| ■ 영문 제목 : Global SiC-SBD Market 2024 by Manufacturers, Regions, Type and Application, Forecast to 2030 | |
 | ■ 상품코드 : GIR2407E47136 ■ 조사/발행회사 : Globalinforesearch ■ 발행일 : 2024년 7월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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조사회사 Global Info Research의 최신 조사에 따르면, 세계의 SiC-SBD 시장 규모는 2023년에 XXX백만 달러로 분석되었으며, 검토 기간 동안 xx%의 CAGR로 2030년까지 XXX백만 달러의 재조정된 규모로 성장이 예측됩니다.
Global Info Research 보고서에는 SiC-SBD 산업 체인 동향 개요, 신 에너지 자동차, 전원 공급 장치, 태양광, 가전 제품, 공업, 기타 응용분야 및 선진 및 개발 도상국의 주요 기업의 시장 현황, SiC-SBD의 최첨단 기술, 특허, 최신 용도 및 시장 동향을 분석했습니다.
지역별로는 주요 지역의 SiC-SBD 시장을 분석합니다. 북미와 유럽은 정부 이니셔티브와 수요자 인식 제고에 힘입어 꾸준한 성장세를 보이고 있습니다. 아시아 태평양, 특히 중국은 탄탄한 내수 수요와 지원 정책, 강력한 제조 기반을 바탕으로 글로벌 SiC-SBD 시장을 주도하고 있습니다.
[주요 특징]
본 보고서는 SiC-SBD 시장에 대한 포괄적인 이해를 제공합니다. 본 보고서는 산업에 대한 전체적인 관점과 개별 구성 요소 및 이해 관계자에 대한 자세한 통찰력을 제공합니다. 본 보고서는 SiC-SBD 산업 내의 시장 역학, 동향, 과제 및 기회를 분석합니다. 또한, 거시적 관점에서 시장을 분석하는 것이 포함됩니다.
시장 규모 및 세분화: 본 보고서는 판매량, 매출 및 종류별 (예 : 600V, 1200V, 기타)의 시장 점유율을 포함한 전체 시장 규모에 대한 데이터를 수집합니다.
산업 분석: 보고서는 정부 정책 및 규제, 기술 발전, 수요자 선호도, 시장 역학 등 광범위한 산업 동향을 분석합니다. 이 분석은 SiC-SBD 시장에 영향을 미치는 주요 동인과 과제를 이해하는데 도움이 됩니다.
지역 분석: 본 보고서에는 지역 또는 국가 단위로 SiC-SBD 시장을 조사하는 것이 포함됩니다. 보고서는 정부 인센티브, 인프라 개발, 경제 상황 및 수요자 행동과 같은 지역 요인을 분석하여 다양한 시장 내의 변화와 기회를 식별합니다.
시장 전망: 보고서는 수집된 데이터와 분석을 통해 SiC-SBD 시장에 대한 미래 전망 및 예측을 다룹니다. 여기에는 시장 성장률 추정, 시장 수요 예측, 새로운 트렌드 파악 등이 포함될 수 있습니다. 본 보고서에는 SiC-SBD에 대한 보다 세분화된 접근 방식도 포함됩니다.
기업 분석: 본 보고서는 SiC-SBD 제조업체, 공급업체 및 기타 관련 업계 플레이어를 다룹니다. 이 분석에는 재무 성과, 시장 포지셔닝, 제품 포트폴리오, 파트너십 및 전략에 대한 조사가 포함됩니다.
수요자 분석: 보고서는 SiC-SBD에 대한 수요자 행동, 선호도 및 태도에 대한 데이터를 다룹니다. 여기에는 설문 조사, 인터뷰 및 응용 분야별 (신 에너지 자동차, 전원 공급 장치, 태양광, 가전 제품, 공업, 기타)의 다양한 수요자 리뷰 및 피드백 분석이 포함될 수 있습니다.
기술 분석: SiC-SBD과 관련된 특정 기술을 다루는 보고서입니다. SiC-SBD 분야의 현재 상황 및 잠재적 미래 발전 가능성을 평가합니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 개별 기업, 공급업체 및 수요업체를 분석하여 SiC-SBD 시장의 경쟁 환경에 대한 통찰력을 제공합니다. 이 분석은 시장 점유율, 경쟁 우위 및 업계 플레이어 간의 차별화 가능성을 이해하는 데 도움이 됩니다.
