| ■ 영문 제목 : Gallium Nitride Power Device Market, Global Outlook and Forecast 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : MONT2407F21972 ■ 조사/발행회사 : Market Monitor Global ■ 발행일 : 2024년 5월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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본 조사 보고서는 현재 동향, 시장 역학 및 미래 전망에 초점을 맞춰, 질화 갈륨 전력 장치 시장에 대한 포괄적인 분석을 제공합니다. 본 보고서는 북미, 유럽, 아시아 태평양 및 신흥 시장과 같은 주요 지역을 포함한 전 세계 질화 갈륨 전력 장치 시장을 대상으로 합니다. 또한 질화 갈륨 전력 장치의 성장을 주도하는 주요 요인, 업계가 직면한 과제 및 시장 참여자를 위한 잠재적 기회도 기재합니다.
글로벌 질화 갈륨 전력 장치 시장은 최근 몇 년 동안 환경 문제, 정부 인센티브 및 기술 발전의 증가로 인해 급속한 성장을 목격했습니다. 질화 갈륨 전력 장치 시장은 통신, 자동차, 공업용, 의료, 군사, 방위/항공 우주, 기타를 포함한 다양한 이해 관계자에게 기회를 제공합니다. 민간 부문과 정부 간의 협력은 질화 갈륨 전력 장치 시장에 대한 지원 정책, 연구 개발 노력 및 투자를 가속화 할 수 있습니다. 또한 증가하는 소비자 수요는 시장 확장의 길을 제시합니다.
글로벌 질화 갈륨 전력 장치 시장은 2023년에 미화 XXX백만 달러로 조사되었으며 2030년까지 미화 XXX백만 달러에 도달할 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 XXX%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.
[주요 특징]
질화 갈륨 전력 장치 시장에 대한 조사 보고서에는 포괄적인 통찰력을 제공하고 이해 관계자의 의사 결정을 용이하게하는 몇 가지 주요 항목이 포함되어 있습니다.
요약 : 본 보고서는 질화 갈륨 전력 장치 시장의 주요 결과, 시장 동향 및 주요 통찰력에 대한 개요를 제공합니다.
시장 개요: 본 보고서는 질화 갈륨 전력 장치 시장의 정의, 역사적 추이, 현재 시장 규모를 포함한 포괄적인 개요를 제공합니다. 종류(예: 전원 장치, RF 전원 장치), 지역 및 용도별로 시장을 세분화하여 각 세그먼트 내의 주요 동인, 과제 및 기회를 중점적으로 다룹니다.
시장 역학: 본 보고서는 질화 갈륨 전력 장치 시장의 성장과 발전을 주도하는 시장 역학을 분석합니다. 본 보고서에는 정부 정책 및 규정, 기술 발전, 소비자 동향 및 선호도, 인프라 개발, 업계 협력에 대한 평가가 포함되어 있습니다. 이 분석은 이해 관계자가 질화 갈륨 전력 장치 시장의 궤적에 영향을 미치는 요인을 이해하는데 도움이됩니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 질화 갈륨 전력 장치 시장내 경쟁 환경에 대한 심층 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 시장 플레이어의 프로필, 시장 점유율, 전략, 제품 포트폴리오 및 최근 동향이 포함됩니다.
시장 세분화 및 예측: 본 보고서는 종류, 지역 및 용도와 같은 다양한 매개 변수를 기반으로 질화 갈륨 전력 장치 시장을 세분화합니다. 정량적 데이터 및 분석을 통해 각 세그먼트의 시장 규모와 성장 예측을 제공합니다. 이를 통해 이해 관계자가 성장 기회를 파악하고 정보에 입각한 투자 결정을 내릴 수 있습니다.
기술 동향: 본 보고서는 주요기술의 발전과 새로운 대체품 등 질화 갈륨 전력 장치 시장을 형성하는 주요 기술 동향을 강조합니다. 이러한 트렌드가 시장 성장, 채택률, 소비자 선호도에 미치는 영향을 분석합니다.
