| ■ 영문 제목 : GaN Radio Frequency Devices Market, Global Outlook and Forecast 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : MONT2407F22040 ■ 조사/발행회사 : Market Monitor Global ■ 발행일 : 2024년 5월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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본 조사 보고서는 현재 동향, 시장 역학 및 미래 전망에 초점을 맞춰, GaN 무선 주파수 장치 시장에 대한 포괄적인 분석을 제공합니다. 본 보고서는 북미, 유럽, 아시아 태평양 및 신흥 시장과 같은 주요 지역을 포함한 전 세계 GaN 무선 주파수 장치 시장을 대상으로 합니다. 또한 GaN 무선 주파수 장치의 성장을 주도하는 주요 요인, 업계가 직면한 과제 및 시장 참여자를 위한 잠재적 기회도 기재합니다.
글로벌 GaN 무선 주파수 장치 시장은 최근 몇 년 동안 환경 문제, 정부 인센티브 및 기술 발전의 증가로 인해 급속한 성장을 목격했습니다. GaN 무선 주파수 장치 시장은 CATV, 셀룰러 인프라, 국방, 기타를 포함한 다양한 이해 관계자에게 기회를 제공합니다. 민간 부문과 정부 간의 협력은 GaN 무선 주파수 장치 시장에 대한 지원 정책, 연구 개발 노력 및 투자를 가속화 할 수 있습니다. 또한 증가하는 소비자 수요는 시장 확장의 길을 제시합니다.
글로벌 GaN 무선 주파수 장치 시장은 2023년에 미화 XXX백만 달러로 조사되었으며 2030년까지 미화 XXX백만 달러에 도달할 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 XXX%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.
[주요 특징]
GaN 무선 주파수 장치 시장에 대한 조사 보고서에는 포괄적인 통찰력을 제공하고 이해 관계자의 의사 결정을 용이하게하는 몇 가지 주요 항목이 포함되어 있습니다.
요약 : 본 보고서는 GaN 무선 주파수 장치 시장의 주요 결과, 시장 동향 및 주요 통찰력에 대한 개요를 제공합니다.
시장 개요: 본 보고서는 GaN 무선 주파수 장치 시장의 정의, 역사적 추이, 현재 시장 규모를 포함한 포괄적인 개요를 제공합니다. 종류(예: RF Front-End 기계, RF 단말 기계, 기타), 지역 및 용도별로 시장을 세분화하여 각 세그먼트 내의 주요 동인, 과제 및 기회를 중점적으로 다룹니다.
시장 역학: 본 보고서는 GaN 무선 주파수 장치 시장의 성장과 발전을 주도하는 시장 역학을 분석합니다. 본 보고서에는 정부 정책 및 규정, 기술 발전, 소비자 동향 및 선호도, 인프라 개발, 업계 협력에 대한 평가가 포함되어 있습니다. 이 분석은 이해 관계자가 GaN 무선 주파수 장치 시장의 궤적에 영향을 미치는 요인을 이해하는데 도움이됩니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 GaN 무선 주파수 장치 시장내 경쟁 환경에 대한 심층 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 시장 플레이어의 프로필, 시장 점유율, 전략, 제품 포트폴리오 및 최근 동향이 포함됩니다.
시장 세분화 및 예측: 본 보고서는 종류, 지역 및 용도와 같은 다양한 매개 변수를 기반으로 GaN 무선 주파수 장치 시장을 세분화합니다. 정량적 데이터 및 분석을 통해 각 세그먼트의 시장 규모와 성장 예측을 제공합니다. 이를 통해 이해 관계자가 성장 기회를 파악하고 정보에 입각한 투자 결정을 내릴 수 있습니다.
기술 동향: 본 보고서는 주요기술의 발전과 새로운 대체품 등 GaN 무선 주파수 장치 시장을 형성하는 주요 기술 동향을 강조합니다. 이러한 트렌드가 시장 성장, 채택률, 소비자 선호도에 미치는 영향을 분석합니다.
시장 과제와 기회: 본 보고서는 기술적 병목 현상, 비용 제한, 높은 진입 장벽 등 GaN 무선 주파수 장치 시장이 직면한 주요 과제를 파악하고 분석합니다. 또한 정부 인센티브, 신흥 시장, 이해관계자 간의 협업 등 시장 성장의 기회에 대해서도 강조합니다.
