| ■ 영문 제목 : Global SiC MOSFETs Market Growth 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : LPI2410G6284 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2024년 10월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
| Single User (1명 열람용) | USD3,660 ⇒환산￦4,941,000 | 견적의뢰/주문/질문 |
| Multi User (5명 열람용) | USD5,490 ⇒환산￦7,411,500 | 견적의뢰/주문/질문 |
| Corporate User (동일기업내 공유가능) | USD7,320 ⇒환산￦9,882,000 | 견적의뢰/구입/질문 |
|
※가격옵션 설명 - 납기는 즉일~2일소요됩니다. 3일이상 소요되는 경우는 별도표기 또는 연락드립니다. - 지불방법은 계좌이체/무통장입금 또는 카드결제입니다. |
LP Information (LPI)사의 최신 조사에 따르면, 글로벌 SiC MOSFET 시장 규모는 2023년에 미화 XXX백만 달러로 산출되었습니다. 다운 스트림 시장의 수요가 증가함에 따라 SiC MOSFET은 조사 대상 기간 동안 XXX%의 CAGR(연평균 성장율)로 2030년까지 미화 XXX백만 달러의 시장규모로 예상됩니다.
본 조사 보고서는 글로벌 SiC MOSFET 시장의 성장 잠재력을 강조합니다. SiC MOSFET은 향후 시장에서 안정적인 성장을 보일 것으로 예상됩니다. 그러나 제품 차별화, 비용 절감 및 공급망 최적화는 SiC MOSFET의 광범위한 채택을 위해 여전히 중요합니다. 시장 참여자들은 연구 개발에 투자하고, 전략적 파트너십을 구축하고, 진화하는 소비자 선호도에 맞춰 제품을 제공함으로써 SiC MOSFET 시장이 제공하는 막대한 기회를 활용해야 합니다.
[주요 특징]
SiC MOSFET 시장에 대한 보고서는 다양한 측면을 반영하고 업계에 대한 소중한 통찰력을 제공합니다.
시장 규모 및 성장: 본 조사 보고서는 SiC MOSFET 시장의 현재 규모와 성장에 대한 개요를 제공합니다. 여기에는 과거 데이터, 유형별 시장 세분화 (예 : 1200V 타입, 1700V 타입, 650V 타입, 기타) 및 지역 분류가 포함될 수 있습니다.
시장 동인 및 과제: 본 보고서는 정부 규제, 환경 문제, 기술 발전 및 소비자 선호도 변화와 같은 SiC MOSFET 시장의 성장을 주도하는 요인을 식별하고 분석 할 수 있습니다. 또한 인프라 제한, 범위 불안, 높은 초기 비용 등 업계가 직면한 과제를 강조할 수 있습니다.
경쟁 환경: 본 조사 보고서는 SiC MOSFET 시장 내 경쟁 환경에 대한 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 업체의 프로필, 시장 점유율, 전략 및 제공 제품이 포함됩니다. 본 보고서는 또한 신흥 플레이어와 시장에 대한 잠재적 영향을 강조할 수 있습니다.
기술 개발: 본 조사 보고서는 SiC MOSFET 산업의 최신 기술 개발에 대해 자세히 살펴볼 수 있습니다. 여기에는 SiC MOSFET 기술의 발전, SiC MOSFET 신규 진입자, SiC MOSFET 신규 투자, 그리고 SiC MOSFET의 미래를 형성하는 기타 혁신이 포함됩니다.
다운스트림 고객 선호도: 본 보고서는 SiC MOSFET 시장의 고객 구매 행동 및 채택 동향을 조명할 수 있습니다. 여기에는 고객의 구매 결정에 영향을 미치는 요인, SiC MOSFET 제품에 대한 선호도가 포함됩니다.
