■ 영문 제목 : Global Light Sources for Lithography Market Growth 2024-2030 | |
![]() | ■ 상품코드 : LPI2410G6238 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2024년 10월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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LP Information (LPI)사의 최신 조사에 따르면, 글로벌 리소그래피용 광원 시장 규모는 2023년에 미화 XXX백만 달러로 산출되었습니다. 다운 스트림 시장의 수요가 증가함에 따라 리소그래피용 광원은 조사 대상 기간 동안 XXX%의 CAGR(연평균 성장율)로 2030년까지 미화 XXX백만 달러의 시장규모로 예상됩니다.
본 조사 보고서는 글로벌 리소그래피용 광원 시장의 성장 잠재력을 강조합니다. 리소그래피용 광원은 향후 시장에서 안정적인 성장을 보일 것으로 예상됩니다. 그러나 제품 차별화, 비용 절감 및 공급망 최적화는 리소그래피용 광원의 광범위한 채택을 위해 여전히 중요합니다. 시장 참여자들은 연구 개발에 투자하고, 전략적 파트너십을 구축하고, 진화하는 소비자 선호도에 맞춰 제품을 제공함으로써 리소그래피용 광원 시장이 제공하는 막대한 기회를 활용해야 합니다.
[주요 특징]
리소그래피용 광원 시장에 대한 보고서는 다양한 측면을 반영하고 업계에 대한 소중한 통찰력을 제공합니다.
시장 규모 및 성장: 본 조사 보고서는 리소그래피용 광원 시장의 현재 규모와 성장에 대한 개요를 제공합니다. 여기에는 과거 데이터, 유형별 시장 세분화 (예 : DUV 광원 (ArF, KrF, i선), EUV 광원) 및 지역 분류가 포함될 수 있습니다.
시장 동인 및 과제: 본 보고서는 정부 규제, 환경 문제, 기술 발전 및 소비자 선호도 변화와 같은 리소그래피용 광원 시장의 성장을 주도하는 요인을 식별하고 분석 할 수 있습니다. 또한 인프라 제한, 범위 불안, 높은 초기 비용 등 업계가 직면한 과제를 강조할 수 있습니다.
경쟁 환경: 본 조사 보고서는 리소그래피용 광원 시장 내 경쟁 환경에 대한 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 업체의 프로필, 시장 점유율, 전략 및 제공 제품이 포함됩니다. 본 보고서는 또한 신흥 플레이어와 시장에 대한 잠재적 영향을 강조할 수 있습니다.
기술 개발: 본 조사 보고서는 리소그래피용 광원 산업의 최신 기술 개발에 대해 자세히 살펴볼 수 있습니다. 여기에는 리소그래피용 광원 기술의 발전, 리소그래피용 광원 신규 진입자, 리소그래피용 광원 신규 투자, 그리고 리소그래피용 광원의 미래를 형성하는 기타 혁신이 포함됩니다.
다운스트림 고객 선호도: 본 보고서는 리소그래피용 광원 시장의 고객 구매 행동 및 채택 동향을 조명할 수 있습니다. 여기에는 고객의 구매 결정에 영향을 미치는 요인, 리소그래피용 광원 제품에 대한 선호도가 포함됩니다.
정부 정책 및 인센티브: 본 조사 보고서는 정부 정책 및 인센티브가 리소그래피용 광원 시장에 미치는 영향을 분석합니다. 여기에는 규제 프레임워크, 보조금, 세금 인센티브 및 리소그래피용 광원 시장을 촉진하기위한 기타 조치에 대한 평가가 포함될 수 있습니다. 본 보고서는 또한 이러한 정책이 시장 성장을 촉진하는데 미치는 효과도 분석합니다.
환경 영향 및 지속 가능성: 조사 보고서는 리소그래피용 광원 시장의 환경 영향 및 지속 가능성 측면을 분석합니다.
