| ■ 영문 제목 : Global SiC Transistor Market 2024 by Manufacturers, Regions, Type and Application, Forecast to 2030 | |
 | ■ 상품코드 : GIR2407E47133 ■ 조사/발행회사 : Globalinforesearch ■ 발행일 : 2024년 7월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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조사회사 Global Info Research의 최신 조사에 따르면, 세계의 SiC 트랜지스터 시장 규모는 2023년에 XXX백만 달러로 분석되었으며, 검토 기간 동안 xx%의 CAGR로 2030년까지 XXX백만 달러의 재조정된 규모로 성장이 예측됩니다.
Global Info Research 보고서에는 SiC 트랜지스터 산업 체인 동향 개요, 가전, 의료, 통신, 국방, 전기 차, 태양광, 풍력, 철도, 기타 응용분야 및 선진 및 개발 도상국의 주요 기업의 시장 현황, SiC 트랜지스터의 최첨단 기술, 특허, 최신 용도 및 시장 동향을 분석했습니다.
지역별로는 주요 지역의 SiC 트랜지스터 시장을 분석합니다. 북미와 유럽은 정부 이니셔티브와 수요자 인식 제고에 힘입어 꾸준한 성장세를 보이고 있습니다. 아시아 태평양, 특히 중국은 탄탄한 내수 수요와 지원 정책, 강력한 제조 기반을 바탕으로 글로벌 SiC 트랜지스터 시장을 주도하고 있습니다.
[주요 특징]
본 보고서는 SiC 트랜지스터 시장에 대한 포괄적인 이해를 제공합니다. 본 보고서는 산업에 대한 전체적인 관점과 개별 구성 요소 및 이해 관계자에 대한 자세한 통찰력을 제공합니다. 본 보고서는 SiC 트랜지스터 산업 내의 시장 역학, 동향, 과제 및 기회를 분석합니다. 또한, 거시적 관점에서 시장을 분석하는 것이 포함됩니다.
시장 규모 및 세분화: 본 보고서는 판매량, 매출 및 종류별 (예 : 650V, 900V, 1000V, 1200V, 1700V, 3300V, 기타)의 시장 점유율을 포함한 전체 시장 규모에 대한 데이터를 수집합니다.
산업 분석: 보고서는 정부 정책 및 규제, 기술 발전, 수요자 선호도, 시장 역학 등 광범위한 산업 동향을 분석합니다. 이 분석은 SiC 트랜지스터 시장에 영향을 미치는 주요 동인과 과제를 이해하는데 도움이 됩니다.
지역 분석: 본 보고서에는 지역 또는 국가 단위로 SiC 트랜지스터 시장을 조사하는 것이 포함됩니다. 보고서는 정부 인센티브, 인프라 개발, 경제 상황 및 수요자 행동과 같은 지역 요인을 분석하여 다양한 시장 내의 변화와 기회를 식별합니다.
시장 전망: 보고서는 수집된 데이터와 분석을 통해 SiC 트랜지스터 시장에 대한 미래 전망 및 예측을 다룹니다. 여기에는 시장 성장률 추정, 시장 수요 예측, 새로운 트렌드 파악 등이 포함될 수 있습니다. 본 보고서에는 SiC 트랜지스터에 대한 보다 세분화된 접근 방식도 포함됩니다.
기업 분석: 본 보고서는 SiC 트랜지스터 제조업체, 공급업체 및 기타 관련 업계 플레이어를 다룹니다. 이 분석에는 재무 성과, 시장 포지셔닝, 제품 포트폴리오, 파트너십 및 전략에 대한 조사가 포함됩니다.
수요자 분석: 보고서는 SiC 트랜지스터에 대한 수요자 행동, 선호도 및 태도에 대한 데이터를 다룹니다. 여기에는 설문 조사, 인터뷰 및 응용 분야별 (가전, 의료, 통신, 국방, 전기 차, 태양광, 풍력, 철도, 기타)의 다양한 수요자 리뷰 및 피드백 분석이 포함될 수 있습니다.
