| ■ 영문 제목 : Gallium Nitride RF Semiconductor Device Market, Global Outlook and Forecast 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : MONT2407F21973 ■ 조사/발행회사 : Market Monitor Global ■ 발행일 : 2024년 5월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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본 조사 보고서는 현재 동향, 시장 역학 및 미래 전망에 초점을 맞춰, 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장에 대한 포괄적인 분석을 제공합니다. 본 보고서는 북미, 유럽, 아시아 태평양 및 신흥 시장과 같은 주요 지역을 포함한 전 세계 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장을 대상으로 합니다. 또한 질화 갈륨 RF 반도체 소자의 성장을 주도하는 주요 요인, 업계가 직면한 과제 및 시장 참여자를 위한 잠재적 기회도 기재합니다.
글로벌 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장은 최근 몇 년 동안 환경 문제, 정부 인센티브 및 기술 발전의 증가로 인해 급속한 성장을 목격했습니다. 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장은 전원 드라이버, 공급/인버터, 무선 주파수, 조명/레이저를 포함한 다양한 이해 관계자에게 기회를 제공합니다. 민간 부문과 정부 간의 협력은 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장에 대한 지원 정책, 연구 개발 노력 및 투자를 가속화 할 수 있습니다. 또한 증가하는 소비자 수요는 시장 확장의 길을 제시합니다.
글로벌 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장은 2023년에 미화 XXX백만 달러로 조사되었으며 2030년까지 미화 XXX백만 달러에 도달할 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 XXX%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.
[주요 특징]
질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장에 대한 조사 보고서에는 포괄적인 통찰력을 제공하고 이해 관계자의 의사 결정을 용이하게하는 몇 가지 주요 항목이 포함되어 있습니다.
요약 : 본 보고서는 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장의 주요 결과, 시장 동향 및 주요 통찰력에 대한 개요를 제공합니다.
시장 개요: 본 보고서는 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장의 정의, 역사적 추이, 현재 시장 규모를 포함한 포괄적인 개요를 제공합니다. 종류(예: 2인치, 4인치, 6인치 이상), 지역 및 용도별로 시장을 세분화하여 각 세그먼트 내의 주요 동인, 과제 및 기회를 중점적으로 다룹니다.
시장 역학: 본 보고서는 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장의 성장과 발전을 주도하는 시장 역학을 분석합니다. 본 보고서에는 정부 정책 및 규정, 기술 발전, 소비자 동향 및 선호도, 인프라 개발, 업계 협력에 대한 평가가 포함되어 있습니다. 이 분석은 이해 관계자가 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장의 궤적에 영향을 미치는 요인을 이해하는데 도움이됩니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장내 경쟁 환경에 대한 심층 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 시장 플레이어의 프로필, 시장 점유율, 전략, 제품 포트폴리오 및 최근 동향이 포함됩니다.
시장 세분화 및 예측: 본 보고서는 종류, 지역 및 용도와 같은 다양한 매개 변수를 기반으로 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장을 세분화합니다. 정량적 데이터 및 분석을 통해 각 세그먼트의 시장 규모와 성장 예측을 제공합니다. 이를 통해 이해 관계자가 성장 기회를 파악하고 정보에 입각한 투자 결정을 내릴 수 있습니다.
기술 동향: 본 보고서는 주요기술의 발전과 새로운 대체품 등 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장을 형성하는 주요 기술 동향을 강조합니다. 이러한 트렌드가 시장 성장, 채택률, 소비자 선호도에 미치는 영향을 분석합니다.
시장 과제와 기회: 본 보고서는 기술적 병목 현상, 비용 제한, 높은 진입 장벽 등 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장이 직면한 주요 과제를 파악하고 분석합니다. 또한 정부 인센티브, 신흥 시장, 이해관계자 간의 협업 등 시장 성장의 기회에 대해서도 강조합니다.
