| ■ 영문 제목 : Global GaN Gate Drivers Market Growth 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : LPI2410G6555 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2024년 10월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
| Single User (1명 열람용) | USD3,660 ⇒환산￦4,941,000 | 견적의뢰/주문/질문 |
| Multi User (5명 열람용) | USD5,490 ⇒환산￦7,411,500 | 견적의뢰/주문/질문 |
| Corporate User (동일기업내 공유가능) | USD7,320 ⇒환산￦9,882,000 | 견적의뢰/구입/질문 |
|
※가격옵션 설명 - 납기는 즉일~2일소요됩니다. 3일이상 소요되는 경우는 별도표기 또는 연락드립니다. - 지불방법은 계좌이체/무통장입금 또는 카드결제입니다. |
LP Information (LPI)사의 최신 조사에 따르면, 글로벌 GaN 게이트 드라이버 시장 규모는 2023년에 미화 XXX백만 달러로 산출되었습니다. 다운 스트림 시장의 수요가 증가함에 따라 GaN 게이트 드라이버은 조사 대상 기간 동안 XXX%의 CAGR(연평균 성장율)로 2030년까지 미화 XXX백만 달러의 시장규모로 예상됩니다.
본 조사 보고서는 글로벌 GaN 게이트 드라이버 시장의 성장 잠재력을 강조합니다. GaN 게이트 드라이버은 향후 시장에서 안정적인 성장을 보일 것으로 예상됩니다. 그러나 제품 차별화, 비용 절감 및 공급망 최적화는 GaN 게이트 드라이버의 광범위한 채택을 위해 여전히 중요합니다. 시장 참여자들은 연구 개발에 투자하고, 전략적 파트너십을 구축하고, 진화하는 소비자 선호도에 맞춰 제품을 제공함으로써 GaN 게이트 드라이버 시장이 제공하는 막대한 기회를 활용해야 합니다.
[주요 특징]
GaN 게이트 드라이버 시장에 대한 보고서는 다양한 측면을 반영하고 업계에 대한 소중한 통찰력을 제공합니다.
시장 규모 및 성장: 본 조사 보고서는 GaN 게이트 드라이버 시장의 현재 규모와 성장에 대한 개요를 제공합니다. 여기에는 과거 데이터, 유형별 시장 세분화 (예 : 단일 채널 게이트 드라이버, 하프 브리지 게이트 드라이버, 풀 브리지 게이트 드라이버, 삼상 게이트 드라이버, 기타) 및 지역 분류가 포함될 수 있습니다.
시장 동인 및 과제: 본 보고서는 정부 규제, 환경 문제, 기술 발전 및 소비자 선호도 변화와 같은 GaN 게이트 드라이버 시장의 성장을 주도하는 요인을 식별하고 분석 할 수 있습니다. 또한 인프라 제한, 범위 불안, 높은 초기 비용 등 업계가 직면한 과제를 강조할 수 있습니다.
경쟁 환경: 본 조사 보고서는 GaN 게이트 드라이버 시장 내 경쟁 환경에 대한 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 업체의 프로필, 시장 점유율, 전략 및 제공 제품이 포함됩니다. 본 보고서는 또한 신흥 플레이어와 시장에 대한 잠재적 영향을 강조할 수 있습니다.
기술 개발: 본 조사 보고서는 GaN 게이트 드라이버 산업의 최신 기술 개발에 대해 자세히 살펴볼 수 있습니다. 여기에는 GaN 게이트 드라이버 기술의 발전, GaN 게이트 드라이버 신규 진입자, GaN 게이트 드라이버 신규 투자, 그리고 GaN 게이트 드라이버의 미래를 형성하는 기타 혁신이 포함됩니다.
다운스트림 고객 선호도: 본 보고서는 GaN 게이트 드라이버 시장의 고객 구매 행동 및 채택 동향을 조명할 수 있습니다. 여기에는 고객의 구매 결정에 영향을 미치는 요인, GaN 게이트 드라이버 제품에 대한 선호도가 포함됩니다.
