| ■ 영문 제목 : GaAs Devices Market, Global Outlook and Forecast 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : MONT2407F21906 ■ 조사/발행회사 : Market Monitor Global ■ 발행일 : 2024년 5월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
| Single User (1명 열람용) | USD3,250 ⇒환산￦4,387,500 | 견적의뢰/주문/질문 |
| Multi User (20명 열람용) | USD4,225 ⇒환산￦5,703,750 | 견적의뢰/주문/질문 |
| Enterprise User (동일기업내 공유가능) | USD4,875 ⇒환산￦6,581,250 | 견적의뢰/구입/질문 |
|
※가격옵션 설명 - 납기는 즉일~2일소요됩니다. 3일이상 소요되는 경우는 별도표기 또는 연락드립니다. - 지불방법은 계좌이체/무통장입금 또는 카드결제입니다. |
본 조사 보고서는 현재 동향, 시장 역학 및 미래 전망에 초점을 맞춰, GaAs 장치 시장에 대한 포괄적인 분석을 제공합니다. 본 보고서는 북미, 유럽, 아시아 태평양 및 신흥 시장과 같은 주요 지역을 포함한 전 세계 GaAs 장치 시장을 대상으로 합니다. 또한 GaAs 장치의 성장을 주도하는 주요 요인, 업계가 직면한 과제 및 시장 참여자를 위한 잠재적 기회도 기재합니다.
글로벌 GaAs 장치 시장은 최근 몇 년 동안 환경 문제, 정부 인센티브 및 기술 발전의 증가로 인해 급속한 성장을 목격했습니다. GaAs 장치 시장은 모바일 장치, 무선 통신, 기타를 포함한 다양한 이해 관계자에게 기회를 제공합니다. 민간 부문과 정부 간의 협력은 GaAs 장치 시장에 대한 지원 정책, 연구 개발 노력 및 투자를 가속화 할 수 있습니다. 또한 증가하는 소비자 수요는 시장 확장의 길을 제시합니다.
글로벌 GaAs 장치 시장은 2023년에 미화 XXX백만 달러로 조사되었으며 2030년까지 미화 XXX백만 달러에 도달할 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 XXX%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.
[주요 특징]
GaAs 장치 시장에 대한 조사 보고서에는 포괄적인 통찰력을 제공하고 이해 관계자의 의사 결정을 용이하게하는 몇 가지 주요 항목이 포함되어 있습니다.
요약 : 본 보고서는 GaAs 장치 시장의 주요 결과, 시장 동향 및 주요 통찰력에 대한 개요를 제공합니다.
시장 개요: 본 보고서는 GaAs 장치 시장의 정의, 역사적 추이, 현재 시장 규모를 포함한 포괄적인 개요를 제공합니다. 종류(예: LEC 성장 GaAs 장치, VGF 성장 GaAs 장치), 지역 및 용도별로 시장을 세분화하여 각 세그먼트 내의 주요 동인, 과제 및 기회를 중점적으로 다룹니다.
시장 역학: 본 보고서는 GaAs 장치 시장의 성장과 발전을 주도하는 시장 역학을 분석합니다. 본 보고서에는 정부 정책 및 규정, 기술 발전, 소비자 동향 및 선호도, 인프라 개발, 업계 협력에 대한 평가가 포함되어 있습니다. 이 분석은 이해 관계자가 GaAs 장치 시장의 궤적에 영향을 미치는 요인을 이해하는데 도움이됩니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 GaAs 장치 시장내 경쟁 환경에 대한 심층 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 시장 플레이어의 프로필, 시장 점유율, 전략, 제품 포트폴리오 및 최근 동향이 포함됩니다.
시장 세분화 및 예측: 본 보고서는 종류, 지역 및 용도와 같은 다양한 매개 변수를 기반으로 GaAs 장치 시장을 세분화합니다. 정량적 데이터 및 분석을 통해 각 세그먼트의 시장 규모와 성장 예측을 제공합니다. 이를 통해 이해 관계자가 성장 기회를 파악하고 정보에 입각한 투자 결정을 내릴 수 있습니다.