시장 과제와 기회: 본 보고서는 기술적 병목 현상, 비용 제한, 높은 진입 장벽 등 질화 갈륨 전력 장치 시장이 직면한 주요 과제를 파악하고 분석합니다. 또한 정부 인센티브, 신흥 시장, 이해관계자 간의 협업 등 시장 성장의 기회에 대해서도 강조합니다.
규제 및 정책 분석: 본 보고서는 정부 인센티브, 배출 기준, 인프라 개발 계획 등 질화 갈륨 전력 장치에 대한 규제 및 정책 환경을 평가합니다. 이러한 정책이 시장 성장에 미치는 영향을 분석하고 향후 규제 동향에 대한 인사이트를 제공합니다.
권장 사항 및 결론: 본 보고서는 소비자, 정책 입안자, 투자자, 인프라 제공업체 등 이해관계자를 위한 실행 가능한 권고 사항으로 마무리합니다. 이러한 권장 사항은 조사 결과를 바탕으로 질화 갈륨 전력 장치 시장의 주요 과제와 기회를 해결할 수 있습니다.
참고 데이터 및 부록: 보고서에는 분석 및 조사 결과를 입증하기 위한 보조 데이터, 차트, 그래프가 포함되어 있습니다. 또한 데이터 소스, 설문조사, 상세한 시장 예측과 같은 추가 세부 정보가 담긴 부록도 포함되어 있습니다.
[시장 세분화]
질화 갈륨 전력 장치 시장은 종류별 및 용도별로 세분화됩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
■ 종류별 시장 세그먼트
– 전원 장치, RF 전원 장치
■ 용도별 시장 세그먼트
– 통신, 자동차, 공업용, 의료, 군사, 방위/항공 우주, 기타
■ 지역별 및 국가별 글로벌 질화 갈륨 전력 장치 시장 점유율, 2023년(%)
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 아시아 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도)
– 남미 (브라질, 아르헨티나)
– 중동 및 아프리카 (터키, 이스라엘, 사우디 아라비아, UAE)
■ 주요 업체
– Cree Inc, Efficient Power Conversion (EPC) Corporation, Infineon Technologies, GaN Systems Inc, Macom, Microchip Technology Corporation, Mitsubishi Electric Corporation, Navitas Semiconductor, Qorvo, Inc, Toshiba
[주요 챕터의 개요]
1 장 : 질화 갈륨 전력 장치의 정의, 시장 개요를 소개
2 장 : 매출 및 판매량을 기준으로한 글로벌 질화 갈륨 전력 장치 시장 규모
3 장 : 질화 갈륨 전력 장치 제조업체 경쟁 환경, 가격, 판매량 및 매출 시장 점유율, 최신 동향, M&A 정보 등에 대한 자세한 분석
4 장 : 종류별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
5 장 : 용도별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
6 장 : 지역 및 국가별 질화 갈륨 전력 장치 판매량. 각 지역 및 주요 국가의 시장 규모와 성장 잠재력에 대한 정량적 분석을 제공. 세계 각국의 시장 개발, 향후 개발 전망, 시장 기회을 소개
7 장 : 주요 업체의 프로필을 제공. 제품 판매, 매출, 가격, 총 마진, 제품 소개, 최근 동향 등 시장 내 주요 업체의 기본 상황을 자세히 소개
8 장 : 지역별 및 국가별 글로벌 질화 갈륨 전력 장치 시장규모
9 장 : 시장 역학, 시장의 최신 동향, 시장의 추진 요인 및 제한 요인, 업계내 업체가 직면한 과제 및 리스크, 업계의 관련 정책 분석을 소개
10 장 : 산업의 업 스트림 및 다운 스트림을 포함한 산업 체인 분석
11 장 : 보고서의 주요 요점 및 결론
