| ■ 영문 제목 : Ga2O3 Eptixial Wafer Market, Global Outlook and Forecast 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : MONT2407F21902 ■ 조사/발행회사 : Market Monitor Global ■ 발행일 : 2024년 5월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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본 조사 보고서는 현재 동향, 시장 역학 및 미래 전망에 초점을 맞춰, Ga2O3 에피셜 웨이퍼 시장에 대한 포괄적인 분석을 제공합니다. 본 보고서는 북미, 유럽, 아시아 태평양 및 신흥 시장과 같은 주요 지역을 포함한 전 세계 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 시장을 대상으로 합니다. 또한 Ga2O3 에피셜 웨이퍼의 성장을 주도하는 주요 요인, 업계가 직면한 과제 및 시장 참여자를 위한 잠재적 기회도 기재합니다.
글로벌 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 시장은 최근 몇 년 동안 환경 문제, 정부 인센티브 및 기술 발전의 증가로 인해 급속한 성장을 목격했습니다. Ga2O3 에피셜 웨이퍼 시장은 LED 산업용, 반도체 소자, 기타를 포함한 다양한 이해 관계자에게 기회를 제공합니다. 민간 부문과 정부 간의 협력은 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 시장에 대한 지원 정책, 연구 개발 노력 및 투자를 가속화 할 수 있습니다. 또한 증가하는 소비자 수요는 시장 확장의 길을 제시합니다.
글로벌 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 시장은 2023년에 미화 XXX백만 달러로 조사되었으며 2030년까지 미화 XXX백만 달러에 도달할 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 XXX%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.
[주요 특징]
Ga2O3 에피셜 웨이퍼 시장에 대한 조사 보고서에는 포괄적인 통찰력을 제공하고 이해 관계자의 의사 결정을 용이하게하는 몇 가지 주요 항목이 포함되어 있습니다.
요약 : 본 보고서는 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 시장의 주요 결과, 시장 동향 및 주요 통찰력에 대한 개요를 제공합니다.
시장 개요: 본 보고서는 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 시장의 정의, 역사적 추이, 현재 시장 규모를 포함한 포괄적인 개요를 제공합니다. 종류(예: 도전형, 반절연형, 고순도형), 지역 및 용도별로 시장을 세분화하여 각 세그먼트 내의 주요 동인, 과제 및 기회를 중점적으로 다룹니다.
시장 역학: 본 보고서는 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 시장의 성장과 발전을 주도하는 시장 역학을 분석합니다. 본 보고서에는 정부 정책 및 규정, 기술 발전, 소비자 동향 및 선호도, 인프라 개발, 업계 협력에 대한 평가가 포함되어 있습니다. 이 분석은 이해 관계자가 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 시장의 궤적에 영향을 미치는 요인을 이해하는데 도움이됩니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 시장내 경쟁 환경에 대한 심층 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 시장 플레이어의 프로필, 시장 점유율, 전략, 제품 포트폴리오 및 최근 동향이 포함됩니다.
시장 세분화 및 예측: 본 보고서는 종류, 지역 및 용도와 같은 다양한 매개 변수를 기반으로 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 시장을 세분화합니다. 정량적 데이터 및 분석을 통해 각 세그먼트의 시장 규모와 성장 예측을 제공합니다. 이를 통해 이해 관계자가 성장 기회를 파악하고 정보에 입각한 투자 결정을 내릴 수 있습니다.
기술 동향: 본 보고서는 주요기술의 발전과 새로운 대체품 등 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 시장을 형성하는 주요 기술 동향을 강조합니다. 이러한 트렌드가 시장 성장, 채택률, 소비자 선호도에 미치는 영향을 분석합니다.
시장 과제와 기회: 본 보고서는 기술적 병목 현상, 비용 제한, 높은 진입 장벽 등 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 시장이 직면한 주요 과제를 파악하고 분석합니다. 또한 정부 인센티브, 신흥 시장, 이해관계자 간의 협업 등 시장 성장의 기회에 대해서도 강조합니다.
규제 및 정책 분석: 본 보고서는 정부 인센티브, 배출 기준, 인프라 개발 계획 등 Ga2O3 에피셜 웨이퍼에 대한 규제 및 정책 환경을 평가합니다. 이러한 정책이 시장 성장에 미치는 영향을 분석하고 향후 규제 동향에 대한 인사이트를 제공합니다.
