| ■ 영문 제목 : Global Single Crystal SiC Substrate Market 2024 by Manufacturers, Regions, Type and Application, Forecast to 2030 | |
 | ■ 상품코드 : GIR2407E47580 ■ 조사/발행회사 : Globalinforesearch ■ 발행일 : 2024년 7월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
| Single User (1명 열람용) | USD3,480 ⇒환산￦4,698,000 | 견적의뢰/주문/질문 |
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조사회사 Global Info Research의 최신 조사에 따르면, 세계의 단 결정 SiC 기판 시장 규모는 2023년에 XXX백만 달러로 분석되었으며, 검토 기간 동안 xx%의 CAGR로 2030년까지 XXX백만 달러의 재조정된 규모로 성장이 예측됩니다.
Global Info Research 보고서에는 단 결정 SiC 기판 산업 체인 동향 개요, 전원 부품, RF 기기, 기타 응용분야 및 선진 및 개발 도상국의 주요 기업의 시장 현황, 단 결정 SiC 기판의 최첨단 기술, 특허, 최신 용도 및 시장 동향을 분석했습니다.
지역별로는 주요 지역의 단 결정 SiC 기판 시장을 분석합니다. 북미와 유럽은 정부 이니셔티브와 수요자 인식 제고에 힘입어 꾸준한 성장세를 보이고 있습니다. 아시아 태평양, 특히 중국은 탄탄한 내수 수요와 지원 정책, 강력한 제조 기반을 바탕으로 글로벌 단 결정 SiC 기판 시장을 주도하고 있습니다.
[주요 특징]
본 보고서는 단 결정 SiC 기판 시장에 대한 포괄적인 이해를 제공합니다. 본 보고서는 산업에 대한 전체적인 관점과 개별 구성 요소 및 이해 관계자에 대한 자세한 통찰력을 제공합니다. 본 보고서는 단 결정 SiC 기판 산업 내의 시장 역학, 동향, 과제 및 기회를 분석합니다. 또한, 거시적 관점에서 시장을 분석하는 것이 포함됩니다.
시장 규모 및 세분화: 본 보고서는 판매량, 매출 및 종류별 (예 : 4인치, 6인치)의 시장 점유율을 포함한 전체 시장 규모에 대한 데이터를 수집합니다.
산업 분석: 보고서는 정부 정책 및 규제, 기술 발전, 수요자 선호도, 시장 역학 등 광범위한 산업 동향을 분석합니다. 이 분석은 단 결정 SiC 기판 시장에 영향을 미치는 주요 동인과 과제를 이해하는데 도움이 됩니다.
지역 분석: 본 보고서에는 지역 또는 국가 단위로 단 결정 SiC 기판 시장을 조사하는 것이 포함됩니다. 보고서는 정부 인센티브, 인프라 개발, 경제 상황 및 수요자 행동과 같은 지역 요인을 분석하여 다양한 시장 내의 변화와 기회를 식별합니다.
시장 전망: 보고서는 수집된 데이터와 분석을 통해 단 결정 SiC 기판 시장에 대한 미래 전망 및 예측을 다룹니다. 여기에는 시장 성장률 추정, 시장 수요 예측, 새로운 트렌드 파악 등이 포함될 수 있습니다. 본 보고서에는 단 결정 SiC 기판에 대한 보다 세분화된 접근 방식도 포함됩니다.
기업 분석: 본 보고서는 단 결정 SiC 기판 제조업체, 공급업체 및 기타 관련 업계 플레이어를 다룹니다. 이 분석에는 재무 성과, 시장 포지셔닝, 제품 포트폴리오, 파트너십 및 전략에 대한 조사가 포함됩니다.
수요자 분석: 보고서는 단 결정 SiC 기판에 대한 수요자 행동, 선호도 및 태도에 대한 데이터를 다룹니다. 여기에는 설문 조사, 인터뷰 및 응용 분야별 (전원 부품, RF 기기, 기타)의 다양한 수요자 리뷰 및 피드백 분석이 포함될 수 있습니다.
기술 분석: 단 결정 SiC 기판과 관련된 특정 기술을 다루는 보고서입니다. 단 결정 SiC 기판 분야의 현재 상황 및 잠재적 미래 발전 가능성을 평가합니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 개별 기업, 공급업체 및 수요업체를 분석하여 단 결정 SiC 기판 시장의 경쟁 환경에 대한 통찰력을 제공합니다. 이 분석은 시장 점유율, 경쟁 우위 및 업계 플레이어 간의 차별화 가능성을 이해하는 데 도움이 됩니다.