시장 예측 및 미래 전망: 수행된 분석을 기반으로 본 조사 보고서는 리소그래피용 광원 산업에 대한 시장 예측 및 전망을 제공합니다. 여기에는 시장 규모, 성장률, 지역 동향, 기술 발전 및 정책 개발에 대한 예측이 포함됩니다.
권장 사항 및 기회: 본 보고서는 업계 이해 관계자, 정책 입안자, 투자자를 위한 권장 사항으로 마무리됩니다. 본 보고서는 시장 참여자들이 새로운 트렌드를 활용하고, 도전 과제를 극복하며, 리소그래피용 광원 시장의 성장과 발전에 기여할 수 있는 잠재적 기회를 강조합니다.
[시장 세분화]
리소그래피용 광원 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 수량 및 금액 측면에서 제공합니다.
*** 종류별 세분화 ***
DUV 광원 (ArF, KrF, i선), EUV 광원
*** 용도별 세분화 ***
종합 반도체 업체 (IDM), 파운드리, 기타
본 보고서는 또한 시장을 지역별로 분류합니다:
– 미주 (미국, 캐나다, 멕시코, 브라질)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 호주)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 중동 및 아프리카 (이집트, 남아프리카 공화국, 이스라엘, 터키, GCC 국가)
아래 프로파일링 대상 기업은 주요 전문가로부터 수집한 정보를 바탕으로 해당 기업의 서비스 범위, 제품 포트폴리오, 시장 점유율을 분석하여 선정되었습니다.
Cymer(ASML)、Gigaphoton、Beijing RSLaser Opto-Electronics Technology、Optosystems、USHIO
[본 보고서에서 다루는 주요 질문]
– 글로벌 리소그래피용 광원 시장의 향후 10년 전망은 어떻게 될까요?
– 전 세계 및 지역별 리소그래피용 광원 시장 성장을 주도하는 요인은 무엇입니까?
– 시장과 지역별로 가장 빠르게 성장할 것으로 예상되는 분야는 무엇인가요?
– 최종 시장 규모에 따라 리소그래피용 광원 시장 기회는 어떻게 다른가요?
– 리소그래피용 광원은 종류, 용도를 어떻게 분류합니까?
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차■ 보고서의 범위 ■ 보고서의 요약 ■ 기업별 세계 리소그래피용 광원 시장분석 ■ 지역별 리소그래피용 광원에 대한 추이 분석 ■ 미주 시장 ■ 아시아 태평양 시장 ■ 유럽 시장 ■ 중동 및 아프리카 시장 ■ 시장 동인, 도전 과제 및 동향 ■ 제조 비용 구조 분석 ■ 마케팅, 유통업체 및 고객 ■ 지역별 리소그래피용 광원 시장 예측 ■ 주요 기업 분석 Cymer(ASML)、Gigaphoton、Beijing RSLaser Opto-Electronics Technology、Optosystems、USHIO – Cymer(ASML) – Gigaphoton – Beijing RSLaser Opto-Electronics Technology ■ 조사 결과 및 결론 [그림 목록]리소그래피용 광원 이미지 리소그래피용 광원 판매량 성장률 (2019-2030) 글로벌 리소그래피용 광원 매출 성장률 (2019-2030) 지역별 리소그래피용 광원 매출 (2019, 2023 및 2030) 글로벌 종류별 리소그래피용 광원 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 종류별 리소그래피용 광원 매출 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 용도별 리소그래피용 광원 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 용도별 리소그래피용 광원 매출 시장 점유율 기업별 리소그래피용 광원 판매량 시장 2023 기업별 글로벌 리소그래피용 광원 판매량 시장 