권장 사항 및 결론: 본 보고서는 소비자, 정책 입안자, 투자자, 인프라 제공업체 등 이해관계자를 위한 실행 가능한 권고 사항으로 마무리합니다. 이러한 권장 사항은 조사 결과를 바탕으로 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 시장의 주요 과제와 기회를 해결할 수 있습니다.
참고 데이터 및 부록: 보고서에는 분석 및 조사 결과를 입증하기 위한 보조 데이터, 차트, 그래프가 포함되어 있습니다. 또한 데이터 소스, 설문조사, 상세한 시장 예측과 같은 추가 세부 정보가 담긴 부록도 포함되어 있습니다.
[시장 세분화]
Ga2O3 에피셜 웨이퍼 시장은 종류별 및 용도별로 세분화됩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
■ 종류별 시장 세그먼트
– 도전형, 반절연형, 고순도형
■ 용도별 시장 세그먼트
– LED 산업용, 반도체 소자, 기타
■ 지역별 및 국가별 글로벌 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 시장 점유율, 2023년(%)
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 아시아 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도)
– 남미 (브라질, 아르헨티나)
– 중동 및 아프리카 (터키, 이스라엘, 사우디 아라비아, UAE)
■ 주요 업체
– TAMURA Corporation,Kyma Technologies,Xiamen Powerway Advanced Material,Atecom Technology,Hangzhou Fujia Ggallium Technology,Changchun Ocean Electro-optics,ZHUZHOU HENGMA
[주요 챕터의 개요]
1 장 : Ga2O3 에피셜 웨이퍼의 정의, 시장 개요를 소개
2 장 : 매출 및 판매량을 기준으로한 글로벌 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 시장 규모
3 장 : Ga2O3 에피셜 웨이퍼 제조업체 경쟁 환경, 가격, 판매량 및 매출 시장 점유율, 최신 동향, M&A 정보 등에 대한 자세한 분석
4 장 : 종류별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
5 장 : 용도별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
6 장 : 지역 및 국가별 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 판매량. 각 지역 및 주요 국가의 시장 규모와 성장 잠재력에 대한 정량적 분석을 제공. 세계 각국의 시장 개발, 향후 개발 전망, 시장 기회을 소개
7 장 : 주요 업체의 프로필을 제공. 제품 판매, 매출, 가격, 총 마진, 제품 소개, 최근 동향 등 시장 내 주요 업체의 기본 상황을 자세히 소개
8 장 : 지역별 및 국가별 글로벌 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 시장규모
9 장 : 시장 역학, 시장의 최신 동향, 시장의 추진 요인 및 제한 요인, 업계내 업체가 직면한 과제 및 리스크, 업계의 관련 정책 분석을 소개
10 장 : 산업의 업 스트림 및 다운 스트림을 포함한 산업 체인 분석
11 장 : 보고서의 주요 요점 및 결론
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차1. 조사 및 분석 보고서 소개 2. 글로벌 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 전체 시장 규모 3. 기업 환경 4. 종류별 시장 분석 5. 용도별 시장 분석 6. 지역별 시장 분석 7. 제조업체 및 브랜드 프로필 TAMURA Corporation,Kyma Technologies,Xiamen Powerway Advanced Material,Atecom Technology,Hangzhou Fujia Ggallium Technology,Changchun Ocean Electro-optics,ZHUZHOU HENGMA TAMURA Corporation Kyma Technologies Xiamen Powerway Advanced Material 8. 글로벌 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 생산 능력 분석 9. 주요 시장 동향, 기회, 동인 및 제약 요인 10. Ga2O3 에피셜 웨이퍼 공급망 분석 11. 