시장 검증: 본 보고서에는 설문 조사, 인터뷰 및 포커스 그룹과 같은 주요 조사를 통해 결과 및 예측을 검증하는 작업이 포함됩니다.
[시장 세분화]
단 결정 SiC 기판 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
종류별 시장 세그먼트
– 4인치, 6인치
용도별 시장 세그먼트
– 전원 부품, RF 기기, 기타
주요 대상 기업
– II-VI Advanced Materials,Sumitomo Electric,Cree Inc,Showa Denko (NSSMC),ROHM,SICC Co Ltd,TankBlue Semiconductor
지역 분석은 다음을 포함합니다.
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 러시아, 이탈리아)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 인도, 동남아시아, 호주)
– 남미 (브라질, 아르헨티나, 콜롬비아)
– 중동 및 아프리카 (사우디아라비아, 아랍에미리트, 이집트, 남아프리카공화국)
본 조사 보고서는 아래 항목으로 구성되어 있습니다.
– 단 결정 SiC 기판 제품 범위, 시장 개요, 시장 추정, 주의 사항 및 기준 연도를 설명합니다.
– 2019년부터 2024년까지 단 결정 SiC 기판의 가격, 판매량, 매출 및 세계 시장 점유율과 함께 단 결정 SiC 기판의 주요 제조업체를 프로파일링합니다.
– 단 결정 SiC 기판 경쟁 상황, 판매량, 매출 및 주요 제조업체의 글로벌 시장 점유율이 상세하게 분석 됩니다.
– 단 결정 SiC 기판 상세 데이터는 2019년부터 2030년까지 지역별 판매량, 소비금액 및 성장성을 보여주기 위해 지역 레벨로 표시됩니다.
– 2019년부터 2030년까지 판매량 시장 점유율 및 성장률을 종류별, 용도별로 분류합니다.
– 2017년부터 2023년까지 세계 주요 국가의 판매량, 소비금액 및 시장 점유율과 함께 국가 레벨로 판매 데이터를 분류하고, 2025년부터 2030년까지 판매량 및 매출과 함께 지역, 종류 및 용도별로 단 결정 SiC 기판 시장 예측을 수행합니다.
– 시장 역학, 성장요인, 저해요인, 동향 및 포터의 다섯 가지 힘 분석.
– 주요 원자재 및 주요 공급 업체, 단 결정 SiC 기판의 산업 체인.
– 단 결정 SiC 기판 판매 채널, 유통 업체, 고객(수요기업), 조사 결과 및 결론을 설명합니다.
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차■ 시장 개요 ■ 제조업체 프로필 II-VI Advanced Materials Sumitomo Electric Cree Inc ■ 제조업체간 경쟁 환경 ■ 지역별 소비 분석 ■ 종류별 시장 세분화 ■ 용도별 시장 세분화 ■ 북미 ■ 유럽 ■ 아시아 태평양 ■ 남미 ■ 중동 및 아프리카 ■ 시장 역학 ■ 원자재 및 산업 체인 ■ 유통 채널별 출하량 ■ 조사 결과 [그림 목록]- 단 결정 SiC 기판 이미지 - 종류별 세계의 단 결정 SiC 기판 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 종류별 세계의 단 결정 SiC 기판 소비 금액 시장 점유율 - 용도별 세계의 단 결정 SiC 기판 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 용도별 세계의 단 결정 SiC 기판 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 단 결정 SiC 기판 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 세계의 단 결정 SiC 기판 소비 금액 및 예측 (2019-2030) - 세계의 단 결정 SiC 기판 판매량 (2019-2030) - 세계의 단 결정 SiC 기판 평균 가격 (2019-2030) - 2023년 제조업체별 세계의 단 결정 SiC 기판 판매량 시장 점유율 - 2023년 제조업체별 세계의 단 결정 SiC 기판 소비 금액 시장 점유율 - 2023년 상위 3개 단 결정 SiC 기판 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 