주요 이점
이 보고서는 2022년부터 2032년까지 와이드 밴드갭 (WBG) 반도체 시장 분석의 시장 부문, 현재 동향, 예측 및 역학을 정량적으로 분석하여 와이드 밴드갭 (WBG) 반도체 시장 기회를 식별합니다.
주요 촉진 요인, 저해요인 및 기회에 대한 정보와 함께 시장 조사를 제공합니다.
포터의 파이브 포스 분석을 통해 구매자와 공급업체의 잠재력을 파악하여 이해관계자가 이익 중심의 비즈니스 결정을 내리고 공급업체와 구매자 네트워크를 강화할 수 있도록 돕습니다.
와이드 밴드갭 (WBG) 반도체 시장의 세분화를 자세히 분석하여 시장 기회를 파악할 수 있습니다.
와이드 밴드갭 (WBG) 반도체 시장의 세분화를 자세히 분석하여 시장 기회를 파악할 수 있습니다.
시장 플레이어의 포지셔닝을 통해 벤치마킹을 용이하게 하고 시장 플레이어의 현재 위치를 명확하게 이해할 수 있습니다.
와이드 밴드갭 (WBG) 반도체 지역 및 글로벌 시장 동향, 주요 기업, 시장 부문, 응용 분야, 시장 성장 전략 등에 대한 분석이 포함됩니다.
본 보고서의 커스터마이징 가능성 (별도 비용 및 일정이 필요합니다.)
제품 벤치마크 / 제품 사양 및 용도
신제품 개발 / 주요 제조업체의 제품 매트릭스
규제 가이드라인
수출입 분석/데이터
주요 시장 세그먼트
재료별
질화갈륨(GaN)
다이아몬드
기타
탄화규소(SiC)
산업분야별
민생용 전자기기
자동차
항공우주-방위산업
IT 및 통신
에너지/유틸리티
기타
지역별
북미
미국
캐나다
멕시코
아시아 태평양
중국
일본
인도
한국
기타 아시아 태평양
유럽
영국
독일
프랑스
기타 유럽
LAMEA
중남미
중동
아프리카
주요 시장 플레이어
Infineon Technologies AG
STMicroelectronics
ROHM Semiconductor
Vishay Intertechnology Inc.
Nexperia
Genesic Semiconductor
Wolfspeed, Inc.
Microsemi Corporation.
Texas Instruments Inc.
Panasonic Corporation
제1장: 서론 1.1. 보고서 설명 1.4.3. 분석 도구 및 모델 제3장: 시장 개요 3.1. 시장 정의 및 범위 3.2. 주요 결과 3.2.2. 주요 투자 분야 3.3. 포터의 5가지 경쟁력 분석 3.3.1. 공급업체의 높은 협상력 3.3.2. 신규 진입자의 위협은 중간 수준 3.3.3. 대체재의 위협은 낮음~중간 수준 3.3.4. 경쟁 강도는 중간~높음 3.3.5. 구매자의 협상력: 중간에서 높음 3.4.3.1. 전기차용 광대역 갭 소자 수요 증가 4.2.1. 주요 시장 동향, 성장 요인 및 기회 4.2.2. 지역별 시장 규모 및 전망 4.3.2. 지역별 시장 규모 및 전망 4.3.3. 국가별 시장 점유율 분석 4.4.1. 주요 시장 동향, 성장 요인 및 기회 4.4.2. 지역별 시장 규모 및 전망 4.4.3. 국가별 시장 점유율 분석 4.5.1. 주요 시장 동향, 성장 요인 및 기회 4.5.2. 지역별 시장 규모 및 전망 5.1. 개요 5.1.1. 시장 규모 및 전망 5.2.1. 주요 시장 동향, 성장 요인 및 기회 5.2.3. 국가별 시장 점유율 분석 5.3.2. 지역별 시장 규모 및 전망 5.3.3. 국가별 시장 점유율 분석 5.4.2. 지역별 시장 규모 및 전망 5.4.3. 국가별 시장 점유율 분석 5.5.2. 지역별 시장 규모 및 전망 5.7.2. 지역별 시장 규모 및 전망 5.7.3. 국가별 시장 점유율 분석 6.1. 개요 6.1.1. 지역별 시장 규모 및 전망 6.2.1. 주요 시장 동향, 성장 요인 및 기회 6.2.2. 재료별 시장 규모 및 전망 6.2.3. 산업 분야별 시장 규모 및 전망 6.2.4. 국가별 시장 규모 및 전망 6.2.4.1. 미국 6.2.4.1.1. 재료별 시장 규모 및 전망 6.2.4.1.2. 산업 분야별 시장 규모 및 전망 6.2.4.2. 캐나다 6.2.4.3.1. 재료별 시장 규모 및 전망 6.3.1. 주요 시장 동향, 성장 요인 및 기회 6.3.2. 재료별 시장 규모 및 전망 6.3.3. 산업 분야별 시장 규모 및 전망 6.3.4. 국가별 시장 규모 및 전망 6.3.4.1. 중국 6.3.4.1.1. 재료별 시장 규모 및 전망 6.3.4.1.2. 산업 분야별 시장 규모 및 전망 6.3.4.2. 일본 6.3.4.2.1. 소재별 시장 규모 및 전망 6.3.4.3.1. 소재별 시장 규모 및 전망 6.3.4.4.1. 소재별 시장 규모 및 전망 6.3.4.5.2. 산업 분야별 시장 규모 및 전망 6.4.1. 주요 시장 동향, 성장 요인 및 기회 6.4.2. 소재별 시장 규모 및 전망 6.4.3. 산업 분야별 시장 규모 및 전망 6.4.4.1.1. 소재별 시장 규모 및 전망 6.4.4.2.1. 소재별 시장 규모 및 전망 6.4.4.3.1. 소재별 시장 규모 및 전망 6.4.4.3.2. 산업 분야별 시장 규모 및 전망 6.5.1. 주요 시장 동향, 성장 요인 및 기회 6.5.2. 6.5.3. 소재별 시장 규모 및 전망 6.5.4. 산업 분야별 시장 규모 및 전망 6.5.4.1. 국가별 시장 규모 및 전망 6.5.4.1. 라틴 아메리카 6.5.4.1.1. 소재별 시장 규모 및 전망 6.5.4.1.2. 