| ■ 영문 제목 : Global Compound Semiconductor Substrate Market Growth 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : LPI2406A14517 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2024년 6월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 화학&재료 |
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LP Information (LPI)사의 최신 조사에 따르면, 글로벌 화합물 반도체 기판 시장 규모는 2023년에 미화 XXX백만 달러로 산출되었습니다. 다운 스트림 시장의 수요가 증가함에 따라 화합물 반도체 기판은 조사 대상 기간 동안 XXX%의 CAGR(연평균 성장율)로 2030년까지 미화 XXX백만 달러의 시장규모로 예상됩니다.
본 조사 보고서는 글로벌 화합물 반도체 기판 시장의 성장 잠재력을 강조합니다. 화합물 반도체 기판은 향후 시장에서 안정적인 성장을 보일 것으로 예상됩니다. 그러나 제품 차별화, 비용 절감 및 공급망 최적화는 화합물 반도체 기판의 광범위한 채택을 위해 여전히 중요합니다. 시장 참여자들은 연구 개발에 투자하고, 전략적 파트너십을 구축하고, 진화하는 소비자 선호도에 맞춰 제품을 제공함으로써 화합물 반도체 기판 시장이 제공하는 막대한 기회를 활용해야 합니다.
[주요 특징]
화합물 반도체 기판 시장에 대한 보고서는 다양한 측면을 반영하고 업계에 대한 소중한 통찰력을 제공합니다.
시장 규모 및 성장: 본 조사 보고서는 화합물 반도체 기판 시장의 현재 규모와 성장에 대한 개요를 제공합니다. 여기에는 과거 데이터, 유형별 시장 세분화 (예 : 2인치 웨이퍼, 4인치 웨이퍼, 6인치 웨이퍼, 기타) 및 지역 분류가 포함될 수 있습니다.
시장 동인 및 과제: 본 보고서는 정부 규제, 환경 문제, 기술 발전 및 소비자 선호도 변화와 같은 화합물 반도체 기판 시장의 성장을 주도하는 요인을 식별하고 분석 할 수 있습니다. 또한 인프라 제한, 범위 불안, 높은 초기 비용 등 업계가 직면한 과제를 강조할 수 있습니다.
경쟁 환경: 본 조사 보고서는 화합물 반도체 기판 시장 내 경쟁 환경에 대한 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 업체의 프로필, 시장 점유율, 전략 및 제공 제품이 포함됩니다. 본 보고서는 또한 신흥 플레이어와 시장에 대한 잠재적 영향을 강조할 수 있습니다.
기술 개발: 본 조사 보고서는 화합물 반도체 기판 산업의 최신 기술 개발에 대해 자세히 살펴볼 수 있습니다. 여기에는 화합물 반도체 기판 기술의 발전, 화합물 반도체 기판 신규 진입자, 화합물 반도체 기판 신규 투자, 그리고 화합물 반도체 기판의 미래를 형성하는 기타 혁신이 포함됩니다.
다운스트림 고객 선호도: 본 보고서는 화합물 반도체 기판 시장의 고객 구매 행동 및 채택 동향을 조명할 수 있습니다. 여기에는 고객의 구매 결정에 영향을 미치는 요인, 화합물 반도체 기판 제품에 대한 선호도가 포함됩니다.
정부 정책 및 인센티브: 본 조사 보고서는 정부 정책 및 인센티브가 화합물 반도체 기판 시장에 미치는 영향을 분석합니다. 여기에는 규제 프레임워크, 보조금, 세금 인센티브 및 화합물 반도체 기판 시장을 촉진하기위한 기타 조치에 대한 평가가 포함될 수 있습니다. 본 보고서는 또한 이러한 정책이 시장 성장을 촉진하는데 미치는 효과도 분석합니다.
환경 영향 및 지속 가능성: 조사 보고서는 화합물 반도체 기판 시장의 환경 영향 및 지속 가능성 측면을 분석합니다.
시장 예측 및 미래 전망: 수행된 분석을 기반으로 본 조사 보고서는 화합물 반도체 기판 산업에 대한 시장 예측 및 전망을 제공합니다. 여기에는 시장 규모, 성장률, 지역 동향, 기술 발전 및 정책 개발에 대한 예측이 포함됩니다.
