| ■ 영문 제목 : GaN Isolated Gate Drivers Market, Global Outlook and Forecast 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : MONT2408K4340 ■ 조사/발행회사 : Market Monitor Global ■ 발행일 : 2024년 8월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자＆반도체 |
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본 조사 보고서는 현재 동향, 시장 역학 및 미래 전망에 초점을 맞춰, GaN 절연 게이트 드라이버 시장에 대한 포괄적인 분석을 제공합니다. 본 보고서는 북미, 유럽, 아시아 태평양 및 신흥 시장과 같은 주요 지역을 포함한 전 세계 GaN 절연 게이트 드라이버 시장을 대상으로 합니다. 또한 GaN 절연 게이트 드라이버의 성장을 주도하는 주요 요인, 업계가 직면한 과제 및 시장 참여자를 위한 잠재적 기회도 기재합니다.
글로벌 GaN 절연 게이트 드라이버 시장은 최근 몇 년 동안 환경 문제, 정부 인센티브 및 기술 발전의 증가로 인해 급속한 성장을 목격했습니다. GaN 절연 게이트 드라이버 시장은 전원 공급 장치, 태양광 인버터, 자동차 파워 일렉트로닉스, 기타를 포함한 다양한 이해 관계자에게 기회를 제공합니다. 민간 부문과 정부 간의 협력은 GaN 절연 게이트 드라이버 시장에 대한 지원 정책, 연구 개발 노력 및 투자를 가속화 할 수 있습니다. 또한 증가하는 소비자 수요는 시장 확장의 길을 제시합니다.
글로벌 GaN 절연 게이트 드라이버 시장은 2023년에 미화 XXX백만 달러로 조사되었으며 2030년까지 미화 XXX백만 달러에 도달할 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 XXX%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.
[주요 특징]
GaN 절연 게이트 드라이버 시장에 대한 조사 보고서에는 포괄적인 통찰력을 제공하고 이해 관계자의 의사 결정을 용이하게하는 몇 가지 주요 항목이 포함되어 있습니다.
요약 : 본 보고서는 GaN 절연 게이트 드라이버 시장의 주요 결과, 시장 동향 및 주요 통찰력에 대한 개요를 제공합니다.
시장 개요: 본 보고서는 GaN 절연 게이트 드라이버 시장의 정의, 역사적 추이, 현재 시장 규모를 포함한 포괄적인 개요를 제공합니다. 종류(예: 단일 채널 게이트 드라이버, 하프 브리지 게이트 드라이버, 풀 브리지 게이트 드라이버, 삼상 게이트 드라이버, 기타), 지역 및 용도별로 시장을 세분화하여 각 세그먼트 내의 주요 동인, 과제 및 기회를 중점적으로 다룹니다.
시장 역학: 본 보고서는 GaN 절연 게이트 드라이버 시장의 성장과 발전을 주도하는 시장 역학을 분석합니다. 본 보고서에는 정부 정책 및 규정, 기술 발전, 소비자 동향 및 선호도, 인프라 개발, 업계 협력에 대한 평가가 포함되어 있습니다. 이 분석은 이해 관계자가 GaN 절연 게이트 드라이버 시장의 궤적에 영향을 미치는 요인을 이해하는데 도움이됩니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 GaN 절연 게이트 드라이버 시장내 경쟁 환경에 대한 심층 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 시장 플레이어의 프로필, 시장 점유율, 전략, 제품 포트폴리오 및 최근 동향이 포함됩니다.
시장 세분화 및 예측: 본 보고서는 종류, 지역 및 용도와 같은 다양한 매개 변수를 기반으로 GaN 절연 게이트 드라이버 시장을 세분화합니다. 정량적 데이터 및 분석을 통해 각 세그먼트의 시장 규모와 성장 예측을 제공합니다. 이를 통해 이해 관계자가 성장 기회를 파악하고 정보에 입각한 투자 결정을 내릴 수 있습니다.
기술 동향: 본 보고서는 주요기술의 발전과 새로운 대체품 등 GaN 절연 게이트 드라이버 시장을 형성하는 주요 기술 동향을 강조합니다. 이러한 트렌드가 시장 성장, 채택률, 소비자 선호도에 미치는 영향을 분석합니다.
