| ■ 영문 제목 : Gallium Nitride (GaN) Power Transistor Market, Global Outlook and Forecast 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : MONT2407F21971 ■ 조사/발행회사 : Market Monitor Global ■ 발행일 : 2024년 5월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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본 조사 보고서는 현재 동향, 시장 역학 및 미래 전망에 초점을 맞춰, 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 시장에 대한 포괄적인 분석을 제공합니다. 본 보고서는 북미, 유럽, 아시아 태평양 및 신흥 시장과 같은 주요 지역을 포함한 전 세계 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 시장을 대상으로 합니다. 또한 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터의 성장을 주도하는 주요 요인, 업계가 직면한 과제 및 시장 참여자를 위한 잠재적 기회도 기재합니다.
글로벌 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 시장은 최근 몇 년 동안 환경 문제, 정부 인센티브 및 기술 발전의 증가로 인해 급속한 성장을 목격했습니다. 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 시장은 산업용/전력, 통신 인프라, 기타를 포함한 다양한 이해 관계자에게 기회를 제공합니다. 민간 부문과 정부 간의 협력은 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 시장에 대한 지원 정책, 연구 개발 노력 및 투자를 가속화 할 수 있습니다. 또한 증가하는 소비자 수요는 시장 확장의 길을 제시합니다.
글로벌 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 시장은 2023년에 미화 XXX백만 달러로 조사되었으며 2030년까지 미화 XXX백만 달러에 도달할 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 XXX%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.
[주요 특징]
질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 시장에 대한 조사 보고서에는 포괄적인 통찰력을 제공하고 이해 관계자의 의사 결정을 용이하게하는 몇 가지 주요 항목이 포함되어 있습니다.
요약 : 본 보고서는 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 시장의 주요 결과, 시장 동향 및 주요 통찰력에 대한 개요를 제공합니다.
시장 개요: 본 보고서는 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 시장의 정의, 역사적 추이, 현재 시장 규모를 포함한 포괄적인 개요를 제공합니다. 종류(예: 질화 갈륨 실리콘 카바이드 트랜지스터, 질화 갈륨 실리콘 트랜지스터), 지역 및 용도별로 시장을 세분화하여 각 세그먼트 내의 주요 동인, 과제 및 기회를 중점적으로 다룹니다.
시장 역학: 본 보고서는 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 시장의 성장과 발전을 주도하는 시장 역학을 분석합니다. 본 보고서에는 정부 정책 및 규정, 기술 발전, 소비자 동향 및 선호도, 인프라 개발, 업계 협력에 대한 평가가 포함되어 있습니다. 이 분석은 이해 관계자가 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 시장의 궤적에 영향을 미치는 요인을 이해하는데 도움이됩니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 시장내 경쟁 환경에 대한 심층 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 시장 플레이어의 프로필, 시장 점유율, 전략, 제품 포트폴리오 및 최근 동향이 포함됩니다.
시장 세분화 및 예측: 본 보고서는 종류, 지역 및 용도와 같은 다양한 매개 변수를 기반으로 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 시장을 세분화합니다. 정량적 데이터 및 분석을 통해 각 세그먼트의 시장 규모와 성장 예측을 제공합니다. 이를 통해 이해 관계자가 성장 기회를 파악하고 정보에 입각한 투자 결정을 내릴 수 있습니다.
기술 동향: 본 보고서는 주요기술의 발전과 새로운 대체품 등 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 시장을 형성하는 주요 기술 동향을 강조합니다. 이러한 트렌드가 시장 성장, 채택률, 소비자 선호도에 미치는 영향을 분석합니다.
시장 과제와 기회: 본 보고서는 기술적 병목 현상, 비용 제한, 높은 진입 장벽 등 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 시장이 직면한 주요 과제를 파악하고 분석합니다. 또한 정부 인센티브, 신흥 시장, 이해관계자 간의 협업 등 시장 성장의 기회에 대해서도 강조합니다.
규제 및 정책 분석: 본 보고서는 정부 인센티브, 배출 기준, 인프라 개발 계획 등 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터에 대한 규제 및 정책 환경을 평가합니다. 이러한 정책이 시장 성장에 미치는 영향을 분석하고 향후 규제 동향에 대한 인사이트를 제공합니다.
권장 사항 및 결론: 본 보고서는 소비자, 정책 입안자, 투자자, 인프라 제공업체 등 이해관계자를 위한 실행 가능한 권고 사항으로 마무리합니다. 이러한 권장 사항은 조사 결과를 바탕으로 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 시장의 주요 과제와 기회를 해결할 수 있습니다.