기술 분석: SiC 트랜지스터과 관련된 특정 기술을 다루는 보고서입니다. SiC 트랜지스터 분야의 현재 상황 및 잠재적 미래 발전 가능성을 평가합니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 개별 기업, 공급업체 및 수요업체를 분석하여 SiC 트랜지스터 시장의 경쟁 환경에 대한 통찰력을 제공합니다. 이 분석은 시장 점유율, 경쟁 우위 및 업계 플레이어 간의 차별화 가능성을 이해하는 데 도움이 됩니다.
시장 검증: 본 보고서에는 설문 조사, 인터뷰 및 포커스 그룹과 같은 주요 조사를 통해 결과 및 예측을 검증하는 작업이 포함됩니다.
[시장 세분화]
SiC 트랜지스터 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
종류별 시장 세그먼트
– 650V, 900V, 1000V, 1200V, 1700V, 3300V, 기타
용도별 시장 세그먼트
– 가전, 의료, 통신, 국방, 전기 차, 태양광, 풍력, 철도, 기타
주요 대상 기업
– Wolfspeed, Rohm, STMicroelectronics, Infineon, IXYS (Littelfuse), ON Semiconductor, Microsemi, UnitedSiC (Qorvo), GeneSiC, Toshiba
지역 분석은 다음을 포함합니다.
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 러시아, 이탈리아)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 인도, 동남아시아, 호주)
– 남미 (브라질, 아르헨티나, 콜롬비아)
– 중동 및 아프리카 (사우디아라비아, 아랍에미리트, 이집트, 남아프리카공화국)
본 조사 보고서는 아래 항목으로 구성되어 있습니다.
– SiC 트랜지스터 제품 범위, 시장 개요, 시장 추정, 주의 사항 및 기준 연도를 설명합니다.
– 2019년부터 2024년까지 SiC 트랜지스터의 가격, 판매량, 매출 및 세계 시장 점유율과 함께 SiC 트랜지스터의 주요 제조업체를 프로파일링합니다.
– SiC 트랜지스터 경쟁 상황, 판매량, 매출 및 주요 제조업체의 글로벌 시장 점유율이 상세하게 분석 됩니다.
– SiC 트랜지스터 상세 데이터는 2019년부터 2030년까지 지역별 판매량, 소비금액 및 성장성을 보여주기 위해 지역 레벨로 표시됩니다.
– 2019년부터 2030년까지 판매량 시장 점유율 및 성장률을 종류별, 용도별로 분류합니다.
– 2017년부터 2023년까지 세계 주요 국가의 판매량, 소비금액 및 시장 점유율과 함께 국가 레벨로 판매 데이터를 분류하고, 2025년부터 2030년까지 판매량 및 매출과 함께 지역, 종류 및 용도별로 SiC 트랜지스터 시장 예측을 수행합니다.
– 시장 역학, 성장요인, 저해요인, 동향 및 포터의 다섯 가지 힘 분석.
– 주요 원자재 및 주요 공급 업체, SiC 트랜지스터의 산업 체인.
– SiC 트랜지스터 판매 채널, 유통 업체, 고객(수요기업), 조사 결과 및 결론을 설명합니다.
