| ■ 영문 제목 : Global 13.5nm Photoresist Market 2024 by Manufacturers, Regions, Type and Application, Forecast to 2030 | |
 | ■ 상품코드 : GIR2406C0829 ■ 조사/발행회사 : Globalinforesearch ■ 발행일 : 2024년 6월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 화학＆재료 |
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조사회사 Global Info Research의 최신 조사에 따르면, 세계의 13.5nm 포토레지스트 시장 규모는 2023년에 XXX백만 달러로 분석되었으며, 검토 기간 동안 xx%의 CAGR로 2030년까지 XXX백만 달러의 재조정된 규모로 성장이 예측됩니다.
Global Info Research 보고서에는 13.5nm 포토레지스트 산업 체인 동향 개요, 12인치 웨이퍼, 12인치 웨이퍼 이상 응용분야 및 선진 및 개발 도상국의 주요 기업의 시장 현황, 13.5nm 포토레지스트의 최첨단 기술, 특허, 최신 용도 및 시장 동향을 분석했습니다.
지역별로는 주요 지역의 13.5nm 포토레지스트 시장을 분석합니다. 북미와 유럽은 정부 이니셔티브와 수요자 인식 제고에 힘입어 꾸준한 성장세를 보이고 있습니다. 아시아 태평양, 특히 중국은 탄탄한 내수 수요와 지원 정책, 강력한 제조 기반을 바탕으로 글로벌 13.5nm 포토레지스트 시장을 주도하고 있습니다.
[주요 특징]
본 보고서는 13.5nm 포토레지스트 시장에 대한 포괄적인 이해를 제공합니다. 본 보고서는 산업에 대한 전체적인 관점과 개별 구성 요소 및 이해 관계자에 대한 자세한 통찰력을 제공합니다. 본 보고서는 13.5nm 포토레지스트 산업 내의 시장 역학, 동향, 과제 및 기회를 분석합니다. 또한, 거시적 관점에서 시장을 분석하는 것이 포함됩니다.
시장 규모 및 세분화: 본 보고서는 판매량, 매출 및 종류별 (예 : 건식 13.5nm 포토레지스트, 액체 13.5nm 포토레지스트)의 시장 점유율을 포함한 전체 시장 규모에 대한 데이터를 수집합니다.
산업 분석: 보고서는 정부 정책 및 규제, 기술 발전, 수요자 선호도, 시장 역학 등 광범위한 산업 동향을 분석합니다. 이 분석은 13.5nm 포토레지스트 시장에 영향을 미치는 주요 동인과 과제를 이해하는데 도움이 됩니다.
지역 분석: 본 보고서에는 지역 또는 국가 단위로 13.5nm 포토레지스트 시장을 조사하는 것이 포함됩니다. 보고서는 정부 인센티브, 인프라 개발, 경제 상황 및 수요자 행동과 같은 지역 요인을 분석하여 다양한 시장 내의 변화와 기회를 식별합니다.
시장 전망: 보고서는 수집된 데이터와 분석을 통해 13.5nm 포토레지스트 시장에 대한 미래 전망 및 예측을 다룹니다. 여기에는 시장 성장률 추정, 시장 수요 예측, 새로운 트렌드 파악 등이 포함될 수 있습니다. 본 보고서에는 13.5nm 포토레지스트에 대한 보다 세분화된 접근 방식도 포함됩니다.
기업 분석: 본 보고서는 13.5nm 포토레지스트 제조업체, 공급업체 및 기타 관련 업계 플레이어를 다룹니다. 이 분석에는 재무 성과, 시장 포지셔닝, 제품 포트폴리오, 파트너십 및 전략에 대한 조사가 포함됩니다.
수요자 분석: 보고서는 13.5nm 포토레지스트에 대한 수요자 행동, 선호도 및 태도에 대한 데이터를 다룹니다. 여기에는 설문 조사, 인터뷰 및 응용 분야별 (12인치 웨이퍼, 12인치 웨이퍼 이상)의 다양한 수요자 리뷰 및 피드백 분석이 포함될 수 있습니다.
