| ■ 영문 제목 : Global High-bandwidth Memory Market Growth 2025-2031 | |
 | ■ 상품코드 : LPK23JU1479 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2025년 3월 ■ 페이지수 : 90 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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| LPI (LP Information)의 최신 조사 보고서는 광대역 메모리 (HBM)의 과거 판매실적을 살펴보고 2024년의 광대역 메모리 (HBM) 판매실적을 검토하여 2025년부터 2031년까지 예상되는 광대역 메모리 (HBM) 판매에 대한 지역 및 시장 세그먼트별 포괄적인 분석을 제공합니다. 세계의 광대역 메모리 (HBM) 시장규모는 2024년 xxx백만 달러에서 연평균 xx% 성장하여 2031년에는 xxx백만 달러에 달할 것으로 예측되고 있습니다. 본 보고서의 시장규모 데이터는 무역 전쟁 및 러시아-우크라이나 전쟁의 영향을 반영했습니다. 본 보고서는 광대역 메모리 (HBM)의 세계시장에 관해서 조사, 분석한 자료로서, 기업별 시장 점유율, 지역별 시장규모 (미주, 미국, 캐나다, 멕시코, 브라질, 아시아, 중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 유럽, 독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아, 중동/아프리카, 이집트, 남아프리카, 터키, 중동GCC국 등), 시장동향, 판매/유통업자/고객 리스트, 시장예측 (2026년-2031년), 주요 기업동향 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) 등의 정보를 포함하고 있습니다. 또한, 주요지역의 종류별 시장규모 (화상 처리 장치 (GPU), 중앙 처리 장치 (CPU), 고속화 처리 장치 (APU))와 용도별 시장규모 (그래픽, 고성능 컴퓨팅 (HPC), 네트워킹, 데이터 센터) 데이터도 수록되어 있습니다. ***** 목차 구성 ***** 보고서의 범위 경영자용 요약 - 세계의 광대역 메모리 (HBM) 시장규모 2020년-2031년 - 지역별 광대역 메모리 (HBM) 시장분석 - 종류별 광대역 메모리 (HBM) 시장규모 2020년-2025년 (화상 처리 장치 (GPU), 중앙 처리 장치 (CPU), 고속화 처리 장치 (APU)) - 용도별 광대역 메모리 (HBM) 시장규모 2020년-2025년 (그래픽, 고성능 컴퓨팅 (HPC), 네트워킹, 데이터 센터) 기업별 광대역 메모리 (HBM) 시장분석 - 기업별 광대역 메모리 (HBM) 판매량 - 기업별 광대역 메모리 (HBM) 매출액 - 기업별 광대역 메모리 (HBM) 판매가격 - 주요기업의 광대역 메모리 (HBM) 생산거점, 판매거점 - 시장 집중도 분석 지역별 분석 - 지역별 광대역 메모리 (HBM) 판매량 2020년-2025년 - 지역별 광대역 메모리 (HBM) 매출액 2020년-2025년 미주 시장 - 미주의 광대역 메모리 (HBM) 시장규모 2020년-2025년 - 미주의 광대역 메모리 (HBM) 시장규모 : 종류별 - 미주의 광대역 메모리 (HBM) 시장규모 : 용도별 - 미국 광대역 메모리 (HBM) 시장규모 - 캐나다 광대역 메모리 (HBM) 시장규모 - 멕시코 광대역 메모리 (HBM) 시장규모 - 브라질 광대역 메모리 (HBM) 시장규모 아시아 시장 - 아시아의 광대역 메모리 (HBM) 시장규모 2020년-2025년 - 아시아의 광대역 메모리 (HBM) 시장규모 : 종류별 - 아시아의 광대역 메모리 (HBM) 시장규모 : 용도별 - 중국 광대역 메모리 (HBM) 시장규모 - 일본 광대역 메모리 (HBM) 시장규모 - 한국 광대역 메모리 (HBM) 시장규모 - 동남아시아 광대역 메모리 (HBM) 시장규모 - 인도 광대역 메모리 (HBM) 시장규모 유럽 시장 - 유럽의 광대역 메모리 (HBM) 시장규모 2020년-2025년 - 유럽의 광대역 메모리 (HBM) 시장규모 : 종류별 - 유럽의 광대역 메모리 (HBM) 시장규모 : 용도별 - 독일 광대역 메모리 (HBM) 시장규모 - 프랑스 광대역 메모리 (HBM) 시장규모 - 영국 광대역 메모리 (HBM) 시장규모 중동/아프리카 시장 - 중동/아프리카의 광대역 메모리 (HBM) 시장규모 2020년-2025년 - 중동/아프리카의 광대역 메모리 (HBM) 시장규모 : 종류별 - 중동/아프리카의 광대역 메모리 (HBM) 시장규모 : 용도별 - 이집트 광대역 메모리 (HBM) 시장규모 - 남아프리카 광대역 메모리 (HBM) 시장규모 - 중동GCC 광대역 메모리 (HBM) 시장규모 시장의 성장요인, 과제, 동향 - 시장의 성장요인, 기회 - 시장의 과제, 리스크 - 산업 동향 제조원가 구조 분석 - 원재료 및 공급업체 - 광대역 메모리 (HBM)의 제조원가 구조 분석 - 광대역 메모리 (HBM)의 제조 프로세스 분석 - 광대역 메모리 (HBM)의 산업체인 구조 마케팅, 유통업체, 고객 - 판매채널 - 광대역 메모리 (HBM)의 유통업체 - 광대역 메모리 (HBM)의 주요 고객 지역별 광대역 메모리 (HBM) 시장 예측 - 지역별 광대역 메모리 (HBM) 시장규모 예측 2026년-2031년 - 미주 지역 예측 - 아시아 지역 예측 - 유럽 지역 예측 - 중동/아프리카 지역 예측 - 광대역 메모리 (HBM)의 종류별 시장예측 (화상 처리 장치 (GPU), 중앙 처리 장치 (CPU), 고속화 처리 장치 (APU)) - 광대역 메모리 (HBM)의 용도별 시장예측 (그래픽, 고성능 컴퓨팅 (HPC), 네트워킹, 데이터 센터) 주요 기업 분석 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) - Advanced Micro Devices, Intel, SAMSUNG, SK HYNIX, XILINX 조사의 결론 |