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■ 보고서 목차■ 시장 개요 ■ 제조업체 프로필 Wolfspeed Rohm STMicroelectronics ■ 제조업체간 경쟁 환경 ■ 지역별 소비 분석 ■ 종류별 시장 세분화 ■ 용도별 시장 세분화 ■ 북미 ■ 유럽 ■ 아시아 태평양 ■ 남미 ■ 중동 및 아프리카 ■ 시장 역학 ■ 원자재 및 산업 체인 ■ 유통 채널별 출하량 ■ 조사 결과 [그림 목록]- SiC 트랜지스터 이미지 - 종류별 세계의 SiC 트랜지스터 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 종류별 세계의 SiC 트랜지스터 소비 금액 시장 점유율 - 용도별 세계의 SiC 트랜지스터 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 용도별 세계의 SiC 트랜지스터 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 SiC 트랜지스터 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 세계의 SiC 트랜지스터 소비 금액 및 예측 (2019-2030) - 세계의 SiC 트랜지스터 판매량 (2019-2030) - 세계의 SiC 트랜지스터 평균 가격 (2019-2030) - 2023년 제조업체별 세계의 SiC 트랜지스터 판매량 시장 점유율 - 2023년 제조업체별 세계의 SiC 트랜지스터 소비 금액 시장 점유율 - 2023년 상위 3개 SiC 트랜지스터 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 2023년 상위 6개 SiC 트랜지스터 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 지역별 SiC 트랜지스터 판매량 시장 점유율 - 지역별 SiC 트랜지스터 소비 금액 시장 점유율 - 북미 SiC 트랜지스터 소비 금액 - 유럽 SiC 트랜지스터 소비 금액 - 아시아 태평양 SiC 트랜지스터 소비 금액 - 남미 SiC 트랜지스터 소비 금액 - 중동 및 아프리카 SiC 트랜지스터 소비 금액 - 세계의 종류별 SiC 트랜지스터 판매량 시장 점유율 - 세계의 종류별 SiC 트랜지스터 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 종류별 SiC 트랜지스터 평균 가격 - 세계의 용도별 SiC 트랜지스터 판매량 시장 점유율 - 세계의 용도별 SiC 트랜지스터 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 용도별 SiC 트랜지스터 평균 가격 - 북미 SiC 트랜지스터 종류별 판매량 시장 점유율 - 북미 SiC 트랜지스터 용도별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 SiC 트랜지스터 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 SiC 트랜지스터 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 미국 SiC 트랜지스터 소비 금액 및 성장률 - 캐나다 SiC 트랜지스터 소비 금액 및 성장률 - 멕시코 SiC 트랜지스터 소비 금액 및 성장률 - 유럽 SiC 트랜지스터 종류별 판매량 시장 점유율 - 유럽 SiC 트랜지스터 용도별 판매량 시장 점유율 - 유럽 SiC 트랜지스터 국가별 판매량 시장 점유율 - 유럽 SiC 트랜지스터 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 독일 SiC 트랜지스터 소비 금액 및 성장률 - 프랑스 SiC 트랜지스터 소비 금액 및 성장률 - 영국 SiC 트랜지스터 소비 금액 및 성장률 - 러시아 SiC 트랜지스터 소비 금액 및 성장률 - 이탈리아 SiC 트랜지스터 소비 금액 및 성장률 - 아시아 태평양 SiC 트랜지스터 종류별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 SiC 트랜지스터 용도별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 SiC 트랜지스터 지역별 판매 수량 시장 점유율 - 아시아 태평양 SiC 트랜지스터 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 중국 SiC 트랜지스터 소비 금액 및 성장률 - 일본 SiC 트랜지스터 소비 금액 및 성장률 - 한국 SiC 트랜지스터 소비 금액 및 성장률 - 인도 SiC 트랜지스터 소비 금액 및 성장률 - 동남아시아 SiC 트랜지스터 소비 금액 및 성장률 - 호주 SiC 트랜지스터 소비 금액 및 성장률 - 남미 SiC 트랜지스터 종류별 판매량 시장 점유율 - 남미 SiC 트랜지스터 용도별 판매량 시장 점유율 - 남미 SiC 트랜지스터 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 남미 SiC 트랜지스터 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 브라질 SiC 트랜지스터 소비 금액 및 성장률 - 아르헨티나 SiC 트랜지스터 소비 금액 및 성장률 - 중동 및 아프리카 SiC 트랜지스터 종류별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 SiC 트랜지스터 용도별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 SiC 트랜지스터 지역별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 SiC 트랜지스터 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 터키 SiC 트랜지스터 소비 금액 및 성장률 - 이집트 SiC 트랜지스터 소비 금액 및 성장률 - 사우디 아라비아 SiC 트랜지스터 소비 금액 및 성장률 - 남아프리카 공화국 SiC 트랜지스터 소비 금액 및 성장률 - SiC 트랜지스터 시장 성장 요인 - SiC 트랜지스터 시장 제약 요인 - SiC 트랜지스터 시장 동향 - 포터의 다섯 가지 힘 분석 - 2023년 SiC 트랜지스터의 제조 비용 구조 분석 - SiC 트랜지스터의 제조 공정 분석 - SiC 트랜지스터 산업 체인 - 직접 채널 장단점 - 간접 채널 장단점 - 방법론 - 조사 프로세스 및 데이터 소스 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 실리콘 카바이드(SiC) 트랜지스터는 기존의 실리콘(Si) 기반 트랜지스터의 한계를 극복하기 위해 개발된 차세대 반도체 소자입니다. 실리콘 카바이드라는 넓은 밴드갭을 갖는 화합물 반도체를 기반으로 제작되어, 고온, 고전압, 고주파 환경에서도 우수한 성능을 발휘하는 특징을 지닙니다. 이러한 특성 덕분에 SiC 트랜지스터는 전력 반도체 분야에서 혁신을 가져올 잠재력을 가지고 있으며, 전기 자동차, 신재생 에너지 시스템, 고효율 전원 공급 장치 등 다양한 응용 분야에서 주목받고 있습니다. SiC 트랜지스터의 핵심적인 특징 중 하나는 바로 ‘넓은 밴드갭(Wide Bandgap)’입니다. 밴드갭은 반도체 내에서 전자가 자유롭게 움직일 수 있는 전도대와 움직일 수 없는 가전자대 사이의 에너지 차이를 의미합니다. SiC의 밴드갭은 약 3.2 eV로, 실리콘의 1.1 eV보다 훨씬 넓습니다. 이 넓은 밴드갭은 몇 가지 중요한 장점을 제공합니다. 첫째, SiC 소자는 더 높은 온도에서도 안정적으로 작동할 수 있습니다. 실리콘은 상대적으로 낮은 온도에서 전류 누설이 발생하고 성능이 저하되는 반면, SiC는 수백 도의 고온에서도 견딜 수 있어 냉각 시스템의 부담을 줄이고 전력 밀도를 높일 수 있습니다. 