시장 과제와 기회: 본 보고서는 기술적 병목 현상, 비용 제한, 높은 진입 장벽 등 GaN 절연 게이트 드라이버 시장이 직면한 주요 과제를 파악하고 분석합니다. 또한 정부 인센티브, 신흥 시장, 이해관계자 간의 협업 등 시장 성장의 기회에 대해서도 강조합니다.
규제 및 정책 분석: 본 보고서는 정부 인센티브, 배출 기준, 인프라 개발 계획 등 GaN 절연 게이트 드라이버에 대한 규제 및 정책 환경을 평가합니다. 이러한 정책이 시장 성장에 미치는 영향을 분석하고 향후 규제 동향에 대한 인사이트를 제공합니다.
권장 사항 및 결론: 본 보고서는 소비자, 정책 입안자, 투자자, 인프라 제공업체 등 이해관계자를 위한 실행 가능한 권고 사항으로 마무리합니다. 이러한 권장 사항은 조사 결과를 바탕으로 GaN 절연 게이트 드라이버 시장의 주요 과제와 기회를 해결할 수 있습니다.
참고 데이터 및 부록: 보고서에는 분석 및 조사 결과를 입증하기 위한 보조 데이터, 차트, 그래프가 포함되어 있습니다. 또한 데이터 소스, 설문조사, 상세한 시장 예측과 같은 추가 세부 정보가 담긴 부록도 포함되어 있습니다.
[시장 세분화]
GaN 절연 게이트 드라이버 시장은 종류별 및 용도별로 세분화됩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
■ 종류별 시장 세그먼트
– 단일 채널 게이트 드라이버, 하프 브리지 게이트 드라이버, 풀 브리지 게이트 드라이버, 삼상 게이트 드라이버, 기타
■ 용도별 시장 세그먼트
– 전원 공급 장치, 태양광 인버터, 자동차 파워 일렉트로닉스, 기타
■ 지역별 및 국가별 글로벌 GaN 절연 게이트 드라이버 시장 점유율, 2023년(%)
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 아시아 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도)
– 남미 (브라질, 아르헨티나)
– 중동 및 아프리카 (터키, 이스라엘, 사우디 아라비아, UAE)
■ 주요 업체
– Skyworks、Analog Devices、Texas instruments、Allegro、Teledyne e2v HiRel、Broadcom
[주요 챕터의 개요]
1 장 : GaN 절연 게이트 드라이버의 정의, 시장 개요를 소개
2 장 : 매출 및 판매량을 기준으로한 글로벌 GaN 절연 게이트 드라이버 시장 규모
3 장 : GaN 절연 게이트 드라이버 제조업체 경쟁 환경, 가격, 판매량 및 매출 시장 점유율, 최신 동향, M&A 정보 등에 대한 자세한 분석
4 장 : 종류별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
5 장 : 용도별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
6 장 : 지역 및 국가별 GaN 절연 게이트 드라이버 판매량. 각 지역 및 주요 국가의 시장 규모와 성장 잠재력에 대한 정량적 분석을 제공. 세계 각국의 시장 개발, 향후 개발 전망, 시장 기회을 소개
7 장 : 주요 업체의 프로필을 제공. 제품 판매, 매출, 가격, 총 마진, 제품 소개, 최근 동향 등 시장 내 주요 업체의 기본 상황을 자세히 소개
8 장 : 지역별 및 국가별 글로벌 GaN 절연 게이트 드라이버 시장규모
9 장 : 시장 역학, 시장의 최신 동향, 시장의 추진 요인 및 제한 요인, 업계내 업체가 직면한 과제 및 리스크, 업계의 관련 정책 분석을 소개
10 장 : 산업의 업 스트림 및 다운 스트림을 포함한 산업 체인 분석
11 장 : 보고서의 주요 요점 및 결론