점유율 2023 기업별 리소그래피용 광원 매출 시장 2023 기업별 글로벌 리소그래피용 광원 매출 시장 점유율 2023 지역별 글로벌 리소그래피용 광원 판매량 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 리소그래피용 광원 매출 시장 점유율 2023 미주 리소그래피용 광원 판매량 (2019-2024) 미주 리소그래피용 광원 매출 (2019-2024) 아시아 태평양 리소그래피용 광원 판매량 (2019-2024) 아시아 태평양 리소그래피용 광원 매출 (2019-2024) 유럽 리소그래피용 광원 판매량 (2019-2024) 유럽 리소그래피용 광원 매출 (2019-2024) 중동 및 아프리카 리소그래피용 광원 판매량 (2019-2024) 중동 및 아프리카 리소그래피용 광원 매출 (2019-2024) 미국 리소그래피용 광원 시장규모 (2019-2024) 캐나다 리소그래피용 광원 시장규모 (2019-2024) 멕시코 리소그래피용 광원 시장규모 (2019-2024) 브라질 리소그래피용 광원 시장규모 (2019-2024) 중국 리소그래피용 광원 시장규모 (2019-2024) 일본 리소그래피용 광원 시장규모 (2019-2024) 한국 리소그래피용 광원 시장규모 (2019-2024) 동남아시아 리소그래피용 광원 시장규모 (2019-2024) 인도 리소그래피용 광원 시장규모 (2019-2024) 호주 리소그래피용 광원 시장규모 (2019-2024) 독일 리소그래피용 광원 시장규모 (2019-2024) 프랑스 리소그래피용 광원 시장규모 (2019-2024) 영국 리소그래피용 광원 시장규모 (2019-2024) 이탈리아 리소그래피용 광원 시장규모 (2019-2024) 러시아 리소그래피용 광원 시장규모 (2019-2024) 이집트 리소그래피용 광원 시장규모 (2019-2024) 남아프리카 리소그래피용 광원 시장규모 (2019-2024) 이스라엘 리소그래피용 광원 시장규모 (2019-2024) 터키 리소그래피용 광원 시장규모 (2019-2024) GCC 국가 리소그래피용 광원 시장규모 (2019-2024) 리소그래피용 광원의 제조 원가 구조 분석 리소그래피용 광원의 제조 공정 분석 리소그래피용 광원의 산업 체인 구조 리소그래피용 광원의 유통 채널 글로벌 지역별 리소그래피용 광원 판매량 시장 전망 (2025-2030) 글로벌 지역별 리소그래피용 광원 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 리소그래피용 광원 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 리소그래피용 광원 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 리소그래피용 광원 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 리소그래피용 광원 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
※참고 정보 ## 리소그래피용 광원 리소그래피는 미세한 패턴을 기판 위에 형성하는 핵심적인 반도체 제조 공정입니다. 이러한 패턴을 정밀하게 구현하기 위해서는 다양한 특성을 가진 광원을 사용하게 됩니다. 리소그래피용 광원은 그 용도와 요구되는 해상도, 생산성에 따라 종류가 나뉘며, 각 광원은 고유의 특징과 이를 활용하기 위한 관련 기술들을 가지고 있습니다. ### 정의 및 중요성 리소그래피 공정에서 광원은 마스크(mask) 또는 레티클(reticle)에 그려진 회로 패턴을 감광재(photoresist)가 도포된 웨이퍼(wafer) 상에 전사하는 역할을 합니다. 즉, 광원은 회로 설계 정보를 물리적인 패턴으로 구현하는 매개체이며, 이 광원의 파장(wavelength)과 균일성, 조사 시간 등은 최종적으로 만들어지는 반도체 칩의 성능과 집적도를 결정하는 매우 중요한 요소입니다. 