High-bandwidth memory (HBM) is a dynamic random-access memory (DRAM) technology approved by the Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC) as an industry standard. The technology uses through-silicon vias (TSVs) and a silicon interposer technology to interconnect stacked DRAM dies.
LPI (LP Information)’ newest research report, the “High-bandwidth Memory Industry Forecast” looks at past sales and reviews total world High-bandwidth Memory sales in 2024, providing a comprehensive analysis by region and market sector of projected High-bandwidth Memory sales for 2025 through 2031. With High-bandwidth Memory sales broken down by region, market sector and sub-sector, this report provides a detailed analysis in US$ millions of the world High-bandwidth Memory industry.
This Insight Report provides a comprehensive analysis of the global High-bandwidth Memory landscape and highlights key trends related to product segmentation, company formation, revenue, and market share, latest development, and M&A activity. This report also analyzes the strategies of leading global companies with a focus on High-bandwidth Memory portfolios and capabilities, market entry strategies, market positions, and geographic footprints, to better understand these firms’ unique position in an accelerating global High-bandwidth Memory market.
This Insight Report evaluates the key market trends, drivers, and affecting factors shaping the global outlook for High-bandwidth Memory and breaks down the forecast by type, by application, geography, and market size to highlight emerging pockets of opportunity. With a transparent methodology based on hundreds of bottom-up qualitative and quantitative market inputs, this study forecast offers a highly nuanced view of the current state and future trajectory in the global High-bandwidth Memory.
The global High-bandwidth Memory market size is projected to grow from US$ million in 2024 to US$ million in 2031; it is expected to grow at a CAGR of % from 2025 to 2031.
The North America region High-bandwidth Memory market is projected to grow at the highest CAGR during the forecast period.
This report presents a comprehensive overview, market shares, and growth opportunities of High-bandwidth Memory market by product type, application, key manufacturers and key regions and countries.