정부 정책 및 인센티브: 본 조사 보고서는 정부 정책 및 인센티브가 SiC MOSFET 시장에 미치는 영향을 분석합니다. 여기에는 규제 프레임워크, 보조금, 세금 인센티브 및 SiC MOSFET 시장을 촉진하기위한 기타 조치에 대한 평가가 포함될 수 있습니다. 본 보고서는 또한 이러한 정책이 시장 성장을 촉진하는데 미치는 효과도 분석합니다.
환경 영향 및 지속 가능성: 조사 보고서는 SiC MOSFET 시장의 환경 영향 및 지속 가능성 측면을 분석합니다.
시장 예측 및 미래 전망: 수행된 분석을 기반으로 본 조사 보고서는 SiC MOSFET 산업에 대한 시장 예측 및 전망을 제공합니다. 여기에는 시장 규모, 성장률, 지역 동향, 기술 발전 및 정책 개발에 대한 예측이 포함됩니다.
권장 사항 및 기회: 본 보고서는 업계 이해 관계자, 정책 입안자, 투자자를 위한 권장 사항으로 마무리됩니다. 본 보고서는 시장 참여자들이 새로운 트렌드를 활용하고, 도전 과제를 극복하며, SiC MOSFET 시장의 성장과 발전에 기여할 수 있는 잠재적 기회를 강조합니다.
[시장 세분화]
SiC MOSFET 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 수량 및 금액 측면에서 제공합니다.
*** 종류별 세분화 ***
1200V 타입, 1700V 타입, 650V 타입, 기타
*** 용도별 세분화 ***
PV 인버터 및 컨버터, 스마트 그리드, 하이브리드 전기 자동차 (HEV), 기타
본 보고서는 또한 시장을 지역별로 분류합니다:
– 미주 (미국, 캐나다, 멕시코, 브라질)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 호주)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 중동 및 아프리카 (이집트, 남아프리카 공화국, 이스라엘, 터키, GCC 국가)
아래 프로파일링 대상 기업은 주요 전문가로부터 수집한 정보를 바탕으로 해당 기업의 서비스 범위, 제품 포트폴리오, 시장 점유율을 분석하여 선정되었습니다.
STMicroelectronics、Microsemi、Wolfspeed、ROHM、Littelfuse、Infineon Technologies、ON Semiconductor
[본 보고서에서 다루는 주요 질문]
– 글로벌 SiC MOSFET 시장의 향후 10년 전망은 어떻게 될까요?
– 전 세계 및 지역별 SiC MOSFET 시장 성장을 주도하는 요인은 무엇입니까?
– 시장과 지역별로 가장 빠르게 성장할 것으로 예상되는 분야는 무엇인가요?
– 최종 시장 규모에 따라 SiC MOSFET 시장 기회는 어떻게 다른가요?
– SiC MOSFET은 종류, 용도를 어떻게 분류합니까?
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차■ 보고서의 범위 ■ 보고서의 요약 ■ 기업별 세계 SiC MOSFET 시장분석 ■ 지역별 SiC MOSFET에 대한 추이 분석 ■ 미주 시장 ■ 아시아 태평양 시장 ■ 유럽 시장 ■ 중동 및 아프리카 시장 ■ 시장 동인, 도전 과제 및 동향 ■ 제조 비용 구조 분석 ■ 마케팅, 유통업체 및 고객 ■ 지역별 SiC MOSFET 시장 예측 ■ 주요 기업 분석 STMicroelectronics、Microsemi、Wolfspeed、ROHM、Littelfuse、Infineon Technologies、ON Semiconductor – STMicroelectronics – Microsemi – Wolfspeed ■ 조사 결과 및 결론 [그림 목록]SiC MOSFET 이미지 SiC MOSFET 판매량 성장률 (2019-2030) 글로벌 SiC MOSFET 매출 성장률 (2019-2030) 지역별 SiC MOSFET 매출 (2019, 2023 및 2030) 글로벌 종류별 SiC MOSFET 