| ■ 영문 제목 : SiC MOSFETs Market, Global Outlook and Forecast 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : MONT2406B6284 ■ 조사/발행회사 : Market Monitor Global ■ 발행일 : 2024년 6월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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본 조사 보고서는 현재 동향, 시장 역학 및 미래 전망에 초점을 맞춰, SiC MOSFET 시장에 대한 포괄적인 분석을 제공합니다. 본 보고서는 북미, 유럽, 아시아 태평양 및 신흥 시장과 같은 주요 지역을 포함한 전 세계 SiC MOSFET 시장을 대상으로 합니다. 또한 SiC MOSFET의 성장을 주도하는 주요 요인, 업계가 직면한 과제 및 시장 참여자를 위한 잠재적 기회도 기재합니다.
글로벌 SiC MOSFET 시장은 최근 몇 년 동안 환경 문제, 정부 인센티브 및 기술 발전의 증가로 인해 급속한 성장을 목격했습니다. SiC MOSFET 시장은 PV 인버터 및 컨버터, 스마트 그리드, 하이브리드 전기 자동차 (HEV), 기타를 포함한 다양한 이해 관계자에게 기회를 제공합니다. 민간 부문과 정부 간의 협력은 SiC MOSFET 시장에 대한 지원 정책, 연구 개발 노력 및 투자를 가속화 할 수 있습니다. 또한 증가하는 소비자 수요는 시장 확장의 길을 제시합니다.
글로벌 SiC MOSFET 시장은 2023년에 미화 XXX백만 달러로 조사되었으며 2030년까지 미화 XXX백만 달러에 도달할 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 XXX%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.
[주요 특징]
SiC MOSFET 시장에 대한 조사 보고서에는 포괄적인 통찰력을 제공하고 이해 관계자의 의사 결정을 용이하게하는 몇 가지 주요 항목이 포함되어 있습니다.
요약 : 본 보고서는 SiC MOSFET 시장의 주요 결과, 시장 동향 및 주요 통찰력에 대한 개요를 제공합니다.
시장 개요: 본 보고서는 SiC MOSFET 시장의 정의, 역사적 추이, 현재 시장 규모를 포함한 포괄적인 개요를 제공합니다. 종류(예: 1200V 타입, 1700V 타입, 650V 타입, 기타), 지역 및 용도별로 시장을 세분화하여 각 세그먼트 내의 주요 동인, 과제 및 기회를 중점적으로 다룹니다.
시장 역학: 본 보고서는 SiC MOSFET 시장의 성장과 발전을 주도하는 시장 역학을 분석합니다. 본 보고서에는 정부 정책 및 규정, 기술 발전, 소비자 동향 및 선호도, 인프라 개발, 업계 협력에 대한 평가가 포함되어 있습니다. 이 분석은 이해 관계자가 SiC MOSFET 시장의 궤적에 영향을 미치는 요인을 이해하는데 도움이됩니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 SiC MOSFET 시장내 경쟁 환경에 대한 심층 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 시장 플레이어의 프로필, 시장 점유율, 전략, 제품 포트폴리오 및 최근 동향이 포함됩니다.
시장 세분화 및 예측: 본 보고서는 종류, 지역 및 용도와 같은 다양한 매개 변수를 기반으로 SiC MOSFET 시장을 세분화합니다. 정량적 데이터 및 분석을 통해 각 세그먼트의 시장 규모와 성장 예측을 제공합니다. 이를 통해 이해 관계자가 성장 기회를 파악하고 정보에 입각한 투자 결정을 내릴 수 있습니다.
기술 동향: 본 보고서는 주요기술의 발전과 새로운 대체품 등 SiC MOSFET 시장을 형성하는 주요 기술 동향을 강조합니다. 이러한 트렌드가 시장 성장, 채택률, 소비자 선호도에 미치는 영향을 분석합니다.
시장 과제와 기회: 본 보고서는 기술적 병목 현상, 비용 제한, 높은 진입 장벽 등 SiC MOSFET 시장이 직면한 주요 과제를 파악하고 분석합니다. 또한 정부 인센티브, 신흥 시장, 이해관계자 간의 협업 등 시장 성장의 기회에 대해서도 강조합니다.
규제 및 정책 분석: 본 보고서는 정부 인센티브, 배출 기준, 인프라 개발 계획 등 SiC MOSFET에 대한 규제 및 정책 환경을 평가합니다. 이러한 정책이 시장 성장에 미치는 영향을 분석하고 향후 규제 동향에 대한 인사이트를 제공합니다.