산업 분야별 시장 규모 및 전망 6.5.4.2. 중동 6.5.4.2.1. 소재별 시장 규모 및 전망 6.5.4.2.2. 산업 분야별 시장 규모 및 전망 6.5.4.3. 아프리카 6.5.4.3.1. 소재별 시장 규모 및 전망 6.5.4.3.2. 산업 분야별 시장 규모 및 전망 7.1. 서론 7.2. 주요 성공 전략 7.3. 상위 10개 업체 제품 현황 7.4. 경쟁 현황 대시보드 7.6. 2022년 주요 기업 포지셔닝 8.1.1. 회사 개요 8.1.4. 사업 부문 8.1.5. 제품 포트폴리오 8.1.6. 사업 성과 8.1.7. 주요 전략적 움직임 및 개발 8.2.1. 회사 개요 8.2.2. 주요 임원 8.2.3. 회사 현황 8.2.4. 사업 부문 8.2.5. 제품 포트폴리오 8.2.6. 사업 성과 8.3. ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics) 8.3.1. 회사 개요 8.3.2. 주요 임원 8.6.1. 회사 개요 8.9.5. 제품 포트폴리오 8.9.6. 주요 전략적 움직임 및 개발 8.10.1. 회사 개요 8.10.2. 주요 임원 8.10.5. 제품 포트폴리오 8.10.6. 사업 실적 8.10.7. 주요 전략적 움직임 및 개발 CHAPTER 1: INTRODUCTION1.1. Report description 1.2. Key market segments 1.3. Key benefits to the stakeholders 1.4. Research methodology 1.4.1. Primary research 1.4.2. Secondary research 1.4.3. Analyst tools and models CHAPTER 2: EXECUTIVE SUMMARY 2.1. CXO Perspective CHAPTER 3: MARKET OVERVIEW 3.1. Market definition and scope 3.2. Key findings 3.2.1. Top impacting factors 3.2.2. Top investment pockets 3.3. Porter’s five forces analysis 3.3.1. High bargaining power of suppliers 3.3.2. Moderate threat of new entrants 3.3.3. Low to moderate threat of substitutes 3.3.4. Moderate to high intensity of rivalry 3.3.5. Moderate to high bargaining power of buyers 3.4. Market dynamics 3.4.1. Drivers 3.4.1.1. Growing investments in R&D activities for wide bandgap materials 3.4.1.2. Surge in demand for EVs driving global wide band gap semiconductors market 3.4.2. Restraints 3.4.2.1. High cost of wide bandgap semiconductor 3.4.3. Opportunities 3.4.3.1. Growing demand for wide bandgap devices in electric vehicles CHAPTER 4: WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS MARKET, BY MATERIAL 4.1. Overview 4.1.1. Market size and forecast 4.2. Silicon Carbide (SiC) 4.2.1. Key market trends, growth factors and opportunities 4.2.2. Market size and forecast, by region 4.2.3. Market share analysis by country 4.3. Gallium Nitride (GaN) 4.3.1. Key market trends, growth factors and opportunities 4.3.2. Market size and forecast, by region 4.3.3. Market share analysis by country 4.4. Diamond 4.4.1. Key market trends, growth factors and opportunities 4.4.2. Market size and forecast, by region 4.4.3. Market share analysis by country 4.5. Others 4.5.1. Key market trends, growth factors and opportunities 4.5.2. Market size and forecast, by region 4.5.3. Market share analysis by country CHAPTER 5: WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS MARKET, BY INDUSTRY VERTICAL 5.1. Overview 5.1.1. Market size and forecast 5.2. Consumer Electronics 