권장 사항 및 기회: 본 보고서는 업계 이해 관계자, 정책 입안자, 투자자를 위한 권장 사항으로 마무리됩니다. 본 보고서는 시장 참여자들이 새로운 트렌드를 활용하고, 도전 과제를 극복하며, 화합물 반도체 기판 시장의 성장과 발전에 기여할 수 있는 잠재적 기회를 강조합니다.
[시장 세분화]
화합물 반도체 기판 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 수량 및 금액 측면에서 제공합니다.
*** 종류별 세분화 ***
2인치 웨이퍼, 4인치 웨이퍼, 6인치 웨이퍼, 기타
*** 용도별 세분화 ***
항공 우주 및 군사, 자동차, 통신 네트워크, 기타
본 보고서는 또한 시장을 지역별로 분류합니다:
– 미주 (미국, 캐나다, 멕시코, 브라질)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 호주)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 중동 및 아프리카 (이집트, 남아프리카 공화국, 이스라엘, 터키, GCC 국가)
아래 프로파일링 대상 기업은 주요 전문가로부터 수집한 정보를 바탕으로 해당 기업의 서비스 범위, 제품 포트폴리오, 시장 점유율을 분석하여 선정되었습니다.
JX Nippon Mining & Metals Corporation, Element Six, Akash Systems, Qorvo, RFHIC Corporation, Mitsubishi Electric
[본 보고서에서 다루는 주요 질문]
– 글로벌 화합물 반도체 기판 시장의 향후 10년 전망은 어떻게 될까요?
– 전 세계 및 지역별 화합물 반도체 기판 시장 성장을 주도하는 요인은 무엇입니까?
– 시장과 지역별로 가장 빠르게 성장할 것으로 예상되는 분야는 무엇인가요?
– 최종 시장 규모에 따라 화합물 반도체 기판 시장 기회는 어떻게 다른가요?
– 화합물 반도체 기판은 종류, 용도를 어떻게 분류합니까?
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차■ 보고서의 범위 ■ 보고서의 요약 ■ 기업별 세계 화합물 반도체 기판 시장분석 ■ 지역별 화합물 반도체 기판에 대한 추이 분석 ■ 미주 시장 ■ 아시아 태평양 시장 ■ 유럽 시장 ■ 중동 및 아프리카 시장 ■ 시장 동인, 도전 과제 및 동향 ■ 제조 비용 구조 분석 ■ 마케팅, 유통업체 및 고객 ■ 지역별 화합물 반도체 기판 시장 예측 ■ 주요 기업 분석 JX Nippon Mining & Metals Corporation, Element Six, Akash Systems, Qorvo, RFHIC Corporation, Mitsubishi Electric – JX Nippon Mining & Metals Corporation – Element Six – Akash Systems ■ 조사 결과 및 결론 [그림 목록]화합물 반도체 기판 이미지 화합물 반도체 기판 판매량 성장률 (2019-2030) 글로벌 화합물 반도체 기판 매출 성장률 (2019-2030) 지역별 화합물 반도체 기판 매출 (2019, 2023 및 2030) 글로벌 종류별 화합물 반도체 기판 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 종류별 화합물 반도체 기판 매출 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 용도별 화합물 반도체 기판 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 용도별 화합물 반도체 기판 매출 시장 점유율 기업별 화합물 반도체 기판 판매량 시장 2023 기업별 글로벌 화합물 반도체 기판 판매량 시장 점유율 2023 기업별 화합물 반도체 기판 매출 시장 2023 기업별 글로벌 화합물 반도체 기판 매출 시장 점유율 2023 지역별 