규제 및 정책 분석: 본 보고서는 정부 인센티브, 배출 기준, 인프라 개발 계획 등 질화 갈륨 RF 반도체 소자에 대한 규제 및 정책 환경을 평가합니다. 이러한 정책이 시장 성장에 미치는 영향을 분석하고 향후 규제 동향에 대한 인사이트를 제공합니다.
권장 사항 및 결론: 본 보고서는 소비자, 정책 입안자, 투자자, 인프라 제공업체 등 이해관계자를 위한 실행 가능한 권고 사항으로 마무리합니다. 이러한 권장 사항은 조사 결과를 바탕으로 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장의 주요 과제와 기회를 해결할 수 있습니다.
참고 데이터 및 부록: 보고서에는 분석 및 조사 결과를 입증하기 위한 보조 데이터, 차트, 그래프가 포함되어 있습니다. 또한 데이터 소스, 설문조사, 상세한 시장 예측과 같은 추가 세부 정보가 담긴 부록도 포함되어 있습니다.
[시장 세분화]
질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장은 종류별 및 용도별로 세분화됩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
■ 종류별 시장 세그먼트
– 2인치, 4인치, 6인치 이상
■ 용도별 시장 세그먼트
– 전원 드라이버, 공급/인버터, 무선 주파수, 조명/레이저
■ 지역별 및 국가별 글로벌 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장 점유율, 2023년(%)
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 아시아 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도)
– 남미 (브라질, 아르헨티나)
– 중동 및 아프리카 (터키, 이스라엘, 사우디 아라비아, UAE)
■ 주요 업체
– Cree (US), Samsung (South Korea), Infineon (Germany), Qorvo (US), MACOM (US), Microchip Technology(US), Analog Devices (US), Mitsubishi Electric (Japan), Efficient Power Conversion (US), GaN Systems (Canada), Exagan (France), VisIC Technologies (Israel), Integra Technologies (US), Transphorm (US), Navitas Semiconductor (US), Nichia (Ja
[주요 챕터의 개요]
1 장 : 질화 갈륨 RF 반도체 소자의 정의, 시장 개요를 소개
2 장 : 매출 및 판매량을 기준으로한 글로벌 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장 규모
3 장 : 질화 갈륨 RF 반도체 소자 제조업체 경쟁 환경, 가격, 판매량 및 매출 시장 점유율, 최신 동향, M&A 정보 등에 대한 자세한 분석
4 장 : 종류별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
5 장 : 용도별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
6 장 : 지역 및 국가별 질화 갈륨 RF 반도체 소자 판매량. 각 지역 및 주요 국가의 시장 규모와 성장 잠재력에 대한 정량적 분석을 제공. 세계 각국의 시장 개발, 향후 개발 전망, 시장 기회을 소개
7 장 : 주요 업체의 프로필을 제공. 제품 판매, 매출, 가격, 총 마진, 제품 소개, 최근 동향 등 시장 내 주요 업체의 기본 상황을 자세히 소개
8 장 : 지역별 및 국가별 글로벌 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장규모
9 장 : 시장 역학, 시장의 최신 동향, 시장의 추진 요인 및 제한 요인, 업계내 업체가 직면한 과제 및 리스크, 업계의 관련 정책 분석을 소개
10 장 : 산업의 업 스트림 및 다운 스트림을 포함한 산업 체인 분석
11 장 : 보고서의 주요 요점 및 결론