정부 정책 및 인센티브: 본 조사 보고서는 정부 정책 및 인센티브가 GaN 게이트 드라이버 시장에 미치는 영향을 분석합니다. 여기에는 규제 프레임워크, 보조금, 세금 인센티브 및 GaN 게이트 드라이버 시장을 촉진하기위한 기타 조치에 대한 평가가 포함될 수 있습니다. 본 보고서는 또한 이러한 정책이 시장 성장을 촉진하는데 미치는 효과도 분석합니다.
환경 영향 및 지속 가능성: 조사 보고서는 GaN 게이트 드라이버 시장의 환경 영향 및 지속 가능성 측면을 분석합니다.
시장 예측 및 미래 전망: 수행된 분석을 기반으로 본 조사 보고서는 GaN 게이트 드라이버 산업에 대한 시장 예측 및 전망을 제공합니다. 여기에는 시장 규모, 성장률, 지역 동향, 기술 발전 및 정책 개발에 대한 예측이 포함됩니다.
권장 사항 및 기회: 본 보고서는 업계 이해 관계자, 정책 입안자, 투자자를 위한 권장 사항으로 마무리됩니다. 본 보고서는 시장 참여자들이 새로운 트렌드를 활용하고, 도전 과제를 극복하며, GaN 게이트 드라이버 시장의 성장과 발전에 기여할 수 있는 잠재적 기회를 강조합니다.
[시장 세분화]
GaN 게이트 드라이버 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 수량 및 금액 측면에서 제공합니다.
*** 종류별 세분화 ***
단일 채널 게이트 드라이버, 하프 브리지 게이트 드라이버, 풀 브리지 게이트 드라이버, 삼상 게이트 드라이버, 기타
*** 용도별 세분화 ***
가전, 모션 컨트롤, 조명, 자동차, 공업, 기타
본 보고서는 또한 시장을 지역별로 분류합니다:
– 미주 (미국, 캐나다, 멕시코, 브라질)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 호주)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 중동 및 아프리카 (이집트, 남아프리카 공화국, 이스라엘, 터키, GCC 국가)
아래 프로파일링 대상 기업은 주요 전문가로부터 수집한 정보를 바탕으로 해당 기업의 서비스 범위, 제품 포트폴리오, 시장 점유율을 분석하여 선정되었습니다.
Efficient Power Conversion、Texas instruments、STMicroelectronics、uPI Semiconductor、IXYS、Analog Devices、OnSemi、Skyworks、MPS、Navitas、Allegro、pSemi
[본 보고서에서 다루는 주요 질문]
– 글로벌 GaN 게이트 드라이버 시장의 향후 10년 전망은 어떻게 될까요?
– 전 세계 및 지역별 GaN 게이트 드라이버 시장 성장을 주도하는 요인은 무엇입니까?
– 시장과 지역별로 가장 빠르게 성장할 것으로 예상되는 분야는 무엇인가요?
– 최종 시장 규모에 따라 GaN 게이트 드라이버 시장 기회는 어떻게 다른가요?
– GaN 게이트 드라이버은 종류, 용도를 어떻게 분류합니까?