권장 사항 및 결론: 본 보고서는 소비자, 정책 입안자, 투자자, 인프라 제공업체 등 이해관계자를 위한 실행 가능한 권고 사항으로 마무리합니다. 이러한 권장 사항은 조사 결과를 바탕으로 SiC MOSFET 시장의 주요 과제와 기회를 해결할 수 있습니다.
참고 데이터 및 부록: 보고서에는 분석 및 조사 결과를 입증하기 위한 보조 데이터, 차트, 그래프가 포함되어 있습니다. 또한 데이터 소스, 설문조사, 상세한 시장 예측과 같은 추가 세부 정보가 담긴 부록도 포함되어 있습니다.
[시장 세분화]
SiC MOSFET 시장은 종류별 및 용도별로 세분화됩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
■ 종류별 시장 세그먼트
– 1200V 타입, 1700V 타입, 650V 타입, 기타
■ 용도별 시장 세그먼트
– PV 인버터 및 컨버터, 스마트 그리드, 하이브리드 전기 자동차 (HEV), 기타
■ 지역별 및 국가별 글로벌 SiC MOSFET 시장 점유율, 2023년(%)
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 아시아 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도)
– 남미 (브라질, 아르헨티나)
– 중동 및 아프리카 (터키, 이스라엘, 사우디 아라비아, UAE)
■ 주요 업체
– STMicroelectronics, Microsemi, Wolfspeed, ROHM, Littelfuse, Infineon Technologies, ON Semiconductor
[주요 챕터의 개요]
1 장 : SiC MOSFET의 정의, 시장 개요를 소개
2 장 : 매출 및 판매량을 기준으로한 글로벌 SiC MOSFET 시장 규모
3 장 : SiC MOSFET 제조업체 경쟁 환경, 가격, 판매량 및 매출 시장 점유율, 최신 동향, M&A 정보 등에 대한 자세한 분석
4 장 : 종류별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
5 장 : 용도별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
6 장 : 지역 및 국가별 SiC MOSFET 판매량. 각 지역 및 주요 국가의 시장 규모와 성장 잠재력에 대한 정량적 분석을 제공. 세계 각국의 시장 개발, 향후 개발 전망, 시장 기회을 소개
7 장 : 주요 업체의 프로필을 제공. 제품 판매, 매출, 가격, 총 마진, 제품 소개, 최근 동향 등 시장 내 주요 업체의 기본 상황을 자세히 소개
8 장 : 지역별 및 국가별 글로벌 SiC MOSFET 시장규모
9 장 : 시장 역학, 시장의 최신 동향, 시장의 추진 요인 및 제한 요인, 업계내 업체가 직면한 과제 및 리스크, 업계의 관련 정책 분석을 소개
10 장 : 산업의 업 스트림 및 다운 스트림을 포함한 산업 체인 분석
11 장 : 보고서의 주요 요점 및 결론
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■ 보고서 목차1. 조사 및 분석 보고서 소개 2. 글로벌 SiC MOSFET 전체 시장 규모 3. 기업 환경 4. 종류별 시장 분석 5. 용도별 시장 분석 6. 지역별 시장 분석 7. 제조업체 및 브랜드 프로필 STMicroelectronics, Microsemi, Wolfspeed, ROHM, Littelfuse, Infineon Technologies, ON Semiconductor STMicroelectronics Microsemi Wolfspeed 8. 글로벌 SiC MOSFET 생산 능력 분석 9. 주요 시장 동향, 기회, 동인 및 제약 요인 10. SiC MOSFET 공급망 분석 11. 