| ■ 영문 제목 : Global Silicon-on-insulator CMOS Market 2024 by Manufacturers, Regions, Type and Application, Forecast to 2030 | |
 | ■ 상품코드 : GIR2407E47441 ■ 조사/발행회사 : Globalinforesearch ■ 발행일 : 2024년 7월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 부품/재료 |
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조사회사 Global Info Research의 최신 조사에 따르면, 세계의 실리콘 온 절연체 CMOS 시장 규모는 2023년에 XXX백만 달러로 분석되었으며, 검토 기간 동안 xx%의 CAGR로 2030년까지 XXX백만 달러의 재조정된 규모로 성장이 예측됩니다.
Global Info Research 보고서에는 실리콘 온 절연체 CMOS 산업 체인 동향 개요, 가전 제품, 화학, 항공 우주 및 방위, 석유 및 가스, 기타 응용분야 및 선진 및 개발 도상국의 주요 기업의 시장 현황, 실리콘 온 절연체 CMOS의 최첨단 기술, 특허, 최신 용도 및 시장 동향을 분석했습니다.
지역별로는 주요 지역의 실리콘 온 절연체 CMOS 시장을 분석합니다. 북미와 유럽은 정부 이니셔티브와 수요자 인식 제고에 힘입어 꾸준한 성장세를 보이고 있습니다. 아시아 태평양, 특히 중국은 탄탄한 내수 수요와 지원 정책, 강력한 제조 기반을 바탕으로 글로벌 실리콘 온 절연체 CMOS 시장을 주도하고 있습니다.
[주요 특징]
본 보고서는 실리콘 온 절연체 CMOS 시장에 대한 포괄적인 이해를 제공합니다. 본 보고서는 산업에 대한 전체적인 관점과 개별 구성 요소 및 이해 관계자에 대한 자세한 통찰력을 제공합니다. 본 보고서는 실리콘 온 절연체 CMOS 산업 내의 시장 역학, 동향, 과제 및 기회를 분석합니다. 또한, 거시적 관점에서 시장을 분석하는 것이 포함됩니다.
시장 규모 및 세분화: 본 보고서는 판매량, 매출 및 종류별 (예 : 14nm, 7nm, 5nm, 기타)의 시장 점유율을 포함한 전체 시장 규모에 대한 데이터를 수집합니다.
산업 분석: 보고서는 정부 정책 및 규제, 기술 발전, 수요자 선호도, 시장 역학 등 광범위한 산업 동향을 분석합니다. 이 분석은 실리콘 온 절연체 CMOS 시장에 영향을 미치는 주요 동인과 과제를 이해하는데 도움이 됩니다.
지역 분석: 본 보고서에는 지역 또는 국가 단위로 실리콘 온 절연체 CMOS 시장을 조사하는 것이 포함됩니다. 보고서는 정부 인센티브, 인프라 개발, 경제 상황 및 수요자 행동과 같은 지역 요인을 분석하여 다양한 시장 내의 변화와 기회를 식별합니다.
시장 전망: 보고서는 수집된 데이터와 분석을 통해 실리콘 온 절연체 CMOS 시장에 대한 미래 전망 및 예측을 다룹니다. 여기에는 시장 성장률 추정, 시장 수요 예측, 새로운 트렌드 파악 등이 포함될 수 있습니다. 본 보고서에는 실리콘 온 절연체 CMOS에 대한 보다 세분화된 접근 방식도 포함됩니다.
기업 분석: 본 보고서는 실리콘 온 절연체 CMOS 제조업체, 공급업체 및 기타 관련 업계 플레이어를 다룹니다. 이 분석에는 재무 성과, 시장 포지셔닝, 제품 포트폴리오, 파트너십 및 전략에 대한 조사가 포함됩니다.
수요자 분석: 보고서는 실리콘 온 절연체 CMOS에 대한 수요자 행동, 선호도 및 태도에 대한 데이터를 다룹니다. 여기에는 설문 조사, 인터뷰 및 응용 분야별 (가전 제품, 화학, 항공 우주 및 방위, 석유 및 가스, 기타)의 다양한 수요자 리뷰 및 피드백 분석이 포함될 수 있습니다.
기술 분석: 실리콘 온 절연체 CMOS과 관련된 특정 기술을 다루는 보고서입니다. 실리콘 온 절연체 CMOS 분야의 현재 상황 및 잠재적 미래 발전 가능성을 평가합니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 개별 기업, 공급업체 및 수요업체를 분석하여 실리콘 온 절연체 CMOS 시장의 경쟁 환경에 대한 통찰력을 제공합니다. 이 분석은 시장 점유율, 경쟁 우위 및 업계 플레이어 간의 차별화 가능성을 이해하는 데 도움이 됩니다.