기술 분석: 13.5nm 포토레지스트과 관련된 특정 기술을 다루는 보고서입니다. 13.5nm 포토레지스트 분야의 현재 상황 및 잠재적 미래 발전 가능성을 평가합니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 개별 기업, 공급업체 및 수요업체를 분석하여 13.5nm 포토레지스트 시장의 경쟁 환경에 대한 통찰력을 제공합니다. 이 분석은 시장 점유율, 경쟁 우위 및 업계 플레이어 간의 차별화 가능성을 이해하는 데 도움이 됩니다.
시장 검증: 본 보고서에는 설문 조사, 인터뷰 및 포커스 그룹과 같은 주요 조사를 통해 결과 및 예측을 검증하는 작업이 포함됩니다.
[시장 세분화]
13.5nm 포토레지스트 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
종류별 시장 세그먼트
– 건식 13.5nm 포토레지스트, 액체 13.5nm 포토레지스트
용도별 시장 세그먼트
– 12인치 웨이퍼, 12인치 웨이퍼 이상
주요 대상 기업
– TOK, Shin-Etsu Chemical, JSR
지역 분석은 다음을 포함합니다.
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 러시아, 이탈리아)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 인도, 동남아시아, 호주)
– 남미 (브라질, 아르헨티나, 콜롬비아)
– 중동 및 아프리카 (사우디아라비아, 아랍에미리트, 이집트, 남아프리카공화국)
본 조사 보고서는 아래 항목으로 구성되어 있습니다.
– 13.5nm 포토레지스트 제품 범위, 시장 개요, 시장 추정, 주의 사항 및 기준 연도를 설명합니다.
– 2019년부터 2024년까지 13.5nm 포토레지스트의 가격, 판매량, 매출 및 세계 시장 점유율과 함께 13.5nm 포토레지스트의 주요 제조업체를 프로파일링합니다.
– 13.5nm 포토레지스트 경쟁 상황, 판매량, 매출 및 주요 제조업체의 글로벌 시장 점유율이 상세하게 분석 됩니다.
– 13.5nm 포토레지스트 상세 데이터는 2019년부터 2030년까지 지역별 판매량, 소비금액 및 성장성을 보여주기 위해 지역 레벨로 표시됩니다.
– 2019년부터 2030년까지 판매량 시장 점유율 및 성장률을 종류별, 용도별로 분류합니다.
– 2017년부터 2023년까지 세계 주요 국가의 판매량, 소비금액 및 시장 점유율과 함께 국가 레벨로 판매 데이터를 분류하고, 2025년부터 2030년까지 판매량 및 매출과 함께 지역, 종류 및 용도별로 13.5nm 포토레지스트 시장 예측을 수행합니다.
– 시장 역학, 성장요인, 저해요인, 동향 및 포터의 다섯 가지 힘 분석.
– 주요 원자재 및 주요 공급 업체, 13.5nm 포토레지스트의 산업 체인.
– 13.5nm 포토레지스트 판매 채널, 유통 업체, 고객(수요기업), 조사 결과 및 결론을 설명합니다.