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차■ 보고서의 범위 ■ 보고서의 요약 ■ 기업별 세계 GaN 게이트 드라이버 시장분석 ■ 지역별 GaN 게이트 드라이버에 대한 추이 분석 ■ 미주 시장 ■ 아시아 태평양 시장 ■ 유럽 시장 ■ 중동 및 아프리카 시장 ■ 시장 동인, 도전 과제 및 동향 ■ 제조 비용 구조 분석 ■ 마케팅, 유통업체 및 고객 ■ 지역별 GaN 게이트 드라이버 시장 예측 ■ 주요 기업 분석 Efficient Power Conversion、Texas instruments、STMicroelectronics、uPI Semiconductor、IXYS、Analog Devices、OnSemi、Skyworks、MPS、Navitas、Allegro、pSemi – Efficient Power Conversion – Texas instruments – STMicroelectronics ■ 조사 결과 및 결론 [그림 목록]GaN 게이트 드라이버 이미지 GaN 게이트 드라이버 판매량 성장률 (2019-2030) 글로벌 GaN 게이트 드라이버 매출 성장률 (2019-2030) 지역별 GaN 게이트 드라이버 매출 (2019, 2023 및 2030) 글로벌 종류별 GaN 게이트 드라이버 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 종류별 GaN 게이트 드라이버 매출 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 용도별 GaN 게이트 드라이버 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 용도별 GaN 게이트 드라이버 매출 시장 점유율 기업별 GaN 게이트 드라이버 판매량 시장 2023 기업별 글로벌 GaN 게이트 드라이버 판매량 시장 점유율 2023 기업별 GaN 게이트 드라이버 매출 시장 2023 기업별 글로벌 GaN 게이트 드라이버 매출 시장 점유율 2023 지역별 글로벌 GaN 게이트 드라이버 판매량 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 GaN 게이트 드라이버 매출 시장 점유율 2023 미주 GaN 게이트 드라이버 판매량 (2019-2024) 미주 GaN 게이트 드라이버 매출 (2019-2024) 아시아 태평양 GaN 게이트 드라이버 판매량 (2019-2024) 아시아 태평양 GaN 게이트 드라이버 매출 (2019-2024) 유럽 GaN 게이트 드라이버 판매량 (2019-2024) 유럽 GaN 게이트 드라이버 매출 (2019-2024) 중동 및 아프리카 GaN 게이트 드라이버 판매량 (2019-2024) 중동 및 아프리카 GaN 게이트 드라이버 매출 (2019-2024) 미국 GaN 게이트 드라이버 시장규모 (2019-2024) 캐나다 GaN 게이트 드라이버 시장규모 (2019-2024) 멕시코 GaN 게이트 드라이버 시장규모 (2019-2024) 브라질 GaN 게이트 드라이버 시장규모 (2019-2024) 중국 GaN 게이트 드라이버 시장규모 (2019-2024) 일본 GaN 게이트 드라이버 시장규모 (2019-2024) 한국 GaN 게이트 드라이버 시장규모 (2019-2024) 동남아시아 GaN 게이트 드라이버 시장규모 (2019-2024) 인도 GaN 게이트 드라이버 시장규모 (2019-2024) 호주 GaN 게이트 드라이버 시장규모 (2019-2024) 독일 GaN 게이트 드라이버 시장규모 (2019-2024) 프랑스 GaN 게이트 드라이버 시장규모 (2019-2024) 영국 GaN 게이트 드라이버 시장규모 (2019-2024) 이탈리아 GaN 게이트 드라이버 시장규모 (2019-2024) 러시아 GaN 게이트 드라이버 시장규모 (2019-2024) 이집트 GaN 게이트 드라이버 시장규모 (2019-2024) 남아프리카 GaN 게이트 드라이버 시장규모 (2019-2024) 이스라엘 GaN 게이트 드라이버 시장규모 (2019-2024) 터키 GaN 게이트 드라이버 시장규모 (2019-2024) GCC 국가 GaN 게이트 드라이버 시장규모 (2019-2024) GaN 게이트 드라이버의 제조 원가 구조 분석 