글로벌 화합물 반도체 기판 판매량 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 화합물 반도체 기판 매출 시장 점유율 2023 미주 화합물 반도체 기판 판매량 (2019-2024) 미주 화합물 반도체 기판 매출 (2019-2024) 아시아 태평양 화합물 반도체 기판 판매량 (2019-2024) 아시아 태평양 화합물 반도체 기판 매출 (2019-2024) 유럽 화합물 반도체 기판 판매량 (2019-2024) 유럽 화합물 반도체 기판 매출 (2019-2024) 중동 및 아프리카 화합물 반도체 기판 판매량 (2019-2024) 중동 및 아프리카 화합물 반도체 기판 매출 (2019-2024) 미국 화합물 반도체 기판 시장규모 (2019-2024) 캐나다 화합물 반도체 기판 시장규모 (2019-2024) 멕시코 화합물 반도체 기판 시장규모 (2019-2024) 브라질 화합물 반도체 기판 시장규모 (2019-2024) 중국 화합물 반도체 기판 시장규모 (2019-2024) 일본 화합물 반도체 기판 시장규모 (2019-2024) 한국 화합물 반도체 기판 시장규모 (2019-2024) 동남아시아 화합물 반도체 기판 시장규모 (2019-2024) 인도 화합물 반도체 기판 시장규모 (2019-2024) 호주 화합물 반도체 기판 시장규모 (2019-2024) 독일 화합물 반도체 기판 시장규모 (2019-2024) 프랑스 화합물 반도체 기판 시장규모 (2019-2024) 영국 화합물 반도체 기판 시장규모 (2019-2024) 이탈리아 화합물 반도체 기판 시장규모 (2019-2024) 러시아 화합물 반도체 기판 시장규모 (2019-2024) 이집트 화합물 반도체 기판 시장규모 (2019-2024) 남아프리카 화합물 반도체 기판 시장규모 (2019-2024) 이스라엘 화합물 반도체 기판 시장규모 (2019-2024) 터키 화합물 반도체 기판 시장규모 (2019-2024) GCC 국가 화합물 반도체 기판 시장규모 (2019-2024) 화합물 반도체 기판의 제조 원가 구조 분석 화합물 반도체 기판의 제조 공정 분석 화합물 반도체 기판의 산업 체인 구조 화합물 반도체 기판의 유통 채널 글로벌 지역별 화합물 반도체 기판 판매량 시장 전망 (2025-2030) 글로벌 지역별 화합물 반도체 기판 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 화합물 반도체 기판 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 화합물 반도체 기판 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 화합물 반도체 기판 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 화합물 반도체 기판 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 화합물 반도체 기판은 실리콘(Si) 단일 결정 기판의 한계를 극복하고 고성능, 고주파, 고출력 등 특수한 기능을 요구하는 전자 소자 및 광전자 소자를 구현하기 위한 핵심 소재입니다. 단일 원소로 이루어진 실리콘 반도체와 달리, 두 가지 이상의 원소가 화학적으로 결합하여 형성된 반도체 화합물을 기판으로 사용하는 것을 의미합니다. 이러한 화합물 반도체 기판은 실리콘 기판으로는 구현하기 어려운 고유한 물성을 지니고 있어, 현대 첨단 산업의 다양한 분야에서 필수적으로 사용되고 있습니다. 화합물 반도체 기판의 가장 두드러진 특징 중 하나는 넓은 에너지 밴드갭(band gap)을 가진다는 점입니다. 밴드갭은 전자가 자유롭게 움직일 수 있는 전도대와 움직일 수 없는 가전자대 사이의 에너지 간격으로, 이 간격이 넓을수록 더 높은 온도에서도 안정적으로 동작할 수 있으며, 더 높은 전압을 견딜 수 있습니다. 