2023년 상위 6개 단 결정 SiC 기판 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 지역별 단 결정 SiC 기판 판매량 시장 점유율 - 지역별 단 결정 SiC 기판 소비 금액 시장 점유율 - 북미 단 결정 SiC 기판 소비 금액 - 유럽 단 결정 SiC 기판 소비 금액 - 아시아 태평양 단 결정 SiC 기판 소비 금액 - 남미 단 결정 SiC 기판 소비 금액 - 중동 및 아프리카 단 결정 SiC 기판 소비 금액 - 세계의 종류별 단 결정 SiC 기판 판매량 시장 점유율 - 세계의 종류별 단 결정 SiC 기판 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 종류별 단 결정 SiC 기판 평균 가격 - 세계의 용도별 단 결정 SiC 기판 판매량 시장 점유율 - 세계의 용도별 단 결정 SiC 기판 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 용도별 단 결정 SiC 기판 평균 가격 - 북미 단 결정 SiC 기판 종류별 판매량 시장 점유율 - 북미 단 결정 SiC 기판 용도별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 단 결정 SiC 기판 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 단 결정 SiC 기판 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 미국 단 결정 SiC 기판 소비 금액 및 성장률 - 캐나다 단 결정 SiC 기판 소비 금액 및 성장률 - 멕시코 단 결정 SiC 기판 소비 금액 및 성장률 - 유럽 단 결정 SiC 기판 종류별 판매량 시장 점유율 - 유럽 단 결정 SiC 기판 용도별 판매량 시장 점유율 - 유럽 단 결정 SiC 기판 국가별 판매량 시장 점유율 - 유럽 단 결정 SiC 기판 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 독일 단 결정 SiC 기판 소비 금액 및 성장률 - 프랑스 단 결정 SiC 기판 소비 금액 및 성장률 - 영국 단 결정 SiC 기판 소비 금액 및 성장률 - 러시아 단 결정 SiC 기판 소비 금액 및 성장률 - 이탈리아 단 결정 SiC 기판 소비 금액 및 성장률 - 아시아 태평양 단 결정 SiC 기판 종류별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 단 결정 SiC 기판 용도별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 단 결정 SiC 기판 지역별 판매 수량 시장 점유율 - 아시아 태평양 단 결정 SiC 기판 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 중국 단 결정 SiC 기판 소비 금액 및 성장률 - 일본 단 결정 SiC 기판 소비 금액 및 성장률 - 한국 단 결정 SiC 기판 소비 금액 및 성장률 - 인도 단 결정 SiC 기판 소비 금액 및 성장률 - 동남아시아 단 결정 SiC 기판 소비 금액 및 성장률 - 호주 단 결정 SiC 기판 소비 금액 및 성장률 - 남미 단 결정 SiC 기판 종류별 판매량 시장 점유율 - 남미 단 결정 SiC 기판 용도별 판매량 시장 점유율 - 남미 단 결정 SiC 기판 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 남미 단 결정 SiC 기판 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 브라질 단 결정 SiC 기판 소비 금액 및 성장률 - 아르헨티나 단 결정 SiC 기판 소비 금액 및 성장률 - 중동 및 아프리카 단 결정 SiC 기판 종류별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 단 결정 SiC 기판 용도별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 단 결정 SiC 기판 