시장 검증: 본 보고서에는 설문 조사, 인터뷰 및 포커스 그룹과 같은 주요 조사를 통해 결과 및 예측을 검증하는 작업이 포함됩니다.
[시장 세분화]
실리콘 온 절연체 CMOS 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
종류별 시장 세그먼트
– 14nm, 7nm, 5nm, 기타
용도별 시장 세그먼트
– 가전 제품, 화학, 항공 우주 및 방위, 석유 및 가스, 기타
주요 대상 기업
– Honeywell, ST Microelectronics, NXP, SOITEC, American Semiconductor
지역 분석은 다음을 포함합니다.
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 러시아, 이탈리아)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 인도, 동남아시아, 호주)
– 남미 (브라질, 아르헨티나, 콜롬비아)
– 중동 및 아프리카 (사우디아라비아, 아랍에미리트, 이집트, 남아프리카공화국)
본 조사 보고서는 아래 항목으로 구성되어 있습니다.
– 실리콘 온 절연체 CMOS 제품 범위, 시장 개요, 시장 추정, 주의 사항 및 기준 연도를 설명합니다.
– 2019년부터 2024년까지 실리콘 온 절연체 CMOS의 가격, 판매량, 매출 및 세계 시장 점유율과 함께 실리콘 온 절연체 CMOS의 주요 제조업체를 프로파일링합니다.
– 실리콘 온 절연체 CMOS 경쟁 상황, 판매량, 매출 및 주요 제조업체의 글로벌 시장 점유율이 상세하게 분석 됩니다.
– 실리콘 온 절연체 CMOS 상세 데이터는 2019년부터 2030년까지 지역별 판매량, 소비금액 및 성장성을 보여주기 위해 지역 레벨로 표시됩니다.
– 2019년부터 2030년까지 판매량 시장 점유율 및 성장률을 종류별, 용도별로 분류합니다.
– 2017년부터 2023년까지 세계 주요 국가의 판매량, 소비금액 및 시장 점유율과 함께 국가 레벨로 판매 데이터를 분류하고, 2025년부터 2030년까지 판매량 및 매출과 함께 지역, 종류 및 용도별로 실리콘 온 절연체 CMOS 시장 예측을 수행합니다.
– 시장 역학, 성장요인, 저해요인, 동향 및 포터의 다섯 가지 힘 분석.
– 주요 원자재 및 주요 공급 업체, 실리콘 온 절연체 CMOS의 산업 체인.
– 실리콘 온 절연체 CMOS 판매 채널, 유통 업체, 고객(수요기업), 조사 결과 및 결론을 설명합니다.
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■ 보고서 목차■ 시장 개요 ■ 제조업체 프로필 Honeywell ST Microelectronics NXP ■ 제조업체간 경쟁 환경 ■ 지역별 소비 분석 ■ 종류별 시장 세분화 ■ 용도별 시장 세분화 ■ 북미 ■ 유럽 ■ 아시아 태평양 ■ 남미 ■ 중동 및 아프리카 ■ 시장 역학 ■ 원자재 및 산업 체인 ■ 유통 채널별 출하량 ■ 조사 결과 [그림 목록]- 실리콘 온 절연체 CMOS 이미지 - 종류별 세계의 실리콘 온 절연체 CMOS 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 종류별 세계의 실리콘 온 절연체 CMOS 소비 금액 시장 점유율 - 용도별 세계의 실리콘 온 절연체 CMOS 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 용도별 세계의 실리콘 온 절연체 CMOS 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 실리콘 온 절연체 CMOS 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 세계의 실리콘 온 절연체 CMOS 소비 금액 및 예측 (2019-2030) - 세계의 실리콘 온 절연체 CMOS 판매량 (2019-2030) - 세계의 실리콘 온 절연체 CMOS 평균 가격 (2019-2030) - 2023년 제조업체별 세계의 실리콘 온 절연체 CMOS 판매량 시장 점유율 - 2023년 제조업체별 세계의 실리콘 온 절연체 CMOS 소비 금액 시장 점유율 - 2023년 상위 3개 실리콘 온 절연체 CMOS 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 2023년 상위 6개 실리콘 온 절연체 CMOS 