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■ 보고서 목차■ 시장 개요 ■ 제조업체 프로필 TOK Shin-Etsu Chemical JSR ■ 제조업체간 경쟁 환경 ■ 지역별 소비 분석 ■ 종류별 시장 세분화 ■ 용도별 시장 세분화 ■ 북미 ■ 유럽 ■ 아시아 태평양 ■ 남미 ■ 중동 및 아프리카 ■ 시장 역학 ■ 원자재 및 산업 체인 ■ 유통 채널별 출하량 ■ 조사 결과 [그림 목록]- 13.5nm 포토레지스트 이미지 - 종류별 세계의 13.5nm 포토레지스트 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 종류별 세계의 13.5nm 포토레지스트 소비 금액 시장 점유율 - 용도별 세계의 13.5nm 포토레지스트 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 용도별 세계의 13.5nm 포토레지스트 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 13.5nm 포토레지스트 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 세계의 13.5nm 포토레지스트 소비 금액 및 예측 (2019-2030) - 세계의 13.5nm 포토레지스트 판매량 (2019-2030) - 세계의 13.5nm 포토레지스트 평균 가격 (2019-2030) - 2023년 제조업체별 세계의 13.5nm 포토레지스트 판매량 시장 점유율 - 2023년 제조업체별 세계의 13.5nm 포토레지스트 소비 금액 시장 점유율 - 2023년 상위 3개 13.5nm 포토레지스트 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 2023년 상위 6개 13.5nm 포토레지스트 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 지역별 13.5nm 포토레지스트 판매량 시장 점유율 - 지역별 13.5nm 포토레지스트 소비 금액 시장 점유율 - 북미 13.5nm 포토레지스트 소비 금액 - 유럽 13.5nm 포토레지스트 소비 금액 - 아시아 태평양 13.5nm 포토레지스트 소비 금액 - 남미 13.5nm 포토레지스트 소비 금액 - 중동 및 아프리카 13.5nm 포토레지스트 소비 금액 - 세계의 종류별 13.5nm 포토레지스트 판매량 시장 점유율 - 세계의 종류별 13.5nm 포토레지스트 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 종류별 13.5nm 포토레지스트 평균 가격 - 세계의 용도별 13.5nm 포토레지스트 판매량 시장 점유율 - 세계의 용도별 13.5nm 포토레지스트 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 용도별 13.5nm 포토레지스트 평균 가격 - 북미 13.5nm 포토레지스트 종류별 판매량 시장 점유율 - 북미 13.5nm 포토레지스트 용도별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 13.5nm 포토레지스트 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 13.5nm 포토레지스트 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 미국 13.5nm 포토레지스트 소비 금액 및 성장률 - 캐나다 13.5nm 포토레지스트 소비 금액 및 성장률 - 멕시코 13.5nm 포토레지스트 소비 금액 및 성장률 - 유럽 13.5nm 포토레지스트 종류별 판매량 시장 점유율 - 유럽 13.5nm 포토레지스트 용도별 판매량 시장 점유율 - 유럽 13.5nm 포토레지스트 국가별 판매량 시장 점유율 - 유럽 13.5nm 포토레지스트 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 독일 13.5nm 포토레지스트 소비 금액 및 성장률 - 프랑스 13.5nm 포토레지스트 소비 금액 및 성장률 - 영국 13.5nm 포토레지스트 소비 금액 