참고 데이터 및 부록: 보고서에는 분석 및 조사 결과를 입증하기 위한 보조 데이터, 차트, 그래프가 포함되어 있습니다. 또한 데이터 소스, 설문조사, 상세한 시장 예측과 같은 추가 세부 정보가 담긴 부록도 포함되어 있습니다.
[시장 세분화]
질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 시장은 종류별 및 용도별로 세분화됩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
■ 종류별 시장 세그먼트
– 질화 갈륨 실리콘 카바이드 트랜지스터, 질화 갈륨 실리콘 트랜지스터
■ 용도별 시장 세그먼트
– 산업용/전력, 통신 인프라, 기타
■ 지역별 및 국가별 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 시장 점유율, 2023년(%)
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 아시아 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도)
– 남미 (브라질, 아르헨티나)
– 중동 및 아프리카 (터키, 이스라엘, 사우디 아라비아, UAE)
■ 주요 업체
– Aixtron,Azzurro Semiconductors,Cree,Epigan,Fujitsu,International Quantum Epitaxy (IQE)?,Koninklijke Philips,Mitsubishi Chemical,Nippon Telegraph & Telephone,RF Micro Devices,Texas Instruments,Toshiba,Panasonic,GaN Systems
[주요 챕터의 개요]
1 장 : 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터의 정의, 시장 개요를 소개
2 장 : 매출 및 판매량을 기준으로한 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 시장 규모
3 장 : 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 제조업체 경쟁 환경, 가격, 판매량 및 매출 시장 점유율, 최신 동향, M&A 정보 등에 대한 자세한 분석
4 장 : 종류별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
5 장 : 용도별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
6 장 : 지역 및 국가별 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 판매량. 각 지역 및 주요 국가의 시장 규모와 성장 잠재력에 대한 정량적 분석을 제공. 세계 각국의 시장 개발, 향후 개발 전망, 시장 기회을 소개
7 장 : 주요 업체의 프로필을 제공. 제품 판매, 매출, 가격, 총 마진, 제품 소개, 최근 동향 등 시장 내 주요 업체의 기본 상황을 자세히 소개
8 장 : 지역별 및 국가별 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 시장규모
9 장 : 시장 역학, 시장의 최신 동향, 시장의 추진 요인 및 제한 요인, 업계내 업체가 직면한 과제 및 리스크, 업계의 관련 정책 분석을 소개
10 장 : 산업의 업 스트림 및 다운 스트림을 포함한 산업 체인 분석
11 장 : 보고서의 주요 요점 및 결론
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■ 보고서 목차1. 조사 및 분석 보고서 소개 2. 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 전체 시장 규모 3. 기업 환경 4. 종류별 시장 분석 5. 용도별 시장 분석 6. 지역별 시장 분석 7. 제조업체 및 브랜드 프로필 Aixtron,Azzurro Semiconductors,Cree,Epigan,Fujitsu,International Quantum Epitaxy (IQE)?,Koninklijke Philips,Mitsubishi Chemical,Nippon Telegraph & Telephone,RF Micro Devices,Texas Instruments,Toshiba,Panasonic,GaN Systems Aixtron Azzurro Semiconductors Cree 8. 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 생산 능력 분석 9. 주요 시장 동향, 기회, 동인 및 제약 요인 10. 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 공급망 분석 11. 결론 [그림 목록]- 종류별 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 세그먼트, 2023년 - 용도별 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 세그먼트, 2023년 - 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 시장 개요, 2023년 - 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 시장 규모: 2023년 VS 2030년 - 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 매출, 2019-2030 - 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 판매량: 2019-2030 - 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 매출 기준 상위 3개 및 5개 업체 시장 점유율, 2023년 - 글로벌 종류별 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 종류별 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 매출 시장 점유율 - 글로벌 종류별 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 판매량 시장 점유율 - 글로벌 종류별 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 