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차1. 조사 및 분석 보고서 소개 2. 글로벌 GaN 절연 게이트 드라이버 전체 시장 규모 3. 기업 환경 4. 종류별 시장 분석 5. 용도별 시장 분석 6. 지역별 시장 분석 7. 제조업체 및 브랜드 프로필 Skyworks、Analog Devices、Texas instruments、Allegro、Teledyne e2v HiRel、Broadcom Skyworks Analog Devices Texas instruments 8. 글로벌 GaN 절연 게이트 드라이버 생산 능력 분석 9. 주요 시장 동향, 기회, 동인 및 제약 요인 10. GaN 절연 게이트 드라이버 공급망 분석 11. 결론 [그림 목록]- 종류별 GaN 절연 게이트 드라이버 세그먼트, 2023년 - 용도별 GaN 절연 게이트 드라이버 세그먼트, 2023년 - 글로벌 GaN 절연 게이트 드라이버 시장 개요, 2023년 - 글로벌 GaN 절연 게이트 드라이버 시장 규모: 2023년 VS 2030년 - 글로벌 GaN 절연 게이트 드라이버 매출, 2019-2030 - 글로벌 GaN 절연 게이트 드라이버 판매량: 2019-2030 - GaN 절연 게이트 드라이버 매출 기준 상위 3개 및 5개 업체 시장 점유율, 2023년 - 글로벌 종류별 GaN 절연 게이트 드라이버 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 종류별 GaN 절연 게이트 드라이버 매출 시장 점유율 - 글로벌 종류별 GaN 절연 게이트 드라이버 판매량 시장 점유율 - 글로벌 종류별 GaN 절연 게이트 드라이버 가격 - 글로벌 용도별 GaN 절연 게이트 드라이버 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 용도별 GaN 절연 게이트 드라이버 매출 시장 점유율 - 글로벌 용도별 GaN 절연 게이트 드라이버 판매량 시장 점유율 - 글로벌 용도별 GaN 절연 게이트 드라이버 가격 - 지역별 GaN 절연 게이트 드라이버 매출, 2023년 VS 2030년 - 지역별 GaN 절연 게이트 드라이버 매출 시장 점유율 - 지역별 GaN 절연 게이트 드라이버 매출 시장 점유율 - 지역별 GaN 절연 게이트 드라이버 판매량 시장 점유율 - 북미 국가별 GaN 절연 게이트 드라이버 매출 시장 점유율 - 북미 국가별 GaN 절연 게이트 드라이버 판매량 시장 점유율 - 미국 GaN 절연 게이트 드라이버 시장규모 - 캐나다 GaN 절연 게이트 드라이버 시장규모 - 멕시코 GaN 절연 게이트 드라이버 시장규모 - 유럽 국가별 GaN 절연 게이트 드라이버 매출 시장 점유율 - 유럽 국가별 GaN 절연 게이트 드라이버 판매량 시장 점유율 - 독일 GaN 절연 게이트 드라이버 시장규모 - 프랑스 GaN 절연 게이트 드라이버 시장규모 - 영국 GaN 절연 게이트 드라이버 시장규모 - 이탈리아 GaN 절연 게이트 드라이버 시장규모 - 러시아 GaN 절연 게이트 드라이버 시장규모 - 아시아 지역별 GaN 절연 게이트 드라이버 매출 시장 점유율 - 아시아 지역별 GaN 절연 게이트 드라이버 판매량 시장 점유율 - 중국 GaN 절연 게이트 드라이버 시장규모 - 일본 GaN 절연 게이트 드라이버 시장규모 - 한국 GaN 절연 게이트 드라이버 시장규모 - 동남아시아 GaN 절연 게이트 드라이버 시장규모 - 인도 GaN 절연 게이트 드라이버 시장규모 - 남미 국가별 GaN 절연 게이트 드라이버 매출 시장 점유율 - 남미 국가별 GaN 절연 게이트 드라이버 판매량 시장 점유율 - 브라질 GaN 절연 게이트 드라이버 시장규모 - 아르헨티나 GaN 절연 게이트 드라이버 시장규모 - 중동 및 아프리카 국가별 GaN 절연 게이트 드라이버 매출 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 국가별 GaN 절연 게이트 드라이버 판매량 시장 점유율 - 터키 