및 성장률 - 러시아 13.5nm 포토레지스트 소비 금액 및 성장률 - 이탈리아 13.5nm 포토레지스트 소비 금액 및 성장률 - 아시아 태평양 13.5nm 포토레지스트 종류별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 13.5nm 포토레지스트 용도별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 13.5nm 포토레지스트 지역별 판매 수량 시장 점유율 - 아시아 태평양 13.5nm 포토레지스트 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 중국 13.5nm 포토레지스트 소비 금액 및 성장률 - 일본 13.5nm 포토레지스트 소비 금액 및 성장률 - 한국 13.5nm 포토레지스트 소비 금액 및 성장률 - 인도 13.5nm 포토레지스트 소비 금액 및 성장률 - 동남아시아 13.5nm 포토레지스트 소비 금액 및 성장률 - 호주 13.5nm 포토레지스트 소비 금액 및 성장률 - 남미 13.5nm 포토레지스트 종류별 판매량 시장 점유율 - 남미 13.5nm 포토레지스트 용도별 판매량 시장 점유율 - 남미 13.5nm 포토레지스트 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 남미 13.5nm 포토레지스트 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 브라질 13.5nm 포토레지스트 소비 금액 및 성장률 - 아르헨티나 13.5nm 포토레지스트 소비 금액 및 성장률 - 중동 및 아프리카 13.5nm 포토레지스트 종류별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 13.5nm 포토레지스트 용도별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 13.5nm 포토레지스트 지역별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 13.5nm 포토레지스트 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 터키 13.5nm 포토레지스트 소비 금액 및 성장률 - 이집트 13.5nm 포토레지스트 소비 금액 및 성장률 - 사우디 아라비아 13.5nm 포토레지스트 소비 금액 및 성장률 - 남아프리카 공화국 13.5nm 포토레지스트 소비 금액 및 성장률 - 13.5nm 포토레지스트 시장 성장 요인 - 13.5nm 포토레지스트 시장 제약 요인 - 13.5nm 포토레지스트 시장 동향 - 포터의 다섯 가지 힘 분석 - 2023년 13.5nm 포토레지스트의 제조 비용 구조 분석 - 13.5nm 포토레지스트의 제조 공정 분석 - 13.5nm 포토레지스트 산업 체인 - 직접 채널 장단점 - 간접 채널 장단점 - 방법론 - 조사 프로세스 및 데이터 소스 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 ## 13.5nm 포토레지스트: 극자외선 리소그래피의 핵심 물질 13.5nm 포토레지스트는 현대 반도체 제조 기술의 정점이라 할 수 있는 극자외선(EUV, Extreme Ultraviolet) 리소그래피 공정에서 핵심적인 역할을 수행하는 감광성 고분자 물질입니다. 반도체 칩의 집적도를 비약적으로 향상시키는 EUV 기술의 발전과 더불어, 이러한 초미세 패턴을 구현하기 위한 포토레지스트의 중요성은 더욱 커지고 있습니다. 본 글에서는 13.5nm 포토레지스트의 개념과 특징, 그리고 관련 기술 동향에 대해 상세히 설명하고자 합니다. **13.5nm 포토레지스트의 정의 및 작동 원리** 포토레지스트는 빛에 반응하여 그 화학적 성질이 변하는 물질을 의미합니다. 반도체 제조 공정에서는 이 포토레지스트를 웨이퍼 표면에 얇게 도포한 후, 설계된 회로 패턴이 새겨진 마스크를 통과한 빛을 조사하게 됩니다. 빛을 받은 부분의 포토레지스트는 용해도 등 화학적 성질이 변하며, 이후 현상액을 이용하여 빛을 받은 부분 또는 받지 않은 부분을 선택적으로 제거함으로써 웨이퍼 상에 미세한 패턴을 형성하게 됩니다. 