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 지역별 실리콘 온 절연체 CMOS 판매량 시장 점유율 - 지역별 실리콘 온 절연체 CMOS 소비 금액 시장 점유율 - 북미 실리콘 온 절연체 CMOS 소비 금액 - 유럽 실리콘 온 절연체 CMOS 소비 금액 - 아시아 태평양 실리콘 온 절연체 CMOS 소비 금액 - 남미 실리콘 온 절연체 CMOS 소비 금액 - 중동 및 아프리카 실리콘 온 절연체 CMOS 소비 금액 - 세계의 종류별 실리콘 온 절연체 CMOS 판매량 시장 점유율 - 세계의 종류별 실리콘 온 절연체 CMOS 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 종류별 실리콘 온 절연체 CMOS 평균 가격 - 세계의 용도별 실리콘 온 절연체 CMOS 판매량 시장 점유율 - 세계의 용도별 실리콘 온 절연체 CMOS 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 용도별 실리콘 온 절연체 CMOS 평균 가격 - 북미 실리콘 온 절연체 CMOS 종류별 판매량 시장 점유율 - 북미 실리콘 온 절연체 CMOS 용도별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 실리콘 온 절연체 CMOS 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 실리콘 온 절연체 CMOS 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 미국 실리콘 온 절연체 CMOS 소비 금액 및 성장률 - 캐나다 실리콘 온 절연체 CMOS 소비 금액 및 성장률 - 멕시코 실리콘 온 절연체 CMOS 소비 금액 및 성장률 - 유럽 실리콘 온 절연체 CMOS 종류별 판매량 시장 점유율 - 유럽 실리콘 온 절연체 CMOS 용도별 판매량 시장 점유율 - 유럽 실리콘 온 절연체 CMOS 국가별 판매량 시장 점유율 - 유럽 실리콘 온 절연체 CMOS 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 독일 실리콘 온 절연체 CMOS 소비 금액 및 성장률 - 프랑스 실리콘 온 절연체 CMOS 소비 금액 및 성장률 - 영국 실리콘 온 절연체 CMOS 소비 금액 및 성장률 - 러시아 실리콘 온 절연체 CMOS 소비 금액 및 성장률 - 이탈리아 실리콘 온 절연체 CMOS 소비 금액 및 성장률 - 아시아 태평양 실리콘 온 절연체 CMOS 종류별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 실리콘 온 절연체 CMOS 용도별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 실리콘 온 절연체 CMOS 지역별 판매 수량 시장 점유율 - 아시아 태평양 실리콘 온 절연체 CMOS 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 중국 실리콘 온 절연체 CMOS 소비 금액 및 성장률 - 일본 실리콘 온 절연체 CMOS 소비 금액 및 성장률 - 한국 실리콘 온 절연체 CMOS 소비 금액 및 성장률 - 인도 실리콘 온 절연체 CMOS 소비 금액 및 성장률 - 동남아시아 실리콘 온 절연체 CMOS 소비 금액 및 성장률 - 호주 실리콘 온 절연체 CMOS 소비 금액 및 성장률 - 남미 실리콘 온 절연체 CMOS 종류별 판매량 시장 점유율 - 남미 실리콘 온 절연체 CMOS 용도별 판매량 시장 점유율 - 남미 실리콘 온 절연체 CMOS 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 남미 실리콘 온 절연체 CMOS 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 브라질 실리콘 온 절연체 CMOS 소비 금액 및 성장률 - 아르헨티나 실리콘 온 절연체 CMOS 소비 금액 및 성장률 - 중동 및 아프리카 실리콘 온 절연체 CMOS 종류별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 실리콘 온 절연체 CMOS 용도별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 실리콘 온 절연체 CMOS 