따라서 리소그래피용 광원은 미세화, 고성능화되는 반도체 기술 발전에 있어 필수적인 기반 기술이라고 할 수 있습니다. ### 광원의 특징 및 선택 기준 리소그래피용 광원을 선택할 때는 여러 가지 핵심적인 특징을 고려해야 합니다. * **파장 (Wavelength):** 가장 중요한 특징 중 하나입니다. 광원의 파장이 짧을수록 회절 한계(diffraction limit)를 극복하여 더 미세한 패턴을 구현할 수 있습니다. 따라서 반도체 공정이 미세화될수록 더 짧은 파장의 광원을 사용하게 됩니다. * **균일성 (Uniformity):** 웨이퍼 전체에 걸쳐 광원의 세기가 일정하게 유지되어야 합니다. 이는 각 영역에서 동일한 수준의 노광이 이루어지도록 하여 패턴의 균일성과 수율을 높이는 데 중요합니다. * **안정성 (Stability):** 시간의 흐름에 따라 광원의 출력이 일정하게 유지되어야 합니다. 광원 출력이 변동하면 노광량이 달라져 패턴 결함을 유발할 수 있습니다. * **출력 (Power):** 단위 시간당 조사되는 광 에너지의 양을 의미합니다. 출력 또한 생산성과 직결되는 요소로, 파장이 짧아질수록 동일한 노광량을 얻기 위해 더 높은 출력이 요구될 수 있습니다. * **집광 능력 (Focusability):** 광원을 미세한 점으로 집중시키는 능력 또한 중요합니다. 이는 패턴의 선명도를 결정하며, 더 짧은 파장의 광원을 사용할수록 집광 능력이 더 중요해집니다. * **생산성 (Throughput):** 단위 시간당 처리할 수 있는 웨이퍼 수를 나타냅니다. 이는 광원의 출력, 노광 시간, 스테이지 이동 속도 등 여러 요인에 의해 결정되며, 생산 단가와 직결되는 중요한 요소입니다. ### 리소그래피용 광원의 종류 리소그래피 공정은 기술 발전에 따라 다양한 파장의 광원을 사용해 왔으며, 현재 주력으로 사용되거나 미래 기술로 연구되는 광원들은 다음과 같습니다. * **자외선 (UV: Ultraviolet) 광원:** * **i-line (365nm):** 초기 반도체 공정에서 널리 사용되었던 광원입니다. 비교적 긴 파장이지만 당시 기술 수준으로도 충분히 미세한 패턴 구현이 가능했습니다. 현재는 성숙된 기술로 일부 특수 공정이나 패키징 공정 등에서 활용됩니다. * **KrF excimer laser (248nm):** 크립톤 플루오라이드(KrF) 엑시머 레이저를 이용하는 광원입니다. i-line보다 짧은 파장을 사용하여 더 미세한 패턴 형성을 가능하게 했습니다. 0.3 마이크로미터(µm) 이하 공정에 적용되었으며, 여전히 일부 공정에서 사용됩니다. * **ArF excimer laser (193nm):** 아르곤 플루오라이드(ArF) 엑시머 레이저를 이용하는 광원으로, 현재 주력으로 사용되는 광원입니다. 193nm의 파장은 기존 광원보다 훨씬 짧아 100nm 이하의 미세 패턴 구현을 가능하게 했습니다. * **극자외선 (EUV: Extreme Ultraviolet) 광원:** * **13.5nm:** EUV 리소그래피는 기존 ArF 엑시머 레이저의 파장 한계를 극복하기 위해 개발된 차세대 리소그래피 기술입니다. 13.5nm의 극히 짧은 파장을 사용하여 10nm 이하의 초미세 패턴을 구현할 수 있습니다. EUV 광원은 기존의 투과형 렌즈 시스템으로는 빛의 흡수가 커서 사용할 수 없기 때문에, 반사형 거울 시스템을 사용한다는 특징이 있습니다. 이는 EUV 광원의 가장 큰 특징이자 관련 기술의 핵심입니다. ### 관련 기술 각 광원을 효과적으로 활용하고 더욱 미세한 패턴을 구현하기 위해서는 다양한 관련 기술들이 뒷받침되어야 합니다. * **광학계 (Optics):** * **렌즈 (Lenses) 및 미러 (Mirrors):** 광원을 집속시키고 웨이퍼 상에 정밀하게 투영하는 역할을 합니다. 