기술 동향: 본 보고서는 주요기술의 발전과 새로운 대체품 등 GaAs 장치 시장을 형성하는 주요 기술 동향을 강조합니다. 이러한 트렌드가 시장 성장, 채택률, 소비자 선호도에 미치는 영향을 분석합니다.
시장 과제와 기회: 본 보고서는 기술적 병목 현상, 비용 제한, 높은 진입 장벽 등 GaAs 장치 시장이 직면한 주요 과제를 파악하고 분석합니다. 또한 정부 인센티브, 신흥 시장, 이해관계자 간의 협업 등 시장 성장의 기회에 대해서도 강조합니다.
규제 및 정책 분석: 본 보고서는 정부 인센티브, 배출 기준, 인프라 개발 계획 등 GaAs 장치에 대한 규제 및 정책 환경을 평가합니다. 이러한 정책이 시장 성장에 미치는 영향을 분석하고 향후 규제 동향에 대한 인사이트를 제공합니다.
권장 사항 및 결론: 본 보고서는 소비자, 정책 입안자, 투자자, 인프라 제공업체 등 이해관계자를 위한 실행 가능한 권고 사항으로 마무리합니다. 이러한 권장 사항은 조사 결과를 바탕으로 GaAs 장치 시장의 주요 과제와 기회를 해결할 수 있습니다.
참고 데이터 및 부록: 보고서에는 분석 및 조사 결과를 입증하기 위한 보조 데이터, 차트, 그래프가 포함되어 있습니다. 또한 데이터 소스, 설문조사, 상세한 시장 예측과 같은 추가 세부 정보가 담긴 부록도 포함되어 있습니다.
[시장 세분화]
GaAs 장치 시장은 종류별 및 용도별로 세분화됩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
■ 종류별 시장 세그먼트
– LEC 성장 GaAs 장치, VGF 성장 GaAs 장치
■ 용도별 시장 세그먼트
– 모바일 장치, 무선 통신, 기타
■ 지역별 및 국가별 글로벌 GaAs 장치 시장 점유율, 2023년(%)
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 아시아 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도)
– 남미 (브라질, 아르헨티나)
– 중동 및 아프리카 (터키, 이스라엘, 사우디 아라비아, UAE)
■ 주요 업체
– Avago Technologies, RF Micro Devices, Skyworks Solutions, Qorvo, Advanced Wireless Semiconductor, Anadigics, Hittite Microwave, M/A-COM Technology Solutions, Murata Manufacturing, TriQuint Semiconductor, Renesas Electronics
[주요 챕터의 개요]
1 장 : GaAs 장치의 정의, 시장 개요를 소개
2 장 : 매출 및 판매량을 기준으로한 글로벌 GaAs 장치 시장 규모
3 장 : GaAs 장치 제조업체 경쟁 환경, 가격, 판매량 및 매출 시장 점유율, 최신 동향, M&A 정보 등에 대한 자세한 분석
4 장 : 종류별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
5 장 : 용도별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
6 장 : 지역 및 국가별 GaAs 장치 판매량. 각 지역 및 주요 국가의 시장 규모와 성장 잠재력에 대한 정량적 분석을 제공. 세계 각국의 시장 개발, 향후 개발 전망, 시장 기회을 소개
7 장 : 주요 업체의 프로필을 제공. 제품 판매, 매출, 가격, 총 마진, 제품 소개, 최근 동향 등 시장 내 주요 업체의 기본 상황을 자세히 소개
8 장 : 지역별 및 국가별 글로벌 GaAs 장치 시장규모
9 장 : 시장 역학, 시장의 최신 동향, 시장의 추진 요인 및 제한 요인, 업계내 업체가 직면한 과제 및 리스크, 업계의 관련 정책 분석을 소개
10 장 : 산업의 업 스트림 및 다운 스트림을 포함한 산업 체인 분석