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 종류별 SiC MOSFET 매출 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 용도별 SiC MOSFET 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 용도별 SiC MOSFET 매출 시장 점유율 기업별 SiC MOSFET 판매량 시장 2023 기업별 글로벌 SiC MOSFET 판매량 시장 점유율 2023 기업별 SiC MOSFET 매출 시장 2023 기업별 글로벌 SiC MOSFET 매출 시장 점유율 2023 지역별 글로벌 SiC MOSFET 판매량 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 SiC MOSFET 매출 시장 점유율 2023 미주 SiC MOSFET 판매량 (2019-2024) 미주 SiC MOSFET 매출 (2019-2024) 아시아 태평양 SiC MOSFET 판매량 (2019-2024) 아시아 태평양 SiC MOSFET 매출 (2019-2024) 유럽 SiC MOSFET 판매량 (2019-2024) 유럽 SiC MOSFET 매출 (2019-2024) 중동 및 아프리카 SiC MOSFET 판매량 (2019-2024) 중동 및 아프리카 SiC MOSFET 매출 (2019-2024) 미국 SiC MOSFET 시장규모 (2019-2024) 캐나다 SiC MOSFET 시장규모 (2019-2024) 멕시코 SiC MOSFET 시장규모 (2019-2024) 브라질 SiC MOSFET 시장규모 (2019-2024) 중국 SiC MOSFET 시장규모 (2019-2024) 일본 SiC MOSFET 시장규모 (2019-2024) 한국 SiC MOSFET 시장규모 (2019-2024) 동남아시아 SiC MOSFET 시장규모 (2019-2024) 인도 SiC MOSFET 시장규모 (2019-2024) 호주 SiC MOSFET 시장규모 (2019-2024) 독일 SiC MOSFET 시장규모 (2019-2024) 프랑스 SiC MOSFET 시장규모 (2019-2024) 영국 SiC MOSFET 시장규모 (2019-2024) 이탈리아 SiC MOSFET 시장규모 (2019-2024) 러시아 SiC MOSFET 시장규모 (2019-2024) 이집트 SiC MOSFET 시장규모 (2019-2024) 남아프리카 SiC MOSFET 시장규모 (2019-2024) 이스라엘 SiC MOSFET 시장규모 (2019-2024) 터키 SiC MOSFET 시장규모 (2019-2024) GCC 국가 SiC MOSFET 시장규모 (2019-2024) SiC MOSFET의 제조 원가 구조 분석 SiC MOSFET의 제조 공정 분석 SiC MOSFET의 산업 체인 구조 SiC MOSFET의 유통 채널 글로벌 지역별 SiC MOSFET 판매량 시장 전망 (2025-2030) 글로벌 지역별 SiC MOSFET 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 SiC MOSFET 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 SiC MOSFET 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 SiC MOSFET 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 SiC MOSFET 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 ## 실리콘 카바이드 MOSFET(SiC MOSFET)의 이해 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET은 기존의 실리콘(Si) 기반 전력 반도체보다 우수한 성능을 제공하는 차세대 전력 스위칭 소자입니다. SiC는 넓은 밴드갭, 높은 항복 전압, 우수한 열전도성 등 고유한 물성을 가지고 있어, Si MOSFET이 갖는 한계를 극복하고 고효율, 고밀도 전력 변환 시스템 구현에 필수적인 소재로 각광받고 있습니다. 