[Market Segmentation]
Segmentation by type
Graphics Processing Unit (GPU)
Central Processing Unit (CPU)
Accelerated Processing Unit (APU)
Segmentation by application
Graphics
High-performance Computing
Networking
Data Centers
This report also splits the market by region:
Americas
United States
Canada
Mexico
Brazil
APAC
China
Japan
Korea
Southeast Asia
India
Australia
Europe
Germany
France
UK
Italy
Russia
Middle East & Africa
Egypt
South Africa
Israel
Turkey
GCC Countries
The below companies that are profiled have been selected based on inputs gathered from primary experts and analyzing the company’s coverage, product portfolio, its market penetration.
Advanced Micro Devices
Intel
SAMSUNG
SK HYNIX
XILINX
[Key Questions Addressed in this Report]
What is the 10-year outlook for the global High-bandwidth Memory market?
What factors are driving High-bandwidth Memory market growth, globally and by region?
Which technologies are poised for the fastest growth by market and region?
How do High-bandwidth Memory market opportunities vary by end market size?
How does High-bandwidth Memory break out type, application?
What are the influences of trade war and Russia-Ukraine war?
1 Scope of the Report |
| ※참고 정보 ## 광대역 메모리 (HBM) 광대역 메모리(High-bandwidth Memory, HBM)는 기존의 DDR(Double Data Rate) 메모리 기술의 대역폭 한계를 극복하기 위해 개발된 고성능 DRAM(Dynamic Random-Access Memory) 표준입니다. 그래픽 처리 장치(GPU), 고성능 컴퓨팅(HPC), 인공지능(AI) 가속기와 같이 방대한 양의 데이터를 빠르게 처리해야 하는 애플리케이션의 요구를 충족시키기 위해 설계되었습니다. HBM은 여러 개의 DRAM 칩을 수직으로 쌓아 올린 뒤, 이들을 TSV(Through-Silicon Via)라는 수직 실리콘 관통 전극으로 연결하여 데이터 통로의 집적도를 극대화하는 방식으로 구현됩니다. 이를 통해 기존의 외부 버스 폭을 수십 배 이상 확장하여 훨씬 높은 대역폭을 제공할 수 있습니다. HBM의 가장 핵심적인 특징은 바로 압도적인 대역폭입니다. 이는 여러 개의 독립적인 1024비트(bit) 폭의 채널을 제공함으로써 가능해집니다. 반면, DDR 메모리는 일반적으로 64비트 폭의 채널을 사용합니다. 이러한 채널 폭의 차이는 HBM이 훨씬 더 많은 데이터를 동시에 전송할 수 있게 해줍니다. 또한, HBM은 CPU와 같은 시스템 온 칩(SoC)과 직접적으로 매우 짧은 거리에 배치되어 패키지 안에 통합되는 방식으로 설계됩니다. 이러한 근거리 배치는 신호 간섭을 최소화하고 에너지 효율성을 높이는 데 기여하며, 결과적으로 데이터 전송 속도를 더욱 향상시키는 요인이 됩니다. HBM은 세대별로 발전해왔습니다. HBM1은 최초의 HBM 표준으로, 2013년에 처음 등장했으며 당시로서는 혁신적인 128GB/s의 대역폭을 제공했습니다. 이후 HBM2는 대역폭과 용량을 크게 향상시켰습니다. HBM2는 최대 4096개의 채널을 지원하며, 칩당 최대 8GB의 용량과 256GB/s 이상의 대역폭을 제공할 수 있었습니다. 