시장 검증: 본 보고서에는 설문 조사, 인터뷰 및 포커스 그룹과 같은 주요 조사를 통해 결과 및 예측을 검증하는 작업이 포함됩니다.
[시장 세분화]
SiC-SBD 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
종류별 시장 세그먼트
– 600V, 1200V, 기타
용도별 시장 세그먼트
– 신 에너지 자동차, 전원 공급 장치, 태양광, 가전 제품, 공업, 기타
주요 대상 기업
– Infineon, Mitsubishi Electric, STMicroelectronic, Fuji Electric, Toshiba, ON Semiconductor, Vishay Intertechnology, Wolfspeed (Cree), ROHM Semiconductor, Microsemi, United Silicon Carbide Inc., GeneSic, Global Power Technology, BASiC, Yangzhou Yangjie Electronic Technology, InventChip
지역 분석은 다음을 포함합니다.
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 러시아, 이탈리아)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 인도, 동남아시아, 호주)
– 남미 (브라질, 아르헨티나, 콜롬비아)
– 중동 및 아프리카 (사우디아라비아, 아랍에미리트, 이집트, 남아프리카공화국)
본 조사 보고서는 아래 항목으로 구성되어 있습니다.
– SiC-SBD 제품 범위, 시장 개요, 시장 추정, 주의 사항 및 기준 연도를 설명합니다.
– 2019년부터 2024년까지 SiC-SBD의 가격, 판매량, 매출 및 세계 시장 점유율과 함께 SiC-SBD의 주요 제조업체를 프로파일링합니다.
– SiC-SBD 경쟁 상황, 판매량, 매출 및 주요 제조업체의 글로벌 시장 점유율이 상세하게 분석 됩니다.
– SiC-SBD 상세 데이터는 2019년부터 2030년까지 지역별 판매량, 소비금액 및 성장성을 보여주기 위해 지역 레벨로 표시됩니다.
– 2019년부터 2030년까지 판매량 시장 점유율 및 성장률을 종류별, 용도별로 분류합니다.
– 2017년부터 2023년까지 세계 주요 국가의 판매량, 소비금액 및 시장 점유율과 함께 국가 레벨로 판매 데이터를 분류하고, 2025년부터 2030년까지 판매량 및 매출과 함께 지역, 종류 및 용도별로 SiC-SBD 시장 예측을 수행합니다.
– 시장 역학, 성장요인, 저해요인, 동향 및 포터의 다섯 가지 힘 분석.
– 주요 원자재 및 주요 공급 업체, SiC-SBD의 산업 체인.
– SiC-SBD 판매 채널, 유통 업체, 고객(수요기업), 조사 결과 및 결론을 설명합니다.
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■ 보고서 목차■ 시장 개요 ■ 제조업체 프로필 Infineon Mitsubishi Electric STMicroelectronic ■ 제조업체간 경쟁 환경 ■ 지역별 소비 분석 ■ 종류별 시장 세분화 ■ 용도별 시장 세분화 ■ 북미 ■ 유럽 ■ 아시아 태평양 ■ 남미 ■ 중동 및 아프리카 ■ 시장 역학 ■ 원자재 및 산업 체인 ■ 유통 채널별 출하량 ■ 조사 결과 [그림 목록]- SiC-SBD 이미지 - 종류별 세계의 SiC-SBD 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 종류별 세계의 SiC-SBD 소비 금액 시장 점유율 - 용도별 세계의 SiC-SBD 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 용도별 세계의 SiC-SBD 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 SiC-SBD 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 세계의 SiC-SBD 소비 금액 및 예측 (2019-2030) - 세계의 SiC-SBD 판매량 (2019-2030) - 세계의 SiC-SBD 평균 가격 (2019-2030) - 2023년 