| ■ 영문 제목 : Monocrystalline SiC Substrate Market, Global Outlook and Forecast 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : MONT2407F34676 ■ 조사/발행회사 : Market Monitor Global ■ 발행일 : 2024년 4월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
| Single User (1명 열람용) | USD3,250 ⇒환산￦4,387,500 | 견적의뢰/주문/질문 |
| Multi User (20명 열람용) | USD4,225 ⇒환산￦5,703,750 | 견적의뢰/주문/질문 |
| Enterprise User (동일기업내 공유가능) | USD4,875 ⇒환산￦6,581,250 | 견적의뢰/구입/질문 |
|
※가격옵션 설명 - 납기는 즉일~2일소요됩니다. 3일이상 소요되는 경우는 별도표기 또는 연락드립니다. - 지불방법은 계좌이체/무통장입금 또는 카드결제입니다. |
본 조사 보고서는 현재 동향, 시장 역학 및 미래 전망에 초점을 맞춰, 단결정 SiC 기판 시장에 대한 포괄적인 분석을 제공합니다. 본 보고서는 북미, 유럽, 아시아 태평양 및 신흥 시장과 같은 주요 지역을 포함한 전 세계 단결정 SiC 기판 시장을 대상으로 합니다. 또한 단결정 SiC 기판의 성장을 주도하는 주요 요인, 업계가 직면한 과제 및 시장 참여자를 위한 잠재적 기회도 기재합니다.
글로벌 단결정 SiC 기판 시장은 최근 몇 년 동안 환경 문제, 정부 인센티브 및 기술 발전의 증가로 인해 급속한 성장을 목격했습니다. 단결정 SiC 기판 시장은 전원 부품, RF 부품, 기타를 포함한 다양한 이해 관계자에게 기회를 제공합니다. 민간 부문과 정부 간의 협력은 단결정 SiC 기판 시장에 대한 지원 정책, 연구 개발 노력 및 투자를 가속화 할 수 있습니다. 또한 증가하는 소비자 수요는 시장 확장의 길을 제시합니다.
글로벌 단결정 SiC 기판 시장은 2023년에 미화 XXX백만 달러로 조사되었으며 2030년까지 미화 XXX백만 달러에 도달할 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 XXX%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.
[주요 특징]
단결정 SiC 기판 시장에 대한 조사 보고서에는 포괄적인 통찰력을 제공하고 이해 관계자의 의사 결정을 용이하게하는 몇 가지 주요 항목이 포함되어 있습니다.
요약 : 본 보고서는 단결정 SiC 기판 시장의 주요 결과, 시장 동향 및 주요 통찰력에 대한 개요를 제공합니다.
시장 개요: 본 보고서는 단결정 SiC 기판 시장의 정의, 역사적 추이, 현재 시장 규모를 포함한 포괄적인 개요를 제공합니다. 종류(예: 4인치, 6인치, 8인치), 지역 및 용도별로 시장을 세분화하여 각 세그먼트 내의 주요 동인, 과제 및 기회를 중점적으로 다룹니다.
시장 역학: 본 보고서는 단결정 SiC 기판 시장의 성장과 발전을 주도하는 시장 역학을 분석합니다. 본 보고서에는 정부 정책 및 규정, 기술 발전, 소비자 동향 및 선호도, 인프라 개발, 업계 협력에 대한 평가가 포함되어 있습니다. 이 분석은 이해 관계자가 단결정 SiC 기판 시장의 궤적에 영향을 미치는 요인을 이해하는데 도움이됩니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 단결정 SiC 기판 시장내 경쟁 환경에 대한 심층 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 시장 플레이어의 프로필, 시장 점유율, 전략, 제품 포트폴리오 및 최근 동향이 포함됩니다.
시장 세분화 및 예측: 본 보고서는 종류, 지역 및 용도와 같은 다양한 매개 변수를 기반으로 단결정 SiC 기판 시장을 세분화합니다. 정량적 데이터 및 분석을 통해 각 세그먼트의 시장 규모와 성장 예측을 제공합니다. 이를 통해 이해 관계자가 성장 기회를 파악하고 정보에 입각한 투자 결정을 내릴 수 있습니다.
기술 동향: 본 보고서는 주요기술의 발전과 새로운 대체품 등 단결정 SiC 기판 시장을 형성하는 주요 기술 동향을 강조합니다. 이러한 트렌드가 시장 성장, 채택률, 소비자 선호도에 미치는 영향을 분석합니다.