GaN 절연 게이트 드라이버 시장규모 - 이스라엘 GaN 절연 게이트 드라이버 시장규모 - 사우디 아라비아 GaN 절연 게이트 드라이버 시장규모 - 아랍에미리트 GaN 절연 게이트 드라이버 시장규모 - 글로벌 GaN 절연 게이트 드라이버 생산 능력 - 지역별 GaN 절연 게이트 드라이버 생산량 비중, 2023년 VS 2030년 - GaN 절연 게이트 드라이버 산업 가치 사슬 - 마케팅 채널 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 **질화갈륨(GaN) 절연 게이트 드라이버의 개념** 질화갈륨(Gallium Nitride, GaN)은 차세대 반도체 소재로, 기존의 실리콘(Si) 기반 반도체를 뛰어넘는 우수한 특성을 지니고 있어 고성능 전력 변환 장치에 대한 수요 증가와 함께 그 중요성이 더욱 커지고 있습니다. 특히 GaN 소재의 빠른 스위칭 속도, 낮은 온저항, 높은 항복 전압 등의 장점을 효율적으로 활용하기 위해서는 이를 구동하는 게이트 드라이버의 역할이 매우 중요하며, 절연이 요구되는 애플리케이션에서는 GaN 절연 게이트 드라이버가 필수적으로 사용됩니다. GaN 절연 게이트 드라이버는 기본적으로 GaN 기반의 스위칭 소자, 예를 들어 GaN FET이나 GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)를 효율적이고 안전하게 제어하기 위해 고전압 측과 저전압 측 사이에 전기적 절연을 제공하는 회로입니다. 이러한 절연은 시스템의 안정성과 신뢰성을 확보하는 데 결정적인 역할을 합니다. 고전압 측의 스위칭 노드는 수백 볼트에서 수 킬로볼트까지 매우 높은 전압을 가지는 경우가 많으므로, 제어 신호를 보내는 저전압 측 회로로부터 전기적으로 분리하여 인명 사고나 장비 손상을 방지해야 합니다. GaN 드라이버는 이러한 요구 사항을 만족시키면서도 GaN 소자 본연의 고속 스위칭 특성을 최대한 발휘할 수 있도록 설계됩니다. GaN 절연 게이트 드라이버의 주요 특징은 다음과 같습니다. 첫째, 매우 빠른 스위칭 속도입니다. GaN 소자는 수 나노초(ns) 단위의 매우 짧은 게이트 충방전 시간을 가지므로, 이를 지원하기 위한 드라이버 역시 나노초 단위의 응답 속도를 가져야 합니다. 둘째, 낮은 게이트 구동 전력 소모입니다. GaN 소자의 게이트 용량은 실리콘 기반 소자에 비해 상대적으로 작지만, 고주파 스위칭 시 발생하는 게이트 충방전 손실은 여전히 무시할 수 없습니다. 효율적인 드라이버는 이러한 손실을 최소화하여 전체 시스템 효율을 높입니다. 셋째, 높은 절연 강도입니다. 고전압 측과 저전압 측 간의 전기적 절연은 필수적이며, 이는 사용되는 절연 기술에 따라 요구되는 절연 전압이 달라집니다. 넷째, 넓은 온도 범위에서의 안정적인 동작입니다. 전력 변환 장치는 종종 가혹한 환경에서 동작하므로, 드라이버 역시 넓은 온도 범위에서 안정적인 성능을 유지해야 합니다. 다섯째, 소형화 및 집적화입니다. 최근에는 전력 변환 시스템의 크기를 줄이기 위한 노력이 계속됨에 따라, 드라이버 역시 고집적화 및 소형화되는 추세입니다. GaN 절연 게이트 드라이버는 사용되는 절연 방식에 따라 크게 두 가지 종류로 나눌 수 있습니다. 하나는 자기 절연 방식(Magnetic Isolation)으로, 트랜스포머(Transformer)를 이용하여 신호와 전력을 절연하는 방식입니다. 고주파 변압기를 사용하면 게이트 신호와 함께 전력까지 효율적으로 전달할 수 있어 별도의 절연 전원 공급 장치가 필요 없다는 장점이 있습니다. 이 방식은 비교적 높은 절연 전압과 넓은 작동 범위를 제공할 수 있으며, 높은 시스템 효율을 달성하는 데 유리합니다. 다른 하나는 광 절연 방식(Optical Isolation)으로, 포토커플러(Photocoupler)를 이용하여 빛으로 신호를 전달하고 절연하는 방식입니다. 