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차1. 조사 및 분석 보고서 소개 2. 글로벌 질화 갈륨 전력 장치 전체 시장 규모 3. 기업 환경 4. 종류별 시장 분석 5. 용도별 시장 분석 6. 지역별 시장 분석 7. 제조업체 및 브랜드 프로필 Cree Inc, Efficient Power Conversion (EPC) Corporation, Infineon Technologies, GaN Systems Inc, Macom, Microchip Technology Corporation, Mitsubishi Electric Corporation, Navitas Semiconductor, Qorvo, Inc, Toshiba Cree Inc Efficient Power Conversion (EPC) Corporation Infineon Technologies 8. 글로벌 질화 갈륨 전력 장치 생산 능력 분석 9. 주요 시장 동향, 기회, 동인 및 제약 요인 10. 질화 갈륨 전력 장치 공급망 분석 11. 결론 [그림 목록]- 종류별 질화 갈륨 전력 장치 세그먼트, 2023년 - 용도별 질화 갈륨 전력 장치 세그먼트, 2023년 - 글로벌 질화 갈륨 전력 장치 시장 개요, 2023년 - 글로벌 질화 갈륨 전력 장치 시장 규모: 2023년 VS 2030년 - 글로벌 질화 갈륨 전력 장치 매출, 2019-2030 - 글로벌 질화 갈륨 전력 장치 판매량: 2019-2030 - 질화 갈륨 전력 장치 매출 기준 상위 3개 및 5개 업체 시장 점유율, 2023년 - 글로벌 종류별 질화 갈륨 전력 장치 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 종류별 질화 갈륨 전력 장치 매출 시장 점유율 - 글로벌 종류별 질화 갈륨 전력 장치 판매량 시장 점유율 - 글로벌 종류별 질화 갈륨 전력 장치 가격 - 글로벌 용도별 질화 갈륨 전력 장치 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 용도별 질화 갈륨 전력 장치 매출 시장 점유율 - 글로벌 용도별 질화 갈륨 전력 장치 판매량 시장 점유율 - 글로벌 용도별 질화 갈륨 전력 장치 가격 - 지역별 질화 갈륨 전력 장치 매출, 2023년 VS 2030년 - 지역별 질화 갈륨 전력 장치 매출 시장 점유율 - 지역별 질화 갈륨 전력 장치 매출 시장 점유율 - 지역별 질화 갈륨 전력 장치 판매량 시장 점유율 - 북미 국가별 질화 갈륨 전력 장치 매출 시장 점유율 - 북미 국가별 질화 갈륨 전력 장치 판매량 시장 점유율 - 미국 질화 갈륨 전력 장치 시장규모 - 캐나다 질화 갈륨 전력 장치 시장규모 - 멕시코 질화 갈륨 전력 장치 시장규모 - 유럽 국가별 질화 갈륨 전력 장치 매출 시장 점유율 - 유럽 국가별 질화 갈륨 전력 장치 판매량 시장 점유율 - 독일 질화 갈륨 전력 장치 시장규모 - 프랑스 질화 갈륨 전력 장치 시장규모 - 영국 질화 갈륨 전력 장치 시장규모 - 이탈리아 질화 갈륨 전력 장치 시장규모 - 러시아 질화 갈륨 전력 장치 시장규모 - 아시아 지역별 질화 갈륨 전력 장치 매출 시장 점유율 - 아시아 지역별 질화 갈륨 전력 장치 판매량 시장 점유율 - 중국 질화 갈륨 전력 장치 시장규모 - 일본 질화 갈륨 전력 장치 시장규모 - 한국 질화 갈륨 전력 장치 시장규모 - 동남아시아 질화 갈륨 전력 장치 시장규모 - 인도 질화 갈륨 전력 장치 시장규모 - 남미 국가별 질화 갈륨 전력 장치 매출 시장 점유율 - 남미 국가별 질화 갈륨 전력 장치 판매량 시장 점유율 - 브라질 질화 갈륨 전력 장치 시장규모 - 아르헨티나 질화 갈륨 전력 장치 시장규모 - 