제조업체별 세계의 SiC-SBD 판매량 시장 점유율 - 2023년 제조업체별 세계의 SiC-SBD 소비 금액 시장 점유율 - 2023년 상위 3개 SiC-SBD 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 2023년 상위 6개 SiC-SBD 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 지역별 SiC-SBD 판매량 시장 점유율 - 지역별 SiC-SBD 소비 금액 시장 점유율 - 북미 SiC-SBD 소비 금액 - 유럽 SiC-SBD 소비 금액 - 아시아 태평양 SiC-SBD 소비 금액 - 남미 SiC-SBD 소비 금액 - 중동 및 아프리카 SiC-SBD 소비 금액 - 세계의 종류별 SiC-SBD 판매량 시장 점유율 - 세계의 종류별 SiC-SBD 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 종류별 SiC-SBD 평균 가격 - 세계의 용도별 SiC-SBD 판매량 시장 점유율 - 세계의 용도별 SiC-SBD 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 용도별 SiC-SBD 평균 가격 - 북미 SiC-SBD 종류별 판매량 시장 점유율 - 북미 SiC-SBD 용도별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 SiC-SBD 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 SiC-SBD 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 미국 SiC-SBD 소비 금액 및 성장률 - 캐나다 SiC-SBD 소비 금액 및 성장률 - 멕시코 SiC-SBD 소비 금액 및 성장률 - 유럽 SiC-SBD 종류별 판매량 시장 점유율 - 유럽 SiC-SBD 용도별 판매량 시장 점유율 - 유럽 SiC-SBD 국가별 판매량 시장 점유율 - 유럽 SiC-SBD 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 독일 SiC-SBD 소비 금액 및 성장률 - 프랑스 SiC-SBD 소비 금액 및 성장률 - 영국 SiC-SBD 소비 금액 및 성장률 - 러시아 SiC-SBD 소비 금액 및 성장률 - 이탈리아 SiC-SBD 소비 금액 및 성장률 - 아시아 태평양 SiC-SBD 종류별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 SiC-SBD 용도별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 SiC-SBD 지역별 판매 수량 시장 점유율 - 아시아 태평양 SiC-SBD 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 중국 SiC-SBD 소비 금액 및 성장률 - 일본 SiC-SBD 소비 금액 및 성장률 - 한국 SiC-SBD 소비 금액 및 성장률 - 인도 SiC-SBD 소비 금액 및 성장률 - 동남아시아 SiC-SBD 소비 금액 및 성장률 - 호주 SiC-SBD 소비 금액 및 성장률 - 남미 SiC-SBD 종류별 판매량 시장 점유율 - 남미 SiC-SBD 용도별 판매량 시장 점유율 - 남미 SiC-SBD 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 남미 SiC-SBD 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 브라질 SiC-SBD 소비 금액 및 성장률 - 아르헨티나 SiC-SBD 소비 금액 및 성장률 - 중동 및 아프리카 SiC-SBD 종류별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 SiC-SBD 용도별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 SiC-SBD 지역별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 SiC-SBD 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 