지역별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 실리콘 온 절연체 CMOS 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 터키 실리콘 온 절연체 CMOS 소비 금액 및 성장률 - 이집트 실리콘 온 절연체 CMOS 소비 금액 및 성장률 - 사우디 아라비아 실리콘 온 절연체 CMOS 소비 금액 및 성장률 - 남아프리카 공화국 실리콘 온 절연체 CMOS 소비 금액 및 성장률 - 실리콘 온 절연체 CMOS 시장 성장 요인 - 실리콘 온 절연체 CMOS 시장 제약 요인 - 실리콘 온 절연체 CMOS 시장 동향 - 포터의 다섯 가지 힘 분석 - 2023년 실리콘 온 절연체 CMOS의 제조 비용 구조 분석 - 실리콘 온 절연체 CMOS의 제조 공정 분석 - 실리콘 온 절연체 CMOS 산업 체인 - 직접 채널 장단점 - 간접 채널 장단점 - 방법론 - 조사 프로세스 및 데이터 소스 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 실리콘 온 절연체(Silicon-on-Insulator, SOI) CMOS는 일반적인 벌크 CMOS 공정과는 달리, 실리콘 웨이퍼 위에 얇은 절연층(주로 이산화규소, SiO2)을 형성하고 그 위에 다시 고품질의 실리콘 박막을 증착하여 트랜지스터를 제작하는 기술입니다. 이 기술은 기존 CMOS의 성능을 향상시키고 새로운 응용 분야를 개척하는 데 중요한 역할을 하고 있습니다. SOI CMOS의 핵심 개념은 절연체 박막입니다. 이 절연체 박막은 소스(source)와 드레인(drain) 전극 사이의 채널 역할을 하는 활성 실리콘층과 기판(substrate) 사이에 위치하여 전기적인 절연을 제공합니다. 일반적인 벌크 CMOS 공정에서는 트랜지스터의 누설 전류가 기판으로 흘러 들어가 기생 커패시턴스(parasitic capacitance)를 증가시키고 성능 저하의 원인이 되기도 합니다. 하지만 SOI CMOS에서는 이 절연체 박막이 이러한 누설 전류를 효과적으로 차단하여 기생 커패시턴스를 크게 줄일 수 있습니다. SOI CMOS의 가장 두드러진 특징 중 하나는 **고속 동작 성능**입니다. 절연체 박막으로 인해 기판과의 기생 커패시턴스가 감소하면서 스위칭 속도가 향상됩니다. 이는 특히 고주파 신호 처리나 고성능 컴퓨팅 애플리케이션에서 매우 유리하게 작용합니다. 예를 들어, 동일한 공정 기술을 사용하더라도 SOI CMOS는 벌크 CMOS에 비해 더 높은 클럭 속도로 동작할 수 있습니다. 또한, SOI CMOS는 **낮은 전력 소모**라는 장점을 가지고 있습니다. 기생 커패시턴스의 감소는 동적 전력 소모(dynamic power consumption)를 줄이는 데 기여합니다. 동적 전력 소모는 스위칭 동작 중에 발생하는 전력으로, 연산 속도가 빨라질수록 증가하지만, SOI는 이 증가 폭을 억제하는 효과가 있습니다. 이는 배터리 구동 장치나 모바일 기기에서 배터리 수명을 연장하는 데 중요한 역할을 합니다. 더불어, SOI는 또한 스탠바이 모드에서의 누설 전류도 줄여주기 때문에 전체적인 전력 효율성이 더욱 향상됩니다. **방사선 내성(radiation hardness)** 또한 SOI CMOS의 중요한 특징입니다. 우주 공간이나 특정 산업 환경에서는 고에너지 입자에 의한 방사선이 발생하는데, 이는 반도체 소자에 오류를 일으키거나 영구적인 손상을 입힐 수 있습니다. 벌크 CMOS는 기판으로 누설 전류가 흐르면서 방사선에 의해 발생하는 전자-정공 쌍(electron-hole pair)의 영향을 더 크게 받습니다. 반면 SOI CMOS는 절연체 박막으로 인해 이러한 방사선에 의한 전하 축적 및 누설 전류가 억제되어 훨씬 높은 수준의 방사선 내성을 가집니다. 이는 항공 우주, 의료 기기, 군사 분야 등에서 중요한 장점이 됩니다. SOI CMOS는 절연체 박막 위에 형성되는 활성 실리콘층의 두께에 따라 크게 **완전 SOI(Fully Depleted SOI, FD-SOI)**와 **부분 SOI(Partially Depleted SOI, PD-SOI)**로 구분될 수 있습니다. **완전 SOI(FD-SOI)**는 활성 실리콘층의 두께가 게이트 길이에 비해 매우 얇아, 게이트 전압이 채널 전체를 완전히 제어할 수 있는 구조입니다. 