시장 과제와 기회: 본 보고서는 기술적 병목 현상, 비용 제한, 높은 진입 장벽 등 단결정 SiC 기판 시장이 직면한 주요 과제를 파악하고 분석합니다. 또한 정부 인센티브, 신흥 시장, 이해관계자 간의 협업 등 시장 성장의 기회에 대해서도 강조합니다.
규제 및 정책 분석: 본 보고서는 정부 인센티브, 배출 기준, 인프라 개발 계획 등 단결정 SiC 기판에 대한 규제 및 정책 환경을 평가합니다. 이러한 정책이 시장 성장에 미치는 영향을 분석하고 향후 규제 동향에 대한 인사이트를 제공합니다.
권장 사항 및 결론: 본 보고서는 소비자, 정책 입안자, 투자자, 인프라 제공업체 등 이해관계자를 위한 실행 가능한 권고 사항으로 마무리합니다. 이러한 권장 사항은 조사 결과를 바탕으로 단결정 SiC 기판 시장의 주요 과제와 기회를 해결할 수 있습니다.
참고 데이터 및 부록: 보고서에는 분석 및 조사 결과를 입증하기 위한 보조 데이터, 차트, 그래프가 포함되어 있습니다. 또한 데이터 소스, 설문조사, 상세한 시장 예측과 같은 추가 세부 정보가 담긴 부록도 포함되어 있습니다.
[시장 세분화]
단결정 SiC 기판 시장은 종류별 및 용도별로 세분화됩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
■ 종류별 시장 세그먼트
– 4인치, 6인치, 8인치
■ 용도별 시장 세그먼트
– 전원 부품, RF 부품, 기타
■ 지역별 및 국가별 글로벌 단결정 SiC 기판 시장 점유율, 2023년(%)
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 아시아 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도)
– 남미 (브라질, 아르헨티나)
– 중동 및 아프리카 (터키, 이스라엘, 사우디 아라비아, UAE)
■ 주요 업체
– Cree (Wolfspeed), II-VI Advanced Materials, SiCrystal (ROHM), Dow, SICC, TankeBlue, Hebei Synlight Crystal
[주요 챕터의 개요]
1 장 : 단결정 SiC 기판의 정의, 시장 개요를 소개
2 장 : 매출 및 판매량을 기준으로한 글로벌 단결정 SiC 기판 시장 규모
3 장 : 단결정 SiC 기판 제조업체 경쟁 환경, 가격, 판매량 및 매출 시장 점유율, 최신 동향, M&A 정보 등에 대한 자세한 분석
4 장 : 종류별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
5 장 : 용도별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
6 장 : 지역 및 국가별 단결정 SiC 기판 판매량. 각 지역 및 주요 국가의 시장 규모와 성장 잠재력에 대한 정량적 분석을 제공. 세계 각국의 시장 개발, 향후 개발 전망, 시장 기회을 소개
7 장 : 주요 업체의 프로필을 제공. 제품 판매, 매출, 가격, 총 마진, 제품 소개, 최근 동향 등 시장 내 주요 업체의 기본 상황을 자세히 소개
8 장 : 지역별 및 국가별 글로벌 단결정 SiC 기판 시장규모
9 장 : 시장 역학, 시장의 최신 동향, 시장의 추진 요인 및 제한 요인, 업계내 업체가 직면한 과제 및 리스크, 업계의 관련 정책 분석을 소개
10 장 : 산업의 업 스트림 및 다운 스트림을 포함한 산업 체인 분석
11 장 : 보고서의 주요 요점 및 결론