가격 - 글로벌 용도별 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 용도별 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 매출 시장 점유율 - 글로벌 용도별 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 판매량 시장 점유율 - 글로벌 용도별 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 가격 - 지역별 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 매출, 2023년 VS 2030년 - 지역별 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 매출 시장 점유율 - 지역별 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 매출 시장 점유율 - 지역별 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 판매량 시장 점유율 - 북미 국가별 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 매출 시장 점유율 - 북미 국가별 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 판매량 시장 점유율 - 미국 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 시장규모 - 캐나다 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 시장규모 - 멕시코 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 시장규모 - 유럽 국가별 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 매출 시장 점유율 - 유럽 국가별 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 판매량 시장 점유율 - 독일 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 시장규모 - 프랑스 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 시장규모 - 영국 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 시장규모 - 이탈리아 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 시장규모 - 러시아 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 시장규모 - 아시아 지역별 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 매출 시장 점유율 - 아시아 지역별 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 판매량 시장 점유율 - 중국 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 시장규모 - 일본 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 시장규모 - 한국 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 시장규모 - 동남아시아 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 시장규모 - 인도 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 시장규모 - 남미 국가별 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 매출 시장 점유율 - 남미 국가별 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 판매량 시장 점유율 - 브라질 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 시장규모 - 아르헨티나 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 시장규모 - 중동 및 아프리카 국가별 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 매출 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 국가별 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 판매량 시장 점유율 - 터키 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 시장규모 - 이스라엘 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 시장규모 - 사우디 아라비아 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 시장규모 - 아랍에미리트 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 시장규모 - 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 생산 능력 - 지역별 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 생산량 비중, 2023년 VS 2030년 - 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 산업 가치 사슬 - 마케팅 채널 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 질화갈륨(GaN) 전력 트랜지스터는 차세대 고성능 반도체 소자로서, 기존의 실리콘(Si) 기반 전력 반도체를 대체하며 다양한 산업 분야에서 혁신을 이끌고 있습니다. GaN은 실리콘에 비해 월등히 뛰어난 물리적, 전기적 특성을 지니고 있어 고주파, 고전력, 고효율을 요구하는 애플리케이션에 이상적인 솔루션을 제공합니다. GaN 전력 트랜지스터의 핵심적인 강점은 다음과 같습니다. 