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차1. 조사 및 분석 보고서 소개 2. 글로벌 질화 갈륨 RF 반도체 소자 전체 시장 규모 3. 기업 환경 4. 종류별 시장 분석 5. 용도별 시장 분석 6. 지역별 시장 분석 7. 제조업체 및 브랜드 프로필 Cree (US), Samsung (South Korea), Infineon (Germany), Qorvo (US), MACOM (US), Microchip Technology(US), Analog Devices (US), Mitsubishi Electric (Japan), Efficient Power Conversion (US), GaN Systems (Canada), Exagan (France), VisIC Technologies (Israel), Integra Technologies (US), Transphorm (US), Navitas Semiconductor (US), Nichia (Ja Cree (US) Samsung (South Korea) Infineon (Germany) 8. 글로벌 질화 갈륨 RF 반도체 소자 생산 능력 분석 9. 주요 시장 동향, 기회, 동인 및 제약 요인 10. 질화 갈륨 RF 반도체 소자 공급망 분석 11. 결론 [그림 목록]- 종류별 질화 갈륨 RF 반도체 소자 세그먼트, 2023년 - 용도별 질화 갈륨 RF 반도체 소자 세그먼트, 2023년 - 글로벌 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장 개요, 2023년 - 글로벌 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장 규모: 2023년 VS 2030년 - 글로벌 질화 갈륨 RF 반도체 소자 매출, 2019-2030 - 글로벌 질화 갈륨 RF 반도체 소자 판매량: 2019-2030 - 질화 갈륨 RF 반도체 소자 매출 기준 상위 3개 및 5개 업체 시장 점유율, 2023년 - 글로벌 종류별 질화 갈륨 RF 반도체 소자 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 종류별 질화 갈륨 RF 반도체 소자 매출 시장 점유율 - 글로벌 종류별 질화 갈륨 RF 반도체 소자 판매량 시장 점유율 - 글로벌 종류별 질화 갈륨 RF 반도체 소자 가격 - 글로벌 용도별 질화 갈륨 RF 반도체 소자 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 용도별 질화 갈륨 RF 반도체 소자 매출 시장 점유율 - 글로벌 용도별 질화 갈륨 RF 반도체 소자 판매량 시장 점유율 - 글로벌 용도별 질화 갈륨 RF 반도체 소자 가격 - 지역별 질화 갈륨 RF 반도체 소자 매출, 2023년 VS 2030년 - 지역별 질화 갈륨 RF 반도체 소자 매출 시장 점유율 - 지역별 질화 갈륨 RF 반도체 소자 매출 시장 점유율 - 지역별 질화 갈륨 RF 반도체 소자 판매량 시장 점유율 - 북미 국가별 질화 갈륨 RF 반도체 소자 매출 시장 점유율 - 북미 국가별 질화 갈륨 RF 반도체 소자 판매량 시장 점유율 - 미국 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장규모 - 캐나다 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장규모 - 멕시코 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장규모 - 유럽 국가별 질화 갈륨 RF 반도체 소자 매출 시장 점유율 - 유럽 국가별 질화 갈륨 RF 반도체 소자 판매량 시장 점유율 - 독일 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장규모 - 프랑스 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장규모 - 영국 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장규모 - 이탈리아 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장규모 - 러시아 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장규모 - 아시아 지역별 질화 갈륨 RF 반도체 소자 매출 시장 점유율 - 아시아 지역별 질화 갈륨 RF 반도체 소자 판매량 시장 점유율 - 중국 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장규모 - 일본 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장규모 - 한국 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장규모 - 동남아시아 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장규모 - 인도 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장규모 - 남미 국가별 질화 갈륨 RF 반도체 소자 매출 시장 점유율 - 남미 국가별 질화 갈륨 RF 반도체 소자 판매량 시장 점유율 - 브라질 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장규모 - 아르헨티나 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장규모 - 중동 및 아프리카 국가별 질화 갈륨 RF 반도체 소자 매출 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 국가별 질화 갈륨 RF 반도체 소자 판매량 시장 점유율 - 터키 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장규모 - 이스라엘 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장규모 - 사우디 아라비아 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장규모 - 아랍에미리트 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장규모 - 글로벌 질화 갈륨 RF 반도체 소자 생산 능력 - 지역별 질화 갈륨 RF 반도체 소자 생산량 비중, 2023년 VS 2030년 - 질화 갈륨 RF 반도체 소자 산업 가치 사슬 - 마케팅 채널 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 질화갈륨(Gallium Nitride, GaN)은 최근 몇 년간 무선 주파수(RF) 반도체 분야에서 혁신적인 소재로 주목받고 있습니다. 기존의 실리콘(Si) 기반 반도체로는 구현하기 어려웠던 고성능과 고효율을 제공하며, 5G 통신, 레이더 시스템, 위성 통신 등 다양한 첨단 응용 분야에서 핵심적인 역할을 수행하고 있습니다. 질화갈륨 RF 반도체 소자는 질화갈륨이라는 화합물 반도체를 기반으로 제작된 고주파 신호 처리용 반도체 소자를 의미합니다. 질화갈륨은 밴드갭 에너지가 넓고, 전자 이동도가 높아 고온, 고전력, 고주파수 환경에서도 우수한 성능을 발휘하는 특성을 가지고 있습니다. 이러한 고유의 특성 덕분에 기존의 실리콘 기반 반도체가 가지는 한계를 극복하고 차세대 RF 통신 기술의 발전을 견인하고 있습니다. 질화갈륨 RF 반도체 소자의 가장 두드러진 특징은 높은 출력 파워(High Power Handling)와 뛰어난 고주파 성능(High-Frequency Performance)입니다. 질화갈륨은 밴드갭이 약 3.4eV로 실리콘(약 1.1eV)에 비해 훨씬 넓기 때문에 더 높은 항복 전압(Breakdown Voltage)을 견딜 수 있습니다. 이는 동일한 크기의 소자에서 더 높은 전압을 인가할 수 있다는 것을 의미하며, 결과적으로 더 높은 출력을 낼 수 있습니다. 또한, 질화갈륨은 실리콘에 비해 전자 이동도가 약 3배 이상 높아 고주파수에서의 스위칭 속도가 빠르고 신호 손실이 적습니다. 이러한 특성은 고성능 RF 전력 증폭기(Power Amplifier) 및 스위칭 소자 개발에 필수적입니다. 또 다른 중요한 특징은 넓은 작동 온도 범위(Wide Operating Temperature Range)와 우수한 열 전도성(Good Thermal Conductivity)입니다. 질화갈륨 소재 자체의 열적 안정성이 뛰어나 고온 환경에서도 안정적인 성능을 유지할 수 있으며, 효과적인 열 방출 설계를 통해 고출력 작동 시 발생하는 열을 효율적으로 관리할 수 있습니다. 이는 휴대용 기기나 열악한 환경에서 작동하는 시스템에 적용될 때 큰 장점이 됩니다. 