중동 및 아프리카 국가별 질화 갈륨 전력 장치 매출 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 국가별 질화 갈륨 전력 장치 판매량 시장 점유율 - 터키 질화 갈륨 전력 장치 시장규모 - 이스라엘 질화 갈륨 전력 장치 시장규모 - 사우디 아라비아 질화 갈륨 전력 장치 시장규모 - 아랍에미리트 질화 갈륨 전력 장치 시장규모 - 글로벌 질화 갈륨 전력 장치 생산 능력 - 지역별 질화 갈륨 전력 장치 생산량 비중, 2023년 VS 2030년 - 질화 갈륨 전력 장치 산업 가치 사슬 - 마케팅 채널 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 ## 질화갈륨 전력 장치의 개념 질화갈륨 전력 장치(Gallium Nitride Power Device, 이하 GaN 전력 장치)는 기존의 실리콘(Si) 기반 전력 반도체 장치를 대체할 차세대 기술로 주목받고 있습니다. 질화갈륨(GaN)은 3족 및 15족 원소로 구성된 화합물 반도체로서, 탁월한 전기적, 열적 특성을 바탕으로 고효율, 고주파, 고온 동작이 가능한 전력 변환 시스템 구현에 핵심적인 역할을 합니다. GaN 전력 장치의 핵심적인 장점은 실리콘 대비 훨씬 높은 전자 이동도와 항복 전압입니다. 전자 이동도가 높다는 것은 전자가 더 빠르게 움직일 수 있음을 의미하며, 이는 스위칭 속도 향상으로 이어집니다. 즉, 더 짧은 시간 안에 ON/OFF가 가능해져 전력 변환 과정에서의 에너지 손실을 줄일 수 있습니다. 또한, GaN은 실리콘보다 훨씬 높은 항복 전압을 견딜 수 있어 더 높은 전압에서도 안정적인 동작이 가능합니다. 이러한 특성은 전력 변환 시스템의 크기를 줄이고 효율을 높이는 데 결정적인 기여를 합니다. 예를 들어, 동일한 전압 및 전류 용량을 구현할 때 GaN 전력 장치는 실리콘 기반 장치보다 훨씬 작고 가볍게 제작될 수 있습니다. 이는 휴대용 전자기기, 전기 자동차, 통신 장비 등 공간 및 무게 제약이 중요한 분야에서 큰 이점으로 작용합니다. GaN 전력 장치의 가장 대표적인 형태는 **금속-산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)**와 **고이동도 전계 효과 트랜지스터(High Electron Mobility Transistor, HEMT)**입니다. 이 두 가지는 GaN의 우수한 특성을 활용하여 전력 스위칭을 담당하는 주요 소자들입니다. GaN MOSFET은 기존 실리콘 MOSFET과 유사한 구조를 가지지만, GaN 기판을 사용하여 높은 성능을 구현합니다. GaN 기판 자체는 매우 우수한 특성을 가지지만, 고품질 GaN 단결정을 성장시키는 데 어려움이 따릅니다. 따라서 현재 상용화된 GaN 전력 MOSFET의 상당수는 실리콘, 탄화규소(SiC) 등의 이종 기판 위에 GaN을 성장시키는 방식을 채택하고 있습니다. 이러한 이종 기판 사용은 비용 효율성을 높이는 데 기여하지만, 기판 간 격자 불일치로 인한 계면 결함 등이 성능에 영향을 미칠 수 있습니다. GaN HEMT는 GaN과 다른 화합물 반도체(예: 알루미늄 질화갈륨, AlGaN)의 계면에서 발생하는 2차원 전자 가스(2-Dimensional Electron Gas, 2DEG)를 활용하는 소자입니다. AlGaN과 GaN 사이의 이종 접합에서 발생하는 격자 변형 및 분극 효과로 인해 높은 농도의 전자가 특정 채널에 모이게 되는데, 이 전자들이 매우 높은 이동도를 갖기 때문에 빠른 스위칭과 높은 전류 밀도를 구현할 수 있습니다. GaN HEMT는 일반적으로 **수직형(Vertical)** 또는 **수평형(Lateral)** 구조로 설계됩니다. 