11 장 : 보고서의 주요 요점 및 결론
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차1. 조사 및 분석 보고서 소개 2. 글로벌 GaAs 장치 전체 시장 규모 3. 기업 환경 4. 종류별 시장 분석 5. 용도별 시장 분석 6. 지역별 시장 분석 7. 제조업체 및 브랜드 프로필 Avago Technologies, RF Micro Devices, Skyworks Solutions, Qorvo, Advanced Wireless Semiconductor, Anadigics, Hittite Microwave, M/A-COM Technology Solutions, Murata Manufacturing, TriQuint Semiconductor, Renesas Electronics Avago Technologies RF Micro Devices Skyworks Solutions 8. 글로벌 GaAs 장치 생산 능력 분석 9. 주요 시장 동향, 기회, 동인 및 제약 요인 10. GaAs 장치 공급망 분석 11. 결론 [그림 목록]- 종류별 GaAs 장치 세그먼트, 2023년 - 용도별 GaAs 장치 세그먼트, 2023년 - 글로벌 GaAs 장치 시장 개요, 2023년 - 글로벌 GaAs 장치 시장 규모: 2023년 VS 2030년 - 글로벌 GaAs 장치 매출, 2019-2030 - 글로벌 GaAs 장치 판매량: 2019-2030 - GaAs 장치 매출 기준 상위 3개 및 5개 업체 시장 점유율, 2023년 - 글로벌 종류별 GaAs 장치 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 종류별 GaAs 장치 매출 시장 점유율 - 글로벌 종류별 GaAs 장치 판매량 시장 점유율 - 글로벌 종류별 GaAs 장치 가격 - 글로벌 용도별 GaAs 장치 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 용도별 GaAs 장치 매출 시장 점유율 - 글로벌 용도별 GaAs 장치 판매량 시장 점유율 - 글로벌 용도별 GaAs 장치 가격 - 지역별 GaAs 장치 매출, 2023년 VS 2030년 - 지역별 GaAs 장치 매출 시장 점유율 - 지역별 GaAs 장치 매출 시장 점유율 - 지역별 GaAs 장치 판매량 시장 점유율 - 북미 국가별 GaAs 장치 매출 시장 점유율 - 북미 국가별 GaAs 장치 판매량 시장 점유율 - 미국 GaAs 장치 시장규모 - 캐나다 GaAs 장치 시장규모 - 멕시코 GaAs 장치 시장규모 - 유럽 국가별 GaAs 장치 매출 시장 점유율 - 유럽 국가별 GaAs 장치 판매량 시장 점유율 - 독일 GaAs 장치 시장규모 - 프랑스 GaAs 장치 시장규모 - 영국 GaAs 장치 시장규모 - 이탈리아 GaAs 장치 시장규모 - 러시아 GaAs 장치 시장규모 - 아시아 지역별 GaAs 장치 매출 시장 점유율 - 아시아 지역별 GaAs 장치 판매량 시장 점유율 - 중국 GaAs 장치 시장규모 - 일본 GaAs 장치 시장규모 - 한국 GaAs 장치 시장규모 - 동남아시아 GaAs 장치 시장규모 - 인도 GaAs 장치 시장규모 - 남미 국가별 GaAs 장치 매출 시장 점유율 - 남미 국가별 GaAs 장치 판매량 시장 점유율 - 브라질 GaAs 장치 시장규모 - 아르헨티나 GaAs 장치 시장규모 - 중동 및 아프리카 국가별 GaAs 장치 매출 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 국가별 GaAs 장치 판매량 시장 점유율 - 터키 GaAs 장치 시장규모 - 이스라엘 GaAs 장치 시장규모 - 사우디 아라비아 GaAs 장치 시장규모 - 아랍에미리트 GaAs 장치 시장규모 - 글로벌 GaAs 장치 생산 능력 - 지역별 GaAs 장치 생산량 비중, 2023년 VS 2030년 - GaAs 장치 산업 가치 사슬 - 마케팅 채널 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 **갈륨비소(GaAs) 장치: 고성능 반도체의 세계** 갈륨비소(GaAs)는 주기율표에서 규소(Si)와 같은 그룹에 속하는 III족 원소인 갈륨(Ga)과 V족 원소인 비소(As)가 결합하여 형성된 화합물 반도체입니다. 