또한, 넓은 밴드갭은 빛의 파장에 대한 반응성을 조절하는 데에도 유리하여 광학 소자 구현에 필수적입니다. 또 다른 중요한 특징은 높은 전자 이동도(electron mobility)입니다. 전자 이동도는 전기장이 가해졌을 때 전자가 얼마나 빠르게 움직일 수 있는지를 나타내는 척도로, 전자 이동도가 높을수록 소자의 동작 속도가 빨라집니다. 이는 고주파 통신, 레이더 시스템 등 빠른 신호 처리가 요구되는 분야에서 화합물 반도체 기판의 활용도를 높이는 결정적인 요인입니다. 이와 더불어, 화합물 반도체 기판은 실리콘보다 훨씬 높은 항복 전압(breakdown voltage)을 가집니다. 항복 전압은 반도체 소자가 파괴되지 않고 견딜 수 있는 최대 전압으로, 높은 항복 전압은 고출력 전력 소자 구현에 필수적입니다. 이는 전기 자동차, 재생 에너지 시스템 등에서 효율적인 전력 변환 및 제어를 가능하게 합니다. 또한, 일부 화합물 반도체는 직접 천이형 밴드 구조(direct band gap)를 가져 빛을 효율적으로 방출하거나 흡수할 수 있어 LED, 레이저 다이오드, 태양전지와 같은 광전자 소자 제작에 매우 적합합니다. 화합물 반도체 기판의 종류는 매우 다양하며, 주로 구성 원소에 따라 분류됩니다. 가장 대표적인 것으로는 다음과 같은 종류들이 있습니다. 첫째, 갈륨비소(GaAs, Gallium Arsenide) 기판입니다. 갈륨비소는 상대적으로 높은 전자 이동도를 가지며, 직접 천이형 밴드 구조를 가지고 있어 광전자 소자에 적합합니다. 또한 실리콘보다 높은 방사능 내성을 지니고 있어 우주 항공 분야에서도 활용됩니다. GaAs 기반 소자는 고주파 증폭기, 스위치, 레이저 다이오드 등에 널리 사용됩니다. 둘째, 질화물 반도체 기판입니다. 질화물 반도체는 주로 질화갈륨(GaN, Gallium Nitride)과 그 합금으로 구성됩니다. 질화물 반도체는 매우 넓은 밴드갭과 높은 항복 전압, 그리고 우수한 열 전도성을 지니고 있어 고온, 고출력, 고주파 환경에서 동작하는 파워 전자 소자 및 고휘도 발광 소자에 이상적입니다. GaN 기반 소자는 차세대 전력 변환 장치, 고효율 LED, 블루/녹색 레이저, 고주파 통신용 트랜지스터 등에 적용됩니다. 셋째, 인화인듐(InP, Indium Phosphide) 기판입니다. 인화인듐은 GaAs보다 더 높은 전자 이동도를 가지며, 특히 1.3 마이크로미터(µm)와 1.55 µm 파장대에서 직접 천이형 밴드 구조를 보여 광통신 분야에서 핵심적인 소재로 사용됩니다. InP 기반 소자는 광섬유 통신 시스템에 사용되는 레이저 다이오드, 포토디텍터, 광 증폭기 등에 활용됩니다. 넷째, 탄화규소(SiC, Silicon Carbide) 기판입니다. 탄화규소는 매우 넓은 밴드갭과 높은 열 전도성, 뛰어난 기계적 강도를 특징으로 합니다. 이러한 특성으로 인해 고온, 고전압, 고전력 환경에서 사용되는 파워 디바이스에 매우 적합합니다. SiC 기판 기반의 쇼트키 다이오드와 MOSFET 등은 전기 자동차의 전력 변환 효율을 높이고, 고온 환경에서의 센서 등에 사용됩니다. 다섯째, 기타 화합물 반도체 기판으로는 셀렌화아연(ZnSe), 황화아연(ZnS)과 같은 II-VI족 화합물 반도체 기판들이 있으며, 이들은 특정 광학적 특성을 활용하여 적외선 광학, 투명 전극 등에 응용될 수 있습니다. 또한, 여러 화합물 반도체를 층상으로 성장시켜 다양한 기능을 통합하는 이종 접합(heterojunction) 기술도 활발히 연구되고 있습니다. 화합물 반도체 기판의 용도는 그 뛰어난 물성을 바탕으로 매우 광범위합니다. 광통신 분야에서는 높은 데이터 전송 속도와 장거리 통신을 가능하게 하는 레이저 다이오드, 광검출기 등의 핵심 부품으로 사용됩니다. 특히, 광섬유의 손실이 가장 적은 파장 대역에서 동작하는 InP 기반 소자는 현대의 초고속 인터넷 및 통신망 구축에 필수적입니다. 