GaN 게이트 드라이버의 제조 공정 분석 GaN 게이트 드라이버의 산업 체인 구조 GaN 게이트 드라이버의 유통 채널 글로벌 지역별 GaN 게이트 드라이버 판매량 시장 전망 (2025-2030) 글로벌 지역별 GaN 게이트 드라이버 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 GaN 게이트 드라이버 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 GaN 게이트 드라이버 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 GaN 게이트 드라이버 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 GaN 게이트 드라이버 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 질화 갈륨(GaN) 전력 반도체는 기존의 실리콘(Si) 기반 전력 반도체를 능가하는 우수한 성능으로 인해 차세대 전력 변환 시스템의 핵심 소재로 주목받고 있습니다. 이러한 GaN 소자의 잠재력을 최대한 발휘하기 위해서는 적절한 게이트 드라이버의 설계 및 구현이 필수적입니다. GaN 게이트 드라이버는 GaN 전력 스위칭 소자의 게이트 단자에 정확하고 빠른 속도로 구동 신호를 인가하여 효율적인 스위칭 동작을 가능하게 하는 회로를 의미합니다. GaN 소자는 기존 실리콘 MOSFET에 비해 훨씬 빠른 스위칭 속도, 낮은 온 저항, 높은 항복 전압 등의 장점을 가지고 있습니다. 이러한 특성을 활용하기 위해서는 게이트 드라이버 역시 고속 스위칭에 최적화되어야 합니다. 일반적인 GaN 게이트 드라이버는 소수의 외부 부품과 집적회로(IC)로 구성되어 있으며, 소형화 및 고집적화가 가능합니다. GaN 게이트 드라이버의 주요 특징으로는 첫째, **높은 스위칭 속도 지원**을 들 수 있습니다. GaN 소자는 수십 나노초 이하의 매우 빠른 스위칭 시간을 가질 수 있으며, 이를 위해 게이트 드라이버는 수백 MHz 이상의 고주파수 대역에서도 안정적으로 동작해야 합니다. 둘째, **낮은 게이트 전하량(Qg)**입니다. GaN 소자는 실리콘 MOSFET에 비해 게이트 전하량이 현저히 낮아 게이트 구동에 필요한 에너지가 적습니다. 따라서 게이트 드라이버는 낮은 전력 소비로도 효율적인 구동이 가능합니다. 셋째, **정밀한 게이트 전압 제어**입니다. GaN 소자의 게이트 임계 전압(Vgs(th))은 비교적 낮으며, 과도한 게이트 전압은 소자 손상을 유발할 수 있습니다. 따라서 게이트 드라이버는 정밀하게 제어된 게이트 전압을 인가하여 소자를 안전하게 보호해야 합니다. 넷째, **낮은 기생 인덕턴스 및 용량**입니다. 고속 스위칭 시 발생하는 기생 성분은 스위칭 손실 증가 및 노이즈 발생의 주요 원인이 됩니다. GaN 게이트 드라이버는 이러한 기생 성분을 최소화하도록 설계되어야 합니다. GaN 게이트 드라이버는 구현 방식에 따라 크게 **분리형(Discrete) 방식**과 **집적형(Integrated) 방식**으로 나눌 수 있습니다. 분리형 방식은 별도의 게이트 드라이버 IC와 외부 트랜지스터, 저항, 커패시터 등의 부품을 조합하여 구성하는 방식입니다. 설계 유연성이 높고 특정 애플리케이션에 맞게 최적화하기 용이하다는 장점이 있지만, 부품 수가 많아지고 회로 면적이 커질 수 있다는 단점이 있습니다. 반면, 집적형 방식은 게이트 드라이버 회로 전체 또는 일부를 단일 칩에 집적한 형태입니다. 높은 집적도로 인해 회로 면적이 작고, 외부 부품 수를 줄여 설계 및 생산 효율성을 높일 수 있습니다. 또한, 소자 간의 거리가 짧아 기생 성분 감소 및 고속 동작 구현에 유리합니다. 최근에는 GaN 소자와 게이트 드라이버를 단일 패키지에 통합한 **모놀리식 통합(Monolithic Integration)** 방식도 연구 및 개발되고 있습니다. 이는 전력 변환 모듈의 효율성을 극대화하고 부피를 획기적으로 줄일 수 있는 차세대 기술로 평가받고 있습니다. GaN 게이트 드라이버의 종류는 단순히 구현 방식뿐만 아니라, 제어 방식이나 특정 기능을 중심으로도 분류할 수 있습니다. 