5.2.1. Key market trends, growth factors and opportunities 5.2.2. Market size and forecast, by region 5.2.3. Market share analysis by country 5.3. Automotive 5.3.1. Key market trends, growth factors and opportunities 5.3.2. Market size and forecast, by region 5.3.3. Market share analysis by country 5.4. Aerospace and Defense 5.4.1. Key market trends, growth factors and opportunities 5.4.2. Market size and forecast, by region 5.4.3. Market share analysis by country 5.5. IT and Telecom 5.5.1. Key market trends, growth factors and opportunities 5.5.2. Market size and forecast, by region 5.5.3. Market share analysis by country 5.6. Energy and Utility 5.6.1. Key market trends, growth factors and opportunities 5.6.2. Market size and forecast, by region 5.6.3. Market share analysis by country 5.7. Others 5.7.1. Key market trends, growth factors and opportunities 5.7.2. Market size and forecast, by region 5.7.3. Market share analysis by country CHAPTER 6: WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS MARKET, BY REGION 6.1. Overview 6.1.1. Market size and forecast By Region 6.2. North America 6.2.1. Key market trends, growth factors and opportunities 6.2.2. Market size and forecast, by Material 6.2.3. Market size and forecast, by Industry Vertical 6.2.4. Market size and forecast, by country 6.2.4.1. U.S. 6.2.4.1.1. Market size and forecast, by Material 6.2.4.1.2. Market size and forecast, by Industry Vertical 6.2.4.2. Canada 6.2.4.2.1. Market size and forecast, by Material 6.2.4.2.2. Market size and forecast, by Industry Vertical 6.2.4.3. Mexico 6.2.4.3.1. Market size and forecast, by Material 6.2.4.3.2. Market size and forecast, by Industry Vertical 6.3. Asia-Pacific 6.3.1. Key market trends, growth factors and opportunities 6.3.2. Market size and forecast, by Material 6.3.3. Market size and forecast, by Industry Vertical 6.3.4. Market size and forecast, by country 6.3.4.1. China 6.3.4.1.1. Market size and forecast, by Material 6.3.4.1.2. Market size and forecast, by Industry Vertical 6.3.4.2. Japan 6.3.4.2.1. Market size and forecast, by Material 6.3.4.2.2. Market size and forecast, by Industry Vertical 6.3.4.3. India 6.3.4.3.1. Market size and forecast, by Material 6.3.4.3.2. Market size and forecast, by Industry Vertical 6.3.4.4. South Korea 6.3.4.4.1. Market size and forecast, by Material 6.3.4.4.2. Market size and forecast, by Industry Vertical 6.3.4.5. Rest of Asia-Pacific 6.3.4.5.1. Market size and forecast, by Material 6.3.4.5.2. Market size and forecast, by Industry Vertical 6.4. Europe 6.4.1. Key market trends, growth factors