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차1. 조사 및 분석 보고서 소개 2. 글로벌 단결정 SiC 기판 전체 시장 규모 3. 기업 환경 4. 종류별 시장 분석 5. 용도별 시장 분석 6. 지역별 시장 분석 7. 제조업체 및 브랜드 프로필 Cree (Wolfspeed), II-VI Advanced Materials, SiCrystal (ROHM), Dow, SICC, TankeBlue, Hebei Synlight Crystal Cree (Wolfspeed) II-VI Advanced Materials SiCrystal (ROHM) 8. 글로벌 단결정 SiC 기판 생산 능력 분석 9. 주요 시장 동향, 기회, 동인 및 제약 요인 10. 단결정 SiC 기판 공급망 분석 11. 결론 [그림 목록]- 종류별 단결정 SiC 기판 세그먼트, 2023년 - 용도별 단결정 SiC 기판 세그먼트, 2023년 - 글로벌 단결정 SiC 기판 시장 개요, 2023년 - 글로벌 단결정 SiC 기판 시장 규모: 2023년 VS 2030년 - 글로벌 단결정 SiC 기판 매출, 2019-2030 - 글로벌 단결정 SiC 기판 판매량: 2019-2030 - 단결정 SiC 기판 매출 기준 상위 3개 및 5개 업체 시장 점유율, 2023년 - 글로벌 종류별 단결정 SiC 기판 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 종류별 단결정 SiC 기판 매출 시장 점유율 - 글로벌 종류별 단결정 SiC 기판 판매량 시장 점유율 - 글로벌 종류별 단결정 SiC 기판 가격 - 글로벌 용도별 단결정 SiC 기판 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 용도별 단결정 SiC 기판 매출 시장 점유율 - 글로벌 용도별 단결정 SiC 기판 판매량 시장 점유율 - 글로벌 용도별 단결정 SiC 기판 가격 - 지역별 단결정 SiC 기판 매출, 2023년 VS 2030년 - 지역별 단결정 SiC 기판 매출 시장 점유율 - 지역별 단결정 SiC 기판 매출 시장 점유율 - 지역별 단결정 SiC 기판 판매량 시장 점유율 - 북미 국가별 단결정 SiC 기판 매출 시장 점유율 - 북미 국가별 단결정 SiC 기판 판매량 시장 점유율 - 미국 단결정 SiC 기판 시장규모 - 캐나다 단결정 SiC 기판 시장규모 - 멕시코 단결정 SiC 기판 시장규모 - 유럽 국가별 단결정 SiC 기판 매출 시장 점유율 - 유럽 국가별 단결정 SiC 기판 판매량 시장 점유율 - 독일 단결정 SiC 기판 시장규모 - 프랑스 단결정 SiC 기판 시장규모 - 영국 단결정 SiC 기판 시장규모 - 이탈리아 단결정 SiC 기판 시장규모 - 러시아 단결정 SiC 기판 시장규모 - 아시아 지역별 단결정 SiC 기판 매출 시장 점유율 - 아시아 지역별 단결정 SiC 기판 판매량 시장 점유율 - 중국 단결정 SiC 기판 시장규모 - 일본 단결정 SiC 기판 시장규모 - 한국 단결정 SiC 기판 시장규모 - 동남아시아 단결정 SiC 기판 시장규모 - 인도 단결정 SiC 기판 시장규모 - 남미 국가별 단결정 SiC 기판 매출 시장 점유율 - 남미 국가별 단결정 SiC 기판 판매량 시장 점유율 - 브라질 단결정 SiC 기판 시장규모 - 아르헨티나 단결정 SiC 기판 시장규모 - 중동 및 아프리카 국가별 단결정 SiC 기판 매출 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 국가별 단결정 SiC 기판 판매량 시장 점유율 - 터키 단결정 SiC 기판 시장규모 - 이스라엘 단결정 SiC 기판 시장규모 - 사우디 아라비아 단결정 SiC 기판 시장규모 - 아랍에미리트 단결정 SiC 기판 시장규모 - 글로벌 단결정 SiC 기판 생산 능력 - 지역별 단결정 SiC 기판 생산량 비중, 2023년 VS 2030년 - 단결정 SiC 기판 산업 가치 사슬 - 마케팅 채널 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 ## 단결정 탄화규소(SiC) 기판에 대한 고찰 단결정 탄화규소(SiC) 기판은 반도체 기술의 발전에 지대한 영향을 미치고 있는 핵심 소재 중 하나입니다. 