결론 [그림 목록]- 종류별 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 세그먼트, 2023년 - 용도별 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 세그먼트, 2023년 - 글로벌 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 시장 개요, 2023년 - 글로벌 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 시장 규모: 2023년 VS 2030년 - 글로벌 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 매출, 2019-2030 - 글로벌 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 판매량: 2019-2030 - Ga2O3 에피셜 웨이퍼 매출 기준 상위 3개 및 5개 업체 시장 점유율, 2023년 - 글로벌 종류별 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 종류별 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 매출 시장 점유율 - 글로벌 종류별 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 글로벌 종류별 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 가격 - 글로벌 용도별 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 용도별 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 매출 시장 점유율 - 글로벌 용도별 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 글로벌 용도별 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 가격 - 지역별 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 매출, 2023년 VS 2030년 - 지역별 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 매출 시장 점유율 - 지역별 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 매출 시장 점유율 - 지역별 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 북미 국가별 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 매출 시장 점유율 - 북미 국가별 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 미국 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 시장규모 - 캐나다 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 시장규모 - 멕시코 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 시장규모 - 유럽 국가별 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 매출 시장 점유율 - 유럽 국가별 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 독일 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 시장규모 - 프랑스 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 시장규모 - 영국 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 시장규모 - 이탈리아 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 시장규모 - 러시아 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 시장규모 - 아시아 지역별 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 매출 시장 점유율 - 아시아 지역별 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 중국 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 시장규모 - 일본 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 시장규모 - 한국 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 시장규모 - 동남아시아 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 시장규모 - 인도 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 시장규모 - 남미 국가별 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 매출 시장 점유율 - 남미 국가별 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 브라질 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 시장규모 - 아르헨티나 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 