규제 및 정책 분석: 본 보고서는 정부 인센티브, 배출 기준, 인프라 개발 계획 등 GaN 무선 주파수 장치에 대한 규제 및 정책 환경을 평가합니다. 이러한 정책이 시장 성장에 미치는 영향을 분석하고 향후 규제 동향에 대한 인사이트를 제공합니다.
권장 사항 및 결론: 본 보고서는 소비자, 정책 입안자, 투자자, 인프라 제공업체 등 이해관계자를 위한 실행 가능한 권고 사항으로 마무리합니다. 이러한 권장 사항은 조사 결과를 바탕으로 GaN 무선 주파수 장치 시장의 주요 과제와 기회를 해결할 수 있습니다.
참고 데이터 및 부록: 보고서에는 분석 및 조사 결과를 입증하기 위한 보조 데이터, 차트, 그래프가 포함되어 있습니다. 또한 데이터 소스, 설문조사, 상세한 시장 예측과 같은 추가 세부 정보가 담긴 부록도 포함되어 있습니다.
[시장 세분화]
GaN 무선 주파수 장치 시장은 종류별 및 용도별로 세분화됩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
■ 종류별 시장 세그먼트
– RF Front-End 기계, RF 단말 기계, 기타
■ 용도별 시장 세그먼트
– CATV, 셀룰러 인프라, 국방, 기타
■ 지역별 및 국가별 글로벌 GaN 무선 주파수 장치 시장 점유율, 2023년(%)
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 아시아 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도)
– 남미 (브라질, 아르헨티나)
– 중동 및 아프리카 (터키, 이스라엘, 사우디 아라비아, UAE)
■ 주요 업체
– NXP Semiconductor, Infineon Technologies, Texas Instruments, United Monolithic Semiconductors (UMS), Qorvo, Wolfspeed (Cree), ST-Ericsson, GAN Systems, Fujitsu Semiconductor, Microchip Technology, Toshiba, Sumitomo Electric Device, WIN Semiconductors, RFHIC, NTT Advanced Technology Corporation, Northrop Grumman, Avago Technologies
[주요 챕터의 개요]
1 장 : GaN 무선 주파수 장치의 정의, 시장 개요를 소개
2 장 : 매출 및 판매량을 기준으로한 글로벌 GaN 무선 주파수 장치 시장 규모
3 장 : GaN 무선 주파수 장치 제조업체 경쟁 환경, 가격, 판매량 및 매출 시장 점유율, 최신 동향, M&A 정보 등에 대한 자세한 분석
4 장 : 종류별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
5 장 : 용도별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
6 장 : 지역 및 국가별 GaN 무선 주파수 장치 판매량. 각 지역 및 주요 국가의 시장 규모와 성장 잠재력에 대한 정량적 분석을 제공. 세계 각국의 시장 개발, 향후 개발 전망, 시장 기회을 소개
7 장 : 주요 업체의 프로필을 제공. 제품 판매, 매출, 가격, 총 마진, 제품 소개, 최근 동향 등 시장 내 주요 업체의 기본 상황을 자세히 소개
8 장 : 지역별 및 국가별 글로벌 GaN 무선 주파수 장치 시장규모
9 장 : 시장 역학, 시장의 최신 동향, 시장의 추진 요인 및 제한 요인, 업계내 업체가 직면한 과제 및 리스크, 업계의 관련 정책 분석을 소개
10 장 : 산업의 업 스트림 및 다운 스트림을 포함한 산업 체인 분석
11 장 : 보고서의 주요 요점 및 결론