그 독특한 물리적, 전기적 특성 덕분에 기존의 실리콘(Si) 기판으로는 구현하기 어려운 고온, 고전압, 고주파 환경에서의 소자 제작을 가능하게 하며, 이는 곧 차세대 전력 반도체, 고성능 RF(무선 주파수) 소자, 그리고 첨단 전자 기기 개발의 초석이 됩니다. 탄화규소(SiC)는 탄소(C)와 규소(Si)가 결합하여 형성된 화합물 반도체로, 다이아몬드와 유사한 매우 단단한 결정 구조를 가집니다. 이러한 결정 구조 덕분에 SiC는 넓은 밴드갭 에너지(2.39 eV ~ 3.33 eV, 결정 구조에 따라 다름), 높은 전기적 절연 강도(약 2.5 MV/cm), 우수한 열전도율(약 3W/cm·K), 그리고 높은 전자 이동도를 특징으로 합니다. 특히 3C-SiC는 1.2 eV의 밴드갭을 가지며, 다른 SiC 결정 구조에 비해 전자 이동도가 높아 고주파 소자에 유리한 특성을 보입니다. 하지만 단결정 SiC 기판 제조의 어려움으로 인해 현재 상용화된 대부분의 고성능 SiC 전력 소자는 4H-SiC 또는 6H-SiC 구조를 기반으로 제작되고 있습니다. 단결정 SiC 기판의 제조는 복잡하고 까다로운 공정을 수반합니다. 가장 대표적인 방법으로는 승화법(Sublimation Method)이 있습니다. 이 방법은 고순도의 탄화규소 분말을 고온(약 2000°C 이상)에서 승화시킨 후, 정밀하게 제어된 온도 및 압력 환경에서 결정 성장을 유도하는 방식입니다. 특히 고온 화학 기상 증착법(High-Temperature Chemical Vapor Deposition, HT-CVD)은 기판 온도와 전구체 가스 조성 제어를 통해 결정 성장 속도와 결정성을 높이는 데 기여하며, 현대적인 단결정 SiC 기판 제조의 핵심 기술로 자리 잡고 있습니다. 또한, 용액 성장법(Solution Growth Method)은 낮은 온도에서 결정 성장이 가능하여 에너지 효율을 높이고 잠재적으로 비용을 절감할 수 있는 가능성을 제시하지만, 아직까지는 승화법만큼 상용화 및 대량 생산에 적합하지는 않습니다. 단결정 SiC 웨이퍼는 이러한 성장 과정을 거쳐 얇고 균일한 원판 형태로 만들어지며, 이후 에칭, 연마, 세척 등 다양한 후처리 공정을 거쳐 반도체 소자 제작에 적합한 표면 품질을 확보하게 됩니다. SiC 기판은 다양한 결정 구조(폴리타입, Polytype)를 가질 수 있으며, 이는 SiC 분자를 쌓는 방식에 따라 달라집니다. 대표적인 폴리타입으로는 4H-SiC, 6H-SiC, 3C-SiC 등이 있으며, 각 폴리타입은 고유한 결정 격자 구조와 그에 따른 전기적, 물리적 특성을 나타냅니다. 4H-SiC는 6H-SiC에 비해 더 높은 전자 이동도를 가지며, 이는 고속 스위칭 소자에 유리한 특성입니다. 6H-SiC는 4H-SiC와 마찬가지로 높은 내압과 열전도율을 가지면서도 비교적 우수한 소자 성능을 제공합니다. 3C-SiC는 가장 간단한 구조를 가지며 높은 전자 이동도를 제공하지만, 결정 결함 밀도가 높아 고성능 소자 제작에는 제약이 있습니다. 현재 상용화된 SiC 기판의 대부분은 4H-SiC이며, 이는 전력 반도체 분야에서 가장 널리 사용되고 있습니다. 단결정 SiC 기판의 가장 두드러진 특징은 앞서 언급한 뛰어난 물리적, 전기적 특성에 있습니다. 넓은 밴드갭 에너지는 SiC 기반 소자가 더 높은 온도에서도 안정적으로 동작할 수 있도록 하며, 이는 전기 자동차의 파워트레인, 산업용 모터 드라이브, 그리고 우주 항공 분야 등 극한 환경에서의 적용 가능성을 크게 높입니다. 또한, 높은 전기적 절연 강도는 더 얇은 절연층으로도 높은 전압을 견딜 수 있게 하여, 소자의 집적도를 높이고 효율을 향상시키는 데 기여합니다. SiC의 높은 열전도율은 소자에서 발생하는 열을 효율적으로 외부로 방출하여 과열로 인한 성능 저하 및 파괴를 방지하는 데 결정적인 역할을 합니다. 이는 고출력 소자 설계에 있어 매우 중요한 이점으로 작용합니다. 