터키 SiC-SBD 소비 금액 및 성장률 - 이집트 SiC-SBD 소비 금액 및 성장률 - 사우디 아라비아 SiC-SBD 소비 금액 및 성장률 - 남아프리카 공화국 SiC-SBD 소비 금액 및 성장률 - SiC-SBD 시장 성장 요인 - SiC-SBD 시장 제약 요인 - SiC-SBD 시장 동향 - 포터의 다섯 가지 힘 분석 - 2023년 SiC-SBD의 제조 비용 구조 분석 - SiC-SBD의 제조 공정 분석 - SiC-SBD 산업 체인 - 직접 채널 장단점 - 간접 채널 장단점 - 방법론 - 조사 프로세스 및 데이터 소스 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 질화규소 쇼트키 배리어 다이오드(SiC-SBD)는 차세대 전력 반도체 소자로서 각광받고 있는 기술입니다. 이는 기존의 실리콘(Si) 기반 쇼트키 배리어 다이오드에 비해 월등히 우수한 전기적 특성을 제공하며, 이를 통해 에너지 효율을 높이고 소형화, 고성능화된 전력 변환 시스템을 구현할 수 있게 합니다. 먼저 SiC-SBD의 핵심적인 개념을 정의하자면, 이는 질화규소(SiC)라는 반도체 소재를 사용하여 제작된 쇼트키 배리어 다이오드를 의미합니다. 쇼트키 배리어 다이오드는 금속과 반도체 계면에서 형성되는 쇼트키 접합을 통해 전류를 제어하는 다이오드의 한 종류입니다. 일반적인 PN 접합 다이오드와 달리 순방향 전압 강하가 낮고 스위칭 속도가 매우 빠르다는 특징을 가지고 있습니다. SiC-SBD는 이러한 쇼트키 다이오드의 장점에 더하여 SiC 소재 자체의 고유한 우수성을 결합하여 기존 Si 기반 다이오드의 한계를 극복합니다. SiC-SBD의 특징을 살펴보면, 가장 두드러진 것은 바로 압도적인 고내압 특성입니다. SiC는 실리콘에 비해 약 10배 이상 높은 항복 전계 강도를 가지고 있습니다. 이는 동일한 내압을 구현하기 위해 훨씬 얇은 블록킹 레이어를 사용할 수 있다는 것을 의미하며, 결과적으로 순방향 전압 강하를 크게 줄일 수 있습니다. 낮은 순방향 전압 강하는 전력 변환 과정에서 발생하는 전력 손실을 감소시켜 시스템의 에너지 효율을 비약적으로 향상시킵니다. 예를 들어, 고효율 전원 공급 장치, 전기 자동차용 충전기, 태양광 발전용 인버터 등 에너지 효율이 중요한 응용 분야에서 SiC-SBD는 큰 장점을 가집니다. 또한, SiC-SBD는 뛰어난 고온 동작 능력을 자랑합니다. SiC는 실리콘보다 밴드갭 에너지가 훨씬 넓기 때문에 높은 온도에서도 안정적인 반도체 특성을 유지할 수 있습니다. 이는 고온 환경에서도 소자의 신뢰성을 확보할 수 있게 하며, 별도의 냉각 시스템을 간소화하거나 제거할 수 있어 시스템의 크기와 비용을 절감하는 데 기여합니다. 이러한 특성은 산업용 모터 드라이브, 고온 가혹 환경에서의 전력 시스템 등 극한의 조건에서 사용되는 응용 분야에 매우 적합합니다. 더불어, SiC-SBD는 매우 빠른 스위칭 속도를 제공합니다. 쇼트키 접합은 캐리어 축적 효과가 거의 없어 일반적인 PN 접합 다이오드에 비해 역회복 시간(reverse recovery time)이 극히 짧습니다. 이는 전력 변환 과정에서 스위칭 손실을 최소화하여 시스템의 효율을 높이고, 고주파 스위칭을 가능하게 하여 전력 변환기 자체의 크기를 더욱 줄일 수 있게 합니다. 예를 들어, 고밀도, 고효율 스위칭 전원 장치(SMPS)나 전기 자동차의 온보드 차저(OBC)와 같이 고주파 동작이 필수적인 분야에서 SiC-SBD는 핵심적인 역할을 수행합니다. SiC-SBD는 구조적으로 크게 두 가지 종류로 나눌 수 있습니다. 첫 번째는 **평면형(Planar type)** 구조입니다. 이는 가장 기본적인 형태로, SiC 웨이퍼 표면에 금속을 증착하여 쇼트키 접합을 형성하는 방식입니다. 제조 공정이 비교적 간단하고 비용 효율적이지만, 고내압 구현 시 표면 전계 집중으로 인한 누설 전류나 항복 전압 저하의 문제가 발생할 수 있습니다. 두 번째는 **셀 구조(Cellular type) 또는 칩 규모 집적화 구조(short channel length structure)**입니다. 