둘째, SiC는 더 높은 항복 전압(Breakdown Voltage)을 견딜 수 있습니다. 항복 전압은 반도체 소자가 파괴되지 않고 견딜 수 있는 최대 전압을 의미합니다. SiC는 실리콘보다 훨씬 높은 전압에서도 전기적으로 절연 상태를 유지하므로, 고전압 환경에서 사용되는 전력 변환 장치에 매우 유리합니다. 셋째, SiC는 높은 전자 이동도(Electron Mobility)를 가집니다. 이는 전자가 소자 내에서 더 빠르고 효율적으로 이동할 수 있음을 의미하며, 결과적으로 스위칭 속도가 빨라지고 전력 손실이 감소하는 이점을 가져옵니다. 특히, SiC의 전자 포화 속도(Electron Saturation Velocity)는 실리콘보다 약 2배 이상 높아 고주파 동작에 유리합니다. 마지막으로, SiC는 높은 열전도율(Thermal Conductivity)을 자랑합니다. 이는 소자 내부에서 발생하는 열을 효과적으로 외부로 방출할 수 있음을 의미하며, 과열로 인한 성능 저하나 고장을 방지하는 데 기여합니다. 이러한 복합적인 특성들은 SiC 트랜지스터가 기존 실리콘 트랜지스터로는 구현하기 어려웠던 고효율, 고출력, 소형화된 전력 전자 시스템을 가능하게 합니다. SiC 트랜지스터의 대표적인 종류로는 SiC MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)과 SiC JFET(Junction Field-Effect Transistor)가 있습니다. 현재 가장 널리 사용되고 연구되는 형태는 SiC MOSFET입니다. SiC MOSFET은 게이트 전압에 의해 채널의 전기 전도도를 제어하는 방식으로, 비교적 낮은 게이트 전압으로도 큰 전류를 제어할 수 있으며, 높은 스위칭 효율을 제공합니다. 특히, 이상적인 SiC MOSFET은 문턱 전압(Threshold Voltage)이 낮아 낮은 게이트 전압으로도 소자를 켜는 것이 가능하며, 이는 시스템의 전력 소비를 더욱 줄일 수 있게 합니다. JFET 또한 SiC를 기반으로 제작될 수 있으며, MOSFET보다 더 높은 전류 밀도와 견고함을 제공할 수 있는 잠재력을 가지고 있습니다. JFET는 게이트-소스간 전압을 이용하여 채널의 폭을 변화시켜 전류를 제어하는데, SiC JFET는 특히 고전압 및 고온 환경에서 우수한 성능을 보여줄 수 있습니다. 그러나 SiC MOSFET에 비해 게이트 구동 회로 설계가 복잡하거나 특정 응용 분야에 더 적합한 특성을 가질 수 있습니다. 이 외에도 SiC 기반의 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 등 다양한 형태의 트랜지스터가 연구 및 개발되고 있으며, 각 소자의 특성과 장단점을 활용하여 특정 응용 분야에 최적화된 소자를 선택하게 됩니다. SiC 트랜지스터의 다양한 장점은 여러 산업 분야에서 혁신적인 응용을 가능하게 합니다. 가장 두드러진 분야는 바로 전기 자동차(EV)입니다. 전기 자동차의 구동 시스템에는 고효율의 인버터가 필수적인데, SiC MOSFET은 기존 실리콘 IGBT에 비해 스위칭 손실을 획기적으로 줄여 에너지 효율을 높이고 주행 거리를 늘리는 데 기여합니다. 또한, 높은 항복 전압 덕분에 고전압 배터리 시스템에서도 효율적으로 작동하며, 소형화 및 경량화를 통해 차량 설계에도 긍정적인 영향을 미칩니다. 고온에서의 안정적인 작동은 전기 자동차의 냉각 시스템 요구 사항을 완화하여 전체 시스템의 효율성을 더욱 향상시킬 수 있습니다. 신재생 에너지 분야에서도 SiC 트랜지스터의 역할은 매우 중요합니다. 태양광 발전 시스템의 전력 변환 장치(인버터)나 풍력 발전 시스템의 컨버터에 SiC 트랜지스터를 적용하면 전력 손실을 최소화하여 에너지 회수율을 높일 수 있습니다. 또한, 이러한 시스템은 야외 환경에서 작동하는 경우가 많으므로, SiC의 고온 및 고전압 내성은 시스템의 신뢰성과 수명을 크게 향상시키는 데 기여합니다. 