높은 전자 이동도는 고주파 신호를 더 빠르고 효율적으로 처리할 수 있게 하여, 차세대 통신 시스템, 레이더, 그리고 위성 통신 분야에서 SiC 기판의 활용도를 높이고 있습니다. 단결정 SiC 기판의 주요 용도는 다음과 같습니다. 첫째, 전력 반도체입니다. SiC MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)과 SiC 쇼트키 다이오드(Schottky Diode)는 기존 실리콘 기반 소자 대비 월등한 효율과 내압을 제공하여, 에너지 손실을 크게 줄일 수 있습니다. 이는 전기 자동차의 충전기, 인버터, 배터리 관리 시스템뿐만 아니라 신재생 에너지 발전 시스템, 고효율 전원 공급 장치 등에 폭넓게 적용됩니다. 둘째, 고주파 RF 소자입니다. SiC는 높은 항복 전압과 낮은 기생 용량 덕분에 고출력 RF 증폭기, 위성 통신용 송수신기, 그리고 레이더 시스템 등에 이상적인 소재입니다. 셋째, 센서 및 디텍터입니다. SiC의 높은 내열성과 내화학성은 고온 또는 부식성 환경에서도 안정적으로 작동하는 센서 및 방사선 디텍터 개발에 활용됩니다. 마지막으로, LED 및 기타 광전자 소자입니다. 특히 고온 또는 고출력 환경에서 작동해야 하는 LED나 자외선(UV) 검출기 등에도 SiC 기판이 사용될 수 있습니다. 단결정 SiC 기판과 관련된 주요 기술로는 다음과 같은 것들이 있습니다. 첫째, **성장 기술**입니다. 고품질의 대면적 SiC 결정을 성장시키는 것은 여전히 중요한 기술적 과제이며, 결정 결함을 최소화하고 균일한 특성을 확보하기 위한 연구가 활발히 진행되고 있습니다. 특히 저렴하고 효율적인 성장 방법 개발은 SiC 기술의 상용화를 가속화하는 데 필수적입니다. 둘째, **웨이퍼 제조 기술**입니다. 성장된 SiC 잉곳(ingot)을 정밀하게 절단하고 연마하여 반도체 공정에 적합한 품질의 웨이퍼를 만드는 과정은 높은 정밀도와 숙련된 기술을 요구합니다. 웨이퍼 표면의 평탄도, 결정 결함 밀도, 그리고 기타 표면 특성은 소자 성능에 직접적인 영향을 미치므로 매우 중요합니다. 셋째, **에피 성장 기술**입니다. SiC 기판 위에 고품질의 에피층(epitaxial layer)을 성장시키는 것은 소자의 성능을 결정하는 핵심 기술입니다. 에피층의 두께, 도핑 농도, 그리고 결정성은 소자의 항복 전압, 온 저항, 그리고 스위칭 속도 등을 결정합니다. 넷째, **소자 제작 기술**입니다. SiC의 높은 공정 온도와 까다로운 재료 특성을 고려하여 최적화된 소자 공정 개발이 필요합니다. 특히 게이트 산화막 형성, 금속 배선, 패시베이션(passivation) 등 각 공정 단계에서 SiC의 고유한 특성을 이해하고 이를 활용하는 것이 중요합니다. 마지막으로 **테스트 및 패키징 기술**입니다. SiC 소자는 고온, 고전압 환경에서 작동하는 경우가 많으므로, 이를 견딜 수 있는 특수한 테스트 장비와 패키징 솔루션이 요구됩니다. 또한, SiC의 우수한 열 특성을 효율적으로 활용하기 위한 방열 설계 및 패키징 기술 또한 중요합니다. 단결정 SiC 기판 기술은 지속적으로 발전하고 있으며, 더 큰 직경의 웨이퍼 제조, 결정 결함 감소, 그리고 공정 비용 절감을 위한 연구가 활발히 진행되고 있습니다. 이러한 기술 발전은 차세대 전력 반도체 및 첨단 전자 기기의 성능 향상과 폭넓은 보급을 촉진할 것으로 기대됩니다. SiC 기판은 현재 우리가 직면하고 있는 에너지 효율 증대, 친환경 에너지 시스템 구축, 그리고 고성능 컴퓨팅 및 통신 기술 발전에 있어 핵심적인 역할을 수행할 것입니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 단결정 SiC 기판 시장예측 2024-2030] (코드 : MONT2407F34676) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 단결정 SiC 기판 시장예측 2024-2030] 에 대해서 E메일 문의는 여기를 클릭하세요. |