질화갈륨 RF 반도체 소자의 주요 종류로는 크게 질화갈륨 고전자 이동 트랜지스터(GaN High Electron Mobility Transistor, GaN HEMT)와 질화갈륨 접합 전계 효과 트랜지스터(GaN Junction Field-Effect Transistor, GaN JFET) 등이 있습니다. 이 중 GaN HEMT가 현재 RF 시장에서 가장 널리 사용되는 형태입니다. GaN HEMT는 질화갈륨과 알루미늄 질화갈륨(AlGaN) 또는 인듐 질화갈륨(InGaN) 등의 고용량 물질을 수직으로 적층하여 채널을 형성하는 구조를 가집니다. 이 구조는 전자가 채널 내에서 높은 이동도로 빠르게 이동할 수 있도록 하여 뛰어난 RF 성능을 발휘합니다. GaN JFET는 소스-드레인 사이에 형성된 p-n 접합의 전압을 조절하여 채널을 제어하는 방식으로, 일부 특정 응용 분야에서 사용될 수 있습니다. 질화갈륨 RF 반도체 소자의 용도는 매우 다양합니다. 가장 대표적인 응용 분야는 차세대 이동 통신 시스템인 5G 기지국 및 단말기에 사용되는 RF 전력 증폭기입니다. 5G는 더 높은 주파수 대역을 사용하고 더 빠른 데이터 전송 속도를 지원하므로, 기존의 실리콘 기반 반도체로는 높은 효율과 출력을 동시에 달성하기 어렵습니다. GaN HEMT는 이러한 요구 사항을 충족하며 5G 통신의 성능 향상에 크게 기여하고 있습니다. 또한, 레이더 시스템에도 질화갈륨 반도체 소자가 광범위하게 적용됩니다. 군용 레이더, 항공기 레이더, 자동차 레이더 등은 높은 출력 파워와 광대역 신호 처리가 요구되는데, GaN 기술은 이러한 성능을 가능하게 합니다. 특히, 자동차 레이더는 안전 운행을 위한 필수적인 기술로 자리 잡고 있으며, 자율주행 기술의 발전과 함께 그 중요성이 더욱 커지고 있습니다. 위성 통신 및 우주 항공 분야에서도 질화갈륨 RF 반도체 소자의 활용이 증가하고 있습니다. 우주 환경은 극심한 온도 변화와 높은 수준의 방사선에 노출되는데, 질화갈륨은 이러한 극한 환경에서도 안정적인 성능을 유지할 수 있는 우수한 내구성을 제공합니다. 전력 공급 장치(Power Supply) 및 전력 관리 회로에도 질화갈륨 기반의 스위칭 소자가 사용됩니다. 질화갈륨은 높은 스위칭 주파수와 낮은 온 저항(On-resistance)을 가지므로, 전력 변환 효율을 크게 향상시킬 수 있습니다. 이는 데이터 센터, 전기 자동차 충전 시스템, 산업용 전력 장비 등 에너지 효율이 중요한 분야에서 유리합니다. 질화갈륨 RF 반도체 소자의 발전을 뒷받침하는 관련 기술로는 소재 성장 기술, 소자 설계 및 제작 기술, 패키징 기술 등이 있습니다. 질화갈륨은 다이아몬드나 산화베릴륨과 같이 열 전도성이 우수한 기판 위에 성장하는 것이 일반적입니다. 일반적으로 사파이어(Sapphire), 실리콘 카바이드(SiC), 또는 질화갈륨 자체 기판이 사용되며, 각각의 기판은 비용, 열 방출 성능, 기계적 강도 등에서 장단점을 가지고 있습니다. 특히 실리콘 카바이드는 질화갈륨과 격자 불일치가 적고 열 전도성이 우수하여 고성능 GaN 소자 제작에 많이 사용됩니다. 소자 설계 및 제작 기술 측면에서는 채널의 성능을 극대화하고 잡음 지수(Noise Figure)를 최소화하는 것이 중요합니다. 이를 위해 게이트 길이(Gate length)를 줄이고, 고품질의 유전체 박막을 형성하는 기술 등이 개발되고 있습니다. 또한, 전력 공급 효율을 높이기 위한 회로 설계 기술도 함께 발전하고 있습니다. 패키징 기술은 GaN 소자에서 발생하는 열을 효과적으로 외부로 방출하고 RF 성능을 저해하는 기생 성분(Parasitic elements)을 최소화하는 것이 핵심입니다. 소형화 및 고출력에 대한 요구가 증가함에 따라, 열 관리 성능이 뛰어난 고급 패키징 기술이 필수적입니다. 이처럼 질화갈륨 RF 반도체 소자는 독보적인 성능과 효율성을 바탕으로 다양한 첨단 산업 분야의 발전을 이끌고 있으며, 앞으로도 그 중요성은 더욱 커질 것으로 예상됩니다. 5G를 넘어선 차세대 통신 기술, 고성능 레이더 시스템, 에너지 효율적인 전력 변환 등 미래 사회를 위한 핵심 기술 구현에 질화갈륨의 역할은 계속될 것입니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장예측 2024-2030] (코드 : MONT2407F21973) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장예측 2024-2030] 에 대해서 E메일 문의는 여기를 클릭하세요. |