본 내용은 SiC MOSFET의 개념을 중심으로 그 특징, 장점, 그리고 관련 기술들을 심도 있게 다루고자 합니다. SiC MOSFET의 핵심적인 장점은 다음과 같습니다. 첫째, **극도로 높은 항복 전압**입니다. SiC는 Si에 비해 약 10배 높은 항복 전압을 견딜 수 있습니다. 이는 동일한 전압 등급을 구현하기 위해 더 얇은 활성층 두께를 사용할 수 있다는 것을 의미하며, 결과적으로 소자의 온저항을 크게 낮추어 전력 손실을 줄이는 데 기여합니다. 둘째, **매우 낮은 온저항(On-resistance)**입니다. 앞서 언급한 얇은 활성층 두께와 더불어 SiC의 높은 전자 이동도 덕분에 Si MOSFET 대비 수십 배에서 수백 배까지 낮은 온저항을 구현할 수 있습니다. 이는 스위칭 시 발생하는 전력 손실과 도통 시 발생하는 열 발생을 최소화하여 시스템의 효율을 극대화합니다. 셋째, **고온 동작 능력**입니다. SiC는 Si보다 약 3배 높은 밴드갭 에너지를 가지므로, 고온에서도 전자의 여기(excitation)가 상대적으로 적어 누설 전류가 낮습니다. 이러한 특성은 소자를 더 높은 온도에서 안정적으로 동작시킬 수 있게 하며, 냉각 시스템의 부피와 비용을 절감하는 데 도움을 줍니다. 넷째, **높은 열전도성**입니다. SiC는 Si보다 약 3-4배 뛰어난 열전도성을 가지고 있어, 소자 내부에서 발생하는 열을 효과적으로 외부로 방출할 수 있습니다. 이는 소자의 신뢰성을 높이고 더 높은 전류 밀도를 가능하게 합니다. 이러한 우수한 물성으로 인해 SiC MOSFET은 기존 Si MOSFET 대비 여러 측면에서 탁월한 성능을 보입니다. 특히 **높은 에너지 효율**과 **크기 및 무게 감소**는 SiC MOSFET의 가장 큰 매력입니다. 낮은 온저항으로 인한 도통 손실 감소와 빠른 스위칭 속도로 인한 스위칭 손실 감소는 전체 시스템의 에너지 효율을 크게 향상시킵니다. 또한, 더 높은 스위칭 주파수에서도 효율 감소가 적어, 더 작은 수동 부품(커패시터, 인덕터 등)을 사용하여 전력 변환 장치의 크기와 무게를 획기적으로 줄일 수 있습니다. SiC MOSFET은 구조적으로 게이트 산화막, 채널 영역, 드리프트 영역, 그리고 기판으로 구성됩니다. 가장 일반적인 구조는 **평면형(Planar)**과 ** Trench형(V-groove 또는 Recessed Channel)**입니다. 평면형 구조는 제조가 상대적으로 용이하지만, 높은 전압에서 채널 주변의 전기장 집중으로 인해 항복 전압에 제약이 있을 수 있습니다. 반면, Trench형 구조는 채널 영역을 수직으로 형성하여 단위 면적당 더 많은 채널을 집적할 수 있고, 전기장 집중을 완화하여 더 높은 항복 전압과 낮은 온저항을 달성하는 데 유리합니다. 특히, 가장 널리 사용되는 SiC MOSFET 구조는 **DMOS(Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor)** 구조를 기반으로 하며, 이를 **MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)**으로 동작시킵니다. SiC MOSFET은 주로 **N채널 Enhancement 모드**로 동작하는 것이 일반적이며, 이는 전압이 인가되었을 때 채널이 형성되어 전류가 흐르는 방식입니다. SiC MOSFET의 성능을 더욱 향상시키기 위한 다양한 관련 기술들이 개발되고 있습니다. 첫째, **캐리어 장벽(Carrier Barrier) 및 계면 결함 감소 기술**입니다. SiC와 게이트 절연막(일반적으로 SiO2) 사이의 계면은 전하 트랩 및 결함 밀도가 높아 전자 이동도에 부정적인 영향을 미칩니다. 