여기서 '13.5nm'라는 숫자는 포토레지스트가 반응하는 빛의 파장, 즉 극자외선(EUV)의 파장을 나타냅니다. 기존의 불화크립톤(KrF)이나 불화아르곤(ArF) 광원 리소그래피에서 사용되는 파장보다 훨씬 짧은 13.5nm의 EUV 광원은 매우 높은 에너지를 가지며, 이를 통해 기존 리소그래피 기술로는 구현하기 어려운 수십 나노미터 이하의 초미세 패턴을 정밀하게 형성할 수 있습니다. 13.5nm 포토레지스트는 EUV 광원과의 상호작용을 통해 화학적 변화를 일으키도록 설계되었습니다. 일반적으로 포토레지스트는 감광제(photoactive compound, PAC)와 고분자 수지(polymer resin)로 구성됩니다. EUV 광원이 포토레지스트에 조사되면, PAC는 광화학 반응을 일으켜 산(acid)을 생성합니다. 이 산은 촉매 역할을 하여 고분자 수지의 특정 부분을 분해하거나 가교시키는 등 화학적 구조를 변화시킵니다. 이러한 변화는 현상액에 대한 용해도를 결정하게 됩니다. **13.5nm 포토레지스트의 특징** 13.5nm 포토레지스트는 기존 포토레지스트와는 구별되는 몇 가지 중요한 특징을 가집니다. * **초고감도 및 고해상도:** EUV 광원은 매우 높은 에너지 밀도를 가지지만, 광원 자체의 강도가 상대적으로 약하고 광학계에서의 손실이 크기 때문에 포토레지스트는 매우 높은 감도를 가져야 합니다. 즉, 적은 양의 EUV 광원 조사만으로도 충분한 화학적 변화를 일으켜 선명한 패턴을 구현해야 합니다. 또한, 13.5nm의 짧은 파장을 이용하여 극히 미세한 패턴을 형성해야 하므로, 포토레지스트 자체의 해상도 역시 뛰어나야 합니다. 이는 포토레지스트 입자의 크기, 고분자 사슬의 길이 및 균일도, 감광제의 분포 등 다양한 요인에 의해 결정됩니다. * **낮은 산 확산(Low Acid Diffusion):** EUV 광원에 의해 생성된 산은 포토레지스트 내에서 확산될 수 있습니다. 이 산 확산이 심할수록 패턴의 선명도가 저하되고 해상도가 떨어지게 됩니다. 따라서 13.5nm 포토레지스트는 산 확산을 최소화하도록 설계되어야 합니다. 이를 위해 다양한 첨가제를 사용하거나 고분자 수지의 구조를 변형하는 연구가 활발히 진행되고 있습니다. * **낮은 측벽 거칠기(Low Sidewall Roughness):** 형성되는 패턴의 측면이 매끄러울수록 전기적 특성이 안정적이고 성능이 우수합니다. EUV 리소그래피를 통해 구현되는 초미세 패턴의 경우, 미세한 측벽 거칠기 또한 성능 저하의 원인이 될 수 있습니다. 따라서 13.5nm 포토레지스트는 거칠기가 낮은 패턴을 구현할 수 있도록 설계되어야 합니다. 이는 포토레지스트의 조성, 현상 공정 조건 등과 밀접한 관련이 있습니다. * **우수한 균일성:** 웨이퍼 전체에 걸쳐 균일한 두께와 성능을 유지하는 것이 중요합니다. 불균일한 코팅이나 성능은 칩의 수율에 직접적인 영향을 미치므로, 13.5nm 포토레지스트는 높은 공정 안정성을 가져야 합니다. * **안정적인 광화학 반응:** EUV 광원은 공기 중의 산소와 수분에 의해 흡수되므로 진공 환경에서 사용됩니다. 또한, EUV 광원은 열 발생 효과가 상대적으로 적어 상온에서도 안정적인 광화학 반응을 일으킬 수 있도록 설계되어야 합니다. **13.5nm 포토레지스트의 종류** 13.5nm 포토레지스트는 주로 화학 증폭형(chemically amplified resist, CAR) 방식을 따릅니다. 화학 증폭형 포토레지스트는 EUV 광원에 의해 생성된 소량의 산이 촉매 역할을 하여 많은 수의 고분자 사슬을 변화시키는 방식으로, 낮은 광량으로도 높은 감도를 얻을 수 있다는 장점이 있습니다. 화학 증폭형 포토레지스트는 크게 두 가지 종류로 나눌 수 있습니다. * **저분자량 포토레지스트 (Low-Molecular-Weight Photoresist):** 과거에는 저분자량 포토레지스트도 연구되었으나, EUV 리소그래피에서는 주로 고분자 기반의 포토레지스트가 사용됩니다. * **고분자 기반 포토레지스트 (Polymer-Based Photoresist):** 현재 대부분의 13.5nm 포토레지스트는 고분자 수지를 기반으로 합니다. 