특히 EUV 리소그래피에서는 빛의 흡수를 최소화하기 위해 다층 반사 코팅된 몰리브덴(Mo)/실리콘(Si) 미러를 사용합니다. * **회절 광학 소자 (Diffractive Optical Elements):** 특정 파장의 빛을 제어하거나 원하는 패턴으로 분리하는 데 사용될 수 있습니다. * **노광 시스템 (Exposure System):** * **스캐너 (Scanner):** 마스크와 웨이퍼를 동시에 이동시키면서 패턴을 스캔하는 방식으로, 노광 면적을 넓히고 생산성을 높입니다. * **다중 패터닝 (Multi-patterning):** 한 번의 노광으로는 구현하기 어려운 미세한 패턴을 여러 번의 노광 및 식각 공정을 통해 단계적으로 형성하는 기술입니다. ArF 리소그래피의 파장 한계를 극복하기 위해 필수적으로 사용되는 기술입니다. 예를 들어, 더블 패터닝(double patterning), 쿼드러플 패터닝(quadruple patterning) 등이 있습니다. * **위상 반전 마스크 (Phase Shift Mask, PSM):** 마스크에 위상 반전 영역을 도입하여 회절 효과를 조절하고 패턴 분해능을 향상시키는 기술입니다. * **광원 생성 기술:** * **엑시머 레이저 (Excimer Laser):** KrF 및 ArF 리소그래피에서 사용되는 광원으로, 특정 기체 혼합물을 방전시켜 고출력의 짧은 파장 자외선을 생성합니다. * **고체 상태 레이저 (Solid-state Laser) 및 배주파수 발생 (Harmonic Generation):** 비교적 긴 파장의 레이저 광을 비선형 광학 결정체를 통과시켜 파장을 짧게 만드는 기술입니다. * **방전-플라즈마 (Discharge-Produced Plasma, DPP) 및 레이저-유도 플라즈마 (Laser-Produced Plasma, LPP):** EUV 광원 생성에 사용되는 기술입니다. DPP는 전기 방전을 통해 플라즈마를 생성하고, LPP는 고출력 레이저를 금속 액체 방울에 조사하여 플라즈마를 발생시켜 EUV 광을 방출합니다. LPP 방식이 더 높은 효율과 안정성을 제공하는 것으로 알려져 있습니다. ### 용도 및 발전 방향 리소그래피용 광원은 주로 반도체 웨이퍼 상에 집적회로(IC) 패턴을 형성하는 데 사용됩니다. 메모리 반도체, 시스템 반도체 등 다양한 종류의 칩 제조 공정에 필수적으로 활용됩니다. 반도체 산업의 지속적인 발전과 함께 리소그래피용 광원 역시 더욱 짧은 파장과 높은 해상도를 향해 발전해 나갈 것입니다. EUV 리소그래피는 현재 7nm, 5nm 공정 등에서 핵심적인 역할을 하고 있으며, 향후 3nm 이하 공정에서도 계속 활용될 것으로 예상됩니다. 또한, EUV 광원의 효율 개선, 광원 출력 증대, 마스크 오류 수정 기술 발전 등은 EUV 리소그래피의 생산성과 경제성을 더욱 향상시키는 데 기여할 것입니다. 더 나아가, 아비콘(Angstrom-level) 시대를 준비하기 위한 차세대 리소그래피 기술, 예를 들어 하이-NA EUV (High Numerical Aperture EUV) 리소그래피, 전자빔 리소그래피(Electron Beam Lithography), 나노임프린트 리소그래피(Nanoimprint Lithography) 등도 활발히 연구되고 있습니다. 이러한 기술들은 각기 다른 광원 또는 에너지원(전자빔)을 사용하며, 각각의 고유한 장단점을 가지고 있어 미래 반도체 제조의 다양한 요구사항을 충족시킬 것으로 기대됩니다. 결론적으로, 리소그래피용 광원은 반도체 기술 발전의 근간을 이루는 중요한 요소이며, 광원의 파장, 품질, 그리고 이를 뒷받침하는 관련 기술들의 발전은 미래 첨단 산업의 경쟁력을 좌우하는 핵심 동력이 될 것입니다. |
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