특히, HBM2E(Enhanced)는 HBM2의 성능을 더욱 개선하여 메모리 용량을 12GB 또는 24GB까지 늘리고 대역폭을 400GB/s 이상으로 끌어올렸습니다. 가장 최근의 세대인 HBM3는 이전 세대보다 훨씬 더 높은 대역폭과 용량을 제공하며, 단일 패키지에 최대 8개의 DRAM 스택을 사용할 수 있도록 지원합니다. 또한, HBM3는 PAM4(Pulse Amplitude Modulation 4)와 같은 고급 신호 처리 기술을 도입하여 데이터 전송 효율성을 더욱 높였습니다. 이러한 진화는 AI 학습 및 추론, 고해상도 비디오 처리, 과학 시뮬레이션 등 점점 더 많은 데이터를 필요로 하는 애플리케이션의 발전을 뒷받침하고 있습니다. HBM 기술은 주로 고성능 그래픽 카드, 서버 및 데이터 센터를 위한 AI 가속기, 고성능 컴퓨팅 시스템 등에서 핵심적인 역할을 수행합니다. GPU의 경우, 딥러닝 모델을 학습하거나 복잡한 그래픽을 렌더링할 때 수많은 데이터를 빠르게 처리해야 하는데, HBM은 이러한 요구 사항을 충족시키는 데 필수적입니다. AI 가속기 또한 방대한 양의 데이터셋을 효율적으로 처리해야 하므로 HBM과의 결합은 필수적입니다. 또한, HPC 분야에서는 복잡한 과학적 시뮬레이션이나 데이터 분석 작업을 수행할 때 높은 메모리 대역폭이 요구되며, HBM은 이러한 작업의 성능을 크게 향상시킵니다. 최근에는 일부 고성능 CPU 및 SoC에서도 HBM을 탑재하여 시스템 전반의 성능을 끌어올리는 사례가 늘어나고 있습니다. HBM 기술의 발전을 뒷받침하는 주요 관련 기술로는 **TSV(Through-Silicon Via)**가 있습니다. TSV는 실리콘 웨이퍼를 수직으로 관통하는 미세한 구멍을 통해 전기적 연결을 제공하는 기술입니다. 여러 개의 DRAM 칩을 수직으로 쌓은 후, 각 칩을 TSV로 연결함으로써 기존의 수평적인 외부 버스보다 훨씬 짧고 집적된 경로를 통해 데이터를 주고받을 수 있게 됩니다. 이는 신호 손실을 줄이고 에너지 소비를 낮추는 데 매우 중요하며, HBM의 높은 대역폭 구현의 핵심입니다. 또 다른 중요한 관련 기술은 **패키징 기술**입니다. HBM은 CPU 또는 GPU와 같은 연산 칩과 함께 하나의 패키지 안에 통합되는 2.5D 또는 3D 패키징 방식을 사용합니다. 특히, HBM 스택과 연산 칩 사이에 **실리콘 인터포저(Silicon Interposer)** 또는 **유기 인터포저(Organic Interposer)**를 사용하여 전기적으로 연결하는 2.5D 패키징이 일반적입니다. 실리콘 인터포저는 미세한 배선과 높은 집적도를 제공하여 고성능을 지원하며, 이를 통해 TSV로 연결된 HBM 스택과 연산 칩 간의 효율적인 데이터 통신이 이루어집니다. 또한, **신호 처리 기술**도 HBM의 성능 향상에 기여합니다. 특히 HBM3에서는 **PAM4(Pulse Amplitude Modulation 4)**와 같은 기술이 사용될 수 있습니다. PAM4는 두 개의 비트 정보를 하나의 심볼로 표현하여 데이터 전송률을 높이는 기술로, 동일한 주파수에서 두 배의 데이터 전송이 가능하게 합니다. 이는 고속으로 데이터를 전송해야 하는 HBM의 대역폭 요구 사항을 충족시키는 데 중요한 역할을 합니다. 마지막으로, HBM은 **메모리 컨트롤러 기술**과도 밀접하게 연관됩니다. HBM의 높은 대역폭을 효과적으로 활용하고 안정적인 데이터 전송을 보장하기 위해서는 고도로 최적화된 메모리 컨트롤러가 필수적입니다. 이 컨트롤러는 수많은 채널을 효율적으로 관리하고, 데이터 오류를 감지 및 수정하며, 전력 소비를 최적화하는 복잡한 작업을 수행합니다. 결론적으로, HBM은 고대역폭, 짧은 지연 시간, 높은 에너지 효율성을 특징으로 하는 혁신적인 메모리 기술입니다. TSV, 고급 패키징 기술, 신호 처리 기술, 그리고 메모리 컨트롤러 기술의 발전에 힘입어 HBM은 AI, HPC, 고성능 그래픽 컴퓨팅 등 첨단 컴퓨팅 분야의 발전을 지속적으로 견인할 것으로 기대됩니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 광대역 메모리 (HBM) 시장예측 2025년-2031년] (코드 : LPK23JU1479) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
| ※본 조사보고서 [세계의 광대역 메모리 (HBM) 시장예측 2025년-2031년] 에 대해서 E메일 문의는 여기를 클릭하세요. |