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차1. 조사 및 분석 보고서 소개 2. 글로벌 GaN 무선 주파수 장치 전체 시장 규모 3. 기업 환경 4. 종류별 시장 분석 5. 용도별 시장 분석 6. 지역별 시장 분석 7. 제조업체 및 브랜드 프로필 NXP Semiconductor, Infineon Technologies, Texas Instruments, United Monolithic Semiconductors (UMS), Qorvo, Wolfspeed (Cree), ST-Ericsson, GAN Systems, Fujitsu Semiconductor, Microchip Technology, Toshiba, Sumitomo Electric Device, WIN Semiconductors, RFHIC, NTT Advanced Technology Corporation, Northrop Grumman, Avago Technologies NXP Semiconductor Infineon Technologies Texas Instruments 8. 글로벌 GaN 무선 주파수 장치 생산 능력 분석 9. 주요 시장 동향, 기회, 동인 및 제약 요인 10. GaN 무선 주파수 장치 공급망 분석 11. 결론 [그림 목록]- 종류별 GaN 무선 주파수 장치 세그먼트, 2023년 - 용도별 GaN 무선 주파수 장치 세그먼트, 2023년 - 글로벌 GaN 무선 주파수 장치 시장 개요, 2023년 - 글로벌 GaN 무선 주파수 장치 시장 규모: 2023년 VS 2030년 - 글로벌 GaN 무선 주파수 장치 매출, 2019-2030 - 글로벌 GaN 무선 주파수 장치 판매량: 2019-2030 - GaN 무선 주파수 장치 매출 기준 상위 3개 및 5개 업체 시장 점유율, 2023년 - 글로벌 종류별 GaN 무선 주파수 장치 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 종류별 GaN 무선 주파수 장치 매출 시장 점유율 - 글로벌 종류별 GaN 무선 주파수 장치 판매량 시장 점유율 - 글로벌 종류별 GaN 무선 주파수 장치 가격 - 글로벌 용도별 GaN 무선 주파수 장치 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 용도별 GaN 무선 주파수 장치 매출 시장 점유율 - 글로벌 용도별 GaN 무선 주파수 장치 판매량 시장 점유율 - 글로벌 용도별 GaN 무선 주파수 장치 가격 - 지역별 GaN 무선 주파수 장치 매출, 2023년 VS 2030년 - 지역별 GaN 무선 주파수 장치 매출 시장 점유율 - 지역별 GaN 무선 주파수 장치 매출 시장 점유율 - 지역별 GaN 무선 주파수 장치 판매량 시장 점유율 - 북미 국가별 GaN 무선 주파수 장치 매출 시장 점유율 - 북미 국가별 GaN 무선 주파수 장치 판매량 시장 점유율 - 미국 GaN 무선 주파수 장치 시장규모 - 캐나다 GaN 무선 주파수 장치 시장규모 - 멕시코 GaN 무선 주파수 장치 시장규모 - 유럽 국가별 GaN 무선 주파수 장치 매출 시장 점유율 - 유럽 국가별 GaN 무선 주파수 장치 판매량 시장 점유율 - 독일 GaN 무선 주파수 장치 시장규모 - 프랑스 GaN 무선 주파수 장치 시장규모 - 영국 GaN 무선 주파수 장치 시장규모 - 이탈리아 GaN 무선 주파수 장치 시장규모 - 러시아 GaN 무선 주파수 장치 시장규모 - 아시아 지역별 GaN 무선 주파수 장치 매출 시장 점유율 - 아시아 지역별 GaN 무선 주파수 장치 판매량 시장 점유율 - 중국 GaN 무선 주파수 장치 시장규모 - 일본 GaN 무선 주파수 장치 시장규모 - 한국 GaN 무선 주파수 장치 시장규모 - 동남아시아 GaN 무선 주파수 장치 시장규모 - 인도 GaN 무선 주파수 장치 시장규모 - 남미 국가별 GaN 무선 주파수 장치 매출 시장 점유율 - 남미 국가별 GaN 무선 주파수 장치 판매량 시장 점유율 - 브라질 GaN 무선 주파수 장치 시장규모 - 아르헨티나 GaN 무선 주파수 장치 시장규모 - 중동 및 아프리카 국가별 GaN 무선 주파수 장치 매출 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 