결론 [그림 목록]- 종류별 SiC MOSFET 세그먼트, 2023년 - 용도별 SiC MOSFET 세그먼트, 2023년 - 글로벌 SiC MOSFET 시장 개요, 2023년 - 글로벌 SiC MOSFET 시장 규모: 2023년 VS 2030년 - 글로벌 SiC MOSFET 매출, 2019-2030 - 글로벌 SiC MOSFET 판매량: 2019-2030 - SiC MOSFET 매출 기준 상위 3개 및 5개 업체 시장 점유율, 2023년 - 글로벌 종류별 SiC MOSFET 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 종류별 SiC MOSFET 매출 시장 점유율 - 글로벌 종류별 SiC MOSFET 판매량 시장 점유율 - 글로벌 종류별 SiC MOSFET 가격 - 글로벌 용도별 SiC MOSFET 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 용도별 SiC MOSFET 매출 시장 점유율 - 글로벌 용도별 SiC MOSFET 판매량 시장 점유율 - 글로벌 용도별 SiC MOSFET 가격 - 지역별 SiC MOSFET 매출, 2023년 VS 2030년 - 지역별 SiC MOSFET 매출 시장 점유율 - 지역별 SiC MOSFET 매출 시장 점유율 - 지역별 SiC MOSFET 판매량 시장 점유율 - 북미 국가별 SiC MOSFET 매출 시장 점유율 - 북미 국가별 SiC MOSFET 판매량 시장 점유율 - 미국 SiC MOSFET 시장규모 - 캐나다 SiC MOSFET 시장규모 - 멕시코 SiC MOSFET 시장규모 - 유럽 국가별 SiC MOSFET 매출 시장 점유율 - 유럽 국가별 SiC MOSFET 판매량 시장 점유율 - 독일 SiC MOSFET 시장규모 - 프랑스 SiC MOSFET 시장규모 - 영국 SiC MOSFET 시장규모 - 이탈리아 SiC MOSFET 시장규모 - 러시아 SiC MOSFET 시장규모 - 아시아 지역별 SiC MOSFET 매출 시장 점유율 - 아시아 지역별 SiC MOSFET 판매량 시장 점유율 - 중국 SiC MOSFET 시장규모 - 일본 SiC MOSFET 시장규모 - 한국 SiC MOSFET 시장규모 - 동남아시아 SiC MOSFET 시장규모 - 인도 SiC MOSFET 시장규모 - 남미 국가별 SiC MOSFET 매출 시장 점유율 - 남미 국가별 SiC MOSFET 판매량 시장 점유율 - 브라질 SiC MOSFET 시장규모 - 아르헨티나 SiC MOSFET 시장규모 - 중동 및 아프리카 국가별 SiC MOSFET 매출 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 국가별 SiC MOSFET 판매량 시장 점유율 - 터키 SiC MOSFET 시장규모 - 이스라엘 SiC MOSFET 시장규모 - 사우디 아라비아 SiC MOSFET 시장규모 - 아랍에미리트 SiC MOSFET 시장규모 - 글로벌 SiC MOSFET 생산 능력 - 지역별 SiC MOSFET 생산량 비중, 2023년 VS 2030년 - SiC MOSFET 산업 가치 사슬 - 마케팅 채널 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 ## 실리콘 카바이드 MOSFET (SiC MOSFET) 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET은 기존의 실리콘(Si) 기반 MOSFET의 한계를 극복하기 위해 개발된 차세대 전력 반도체 소자입니다. 특히 높은 항복 전압, 낮은 온 저항, 빠른 스위칭 속도 등의 장점을 바탕으로 전력 변환 시스템의 효율과 성능을 혁신적으로 향상시키는 데 중요한 역할을 하고 있습니다. **개념 및 정의** MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)은 전계 효과 트랜지스터의 한 종류으로, 게이트 전압을 이용하여 소스와 드레인 사이의 전류 흐름을 제어하는 반도체 소자입니다. SiC MOSFET은 이러한 MOSFET의 구조를 SiC라는 재료를 이용하여 구현한 것입니다. SiC는 탄소(C)와 규소(Si)의 화합물로, 다이아몬드와 유사한 결정 구조를 가지며, 실리콘보다 훨씬 우수한 물리적, 전기적 특성을 지니고 있습니다. 이러한 SiC의 장점을 활용하여 제작된 SiC MOSFET은 다음과 같은 주요 특징을 가집니다. **주요 특징** 1. **높은 항복 전압 (High Breakdown Voltage):** SiC는 실리콘보다 약 10배 높은 전기장 강도를 가지고 있습니다. 