고효율 전원 공급 장치(SMPS) 분야에서도 SiC 트랜지스터는 핵심적인 역할을 합니다. 서버, 데이터 센터, 통신 장비 등에서 사용되는 전원 공급 장치는 높은 효율과 안정성이 요구되는데, SiC 트랜지스터는 이러한 요구 사항을 만족시키면서도 부품의 소형화 및 발열 감소를 통해 전반적인 시스템 성능을 개선할 수 있습니다. 또한, 고주파 스위칭이 가능한 SiC 트랜지스터는 더 작고 효율적인 전원 공급 장치 설계를 가능하게 합니다. 이 밖에도 SiC 트랜지스터는 고속 열차의 추진 시스템, 산업용 모터 드라이브, 전기 모터의 정밀 제어, 고출력 레이더 시스템, 항공우주 분야 등 높은 효율과 신뢰성이 요구되는 다양한 분야에서 광범위하게 활용될 잠재력을 가지고 있습니다. SiC 트랜지스터의 성공적인 상용화를 위해서는 몇 가지 관련 기술의 발전이 필수적입니다. 첫째, **SiC 웨이퍼 제조 기술**입니다. 고품질의 SiC 결정 성장은 매우 어렵고 비용이 많이 드는 과정입니다. 결함이 적고 균일한 품질의 SiC 웨이퍼를 대량으로 생산하는 기술은 SiC 소자의 성능과 가격 경쟁력을 결정하는 중요한 요소입니다. 현재 고품질의 SiC 웨이퍼를 안정적으로 공급하기 위한 다양한 연구와 기술 개발이 진행되고 있습니다. 둘째, **SiC 소자 공정 기술**입니다. SiC는 실리콘과는 다른 물성을 가지고 있기 때문에, SiC 트랜지스터를 제조하기 위한 독자적인 공정 기술이 필요합니다. 특히, SiC 표면의 산화막 품질, 고온에서의 이온 주입 공정, 게이트 절연막의 신뢰성 확보 등이 중요한 과제입니다. 최근에는 SiC MOSFET의 온저항(On-resistance)을 낮추고 효율을 높이기 위한 다양한 채널 구조 설계 및 공정 기술들이 개발되고 있습니다. 셋째, **게이트 구동 회로 기술**입니다. SiC 트랜지스터는 높은 스위칭 속도와 높은 전압을 다루기 때문에, 이를 효과적으로 구동하기 위한 게이트 드라이버 회로 설계가 중요합니다. 빠른 스위칭 속도를 지원하면서도 낮은 전력 소비와 높은 신뢰성을 갖춘 게이트 드라이버 회로는 SiC 트랜지스터의 성능을 극대화하는 데 필수적입니다. 또한, SiC 소자의 높은 온도에서 안정적으로 작동하는 게이트 구동 회로 설계 역시 중요한 연구 분야입니다. 넷째, **패키징 기술**입니다. SiC 트랜지스터는 높은 전력과 고온에서 작동하기 때문에, 소자를 보호하고 열을 효과적으로 방출할 수 있는 고성능 패키징 기술이 요구됩니다. 기존 실리콘 소자 패키징과는 다른 재료와 설계가 필요하며, 고온에서의 접합 신뢰성, 와이어 본딩 기술 등도 중요한 고려 사항입니다. 특히, 고온 동작 시에도 성능 저하 없이 안정적으로 작동하는 와이어리스 패키징 기술이나 신소재를 활용한 패키징 기술이 연구되고 있습니다. 마지막으로, **테스트 및 검증 기술**입니다. SiC 트랜지스터는 고전압, 고온, 고주파 등 극한의 환경에서 작동하므로, 이러한 조건에서도 소자의 성능과 신뢰성을 정확하게 평가하고 검증하는 기술이 중요합니다. 새로운 테스트 장비와 검증 방법론의 개발은 SiC 소자의 품질을 보장하고 시장에서의 신뢰를 구축하는 데 필수적입니다. 종합적으로 볼 때, SiC 트랜지스터는 기존 반도체 기술의 한계를 뛰어넘는 혁신적인 소재와 설계가 결합된 차세대 전력 반도체 소자입니다. 넓은 밴드갭, 높은 항복 전압, 우수한 열전도율 등의 고유한 특성은 전기 자동차, 신재생 에너지, 고효율 전원 공급 장치 등 다양한 분야에서 에너지 효율을 극대화하고 시스템 성능을 향상시키는 데 크게 기여할 것입니다. 관련 기술의 지속적인 발전과 더불어, SiC 트랜지스터는 미래의 에너지 시스템과 전력 전자 기술의 발전을 이끄는 핵심적인 역할을 수행할 것으로 기대됩니다. |
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