국가별 GaN 무선 주파수 장치 판매량 시장 점유율 - 터키 GaN 무선 주파수 장치 시장규모 - 이스라엘 GaN 무선 주파수 장치 시장규모 - 사우디 아라비아 GaN 무선 주파수 장치 시장규모 - 아랍에미리트 GaN 무선 주파수 장치 시장규모 - 글로벌 GaN 무선 주파수 장치 생산 능력 - 지역별 GaN 무선 주파수 장치 생산량 비중, 2023년 VS 2030년 - GaN 무선 주파수 장치 산업 가치 사슬 - 마케팅 채널 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 질화갈륨(GaN) 무선 주파수(RF) 장치는 현대 통신 시스템의 핵심 부품으로서, 기존 실리콘 기반 반도체 기술의 한계를 극복하고 뛰어난 성능을 제공합니다. 이러한 GaN RF 장치는 높은 주파수 대역에서의 효율적인 신호 처리와 높은 출력 파워를 가능하게 하여 5G 이동통신, 위성 통신, 레이더 시스템 등 다양한 첨단 기술 분야에서 필수적으로 사용되고 있습니다. GaN RF 장치의 핵심적인 개념은 바로 질화갈륨이라는 화합물 반도체 소재 자체의 우수한 물성에서 비롯됩니다. GaN은 실리콘에 비해 훨씬 높은 전자 이동도와 항복 전압을 가지므로, 더 높은 주파수에서 더 높은 전력을 효율적으로 처리할 수 있습니다. 이는 곧 더 빠르고 안정적인 데이터 통신을 가능하게 하며, 통신 장치의 소형화 및 저전력화에도 기여합니다. 또한, GaN은 넓은 밴드갭을 가지고 있어 고온에서도 안정적으로 작동할 수 있다는 장점이 있어, 극한 환경에서의 적용 가능성을 높입니다. GaN RF 장치의 특징을 살펴보면, 우선 높은 주파수에서의 성능 향상이 두드러집니다. 수십 GHz 이상의 고주파 대역에서도 낮은 손실과 높은 효율을 유지하며 신호를 증폭하거나 처리할 수 있습니다. 이는 현재 통신 시스템이 점점 더 높은 주파수 대역으로 확장됨에 따라 매우 중요한 기술적 이점입니다. 또한, GaN은 높은 전력 밀도를 구현할 수 있어 동일한 크기의 실리콘 소자에 비해 훨씬 더 높은 출력을 낼 수 있습니다. 이러한 고출력 특성은 기지국 송신 출력 증대, 레이더 시스템의 탐지 거리 확장 등에 직접적으로 기여합니다. 더불어 GaN은 우수한 열 방출 능력을 가지고 있어, 고출력 동작 시 발생하는 열을 효과적으로 관리하여 소자의 신뢰성과 수명을 향상시킵니다. 이러한 특징들은 GaN RF 장치가 기존의 실리콘 기반 RF 소자로는 달성하기 어려웠던 성능을 구현하게 합니다. GaN RF 장치의 주요 종류로는 GaN-on-SiC (탄화규소 기판 위에 질화갈륨), GaN-on-Si (실리콘 기판 위에 질화갈륨), GaN-on-Sapphire (사파이어 기판 위에 질화갈륨) 등이 있습니다. 이 중 GaN-on-SiC는 우수한 열전도율을 가진 탄화규소 기판을 사용하여 고출력 및 고효율 특성이 뛰어나지만, 기판 가격이 상대적으로 높아 고가의 장비에 주로 사용됩니다. GaN-on-Si는 저렴하고 대구경 제조가 용이한 실리콘 기판을 사용하므로 생산 단가를 낮출 수 있다는 장점이 있지만, 실리콘의 열전도율이 낮아 고출력 밀도 구현에 제약이 있을 수 있습니다. GaN-on-Sapphire는 주로 LED 제조 등에 사용되었던 기판으로, GaN 성장에 유리한 결정 구조를 가지지만, 열전도율이 낮고 역시 비용적인 측면에서 고려될 부분이 있습니다. 최근에는 GaN-on-Si 기술이 발전하면서 모바일 기기와 같이 대량 생산이 필요한 분야에서의 적용이 확대되고 있습니다. GaN RF 장치의 용도는 매우 다양합니다. 가장 대표적인 분야는 **이동통신 기지국**입니다. 5G 이동통신에서는 더 높은 주파수 대역을 사용하고 더 많은 데이터를 빠르게 처리해야 하므로, GaN RF 증폭기는 기존의 실리콘 기반 증폭기보다 훨씬 높은 효율과 출력을 제공하여 기지국의 성능을 대폭 향상시킵니다. 또한, 기지국의 전력 소비를 줄여 에너지 효율성을 높이는 데도 기여합니다. 두 번째로 **위성 통신 및 레이더 시스템**입니다. 