이는 동일한 전압을 견딜 때 훨씬 얇은 절연층(게이트 산화막)을 사용할 수 있음을 의미하며, 반대로 동일한 두께의 절연층에서는 훨씬 높은 전압을 견딜 수 있다는 것을 뜻합니다. 결과적으로 SiC MOSFET은 높은 전압을 효율적으로 차단하고 제어할 수 있어 고전압 애플리케이션에 적합합니다. 2. **낮은 온 저항 (Low On-Resistance):** SiC는 실리콘보다 약 3배 높은 포화 전자 이동도를 가집니다. 또한, 위에서 언급한 높은 전기장 강도로 인해 고전압을 견디는 데 필요한 채널 두께를 줄일 수 있습니다. 이 두 가지 요인이 결합되어 SiC MOSFET은 동일한 크기나 전압 등급에서 훨씬 낮은 온 저항을 가질 수 있습니다. 낮은 온 저항은 전력 손실(I²R 손실)을 감소시켜 소자의 발열을 줄이고 에너지 효율을 크게 향상시킵니다. 3. **빠른 스위칭 속도 (Fast Switching Speed):** SiC MOSFET은 실리콘 기반 MOSFET에 비해 게이트 전하(Qg)와 출력 전하(Qoss)가 훨씬 적습니다. 이는 스위칭 시 필요한 에너지와 시간이 줄어들어 소자를 더욱 빠르고 효율적으로 켜고 끌 수 있음을 의미합니다. 빠른 스위칭 속도는 전력 변환 시스템에서 스위칭 손실을 줄이고, 스위칭 주파수를 높여 더 작고 가벼운 수동 소자(변압기, 필터 등)를 사용할 수 있게 함으로써 시스템 전체의 효율성과 집적도를 향상시키는 데 기여합니다. 4. **높은 작동 온도 (High Operating Temperature):** SiC는 실리콘보다 약 3배 높은 열 전도율을 가지며, 밴드갭 에너지 또한 실리콘보다 두 배 이상 큽니다. 이는 SiC MOSFET이 훨씬 높은 온도에서 안정적으로 작동할 수 있음을 의미합니다. 높은 작동 온도는 냉각 시스템의 부담을 줄이고, 소형화 및 고출력 밀도 구현에 유리하게 작용합니다. 5. **우수한 내방사선 특성 (Excellent Radiation Hardness):** SiC는 실리콘보다 방사선에 대한 내성이 뛰어납니다. 이는 우주 항공, 원자력 발전 등 극한 환경에서의 응용 가능성을 높여줍니다. **종류** SiC MOSFET은 구조 및 동작 방식에 따라 몇 가지 종류로 나눌 수 있지만, 가장 일반적인 형태는 **Enhancement-mode (증가 모드) SiC MOSFET**입니다. 이는 게이트 전압이 인가되지 않았을 때는 전류가 거의 흐르지 않다가, 게이트 전압이 일정 값(문턱 전압, $V_{th}$) 이상으로 인가될 때 채널이 형성되어 소스와 드레인 사이에 전류가 흐르게 되는 방식입니다. 또한, SiC MOSFET은 크게 **Planar** 구조와 **Vertical** 구조로 나눌 수 있습니다. Planar 구조는 소자 특성은 우수하나 집적도에 한계가 있고, Vertical 구조는 고전압 및 고전류 처리에 유리하며 집적도 또한 높일 수 있어 최근에는 Vertical 구조의 SiC MOSFET이 주로 연구 및 상용화되고 있습니다. Vertical 구조 내에서도 다시 **DMOS (Double-diffused MOSFET)** 구조가 가장 널리 사용됩니다. DMOS 구조는 전력 처리에 유리하게 설계된 수직적인 전류 경로를 가지며, 특히 **V-groove** 또는 **U-groove** 형태의 게이트 구조를 사용하여 채널 전류를 효율적으로 제어하는 **MOSFET with trench gate (트렌치 게이트 MOSFET)** 형태가 성능 향상에 기여하고 있습니다. **용도** SiC MOSFET의 뛰어난 성능은 다양한 전력 전자 분야에서 혁신을 이끌고 있습니다. 주요 용도는 다음과 같습니다. * **전기 자동차 (Electric Vehicles, EVs):** EV의 온보드 충전기(OBC), DC-DC 컨버터, 모터 드라이브 등에서 실리콘 IGBT나 MOSFET을 대체하여 전력 변환 효율을 높이고 시스템 크기 및 무게를 줄이는 데 크게 기여하고 있습니다. 