이 고분자는 빛에 의해 생성된 산과 반응하여 가용성 작용기(solubilizing group)를 생성하거나, 반대로 불용성 작용기(insolubilizing group)를 생성하도록 설계됩니다. * **양성 레지스트 (Positive Resist):** 빛을 받은 부분이 현상액에 녹는 방식입니다. 일반적으로 산이 고분자 수지의 보호기를 제거하여 용해성을 높이는 방식으로 작동합니다. * **음성 레지스트 (Negative Resist):** 빛을 받지 않은 부분이 현상액에 녹는 방식입니다. 일반적으로 산이 고분자 사슬 간의 가교를 유도하여 불용성으로 만드는 방식으로 작동합니다. 최근에는 고분자 기반 포토레지스트의 성능 향상을 위해 다양한 새로운 고분자 구조와 감광제 시스템이 개발되고 있습니다. 예를 들어, 금속 산화물 나노입자를 활용하여 EUV 광 흡수율과 해상도를 높이려는 연구, 또는 특정 화학 구조를 가진 고분자를 설계하여 산 확산을 억제하고 측벽 거칠기를 개선하려는 연구 등이 진행 중입니다. **13.5nm 포토레지스트와 관련 기술 동향** 13.5nm 포토레지스트는 EUV 리소그래피 기술의 성공적인 구현을 위한 필수적인 요소이며, 관련 기술은 빠르게 발전하고 있습니다. * **신규 포토레지스트 소재 개발:** 현재 사용되는 포토레지스트들은 목표하는 성능 수준을 충족시키기 위해 지속적으로 개선되고 있습니다. 특히, 산 확산 억제, 측벽 거칠기 개선, 감도 향상 등에 초점을 맞춘 연구가 진행 중입니다. 이를 위해 새로운 고분자 단량체(monomer)의 설계, 다양한 첨가제의 개발, 그리고 유기 금속 착물 기반의 새로운 감광 시스템 개발 등이 이루어지고 있습니다. 또한, 용매 기반의 기존 포토레지스트 대신 새로운 용매 시스템을 사용하거나, 용매 증발 현상을 제어하여 균일도를 높이는 기술도 중요하게 다루어지고 있습니다. * **패턴 형성 공정 최적화:** 포토레지스트 자체의 성능뿐만 아니라, 포토레지스트를 도포하고 현상하는 공정 또한 패턴 형성에 매우 중요합니다. 스핀 코팅(spin coating) 및 증착(coating) 기술의 정밀도 향상, 현상액의 조성 및 현상 시간 최적화, 그리고 열처리(post-exposure bake, PEB) 공정 조건의 정밀 제어 등을 통해 포토레지스트의 성능을 극대화하는 연구가 진행되고 있습니다. * **다층 포토레지스트 (Multilayer Photoresist) 시스템:** 수십 나노미터 이하의 초미세 패턴을 구현하기 위해 단일 포토레지스트로는 한계가 있을 수 있습니다. 이러한 경우, 여러 층의 포토레지스트를 쌓아 올리는 다층 포토레지스트 시스템이 활용될 수 있습니다. 하부 층에서 패턴을 형성하고, 이를 복제하여 상부 층에 미세한 패턴을 전사하는 방식으로, 각 층은 서로 다른 특성을 갖도록 설계됩니다. * **이론적 모델링 및 시뮬레이션:** 포토레지스트의 화학적 반응 메커니즘을 이해하고, 최적의 포토레지스트 소재 및 공정 조건을 예측하기 위해 이론적 모델링 및 시뮬레이션 기술이 적극적으로 활용됩니다. 이를 통해 실험 횟수를 줄이고 개발 효율성을 높일 수 있습니다. **결론** 13.5nm 포토레지스트는 EUV 리소그래피 기술의 발전과 함께 반도체 제조 산업의 혁신을 이끌고 있는 핵심 소재입니다. 초고감도, 고해상도, 낮은 산 확산, 우수한 측벽 거칠기 등의 요구사항을 충족시키기 위한 끊임없는 연구 개발이 이루어지고 있으며, 이는 미래 첨단 반도체 칩의 성능과 집적도를 결정하는 중요한 요소가 될 것입니다. 앞으로도 13.5nm 포토레지스트 관련 기술은 더욱 발전하여 차세대 반도체 기술의 발전에 크게 기여할 것으로 기대됩니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 13.5nm 포토레지스트 시장 2024 : 기업, 종류, 용도, 시장예측] (코드 : GIR2406C0829) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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