and opportunities 6.4.2. Market size and forecast, by Material 6.4.3. Market size and forecast, by Industry Vertical 6.4.4. Market size and forecast, by country 6.4.4.1. UK 6.4.4.1.1. Market size and forecast, by Material 6.4.4.1.2. Market size and forecast, by Industry Vertical 6.4.4.2. Germany 6.4.4.2.1. Market size and forecast, by Material 6.4.4.2.2. Market size and forecast, by Industry Vertical 6.4.4.3. France 6.4.4.3.1. Market size and forecast, by Material 6.4.4.3.2. Market size and forecast, by Industry Vertical 6.4.4.4. Rest of Europe 6.4.4.4.1. Market size and forecast, by Material 6.4.4.4.2. Market size and forecast, by Industry Vertical 6.5. LAMEA 6.5.1. Key market trends, growth factors and opportunities 6.5.2. Market size and forecast, by Material 6.5.3. Market size and forecast, by Industry Vertical 6.5.4. Market size and forecast, by country 6.5.4.1. Latin America 6.5.4.1.1. Market size and forecast, by Material 6.5.4.1.2. Market size and forecast, by Industry Vertical 6.5.4.2. Middle East 6.5.4.2.1. Market size and forecast, by Material 6.5.4.2.2. Market size and forecast, by Industry Vertical 6.5.4.3. Africa 6.5.4.3.1. Market size and forecast, by Material 6.5.4.3.2. Market size and forecast, by Industry Vertical CHAPTER 7: COMPETITIVE LANDSCAPE 7.1. Introduction 7.2. Top winning strategies 7.3. Product mapping of top 10 player 7.4. Competitive dashboard 7.5. Competitive heatmap 7.6. Top player positioning, 2022 CHAPTER 8: COMPANY PROFILES 8.1. Infineon Technologies AG 8.1.1. Company overview 8.1.2. Key executives 8.1.3. Company snapshot 8.1.4. Operating business segments 8.1.5. Product portfolio 8.1.6. Business performance 8.1.7. Key strategic moves and developments 8.2. Microsemi Corporation. 8.2.1. Company overview 8.2.2. Key executives 8.2.3. Company snapshot 8.2.4. Operating business segments 8.2.5. Product portfolio 8.2.6. Business performance 8.3. STMicroelectronics 8.3.1. Company overview 8.3.2. Key executives 8.3.3. Company snapshot 8.3.4. Operating business segments 8.3.5. Product portfolio 8.3.6. Business performance 8.3.7. Key strategic moves and developments 8.4. ROHM Semiconductor 8.4.1. Company overview 8.4.2. Key executives 8.4.3. Company snapshot 8.4.4. Operating business segments 8.4.5. Product portfolio 8.4.6. Business performance 8.4.7. Key strategic moves and developments 8.5. Texas Instruments Inc. 8.5.1. Company overview 8.5.2. Key executives 8.5.3. Company snapshot 8.5.4. Operating business segments 8.5.5. Product portfolio 8.5.6. Business performance 8.5.7. Key strategic moves and