고주파 통신 및 레이더 시스템에서는 GaAs, GaN 기반의 고주파 트랜지스터가 사용되어 기지국, 위성 통신, 군사 레이더 등에서 신호의 증폭 및 처리를 담당합니다. 5G 및 6G와 같은 차세대 통신 기술은 더욱 높은 주파수 대역을 사용하므로, 이러한 고성능 화합물 반도체 기판의 중요성이 더욱 커지고 있습니다. 전력 전자 분야에서는 고전압, 고전류를 효율적으로 제어하는 파워 디바이스가 요구됩니다. SiC 및 GaN 기판은 기존의 실리콘 기반 파워 디바이스보다 훨씬 높은 효율과 소형화를 가능하게 하여 전기 자동차, 고속 열차, 스마트 그리드 등에서 에너지 효율을 극대화하는 데 기여하고 있습니다. 조명 및 디스플레이 분야에서는 GaN 기반의 고휘도 LED가 사용되어 에너지 효율적인 조명 솔루션을 제공하고, 스마트폰, TV 등 다양한 디스플레이 장치의 백라이트로 활용됩니다. 또한, 청색 및 녹색 레이저 역시 GaN 기반으로 제작되어 Blu-ray 플레이어, 레이저 프로젝터 등에 사용됩니다. 그 외에도, 화합물 반도체 기판은 고성능 센서, 우주 항공 분야의 방사선 내성이 요구되는 전자 부품, 그리고 특정 광학적 응용을 위한 다양한 분야에서 중요한 역할을 수행하고 있습니다. 화합물 반도체 기판 관련 기술은 끊임없이 발전하고 있으며, 주요 기술로는 다음과 같은 것들이 있습니다. 첫째, 고품질 단결정 성장 기술입니다. 원하는 물성을 가진 화합물 반도체 기판을 제작하기 위해서는 원자 수준으로 정렬된 고품질의 단결정 소재를 성장시키는 것이 중요합니다. 이를 위해 액상 에피택시(LPE), 기상 에피택시(VPE), 금속유기 화학증착법(MOCVD), 분자빔 에피택시(MBE) 등 다양한 성장 기술이 사용되며, 특히 결함 밀도를 낮추고 균일도를 높이는 연구가 지속적으로 이루어지고 있습니다. 둘째, 웨이퍼 제조 및 가공 기술입니다. 화합물 반도체 기판은 일반적으로 실리콘 웨이퍼보다 훨씬 고가이며, 직경이 작거나 제조 공정이 복잡한 경우가 많습니다. 따라서 대구경 웨이퍼 생산 효율을 높이고, 기판의 표면 품질을 향상시키며, 비용을 절감하기 위한 다양한 가공 및 연마 기술이 중요합니다. 셋째, 이종 접합 및 집적 기술입니다. 서로 다른 화합물 반도체 소재를 조합하여 단일 칩에 여러 기능을 통합하는 이종 접합 기술은 소자의 성능을 극대화하고 새로운 기능을 구현하는 데 필수적입니다. 예를 들어, GaN과 SiC를 함께 사용하거나, GaAs 기판 위에 GaN을 성장시키는 기술 등이 연구되고 있습니다. 또한, 서로 다른 기판 위에 성장된 소자를 접합하거나, 실리콘 기반 집적 회로와 화합물 반도체 소자를 결합하는 기술도 활발히 개발되고 있습니다. 넷째, 신소재 개발입니다. 기존의 화합물 반도체 소재 외에도, 더 넓은 밴드갭, 더 높은 전자 이동도, 혹은 특정 광학적 특성을 가진 새로운 화합물 반도체 소재를 개발하려는 노력이 계속되고 있습니다. 이를 통해 기존의 기술로는 구현하기 어려운 혁신적인 소자 및 시스템을 개발할 수 있습니다. 다섯째, 패키징 및 테스트 기술입니다. 화합물 반도체 소자는 고온, 고주파 환경에서 동작하는 경우가 많기 때문에, 이러한 환경에서도 안정적인 성능을 보장하는 특수한 패키징 기술이 필요합니다. 또한, 소자의 성능을 정확하게 평가하기 위한 고주파 테스트, 고온 테스트 등 특화된 테스트 기술 또한 중요합니다. 결론적으로, 화합물 반도체 기판은 기존 실리콘 반도체의 한계를 뛰어넘는 우수한 전기적, 광학적, 열적 특성을 제공하며, 통신, 에너지, 디스플레이, 센서 등 첨단 산업 전반에 걸쳐 혁신을 주도하고 있습니다. 지속적인 소재 개발, 성장 기술 향상, 그리고 집적 및 패키징 기술의 발전은 앞으로도 화합물 반도체 기판이 더욱 다양한 분야에서 핵심적인 역할을 수행할 수 있도록 할 것입니다. |
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