즉, 소스-드레인 사이에 형성되는 공핍 영역(depletion region)이 활성 실리콘층의 두께 전체를 채우게 됩니다. 이러한 구조는 게이트 제어 능력을 극대화하여 서브스레시홀드 스윙(subthreshold swing)을 이상적인 값에 가깝게 만들 수 있으며, 이를 통해 매우 낮은 전압에서도 효율적인 동작이 가능합니다. 또한, 바디 효과(body effect)를 효과적으로 억제하여 트랜지스터의 성능을 일정하게 유지하는 데 유리합니다. FD-SOI는 특히 저전력 및 고성능 애플리케이션에 적합하며, 바디 바이어싱(body biasing) 기술을 통해 동적으로 성능을 조절할 수 있다는 장점도 있습니다. **부분 SOI(PD-SOI)**는 활성 실리콘층의 두께가 게이트 길이에 비해 상대적으로 두꺼운 구조입니다. 이 경우, 게이트 전압으로 채널의 일부만 제어할 수 있으며, 채널 하단에는 공핍되지 않은 영역이 남게 됩니다. PD-SOI는 FD-SOI에 비해 공정 제어가 상대적으로 용이하며, 더 두꺼운 활성 실리콘층은 트랜지스터의 전류 구동 능력(drive current)을 향상시키는 데 기여할 수 있습니다. 하지만 FD-SOI에 비해 바디 효과가 더 크고, 잠재적인 누설 전류 문제가 발생할 수 있습니다. 그럼에도 불구하고, PD-SOI는 벌크 CMOS 공정과의 호환성이 비교적 높아 기존 제조 설비를 활용하기 용이하다는 장점이 있습니다. SOI CMOS의 **용도**는 매우 다양합니다. **모바일 기기 및 휴대용 전자 제품**에서는 저전력 소모와 고성능을 동시에 제공해야 하는데, SOI CMOS는 이러한 요구사항을 충족시키는 데 탁월합니다. 스마트폰, 태블릿, 웨어러블 기기 등에서 배터리 수명 연장과 빠른 응답 속도를 가능하게 합니다. **고성능 컴퓨팅** 분야에서도 CPU, GPU 등의 핵심 부품에 적용되어 클럭 속도를 높이고 전력 효율을 개선하는 데 기여합니다. 또한, 앞서 언급했듯이 **항공 우주 및 군사 분야**에서는 높은 방사선 내성이 필수적이므로, 위성 탑재 장비, 항공기 전자 시스템 등에 SOI CMOS 기술이 활용됩니다. **자동차 전장 부품**에서도 고온 환경 및 높은 신뢰성이 요구되는데, SOI CMOS는 이러한 극한 환경에서도 안정적인 성능을 발휘할 수 있어 적용이 확대되고 있습니다. SOI CMOS와 관련된 **기술**로는 다양한 장비 제조 기술 및 소자 설계 기술이 있습니다. 예를 들어, SOI 웨이퍼 자체를 제조하는 기술로는 **이온 주입 및 열처리(SIMOX: Separation by Implantation of Oxygen)**, **계면 결합 및 박리(Unibond: Ultra-thin buried oxide layer by bonding)**, **에피택셜 성장(Epitaxial Lateral Overgrowth, ELOG)** 등이 있습니다. 이러한 기술들은 절연체 박막의 두께 균일성, 결함 제어, 활성 실리콘층의 품질 등을 결정하는 중요한 요소입니다. 또한, SOI 기판 위에 트랜지스터를 설계하고 제조하는 과정에서도 SOI 특성을 고려한 최적화된 공정 기술이 요구됩니다. 예를 들어, 채널 도핑 프로파일, 게이트 산화막 두께, 소스-드레인 접합 형성 등에 있어서 벌크 CMOS와는 다른 접근 방식이 필요합니다. 특히 FD-SOI의 경우, 매우 얇은 활성 실리콘층을 균일하게 제작하고 제어하는 기술이 핵심적입니다. 최근에는 SOI 기술을 더욱 발전시키기 위한 연구가 활발히 진행되고 있습니다. 예를 들어, **삼중 게이트(Triple Gate) 또는 핀펫(FinFET)** 구조를 SOI 기판 위에 구현하여 채널 제어 능력을 더욱 향상시키는 연구가 진행되고 있으며, 이는 나노미터 스케일의 트랜지스터에서도 우수한 성능을 확보하는 데 기여하고 있습니다. 또한, 새로운 절연체 물질을 사용하거나 절연체 박막의 구조를 개선하여 성능을 더욱 높이려는 시도도 이루어지고 있습니다. 결론적으로, SOI CMOS 기술은 기존 벌크 CMOS 기술의 한계를 극복하고 더 높은 성능, 낮은 전력 소모, 우수한 방사선 내성을 제공함으로써 다양한 첨단 전자 기기 및 시스템의 발전에 필수적인 역할을 수행하고 있습니다. 특히 모바일, 컴퓨팅, 자동차, 우주 항공 등 고성능 및 고신뢰성이 요구되는 분야에서 SOI CMOS의 중요성은 더욱 커질 것으로 전망됩니다. |
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