이는 주행 거리 연장 및 충전 시간 단축으로 이어집니다. * **신재생 에너지 시스템 (Renewable Energy Systems):** 태양광 발전 시스템의 인버터, 풍력 발전 시스템의 전력 변환 장치 등에서 높은 효율과 신뢰성을 제공하여 에너지 수확을 극대화하고 시스템 비용을 절감하는 데 사용됩니다. * **전력망 (Power Grid):** 고전압 직류 송전(HVDC) 시스템, 스마트 그리드, 무정전 전원 장치(UPS), 데이터 센터 전원 공급 장치(PSU) 등에서 에너지 손실을 줄이고 시스템 효율을 높이는 데 활용됩니다. * **산업용 전력 변환 (Industrial Power Conversion):** 산업용 모터 드라이브, 용접기, 전력 공급 장치 등 다양한 산업 설비에서 에너지 효율 향상 및 장비 소형화를 위해 적용되고 있습니다. * **항공 우주 및 방위 산업 (Aerospace and Defense):** 극한의 온도 및 방사선 환경에서도 안정적으로 작동하는 특성을 바탕으로 항공기 전력 시스템, 위성 전력 관리 등에 사용될 수 있습니다. **관련 기술 및 발전 동향** SiC MOSFET의 성능을 극대화하고 상용화를 확대하기 위한 다양한 관련 기술 및 연구가 진행되고 있습니다. * **게이트 산화막 기술:** SiC는 실리콘과는 다른 결정 구조와 특성을 가지므로, 높은 신뢰성을 갖는 고품질 게이트 산화막을 형성하는 것이 중요합니다. 고온 산화, NO 산화 등 다양한 산화 공정이 개발 및 최적화되고 있으며, 계면 트랩 밀도를 낮추어 누설 전류를 줄이고 전하 이동도를 향상시키려는 노력이 지속되고 있습니다. * **채널 도핑 및 구조 설계:** 낮은 온 저항을 달성하기 위해 채널 영역의 도핑 농도, 깊이, 그리고 트렌치 구조의 설계가 매우 중요합니다. 고농도 도핑 기술과 정교한 식각 기술을 통해 효율적인 채널을 형성하는 연구가 활발히 이루어지고 있습니다. * **소자 집적화 및 패키징 기술:** 고성능 SiC MOSFET을 더욱 작고 효율적으로 만들기 위한 소자 집적화 기술과 함께, 높은 온도 및 전류 밀도에서도 안정적인 성능을 유지할 수 있는 차세대 패키징 기술이 중요합니다. 방열 성능이 뛰어난 기판 및 접합 기술, 더 얇고 내구성이 강한 리드 프레임리스 패키징 등이 연구되고 있습니다. * **시뮬레이션 및 모델링:** SiC 소자의 복잡한 물리 현상을 정확하게 예측하고 설계하기 위한 시뮬레이션 및 모델링 기술 또한 발전하고 있습니다. 이는 소자 개발 시간을 단축하고 성능을 최적화하는 데 필수적입니다. * **SiC MOSFET과 SiC 쇼트키 다이오드(Schottky Diode)의 결합:** SiC MOSFET은 일반적으로 파라지틱 쇼트키 다이오드(Parasitic Schottky Diode)를 내장하고 있지만, 이는 스위칭 시 역방향 회복 손실(Reverse Recovery Loss)을 유발할 수 있습니다. 이를 개선하기 위해 SiC 쇼트키 다이오드를 별도로 사용하거나, 소자 구조를 변경하여 역방향 회복 특성을 개선하는 연구가 진행되고 있습니다. 또한, SiC MOSFET과 SiC 쇼트키 다이오드를 하나의 모듈로 통합한 하이브리드 모듈도 상용화되어 있습니다. * **향상된 소자 설계 (e.g., Kelvin Source):** 게이트 전극과 소스 전극을 분리하여 게이트 노이즈에 의한 오작동을 줄이고 더욱 안정적인 스위칭을 가능하게 하는 Kelvin Source 구조가 SiC MOSFET의 고속 스위칭 성능을 지원하는 데 사용됩니다. **결론** SiC MOSFET은 실리콘 기반 소자의 물리적 한계를 극복하고 에너지 효율, 시스템 성능, 그리고 작동 환경의 유연성을 획기적으로 향상시킬 수 있는 잠재력을 가진 차세대 전력 반도체 소자입니다. 전기 자동차, 신재생 에너지, 전력망 등 다양한 분야에서 SiC MOSFET의 채택이 가속화되면서, 기술 발전과 더불어 더욱 광범위한 응용이 기대됩니다. 지속적인 연구 개발을 통해 더욱 향상된 성능과 신뢰성을 갖춘 SiC MOSFET이 미래 전력 전자 시스템의 핵심 부품으로 자리매김할 것으로 전망됩니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 SiC MOSFET 시장예측 2024-2030] (코드 : MONT2406B6284) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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