이러한 독특한 결정 구조와 전자적 특성 덕분에 GaAs는 기존의 실리콘(Si) 기반 반도체를 뛰어넘는 탁월한 성능을 제공하며, 고주파, 고출력, 저전력 소모가 요구되는 다양한 첨단 분야에서 핵심적인 역할을 수행하고 있습니다. GaAs의 가장 큰 특징 중 하나는 실리콘에 비해 훨씬 뛰어난 전자 이동도입니다. 전자 이동도란 외부 전기장에 의해 전자가 얼마나 쉽게 움직이는지를 나타내는 지표인데, GaAs는 실리콘보다 약 5배 이상 높은 전자 이동도를 가집니다. 이는 동일한 전압이 가해졌을 때 GaAs 소자가 실리콘 소자보다 훨씬 빠르게 동작할 수 있음을 의미합니다. 이러한 높은 전자 이동도는 고주파 신호 처리에 매우 유리하게 작용하며, 초고속 통신 장비 및 레이더 시스템 등에서 필수적인 요소로 자리매김하게 합니다. 또한, GaAs는 실리콘보다 직접 천이형 반도체(Direct Bandgap Semiconductor)라는 중요한 특징을 가집니다. 직접 천이형 반도체는 전자가 에너지 밴드 내에서 이동할 때 빛을 직접적으로 방출하거나 흡수할 수 있는 반면, 실리콘과 같은 간접 천이형 반도체는 빛을 방출하거나 흡수하기 위해 포논(phonon)과 같은 다른 매개체의 도움이 필요하여 효율이 떨어집니다. 이러한 특성 때문에 GaAs는 발광 다이오드(LED), 레이저 다이오드(LD), 광검출기(Photodetector)와 같은 광전자 소자 제작에 매우 적합하며, 효율적인 광 신호의 생성 및 감지에 기여합니다. GaAs는 또한 높은 항복 전압(Breakdown Voltage)과 우수한 내열성도 가지고 있습니다. 높은 항복 전압은 더 높은 전압에서도 안정적으로 동작할 수 있음을 의미하며, 이는 고출력 증폭기 설계에 유리합니다. 우수한 내열성은 장시간 고온 환경에서도 신뢰성을 유지할 수 있도록 하며, 까다로운 작동 환경에서도 안정적인 성능을 보장합니다. 이러한 뛰어난 특성들을 바탕으로 GaAs 장치는 다양한 분야에서 폭넓게 활용되고 있습니다. 가장 대표적인 분야로는 다음과 같은 것들이 있습니다. * **무선 통신:** 휴대폰, 기지국, 위성 통신 등 고주파 신호 처리가 필수적인 무선 통신 시스템에서 GaAs 기반의 고성능 증폭기(PA: Power Amplifier), 저잡음 증폭기(LNA: Low Noise Amplifier), 스위치 등이 널리 사용됩니다. 특히 5G와 같은 차세대 통신 기술에서는 더욱 높은 주파수 대역과 빠른 데이터 전송 속도를 지원하기 위해 GaAs의 역할이 더욱 중요해지고 있습니다. * **레이더 및 방공 시스템:** 군사 및 민간 항공 분야의 레이더 시스템은 수십 GHz 이상의 고주파 신호를 처리해야 하며, GaAs의 높은 전자 이동도와 고출력 특성은 이러한 요구 사항을 충족시키는 데 이상적입니다. 또한, 정밀한 표적 탐지 및 추적을 위한 첨단 레이더 시스템에서도 GaAs 기반의 전자 장비가 핵심적인 역할을 수행합니다. * **위성 및 우주 탐사:** 우주 환경은 극심한 온도 변화와 높은 방사선 노출 등 까다로운 조건을 가집니다. GaAs는 실리콘보다 우수한 내방사선성과 넓은 작동 온도 범위를 가지므로, 위성 통신 장비, 탐사선 전자 부품 등 우주 기술 분야에서 중요한 소재로 사용됩니다. * **광전자 공학:** 앞서 언급했듯이 GaAs는 직접 천이형 반도체로서 효율적인 빛의 방출 및 흡수에 강점을 가집니다. 