developments 8.6. Vishay Intertechnology Inc. 8.6.1. Company overview 8.6.2. Key executives 8.6.3. Company snapshot 8.6.4. Operating business segments 8.6.5. Product portfolio 8.6.6. Business performance 8.7. Genesic Semiconductor 8.7.1. Company overview 8.7.2. Key executives 8.7.3. Company snapshot 8.7.4. Operating business segments 8.7.5. Product portfolio 8.8. Panasonic Corporation 8.8.1. Company overview 8.8.2. Key executives 8.8.3. Company snapshot 8.8.4. Operating business segments 8.8.5. Product portfolio 8.8.6. Business performance 8.9. Nexperia 8.9.1. Company overview 8.9.2. Key executives 8.9.3. Company snapshot 8.9.4. Operating business segments 8.9.5. Product portfolio 8.9.6. Key strategic moves and developments 8.10. Wolfspeed, Inc. 8.10.1. Company overview 8.10.2. Key executives 8.10.3. Company snapshot 8.10.4. Operating business segments 8.10.5. Product portfolio 8.10.6. Business performance 8.10.7. Key strategic moves and developments |
| ※참고 정보 와이드 밴드갭(WBG) 반도체는 전자기기의 성능을 향상시키기 위해 널리 연구되고 있는 신소재로, 간섭을 최소화하고 고온 및 고전압에서도 안정성을 유지하는 특성을 가진다. 일반적인 반도체와는 달리, 와이드 밴드갭 반도체는 더 큰 에너지 밴드갭을 가지고 있어, 그 값이 약 2.3 eV에서 6.2 eV까지 다양한 범위에 걸쳐 있다. 이는 전자들이 밴드갭을 넘어 전도대에 도달하는 데 필요한 에너지의 양을 의미하며, 이로 인해 극한의 환경에서도 고효율로 동작할 수 있는 장점이 있다. 주요 와이드 밴드갭 반도체로는 질화 갈륨(GaN), 탄화 규소(SiC), 알루미늄 질화물(AlN), 다이아몬드(Diamond) 등이 있다. 이들 각각은 특수한 전기적, 열적 특성을 보유하고 있으며, 상용화에 적합한 다양한 응용 분야를 가진다. GaN은 작은 크기와 저전력 소모로 인해 전력 전자기기와 RF 증폭기에서 광범위하게 사용되고 있으며, SiC는 고온 및 고전압 환경에서의 트랜지스터로 많이 활용된다. 또한 AlN과 다이아몬드는 주로 고주파와 고온 환경에서의 응용에 적합하다. 와이드 밴드갭 반도체의 가장 두드러진 용도는 전력 전자 및 에너지 전환 시스템이다. 이들은 전력 손실을 줄이고, 전력 밀도를 높이며, 기계의 열 관리를 개선하는데 기여한다. 예를 들어, 전기 자동차, 재생 가능 에너지 시스템, 고전압 전력 변환기 등에서 필수적인 역할을 한다. 또한, 이런 반도체는 RF 통신 및 레이더 시스템에서도 많이 사용되고 있어, 군사 및 산업 분야의 첨단 기술에 기여하고 있다. 이러한 반도체 기술은 고온, 고전압 및 고주파 소자에서도 안정적인 작동을 보장한다. 기존의 실리콘 기반 반도체보다 더 작은 크기로 동일한 성능을 달성할 수 있어, 소형화 및 경량화에 큰 기여를 하고 있다. 이에 따라 전자기기의 효율성을 높이는 데 중요한 역할을 하고 있다. 최근에는 AI 기술의 발전과 함께 WBG 반도체의 응용 가능성이 더욱 확대되고 있다. 실제로 인공지능 기반의 기계 학습 알고리즘을 통해 WBG 반도체의 제조 공정이 최적화되고, 보다 정밀한 물리적 모델링이 가능해짐에 따라, 이러한 반도체의 효율성과 신뢰성을 높일 수 있게 되었다. 결론적으로, 와이드 밴드갭 반도체는 차세대 전자기기의 핵심 요소로 자리 잡고 있으며, 앞으로도 지속적인 연구 및 개발을 통해 다양한 산업 분야에 혁신을 가져올 것으로 기대된다. 전력 전자 시스템, 고주파 통신 장비 등에서의 활용뿐만 아니라, 다음 세대의 에너지 기술 혁신에 중요한 역할을 할 것이며, 이러한 발전은 환경 친화적이고 지속 가능한 전력 시스템을 실현하는 데 중요한 기초가 될 것이다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 와이드 밴드갭 (WBG) 반도체 시장 2023년-2032년 : 탄화 규소 (SiC), 질화 갈륨 (GaN), 다이아몬드, 기타] (코드 : ALD24FEB214) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
| ※본 조사보고서 [세계의 와이드 밴드갭 (WBG) 반도체 시장 2023년-2032년 : 탄화 규소 (SiC), 질화 갈륨 (GaN), 다이아몬드, 기타] 에 대해서 E메일 문의는 여기를 클릭하세요. |