시장규모 - 중동 및 아프리카 국가별 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 매출 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 국가별 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 터키 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 시장규모 - 이스라엘 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 시장규모 - 사우디 아라비아 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 시장규모 - 아랍에미리트 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 시장규모 - 글로벌 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 생산 능력 - 지역별 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 생산량 비중, 2023년 VS 2030년 - Ga2O3 에피셜 웨이퍼 산업 가치 사슬 - 마케팅 채널 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 갈륨 산화물(Ga₂O₃) 에피셜 웨이퍼는 차세대 전력 반도체 및 자외선(UV) 광전자 소자 분야에서 주목받는 핵심 소재입니다. 갈륨 산화물은 그 자체로 뛰어난 전기적, 광학적 특성을 지니고 있으며, 특히 고품질의 에피택셜 성장 기술을 통해 이러한 특성을 극대화한 것이 바로 에피셜 웨이퍼입니다. 갈륨 산화물 에피셜 웨이퍼의 개념을 좀 더 깊이 이해하기 위해, 그 정의부터 살펴보겠습니다. 에피택셜 성장(Epitaxial Growth)이란, 기판(Substrate) 위에 동일하거나 유사한 결정 구조를 가진 박막(Thin Film)을 동일한 결정 방향으로 성장시키는 기술을 의미합니다. 즉, 갈륨 산화물 에피셜 웨이퍼는 이미 존재하는 다른 기판 위에 갈륨 산화물 결정을 성장시켜 만든 웨이퍼를 뜻합니다. 여기서 기판으로는 주로 사파이어(Sapphire), 실리콘(Si), 탄화규소(SiC) 등이 사용될 수 있으며, 최근에는 자체적으로 고품질의 갈륨 산화물 기판을 제조하여 이를 바탕으로 에피택셜 성장시키는 방식도 활발히 연구되고 있습니다. 이 에피택셜 층은 매우 얇지만, 원하는 갈륨 산화물의 결정 구조와 조성비를 정밀하게 제어하여 제작됩니다. 갈륨 산화물 에피셜 웨이퍼의 가장 큰 특징은 그 자체로 갖는 고유한 물성에서 비롯됩니다. 먼저, 넓은 에너지 밴드갭(Band Gap)입니다. 갈륨 산화물은 여러 결정 구조를 가지는데, 그 중에서도 베타(β) 갈륨 산화물은 약 4.9 eV의 매우 넓은 밴드갭을 가집니다. 이는 기존의 실리콘(Si)이나 질화갈륨(GaN)보다 훨씬 넓은 밴드갭으로, 결과적으로 높은 항복 전압(Breakdown Voltage)을 가능하게 합니다. 이는 전력 반도체 소자의 고내압화에 매우 유리한 특성입니다. 또한, 높은 항복 전계 강도(Critical Electric Field) 역시 전력 효율을 높이는 데 기여합니다. 두 번째로, 뛰어난 열전도율입니다. β-Ga₂O₃의 열전도율은 실리콘이나 질화갈륨에 비해 상대적으로 낮지만, 다른 넓은 밴드갭 반도체인 질화알루미늄(AlN)보다는 높습니다. 또한, 전력 소자의 집적도가 높아질수록 발열 문제가 중요해지는데, 갈륨 산화물은 높은 밴드갭으로 인해 자체적으로 발생하는 열을 효율적으로 방출할 수 있는 잠재력을 가지고 있습니다. 향후 기판 소재의 개선이나 열 방출 구조 설계 연구를 통해 열 방출 문제는 더욱 개선될 수 있을 것으로 기대됩니다. 세 번째로, 높은 이온화 에너지(Ionization Energy)를 갖는 전자 이동도(Electron Mobility)입니다. 이는 특정 조건에서 전자 이동도를 높일 수 있는 가능성을 시사합니다. 또한, 갈륨 산화물은 다양한 결정 구조를 가지며, 각 구조마다 전기적, 광학적 특성이 달라집니다. 가장 안정한 형태인 베타(β) 갈륨 산화물은 단사정계(Monoclinic) 구조를 가지며, 이 외에도 알파(α), 감마(γ), 델타(δ), 엡실론(ε) 등 다양한 결정 구조가 존재합니다. 이러한 다양한 결정 구조는 소자 설계에 있어 유연성을 제공합니다. 네 번째로, 고유한 광학적 특성입니다. 갈륨 산화물은 자외선 영역에서 투명하며, 특정 파장대의 자외선을 흡수하거나 방출하는 특성을 가집니다. 특히, 넓은 밴드갭은 UV-C 영역에서의 광검출기 및 발광 소자 개발에 유리합니다. 이는 기존의 소재로는 구현하기 어려웠던 고성능 자외선 소자 개발의 가능성을 열어줍니다. 갈륨 산화물 에피셜 웨이퍼는 그 목적에 따라 다양한 종류로 나눌 수 있습니다. 가장 기본적인 구분은 에피택셜 층에 도핑(Doping) 여부와 도핑 종류에 따라 달라집니다. 예를 들어, n형 에피택셜 층을 만들기 위해 실리콘(Si)이나 주석(Sn)을 도핑하거나, p형 에피택셜 층을 만들기 위해 마그네슘(Mg)이나 베릴륨(Be)을 도핑하는 경우가 있습니다. 