광 절연 방식은 전기적 잡음에 강하고 높은 절연 강도를 제공하는 것으로 알려져 있습니다. 하지만 일반적으로 자기 절연 방식에 비해 속도나 효율 측면에서 다소 제약이 있을 수 있습니다. 최근에는 이 두 가지 방식을 결합하거나, 캐패시터(Capacitor)를 이용한 용량성 절연(Capacitive Isolation) 방식을 활용하는 등 다양한 절연 기술이 연구 및 적용되고 있습니다. 특히, 자기 절연 방식에서는 코어리스(coreless) 변압기나 마이크로 트랜스포머와 같은 최신 기술들이 GaN 드라이버의 고속화 및 소형화에 기여하고 있습니다. GaN 절연 게이트 드라이버의 주요 용도는 다양합니다. 가장 대표적인 분야는 고효율 전력 공급 장치(Power Supply Units, PSUs)입니다. 서버, 통신 장비, 데이터 센터 등에서 사용되는 고효율 파워 서플라이는 GaN 소자와 절연 드라이버를 통해 에너지 손실을 줄이고 시스템의 효율을 극대화합니다. 또한, 전기 자동차(EV)의 온보드 충전기(On-Board Charger, OBC), DC-DC 컨버터, 인버터 등의 전력 변환 시스템에도 널리 적용됩니다. GaN의 고속 스위칭 특성은 전기차의 충전 시간을 단축하고 에너지 효율을 높이는 데 크게 기여합니다. 태양광 발전 시스템의 인버터, 산업용 모터 드라이브, 고주파 유도 가열 장치 등에서도 GaN 절연 게이트 드라이버는 높은 효율과 성능을 제공하는 핵심 부품으로 활용됩니다. 특히, 높은 스위칭 주파수에서 동작하는 공진형 컨버터(Resonant Converter) 등에서도 GaN의 장점을 살리기 위한 절연 드라이버 기술이 중요하게 사용됩니다. GaN 절연 게이트 드라이버와 관련된 기술로는 게이트 바이어싱(Gate Biasing) 기술, 데드 타임(Dead Time) 제어 기술, 보호 회로 기술 등이 있습니다. GaN 소자는 특정 게이트 전압 범위에서 최적의 성능을 발휘하며, 이를 위해 정밀한 게이트 바이어싱이 필수적입니다. 적절한 게이트 전압은 소자의 ON-OFF 스위칭 특성을 최적화하고 과도한 손실을 방지합니다. 또한, 반도체 스위칭 회로에서는 두 개의 스위치가 동시에 켜지는 것을 방지하기 위해 데드 타임이라는 짧은 지연 시간을 두어야 합니다. GaN 소자의 빠른 스위칭 속도를 고려하여 데드 타임을 정밀하게 제어하는 기술은 시스템의 안정성과 효율에 큰 영향을 미칩니다. 과전류, 과전압, 과열 등으로부터 GaN 소자와 시스템을 보호하기 위한 다양한 보호 회로 기술 또한 절연 게이트 드라이버에 필수적으로 포함됩니다. 최근에는 GaN 드라이버의 성능을 더욱 높이기 위해 온칩(On-Chip)에 게이트 구동 회로, 보호 회로, 그리고 절연 기능을 통합하는 기술 개발이 활발히 진행되고 있습니다. 또한, GaN 스위칭 손실을 더욱 줄이기 위한 최적의 게이트 구동 파형 생성 기술, EMI(Electromagnetic Interference) 저감을 위한 설계 기술 등도 함께 발전하고 있습니다. 결론적으로, GaN 절연 게이트 드라이버는 GaN 반도체 소자의 잠재력을 최대한 발휘하게 하는 핵심 기술로서, 고효율 및 고성능 전력 변환 시스템의 구현에 필수적인 역할을 수행합니다. GaN 기술의 발전과 함께 절연 드라이버 기술 또한 지속적으로 발전하며, 차세대 전력 전자 기술의 발전을 이끌어 나갈 것으로 기대됩니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 GaN 절연 게이트 드라이버 시장예측 2024-2030] (코드 : MONT2408K4340) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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