첫째, 높은 전자 이동도(electron mobility)입니다. GaN은 실리콘보다 전자 이동도가 약 2~3배 높아 동일한 전압 조건에서도 더 빠른 스위칭 속도를 구현할 수 있습니다. 이는 전력 변환 시 발생하는 스위칭 손실을 크게 줄여 전력 효율을 향상시키는 데 결정적인 역할을 합니다. 둘째, 높은 항복 전압(breakdown voltage)입니다. GaN은 실리콘보다 훨씬 높은 전압을 견딜 수 있는 능력을 가지고 있어 더 높은 전력 밀도와 더 콤팩트한 설계가 가능하게 합니다. 셋째, 높은 열전도율(thermal conductivity)입니다. GaN은 우수한 열 방출 능력을 가지고 있어 고온 환경에서도 안정적인 성능을 유지하며, 별도의 복잡한 방열 대책 없이도 고출력을 구현하는 데 유리합니다. 이러한 특성들은 GaN 전력 트랜지스터가 고주파 스위칭, 고온 동작, 고전력 밀도와 같은 까다로운 요구 사항을 만족시킬 수 있도록 합니다. GaN 전력 트랜지스터는 구조에 따라 크게 두 가지 종류로 나눌 수 있습니다. 첫 번째는 질화갈륨-질화알루미늄갈륨(GaN-AlGaN) 이종접합 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT, High Electron Mobility Transistor)입니다. HEMT는 GaN과 AlGaN의 서로 다른 밴드갭 특성을 이용하여 계면(interface)에 2차원 전자 가스(2DEG, two-dimensional electron gas)라는 높은 농도의 전자층을 형성합니다. 이 2DEG 채널을 통해 전자가 매우 빠르게 이동하게 되어 높은 전자 이동도와 빠른 스위칭 속도를 얻을 수 있습니다. HEMT는 일반적으로 표면에서 제어되는 FET(Field-Effect Transistor) 구조를 가지며, 게이트 전압을 통해 2DEG 채널의 전류를 제어합니다. HEMT는 크게 두 가지 방식으로 구현될 수 있습니다. 하나는 '정상 작동 모드(normally-on)' 또는 '유결정성 모드(depletion mode)'로, 게이트 전압이 0V일 때도 전류가 흐르는 상태입니다. 다른 하나는 '차단 작동 모드(normally-off)' 또는 '증진 모드(enhancement mode)'로, 게이트 전압이 특정 임계값 이상이 되어야 전류가 흐르는 상태입니다. 일반적으로 전력 스위칭 애플리케이션에서는 안전상의 이유로 차단 작동 모드 트랜지스터가 선호됩니다. 두 번째는 수직 구조 GaN 전력 소자입니다. 이는 GaN 웨이퍼 자체를 기반으로 하여 전류가 웨이퍼의 수직 방향으로 흐르도록 설계됩니다. 수직 구조는 더 높은 전력 밀도와 효율을 제공할 수 있는 잠재력을 가지고 있으며, 특히 고전압 애플리케이션에서 유리합니다. GaN 전력 트랜지스터의 용도는 매우 광범위합니다. 정보통신기술(ICT) 분야에서는 스마트폰 충전기, 노트북 어댑터, 서버 전원 공급 장치 등 휴대용 전자기기 및 데이터 센터의 전력 효율을 높이는 데 필수적으로 사용되고 있습니다. 이들 애플리케이션에서 GaN 트랜지스터는 기존의 실리콘 기반 전력 변환 장치보다 훨씬 작고 가벼우며 높은 효율을 제공하여 사용자 경험을 향상시키고 에너지 소비를 줄이는 데 기여합니다. 또한, 전기 자동차(EV) 및 하이브리드 전기 자동차(HEV) 분야에서도 GaN은 혁신적인 변화를 가져오고 있습니다. GaN 기반의 인버터 및 DC-DC 컨버터는 전기차의 배터리 효율을 높여 주행 거리를 늘리고, 충전 시간을 단축하며, 차량의 전반적인 전력 시스템을 더욱 컴팩트하고 가볍게 만들 수 있습니다. 태양광 발전 시스템, 풍력 발전 시스템과 같은 신재생 에너지 분야에서도 GaN 전력 트랜지스터는 전력 변환 효율을 극대화하여 에너지 생산성을 높이는 데 중요한 역할을 합니다. 또한, 산업용 모터 드라이브, 레이더 시스템, 위성 통신 등 고성능이 요구되는 다양한 산업 분야에서도 GaN 전력 트랜지스터의 적용이 확대되고 있습니다. GaN 전력 트랜지스터의 발전과 더불어 관련 기술들도 함께 발전하고 있습니다. GaN 에피택셜 성장 기술은 고품질의 GaN 박막을 웨이퍼 위에 균일하게 증착하는 핵심 기술입니다. 주로 사파이어(sapphire)나 실리콘 카바이드(SiC)와 같은 기판 위에 성장시키는데, 이러한 기판과 GaN 간의 격자 불일치(lattice mismatch) 및 열팽창 계수 차이로 인해 발생하는 스트레스와 결함(defect)을 최소화하는 기술이 중요합니다. 최근에는 GaN-on-GaN 기술도 연구되고 있으며, 이는 기판과 GaN 간의 불일치를 줄여 소자 성능을 더욱 향상시킬 수 있는 잠재력을 가지고 있습니다. 소자 설계 및 제조 공정 기술 역시 지속적으로 발전하고 있습니다. 고이동도 채널을 효과적으로 제어하고 높은 항복 전압을 확보하기 위한 게이트 구조 최적화, 소오스(source) 및 드레인(drain) 접합 기술, 표면 패시베이션(passivation) 기술 등이 중요하게 다루어지고 있습니다. 특히, 차단 작동 모드(normally-off) GaN FET를 구현하기 위한 슈 умолчанию(Schottky gate), 캐스코드(cascode) 구성, 또는 트렌치(trench) 구조와 같은 기술들이 활발히 연구 및 적용되고 있습니다. 패키징 기술 또한 중요합니다. GaN 소자의 고속 스위칭 특성과 높은 열 발생을 고려하여 고성능 패키지 설계가 필수적입니다. 낮은 기생 성분(parasitic inductance/capacitance)을 갖는 패키지는 소자의 성능을 극대화하고 열 관리를 용이하게 합니다. 또한, GaN 소자를 효율적으로 구동하기 위한 드라이버 IC 기술 또한 병행 발전하고 있습니다. GaN 소자의 빠른 스위칭 속도와 높은 전압 변동에 안정적으로 대응할 수 있는 드라이버 IC는 전체 시스템의 성능과 신뢰성을 보장하는 데 중요한 역할을 합니다. 이처럼 GaN 전력 트랜지스터는 소재, 공정, 설계, 패키징, 드라이버 기술 등 반도체 전반에 걸친 복합적인 기술 발전을 통해 그 가능성을 넓혀가고 있습니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 질화 갈륨 (GaN) 전력 트랜지스터 시장예측 2024-2030] (코드 : MONT2407F21971) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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