이러한 특성을 활용하여 고휘도 LED, 광섬유 통신에 사용되는 레이저 다이오드, 광검출기 등의 광전자 소자가 제작됩니다. 또한, 고속 광통신 시스템의 핵심 부품인 포토다이오드와 광 스위치 등에도 GaAs가 사용됩니다. * **고성능 컴퓨팅 및 센서:** 일부 고성능 컴퓨팅 시스템이나 특수한 센서 분야에서도 GaAs의 빠른 스위칭 속도와 낮은 전력 소모 특성을 활용하는 경우가 있습니다. 특히 고속 신호 처리나 특정 물리량 감지에 특화된 센서 기술에서 GaAs 기반의 솔루션이 고려될 수 있습니다. GaAs 장치 제조와 관련된 주요 기술로는 다음과 같은 것들이 있습니다. * **분자빔 에피탁시(MBE: Molecular Beam Epitaxy) 및 금속유기화학 기상 증착법(MOCVD: Metalorganic Chemical Vapor Deposition):** 이 두 가지 기술은 고품질의 GaAs 박막을 성장시키는 데 사용됩니다. MBE는 원자 단위의 정밀한 제어를 통해 매우 균일하고 결함이 적은 박막을 성장시킬 수 있으며, MOCVD는 대량 생산에 적합하면서도 우수한 품질의 박막을 얻을 수 있습니다. 이들 기술을 통해 다양한 화합물 반도체 구조를 제작할 수 있습니다. * **헤테로 접합(Heterojunction) 기술:** 서로 다른 두 개의 반도체 재료를 접합하여 새로운 특성을 구현하는 기술입니다. GaAs 기반의 헤테로 접합으로는 GaAs와 알루미늄갈륨비소(AlGaAs)의 접합을 이용한 HEMT(High Electron Mobility Transistor)나 HBT(Heterojunction Bipolar Transistor) 등이 대표적입니다. 이러한 헤테로 접합 구조는 전자의 이동을 더욱 효율적으로 제어하여 초고속 동작을 가능하게 합니다. * **패터닝(Patterning) 및 식각(Etching) 기술:** 반도체 공정의 핵심인 패터닝은 포토리소그래피(Photolithography) 등을 이용하여 회로 패턴을 웨이퍼 위에 형성하는 과정이며, 식각은 불필요한 부분을 제거하여 원하는 소자 구조를 만드는 과정입니다. 고성능 GaAs 소자를 제작하기 위해서는 미세하고 정밀한 패터닝 및 식각 기술이 필수적입니다. * **금속화(Metallization) 및 접합(Bonding) 기술:** 소자 내에서 전기적 신호를 전달하기 위한 금속 배선을 형성하고, 외부 회로와 연결하는 기술입니다. 높은 전류 밀도와 안정적인 접촉을 보장하는 금속화 공정과 효율적인 패키징 기술이 중요합니다. 물론 GaAs 기술도 몇 가지 한계를 가지고 있습니다. 실리콘에 비해 제조 비용이 높고, 웨이퍼의 결정 구조가 깨지기 쉬워 대면적화가 어렵다는 단점이 있습니다. 또한, 비소(As)라는 독성 물질을 다루는 데 대한 안전 문제도 고려해야 합니다. 이러한 단점들을 극복하기 위해 GaN(질화갈륨)이나 SiC(실리콘카바이드)와 같은 다른 화합물 반도체 소재가 연구되고 있으며, 때로는 실리콘과 GaAs를 함께 집적하는 기술(Heterogeneous Integration)도 개발되고 있습니다. 결론적으로, 갈륨비소(GaAs) 장치는 뛰어난 전자 이동도, 직접 천이형 반도체 특성, 우수한 내열성 등 독보적인 장점을 바탕으로 고주파 통신, 레이더, 광전자 공학 등 첨단 기술 분야에서 핵심적인 역할을 수행하는 중요한 반도체 소재입니다. 지속적인 기술 개발과 혁신을 통해 GaAs는 앞으로도 다양한 첨단 산업 발전에 기여할 것으로 기대됩니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 GaAs 장치 시장예측 2024-2030] (코드 : MONT2407F21906) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 GaAs 장치 시장예측 2024-2030] 에 대해서 E메일 문의는 여기를 클릭하세요. |