위성 통신에서는 제한된 안테나 크기로 높은 출력과 효율을 요구하는데, GaN RF 장치는 이러한 요구사항을 충족하며 위성 통신 시스템의 성능과 범위를 확장하는 데 중요한 역할을 합니다. 레이더 시스템 역시 높은 주파수 대역에서 넓은 범위의 물체를 정확하게 탐지하기 위해 고출력의 RF 신호가 필요한데, GaN RF 장치는 이러한 레이더 시스템의 성능을 비약적으로 향상시킵니다. 특히 군용 레이더에서는 빠른 탐지 및 추적 능력, 낮은 오탐률 등을 위해 GaN 기술이 필수적으로 요구됩니다. 세 번째로는 **전자전(Electronic Warfare) 시스템**입니다. 전자전 시스템은 적의 통신이나 레이더를 방해하거나 무력화시키는 역할을 하는데, 이를 위해서는 넓은 주파수 대역에서 빠르고 강력한 RF 신호를 발생시켜야 합니다. GaN RF 장치는 이러한 전자전 시스템의 성능을 크게 향상시켜, 적의 위협에 효과적으로 대응할 수 있도록 합니다. 이 외에도 GaN RF 장치는 **고출력 무선 통신 시스템**, **차량용 레이더**, **산업용 가열 장치**, **고주파 스위칭 장치** 등 다양한 분야에서 활용되고 있습니다. 특히 사물 인터넷(IoT) 시대가 도래함에 따라 더욱 빠르고 안정적인 무선 통신에 대한 요구가 증대되면서 GaN RF 장치의 중요성은 더욱 커지고 있습니다. GaN RF 장치와 관련된 주요 기술로는 **소재 성장 기술**, **소자 설계 및 제조 기술**, **패키징 기술**, 그리고 **시스템 통합 기술** 등이 있습니다. **소재 성장 기술**은 고품질의 GaN 박막을 기판 위에 성장시키는 기술로, 전력 및 주파수 특성을 결정하는 매우 중요한 요소입니다. 앞서 언급한 다양한 기판 위에 GaN을 성장시키는 기술들은 각각의 장단점을 가지며, 응용 분야에 따라 최적의 기판 및 성장 방식을 선택하는 것이 중요합니다. **소자 설계 및 제조 기술**은 GaN 소재의 우수한 물성을 최대한 활용하여 고성능의 RF 소자를 구현하는 기술입니다. 수십 나노미터 이하의 미세 공정을 통해 트랜지스터를 제작하며, 소자의 효율, 선형성, 잡음 지수 등을 최적화하는 것이 핵심입니다. 특히, GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)는 GaN RF 소자의 대표적인 형태로, 높은 전자 이동도를 이용하여 고주파 및 고출력 특성을 구현합니다. **패키징 기술**은 제작된 GaN RF 소자를 외부 회로와 연결하고 보호하는 기술입니다. 고출력 동작 시 발생하는 열을 효과적으로 외부로 방출하기 위한 방열 패키징 기술이 매우 중요하며, 고주파 신호의 손실을 최소화하는 것도 중요한 과제입니다. **시스템 통합 기술**은 GaN RF 소자를 포함한 전체 RF 시스템을 효율적으로 설계하고 구축하는 기술입니다. GaN 소자의 특성을 고려하여 주변 회로와의 임피던스 매칭, 전원 관리, 열 관리 등을 최적화함으로써 시스템 전체의 성능을 극대화합니다. 최근에는 GaN 기술의 발전과 함께 **차세대 GaN 기반 소자 개발**이 활발히 이루어지고 있습니다. 예를 들어, 더 높은 주파수 대역에서 작동하는 소자, 더 높은 효율과 낮은 잡음 특성을 갖는 소자, 그리고 전력 효율을 더욱 높이기 위한 회로 설계 기술 등이 연구되고 있습니다. 또한, 저비용 고품질 GaN 제조 기술 개발은 GaN RF 장치의 시장 확대에 중요한 역할을 할 것입니다. 이러한 기술 발전은 우리가 더욱 빠르고 안정적이며 효율적인 무선 통신 환경을 경험하는 데 크게 기여할 것입니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 GaN 무선 주파수 장치 시장예측 2024-2030] (코드 : MONT2407F22040) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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