수평형 GaN HEMT는 일반적으로 사용되는 구조로, 소자의 전압 및 전류 처리 능력이 채널 길이 및 폭에 의해 결정됩니다. 수직형 GaN HEMT는 보다 높은 전압 및 전류를 처리할 수 있도록 설계되며, 차세대 고출력 응용 분야에 적합합니다. GaN 전력 장치의 주요 응용 분야는 매우 광범위합니다. **전력 공급 장치(Power Supply Unit, PSU)** 분야에서는 데스크톱 컴퓨터, 서버, TV 등 다양한 전자 기기의 전원 효율을 획기적으로 개선할 수 있습니다. GaN 전력 장치를 사용하면 전원 공급 장치의 크기를 줄이면서도 더 높은 효율과 더 적은 열 발생을 달성할 수 있어 에너지 절감에 크게 기여합니다. **전기 자동차(Electric Vehicle, EV)** 분야에서도 GaN 전력 장치의 중요성은 날로 커지고 있습니다. 전기 자동차의 온보드 충전기(On-Board Charger, OBC), DC-DC 컨버터, 모터 드라이브 등에 GaN 전력 장치를 적용하면 전력 변환 효율을 높여 주행 거리를 늘리고, 충전 시간을 단축하며, 시스템 전체의 부피와 무게를 줄이는 효과를 얻을 수 있습니다. GaN의 고주파 동작 특성은 더 작은 크기의 수동 소자(인덕터, 커패시터)를 사용할 수 있게 하여 시스템 집적도를 높이는 데도 기여합니다. **통신 산업**에서는 5G 기지국 및 데이터 센터의 전력 효율 개선에 필수적입니다. GaN 전력 장치는 고주파에서도 낮은 손실로 동작하여 전력 증폭기의 효율을 높이고, 시스템의 발열을 줄여 안정적인 통신 서비스 제공에 기여합니다. 또한, **재생 에너지 분야**에서는 태양광 인버터, 에너지 저장 시스템(ESS) 등에서 전력 변환 효율을 높여 에너지 생산 및 관리 효율을 향상시키는 데 사용될 수 있습니다. GaN 전력 장치의 성능을 더욱 향상시키기 위한 관련 기술 개발도 활발히 진행되고 있습니다. **기판 기술** 측면에서는 고품질의 GaN 단결정 기판을 직접 성장시키는 기술이나, 저렴하고 효율적인 이종 기판 성장 기술이 연구되고 있습니다. 또한, **소자 구조 설계** 측면에서는 수직형 GaN HEMT와 같은 새로운 구조의 개발을 통해 더 높은 전압 및 전류 처리 능력을 확보하려는 노력이 이루어지고 있습니다. **패키징 기술** 또한 GaN 전력 장치의 성능과 신뢰성을 결정하는 중요한 요소입니다. GaN 소자는 기존 실리콘 소자보다 더 높은 온도에서 동작하고 더 빠른 스위칭 속도를 가지므로, 이러한 특성을 최대한 활용하기 위한 저기생성(low parasitic) 패키징 기술, 열 방출 성능이 우수한 패키징 기술 개발이 필수적입니다. 또한, **게이트 드라이버 회로 기술**과 **제어 기술** 역시 GaN 전력 장치의 잠재력을 최대한 이끌어내기 위한 중요한 연구 분야입니다. GaN 소자의 빠른 스위칭 속도를 정확하게 제어하기 위해서는 고속으로 동작하고 낮은 지연 시간을 갖는 게이트 드라이버 회로가 필요합니다. 결론적으로, GaN 전력 장치는 기존 실리콘 전력 반도체가 가진 한계를 극복하고 고효율, 고성능, 소형화를 가능하게 하는 핵심 기술입니다. 전기 자동차, 통신, IT 기기 등 다양한 산업 분야에서 에너지 효율 향상과 지속 가능한 기술 발전에 중요한 역할을 할 것으로 기대되며, 관련 기술 연구 및 개발은 앞으로도 계속 가속화될 것입니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 질화 갈륨 전력 장치 시장예측 2024-2030] (코드 : MONT2407F21972) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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