예를 들어, **하프 브릿지(Half-Bridge)** 구성에 사용되는 게이트 드라이버는 상단(High-side) 및 하단(Low-side) GaN 소자를 동시에 제어해야 하며, 특히 상단 소자 구동을 위해 절연된 전원 공급 장치가 필요합니다. 이를 위해 **컨트롤러 기반 게이트 드라이버**는 PWM 신호를 받아 하프 브릿지 동작을 위한 게이트 구동 신호를 생성합니다. 또한, **절연형 게이트 드라이버**는 상단 및 하단 소자의 전위 차이가 클 때 발생하는 문제를 해결하기 위해 절연 기술(예: 포토커플러, 자기 절연)을 사용하여 게이트 신호를 전달합니다. 최근에는 이러한 절연 기능을 디지털적으로 구현하여 더욱 소형화 및 고효율화를 달성하는 **디지털 절연 게이트 드라이버**도 등장하고 있습니다. GaN 게이트 드라이버의 용도는 매우 다양합니다. **전력 변환기(Power Converters)** 분야에서는 서버 전원 공급 장치, 통신 전원, 데이터 센터 전원 등 고효율 및 고밀도 전원 공급 솔루션에 핵심적인 역할을 합니다. **전기 자동차(EV)의 온보드 충전기(OBC) 및 DC-DC 컨버터**에서도 GaN 기술의 적용이 확대되면서 고효율 및 소형화에 기여하고 있습니다. **재생 에너지 시스템**의 태양광 인버터, 풍력 발전 시스템 등에서도 고효율 전력 변환을 위해 GaN 게이트 드라이버가 사용됩니다. 또한, **산업용 모터 드라이브**, **레이저 전원 공급 장치**, **무선 전력 전송** 등 다양한 애플리케이션에서 GaN 소자의 장점을 활용하기 위해 GaN 게이트 드라이버가 필수적으로 적용되고 있습니다. GaN 게이트 드라이버와 관련된 기술로는 다양한 분야가 있습니다. 먼저, **시뮬레이션 및 설계 도구**입니다. GaN 소자의 고속 스위칭 특성을 정확하게 예측하고 최적의 게이트 드라이버 회로를 설계하기 위해 고도의 시뮬레이션 도구와 모델링 기법이 요구됩니다. 특히, 기생 인덕턴스 및 용량, 열 성능 등을 고려한 복합적인 시뮬레이션이 중요합니다. 다음으로, **신호 무결성(Signal Integrity) 및 전력 무결성(Power Integrity)** 관리 기술입니다. 고속으로 스위칭되는 GaN 소자는 EMI(전자기 간섭) 발생 가능성이 높으므로, 회로 설계 단계에서부터 신호 및 전력 무결성을 철저히 고려하여 노이즈를 최소화하고 안정적인 동작을 보장해야 합니다. **열 관리(Thermal Management)** 역시 중요한 기술입니다. GaN 소자는 고효율 동작 시에도 상당한 열이 발생할 수 있으므로, 게이트 드라이버 회로 역시 효과적인 열 방출 설계를 통해 소자의 신뢰성과 수명을 확보해야 합니다. 또한, **반도체 공정 기술의 발전**은 게이트 드라이버의 성능 향상에 직접적인 영향을 미칩니다. GaN 소자와 제어 IC를 동일한 웨이퍼 상에 집적하는 기술이나, 더욱 미세화된 공정으로 게이트 드라이버 IC를 제작하는 기술 등이 발전하고 있습니다. 마지막으로, **통신 및 제어 인터페이스** 기술도 발전하고 있습니다. 마이크로컨트롤러와의 효율적인 통신을 위한 인터페이스 설계 및, 전압, 전류, 온도 등의 정보를 실시간으로 모니터링하고 제어하는 기술 또한 중요하게 다루어지고 있습니다. 결론적으로, GaN 게이트 드라이버는 GaN 전력 반도체의 성능을 극대화하는 핵심 부품으로서, 높은 스위칭 속도, 정밀한 전압 제어, 낮은 전력 소비 등의 특징을 갖추고 있습니다. 분리형, 집적형, 모놀리식 통합 등 다양한 구현 방식과 함께, 하프 브릿지, 절연형 등의 형태로 발전하고 있으며, 전력 변환기, 전기 자동차, 재생 에너지 등 광범위한 분야에서 필수적으로 활용되고 있습니다. 시뮬레이션, 신호/전력 무결성 관리, 열 관리, 반도체 공정, 통신 인터페이스 등 관련 기술의 지속적인 발전은 GaN 기술의 미래를 더욱 밝게 만들고 있습니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 GaN 게이트 드라이버 시장 2024-2030] (코드 : LPI2410G6555) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
| ※본 조사보고서 [세계의 GaN 게이트 드라이버 시장 2024-2030] 에 대해서 E메일 문의는 여기를 클릭하세요. |