지역별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 단 결정 SiC 기판 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 터키 단 결정 SiC 기판 소비 금액 및 성장률 - 이집트 단 결정 SiC 기판 소비 금액 및 성장률 - 사우디 아라비아 단 결정 SiC 기판 소비 금액 및 성장률 - 남아프리카 공화국 단 결정 SiC 기판 소비 금액 및 성장률 - 단 결정 SiC 기판 시장 성장 요인 - 단 결정 SiC 기판 시장 제약 요인 - 단 결정 SiC 기판 시장 동향 - 포터의 다섯 가지 힘 분석 - 2023년 단 결정 SiC 기판의 제조 비용 구조 분석 - 단 결정 SiC 기판의 제조 공정 분석 - 단 결정 SiC 기판 산업 체인 - 직접 채널 장단점 - 간접 채널 장단점 - 방법론 - 조사 프로세스 및 데이터 소스 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 단결정 탄화규소(SiC) 기판은 현대 반도체 기술의 발전에 있어 매우 중요한 역할을 수행하는 핵심 소재입니다. 기존의 실리콘(Si) 기판이 가지고 있는 한계를 극복하고, 고성능, 고효율, 고내열성을 요구하는 차세대 전력 반도체 소자 구현을 가능하게 하는 기반이 됩니다. 단결정 탄화규소(SiC) 기판의 개념을 이해하기 위해서는 먼저 '단결정(Single Crystal)'이라는 용어에 대한 이해가 필요합니다. 결정은 원자나 분자가 규칙적으로 배열된 구조를 가지는데, 이러한 규칙적인 배열이 전체 결정 영역에 걸쳐 일관되게 유지되는 것을 단결정이라고 합니다. 반면에 여러 개의 작은 결정들이 무작위적으로 배열된 구조를 다결정(Polycrystal)이라고 합니다. 반도체 재료에서는 단결정 구조가 전기적 특성, 특히 캐리어(전자 또는 정공)의 이동 효율에 매우 큰 영향을 미칩니다. 단결정 구조는 결정립계(Grain Boundary)와 같은 결함이 없어 캐리어의 산란을 최소화하고 높은 이동도를 제공하므로, 반도체 소자의 성능을 극대화하는 데 필수적입니다. 탄화규소(SiC)는 탄소(C) 원자와 규소(Si) 원자가 3차원적으로 결합된 화합물 반도체입니다. 실리콘(Si)과 비교했을 때 탄화규소는 몇 가지 월등한 물성을 가지고 있습니다. 첫째, 금지대폭(Band Gap)이 실리콘보다 훨씬 넓습니다. 실리콘의 금지대폭이 약 1.1 eV인 반면, 가장 널리 사용되는 4H-SiC의 금지대폭은 약 3.2 eV에 달합니다. 이 넓은 금지대폭은 탄화규소가 더 높은 전압을 견딜 수 있게 하며, 고온 환경에서도 안정적인 절연 특성을 유지하게 합니다. 둘째, 항복 전계 강도(Breakdown Electric Field Strength)가 실리콘보다 약 10배 이상 높습니다. 이는 동일한 두께의 물질로 훨씬 더 높은 전압을 차단할 수 있음을 의미하며, 전력 반도체 소자의 크기를 줄이고 효율을 높이는 데 크게 기여합니다. 셋째, 열전도율이 실리콘보다 약 3배 이상 높아 열을 효율적으로 방출할 수 있습니다. 이는 고출력 동작 시 발생하는 열을 효과적으로 관리하여 소자의 신뢰성과 수명을 향상시키는 데 필수적입니다. 또한, 기계적 강도가 매우 높아 가공 및 취급이 용이한 장점도 있습니다. 탄화규소는 다양한 결정 구조, 즉 폴리타입(Polytype)을 가질 수 있습니다. 이는 탄소와 규소 원자가 쌓이는 방식에 따라 결정 구조가 달라지기 때문입니다. 가장 대표적인 폴리타입으로는 3C-SiC, 4H-SiC, 6H-SiC 등이 있습니다. 이 중에서 4H-SiC는 우수한 전기적 특성, 특히 높은 전자 이동도와 캐리어 농도를 달성하기 용이하다는 장점 때문에 현재 전력 반도체 응용 분야에서 가장 널리 사용되고 있습니다. 6H-SiC 또한 일부 응용 분야에서 사용되지만, 4H-SiC에 비해 전자 이동도가 낮습니다. 3C-SiC는 높은 캐리어 이동도를 가지지만, 결정 성장 시 다결정 결함이 발생하기 쉽고 고온에서의 성장이 어렵다는 단점이 있습니다. 따라서 현재 산업적으로 사용되는 단결정 SiC 기판은 대부분 4H-SiC이며, 일부에서는 6H-SiC도 사용됩니다. 