평면형의 단점을 보완하기 위해 쇼트키 접합 영역을 미세하게 분할하거나, 채널 길이를 줄이는 등의 구조적 설계를 통해 전계 집중을 완화하고 고내압 및 저온도 특성을 개선하는 방식입니다. 대표적으로 **원형 셀(Circular cell)** 또는 **육각형 셀(Hexagonal cell)** 구조 등이 있으며, 이를 통해 소자의 성능을 더욱 극대화할 수 있습니다. 또한, 최근에는 **MOSFET 기술과 결합된 SiC 쇼트키 브릿지 다이오드 (SiC Schottky Bridge Diode)**와 같은 복합 구조의 소자도 개발되고 있습니다. SiC-SBD의 주요 용도는 매우 다양합니다. 먼저, **고효율 전원 공급 장치(Power Supply Unit, PSU)** 분야에서 기존 실리콘 다이오드를 대체하여 전력 손실을 줄이고 에너지 효율을 높이는 데 사용됩니다. 특히 서버, 통신 장비, 컴퓨터 전원 등에서 그 효과가 두드러집니다. **전기 자동차(Electric Vehicle, EV)** 산업에서는 SiC-SBD가 핵심 부품으로 자리 잡고 있습니다. 전기 자동차의 구동 인버터, 온보드 차저(OBC), DC-DC 컨버터 등에 적용되어 차량의 에너지 효율을 높이고 주행 거리를 늘리는 데 기여합니다. 또한, 고온 환경에서도 안정적으로 동작하므로 전기차의 내구성 향상에도 중요한 역할을 합니다. **태양광 발전(Solar Power Generation)** 분야에서는 태양광 패널에서 생산된 직류(DC) 전력을 교류(AC)로 변환하는 인버터에 SiC-SBD가 사용됩니다. 이를 통해 에너지 변환 효율을 높여 태양광 발전 시스템의 전체적인 발전량을 증대시킬 수 있습니다. **산업용 모터 드라이브(Industrial Motor Drive)** 분야에서도 SiC-SBD는 높은 내압과 효율을 바탕으로 모터 제어 시스템의 성능을 향상시키고 에너지 소비를 절감하는 데 기여합니다. 특히 고출력 모터나 가혹한 환경에서 동작하는 모터 제어 시스템에 적합합니다. 이 외에도 **철도, 항공우주, 군사 분야** 등 높은 신뢰성과 성능이 요구되는 다양한 응용 분야에서 SiC-SBD의 활용이 확대되고 있습니다. SiC-SBD와 관련된 기술은 지속적으로 발전하고 있습니다. 가장 중요한 기술 중 하나는 **고품질 SiC 웨이퍼 제조 기술**입니다. SiC는 다결정 구조를 가지며, 결정 결함(dislocation, stacking fault 등)은 소자의 성능과 신뢰성에 직접적인 영향을 미칩니다. 따라서 결함 밀도를 낮춘 고품질 SiC 웨이퍼를 안정적으로 생산하는 기술이 SiC-SBD 성능 향상의 근간이 됩니다. 또한, **소자 설계 및 공정 기술**의 발전도 중요합니다. 앞서 언급한 셀 구조 설계, 전계 완화 기술, 고신뢰성 금속 접합 기술 등이 SiC-SBD의 성능과 수명을 결정합니다. 특정 응용 분야에 최적화된 구조 설계 및 미세 공정 기술은 SiC-SBD의 상용화를 가속화하는 요인입니다. **패키징 기술** 역시 SiC-SBD의 성능을 최대한 발휘하기 위해 필수적입니다. SiC-SBD는 높은 전류 밀도와 빠른 스위칭 속도를 가지므로, 발생하는 열을 효과적으로 방출하고 기생 인덕턴스를 최소화하는 패키징 기술이 중요합니다. 최근에는 고온에서도 안정적인 **하이브리드 본딩 기술**이나 **직결 실장(Direct Bonding) 기술** 등이 연구되고 있습니다. 마지막으로, SiC-SBD를 활용하는 **전력 변환 시스템 설계 기술** 또한 중요합니다. SiC-SBD의 고유한 특성을 이해하고 이를 최대한 활용할 수 있는 회로 설계, 제어 알고리즘 개발 등이 필요합니다. 또한, SiC-SBD와 다른 반도체 소자(예: SiC MOSFET)와의 통합 기술도 중요한 연구 분야입니다. SiC-SBD는 기존 실리콘 기반 전력 소자의 한계를 뛰어넘는 혁신적인 소재와 기술의 결합체로서, 에너지 효율 향상, 시스템 소형화 및 고성능화라는 현대 산업의 요구에 부응하는 핵심적인 솔루션을 제공하고 있습니다. 앞으로도 지속적인 연구 개발을 통해 그 적용 범위는 더욱 확대될 것이며, 미래 전력 전자 산업의 발전에 지대한 공헌을 할 것으로 기대됩니다. |
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