이를 개선하기 위해 질소(N2) 또는 일산화질소(NO) 어닐링과 같은 후처리 기술이 적용되어 계면 특성을 개선하고 전자 이동도를 높여 소자 성능을 향상시킵니다. 둘째, **수명 향상 기술**입니다. SiC는 경도가 매우 높아 웨이퍼 가공 시 상당한 기술적 난이도가 따르며, 결정 결함(예: stacking fault, dislocation)은 소자의 신뢰성과 수명에 직접적인 영향을 미칩니다. 따라서 고품질의 SiC 결정 성장 기술 및 웨이퍼 제조 기술은 SiC MOSFET의 상용화에 매우 중요합니다. 셋째, **고속 스위칭을 위한 게이트 드라이버 회로 설계**입니다. SiC MOSFET은 빠른 스위칭 속도를 가지지만, 이 속도를 최대한 활용하고 소자를 안정적으로 구동하기 위해서는 정밀하고 빠른 응답 특성을 갖는 게이트 드라이버 회로 설계가 필수적입니다. 또한, EMI(Electromagnetic Interference) 발생을 억제하는 기술도 중요한 고려 사항입니다. 넷째, **패키징 기술**입니다. SiC MOSFET은 고온 및 고전압에서 동작하므로, 열 방출이 용이하고 높은 절연 특성을 유지할 수 있는 특수 패키징 기술이 요구됩니다. 와이어 본딩 대신 Sintering 본딩과 같은 새로운 본딩 기술을 사용하여 소자 간 연결 저항을 줄이고 열 성능을 향상시키기도 합니다. SiC MOSFET은 그 우수한 특성을 바탕으로 다양한 첨단 분야에서 광범위하게 응용되고 있습니다. **전기 자동차(EV)** 분야에서는 배터리 충전기, 컨버터, 인버터 등에 적용되어 주행 거리 연장 및 충전 속도 향상에 크게 기여합니다. EV의 고전압 배터리 시스템에서 발생하는 에너지 손실을 줄이는 것은 연비 개선과 직결되기 때문에 SiC MOSFET의 역할이 매우 중요합니다. 또한, **재생 에너지 시스템**에서는 태양광 발전 시스템의 인버터, 풍력 발전 시스템의 변환기 등에 사용되어 에너지 변환 효율을 높이고 시스템의 신뢰성을 향상시킵니다. **데이터 센터 및 통신 장비**의 전원 공급 장치(SMPS)에서도 고효율, 고밀도 구현을 위해 SiC MOSFET이 점차 확대 적용되고 있습니다. 이는 전력 손실 감소를 통한 운영 비용 절감과 장비 크기 축소에 기여합니다. **산업용 전력 시스템**에서도 고출력 충전기, 모터 드라이브, 용접기 등 다양한 분야에서 효율 향상 및 소형화 추세에 발맞추어 SiC MOSFET의 채택이 늘어나고 있습니다. 더 나아가, **항공우주 및 방위 산업**과 같이 극한 환경에서도 높은 성능과 신뢰성이 요구되는 분야에서도 SiC MOSFET의 적용 가능성이 주목받고 있습니다. 결론적으로, SiC MOSFET은 기존 실리콘 기반 소자의 한계를 뛰어넘는 혁신적인 전력 반도체 소자입니다. 높은 항복 전압, 낮은 온저항, 고온 동작 능력, 뛰어난 열전도성 등의 고유한 장점은 전력 변환 시스템의 효율성을 극대화하고, 크기와 무게를 줄이며, 신뢰성을 향상시키는 데 결정적인 역할을 합니다. 지속적인 연구 개발을 통해 SiC 결정 성장, 소자 구조 최적화, 게이트 드라이버 기술, 패키징 기술 등 관련 기술들이 발전하고 있으며, 이는 SiC MOSFET의 응용 범위를 더욱 확대하고 다양한 산업 분야의 발전에 기여할 것으로 기대됩니다. 앞으로도 SiC MOSFET은 고효율, 고밀도 전력 변환 시스템의 핵심 부품으로서 그 중요성이 더욱 커질 것입니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 SiC MOSFET 시장 2024-2030] (코드 : LPI2410G6284) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
| ※본 조사보고서 [세계의 SiC MOSFET 시장 2024-2030] 에 대해서 E메일 문의는 여기를 클릭하세요. |