또한, 밴드갭을 조절하기 위해 알루미늄(Al)이나 인듐(In)과 같은 다른 원소를 첨가하여 합금(Alloy) 형태로 성장시키는 것도 가능합니다. 예를 들어, (AlₓGa₁₋ₓ)₂O₃ 합금 박막은 밴드갭을 조절하여 소자의 동작 특성을 최적화하는 데 사용될 수 있습니다. 성장 방식에 따라서도 종류가 나뉩니다. 일반적으로 화학기상증착법(CVD), 특히 금속유기화학기상증착법(MOCVD)이나 분자빔에피택시법(MBE) 등이 사용됩니다. 이러한 성장 방법들은 박막의 결정 품질, 조성, 도핑 농도 등을 정밀하게 제어할 수 있게 합니다. 또한, 최근에는 수열 합성법(Hydrothermal Synthesis)이나 용액 기반 성장법(Solution-based Growth)을 이용한 에피택셜 성장 연구도 진행되고 있으며, 이는 저비용, 대면적 생산 가능성을 열어주고 있습니다. 갈륨 산화물 에피셜 웨이퍼의 주요 용도는 크게 두 가지 분야로 나눌 수 있습니다. 첫 번째는 전력 반도체 소자입니다. 넓은 밴드갭과 높은 항복 전계 강도는 기존의 실리콘 기반 전력 반도체를 뛰어넘는 고전압, 고효율 전력 스위칭 소자 개발을 가능하게 합니다. 특히, 고전압 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), 쇼트키 다이오드(Schottky Diode), 사이리스터(Thyristor) 등의 개발에 활용됩니다. 이는 전기자동차, 신재생 에너지 시스템, 전력망 등 다양한 분야에서 에너지 효율을 크게 향상시킬 수 있습니다. 두 번째는 자외선(UV) 광전자 소자입니다. 갈륨 산화물의 투명성과 넓은 밴드갭은 UV-C 영역에서 작동하는 광검출기 및 발광 소자 개발에 매우 적합합니다. UV-C는 살균 및 소독 효과가 뛰어나 의료, 수처리, 식품 위생 등 다양한 분야에서 응용될 수 있습니다. 기존의 UV 소자들은 효율이 낮거나 내구성이 떨어지는 문제가 있었지만, 갈륨 산화물 기반 소자는 이러한 한계를 극복할 수 있을 것으로 기대됩니다. 또한, 특정 파장의 자외선을 효율적으로 흡수하는 특성은 고감도 자외선 센서 개발에도 활용될 수 있습니다. 갈륨 산화물 에피셜 웨이퍼와 관련된 핵심 기술은 매우 다양합니다. 먼저, **고품질 갈륨 산화물 결정 성장 기술**이 가장 중요합니다. 에피택셜 층의 결정성을 높이고 결함 밀도를 낮추는 것이 소자의 성능을 좌우하기 때문입니다. 이를 위해 다양한 성장 공정 조건(온도, 압력, 가스 유량 등)을 최적화하고, 성장 기판과의 격자 정렬을 맞추는 기술이 필요합니다. 두 번째로는 **도핑 기술**입니다. 원하는 전도도와 전자/정공 농도를 정확하게 제어하는 도핑 기술은 소자의 전기적 특성을 결정하는 데 필수적입니다. 특히, p형 도핑은 갈륨 산화물에서 아직까지 어려운 기술 과제 중 하나로 남아 있으며, 이에 대한 연구가 활발히 진행 중입니다. 세 번째는 **패터닝 및 소자 제작 기술**입니다. 갈륨 산화물은 상대적으로 경도가 높아 마스크 제작이나 식각 공정에서 어려움이 있을 수 있습니다. 따라서 갈륨 산화물에 적합한 식각 공정(습식 또는 건식) 및 패터닝 기술 개발이 중요합니다. 또한, 고품질의 접촉 전극 형성 기술 역시 소자의 성능과 신뢰성을 보장하는 데 필수적입니다. 네 번째는 **재료 분석 및 특성 평가 기술**입니다. 성장된 에피택셜 층의 결정 구조, 조성, 도핑 농도, 전기적 특성, 광학적 특성 등을 정확하게 분석하고 평가하는 기술은 공정 개선 및 소자 성능 향상에 있어 매우 중요합니다. X선 회절(XRD), 투과전자현미경(TEM), 원자간력현미경(AFM), 4탐침법, 홀 효과 측정 등 다양한 분석 기법이 활용됩니다. 마지막으로, **새로운 성장 기판 기술**과 **자체 성장 갈륨 산화물 기판 기술**도 중요한 연구 분야입니다. 기존의 사파이어나 실리콘 기판은 갈륨 산화물과의 격자 부정합이나 열팽창 계수 차이로 인해 에피택셜 층의 품질에 영향을 줄 수 있습니다. 따라서 이러한 문제를 해결하기 위해 새로운 기판 소재를 탐색하거나, 고품질의 갈륨 산화물 기판을 자체적으로 성장시키는 기술은 갈륨 산화물 산업 발전에 있어 매우 중요한 과제입니다. 이러한 자체 성장 기판 기술은 에피택셜 웨이퍼의 품질을 극대화하고 수직 통합 생산을 가능하게 하여 경쟁력을 높일 수 있습니다. 결론적으로, 갈륨 산화물 에피셜 웨이퍼는 넓은 밴드갭, 높은 항복 전계 강도, 우수한 자외선 특성 등 고유한 장점을 바탕으로 차세대 전력 반도체 및 자외선 소자 분야에서 혁신을 이끌 잠재력을 지닌 소재입니다. 이러한 에피셜 웨이퍼의 가능성을 현실로 만들기 위해서는 고품질 성장 기술, 정밀한 도핑 기술, 효율적인 소자 제작 기술 등 다양한 핵심 기술의 지속적인 개발과 발전이 요구됩니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 Ga2O3 에피셜 웨이퍼 시장예측 2024-2030] (코드 : MONT2407F21902) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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