단결정 SiC 기판은 주로 긁힘 없는 성장(VLS: Vapor-Liquid-Solid) 성장법이나 승화 성장법(Sublimation Growth)과 같은 고온 성장 방식을 통해 제조됩니다. 이러한 성장 방식은 고온(약 1500~2000℃)에서 규소 소스와 탄소 소스를 반응시켜 SiC 결정 핵에 연속적으로 원자를 증착시켜 단결정을 성장시키는 방식입니다. 결정 성장 후에는 삭박(Lapping), 연마(Polishing) 등의 공정을 거쳐 표면을 매끄럽게 가공하여 반도체 소자 제작 공정에 적합한 품질의 기판을 얻게 됩니다. 하지만 이러한 공정은 매우 높은 온도와 복잡한 기술을 요구하며, SiC 결정의 성장 속도가 느리고 결함(Defects)을 제어하는 것이 어렵다는 점에서 생산 단가가 높다는 과제가 있습니다. 대표적인 결정 결함으로는 전위(Dislocation), 박막 결정 결함(Stacking Fault), 결정립계(Grain Boundary, 다결정의 경우) 등이 있으며, 이러한 결함은 반도체 소자의 성능과 신뢰성을 저하시키는 주요 원인이 됩니다. 따라서 고품질의 SiC 기판을 얼마나 효과적으로 성장시키고 결함을 줄이느냐가 중요한 기술적 과제입니다. 단결정 SiC 기판의 주요 용도는 고성능 전력 반도체 소자의 제작입니다. 특히 기존 실리콘 기반 전력 반도체가 감당하기 어려운 고전압, 고전류, 고온 환경에서 동작하는 애플리케이션에 최적화되어 있습니다. 대표적인 용도로는 다음과 같은 것들이 있습니다. 첫째, 전기자동차(EV)의 전력 변환 시스템입니다. 모터 제어용 인버터, 배터리 충전기, DC-DC 컨버터 등에 SiC MOSFET이나 SiC 쇼트키 다이오드가 사용되어 에너지 효율을 크게 향상시키고 부품 크기를 줄여 차량의 주행 거리를 늘리는 데 기여합니다. 둘째, 태양광 발전 시스템의 전력 변환 장치(인버터)입니다. 고효율 에너지 변환을 통해 발전량을 증대시키고 시스템의 안정성을 높입니다. 셋째, 고속철도, 풍력 발전기 등 신재생 에너지 및 고효율 전력 시스템에서 사용되는 전력 변환 장치입니다. 넷째, 서버 전원 공급 장치(SMPS), 산업용 전원 공급 장치 등에서도 에너지 효율 향상과 발열 감소를 위해 SiC 소자가 적용됩니다. 더 나아가, 우주 항공 분야, 고온 산업 설비, 5G 통신 기지국 등에서도 SiC 반도체의 내구성과 성능이 요구되는 다양한 분야로 적용이 확대되고 있습니다. 단결정 SiC 기판과 관련된 주요 기술로는 고품질 SiC 결정 성장 기술, 웨이퍼 제조 기술, 그리고 SiC 기반 반도체 소자 설계 및 공정 기술 등이 있습니다. 고품질 SiC 결정 성장 기술은 앞서 언급한 성장 방식의 효율성을 높이고 결함을 최소화하는 방향으로 발전하고 있습니다. 예를 들어, 고온 성장 시 결정 성장에 영향을 미치는 온도 분포, 가스 흐름 등을 정밀하게 제어하는 기술이 중요합니다. 또한, 삭박 및 연마 공정에서 발생하는 표면 결함을 최소화하고 높은 평탄도를 구현하는 기술도 핵심입니다. 더불어, 최근에는 SiC 웨이퍼의 두께를 더 얇게 만들어 생산성을 높이고 비용을 절감하려는 연구가 활발히 진행되고 있습니다. 이러한 웨이퍼 제조 기술의 발전은 SiC 반도체의 상용화를 더욱 가속화할 것입니다. 마지막으로, SiC의 우수한 물성을 최대한 활용할 수 있는 반도체 소자 설계 및 공정 기술 개발 역시 중요합니다. 예를 들어, 4H-SiC의 높은 항복 전계 강도를 활용하기 위한 고전압 MOSFET의 구조 설계, 높은 캐리어 이동도를 이용한 저손실 스위칭 소자 개발 등이 이에 해당합니다. 또한, SiC 표면에 고품질의 게이트 절연막을 형성하고, 접촉 저항을 낮추는 금속 배선 기술 등도 SiC 소자 성능에 결정적인 영향을 미칩니다. 결론적으로, 단결정 SiC 기판은 실리콘의 한계를 뛰어넘는 탁월한 물성을 바탕으로 차세대 전력 반도체 시대를 이끌어갈 핵심 소재입니다. 고온, 고전압, 고주파 환경에서의 뛰어난 성능과 효율성은 전기자동차, 신재생 에너지, 첨단 산업 등 다양한 분야의 기술 발전을 견인하고 있으며, 관련 성장 및 공정 기술의 지속적인 발전은 SiC 기반 반도체의 대중화를 더욱 앞당길 것으로 기대됩니다. |
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