| ■ 영문 제목 : Global MOSFET and IGBT Gate Drivers Market Growth 2025-2031 | |
 | ■ 상품코드 : LPK23JU1212 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2025년 3월 ■ 페이지수 : 104 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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| LPI (LP Information)의 최신 조사 보고서는 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버의 과거 판매실적을 살펴보고 2024년의 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 판매실적을 검토하여 2025년부터 2031년까지 예상되는 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 판매에 대한 지역 및 시장 세그먼트별 포괄적인 분석을 제공합니다. 세계의 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모는 2024년 xxx백만 달러에서 연평균 xx% 성장하여 2031년에는 xxx백만 달러에 달할 것으로 예측되고 있습니다. 본 보고서의 시장규모 데이터는 무역 전쟁 및 러시아-우크라이나 전쟁의 영향을 반영했습니다. 본 보고서는 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버의 세계시장에 관해서 조사, 분석한 자료로서, 기업별 시장 점유율, 지역별 시장규모 (미주, 미국, 캐나다, 멕시코, 브라질, 아시아, 중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 유럽, 독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아, 중동/아프리카, 이집트, 남아프리카, 터키, 중동GCC국 등), 시장동향, 판매/유통업자/고객 리스트, 시장예측 (2026년-2031년), 주요 기업동향 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) 등의 정보를 포함하고 있습니다. 또한, 주요지역의 종류별 시장규모 (싱글 채널, 듀얼 채널, 멀티 채널)와 용도별 시장규모 (전자, 자동차, 모터 구동 및 제어, 스마트 그리드 인프라, 공장 자동화, 항공 우주, 기타) 데이터도 수록되어 있습니다. ***** 목차 구성 ***** 보고서의 범위 경영자용 요약 - 세계의 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 2020년-2031년 - 지역별 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장분석 - 종류별 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 2020년-2025년 (싱글 채널, 듀얼 채널, 멀티 채널) - 용도별 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 2020년-2025년 (전자, 자동차, 모터 구동 및 제어, 스마트 그리드 인프라, 공장 자동화, 항공 우주, 기타) 기업별 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장분석 - 기업별 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 판매량 - 기업별 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 매출액 - 기업별 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 판매가격 - 주요기업의 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 생산거점, 판매거점 - 시장 집중도 분석 지역별 분석 - 지역별 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 판매량 2020년-2025년 - 지역별 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 매출액 2020년-2025년 미주 시장 - 미주의 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 2020년-2025년 - 미주의 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 : 종류별 - 미주의 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 : 용도별 - 미국 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 - 캐나다 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 - 멕시코 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 - 브라질 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 아시아 시장 - 아시아의 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 2020년-2025년 - 아시아의 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 : 종류별 - 아시아의 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 : 용도별 - 중국 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 - 일본 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 - 한국 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 - 동남아시아 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 - 인도 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 유럽 시장 - 유럽의 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 2020년-2025년 - 유럽의 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 : 종류별 - 유럽의 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 : 용도별 - 독일 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 - 프랑스 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 - 영국 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 중동/아프리카 시장 - 중동/아프리카의 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 2020년-2025년 - 중동/아프리카의 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 : 종류별 - 중동/아프리카의 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 : 용도별 - 이집트 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 - 남아프리카 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 - 중동GCC MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 시장의 성장요인, 과제, 동향 - 시장의 성장요인, 기회 - 시장의 과제, 리스크 - 산업 동향 제조원가 구조 분석 - 원재료 및 공급업체 - MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버의 제조원가 구조 분석 - MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버의 제조 프로세스 분석 - MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버의 산업체인 구조 마케팅, 유통업체, 고객 - 판매채널 - MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버의 유통업체 - MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버의 주요 고객 지역별 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장 예측 - 지역별 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 예측 2026년-2031년 - 미주 지역 예측 - 아시아 지역 예측 - 유럽 지역 예측 - 중동/아프리카 지역 예측 - MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버의 종류별 시장예측 (싱글 채널, 듀얼 채널, 멀티 채널) - MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버의 용도별 시장예측 (전자, 자동차, 모터 구동 및 제어, 스마트 그리드 인프라, 공장 자동화, 항공 우주, 기타) 주요 기업 분석 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) - Texas Instruments, STMicroelectronics, NXP Semiconductors, ON Semiconductor, Toshiba, Vishay Intertechnology, Infineon, Fairchild Semiconductor, Fuji Electric, Diodes 조사의 결론 |
This report studies the MOSFET & IGBT Gate Drivers market. A gate driver is a power amplifier that accepts a low-power input from a controller IC and produces a high-current drive input for the gate of a high-power transistor such as an IGBT or power MOSFET. Gate drivers can be provided either on-chip or as a discrete module. In essence, a gate driver consists of a level shifter in combination with an amplifier.
LPI (LP Information)’ newest research report, the “MOSFET and IGBT Gate Drivers Industry Forecast” looks at past sales and reviews total world MOSFET and IGBT Gate Drivers sales in 2024, providing a comprehensive analysis by region and market sector of projected MOSFET and IGBT Gate Drivers sales for 2025 through 2031. With MOSFET and IGBT Gate Drivers sales broken down by region, market sector and sub-sector, this report provides a detailed analysis in US$ millions of the world MOSFET and IGBT Gate Drivers industry.
This Insight Report provides a comprehensive analysis of the global MOSFET and IGBT Gate Drivers landscape and highlights key trends related to product segmentation, company formation, revenue, and market share, latest development, and M&A activity. This report also analyzes the strategies of leading global companies with a focus on MOSFET and IGBT Gate Drivers portfolios and capabilities, market entry strategies, market positions, and geographic footprints, to better understand these firms’ unique position in an accelerating global MOSFET and IGBT Gate Drivers market.
This Insight Report evaluates the key market trends, drivers, and affecting factors shaping the global outlook for MOSFET and IGBT Gate Drivers and breaks down the forecast by type, by application, geography, and market size to highlight emerging pockets of opportunity. With a transparent methodology based on hundreds of bottom-up qualitative and quantitative market inputs, this study forecast offers a highly nuanced view of the current state and future trajectory in the global MOSFET and IGBT Gate Drivers.
The global MOSFET and IGBT Gate Drivers market size is projected to grow from US$ 1576.9 million in 2024 to US$ 2325.4 million in 2031; it is expected to grow at a CAGR of 2325.4 from 2025 to 2031.
Global MOSFET & IGBT Gate Drivers key players include Infineon Technologies, ON Semiconductor, STMicroelectronics, ROHM Semiconductor, NXP Semiconductors, etc. Global top five manufacturers hold a share about 55%. Asia-Pacific is the largest market, with a share about 60%, followed by Europe, with a share about 20 percent. In terms of product, Half-bridge Gate Drivers is the largest segment, with a share about 40%. And in terms of application, the largest application is Power Supply, followed by Automotive, Display & Lighting, Home Appliance, etc.
This report presents a comprehensive overview, market shares, and growth opportunities of MOSFET and IGBT Gate Drivers market by product type, application, key manufacturers and key regions and countries.
[Market Segmentation]
Segmentation by type
Single Channel
Dual Channel
Multi-Channel
Segmentation by application
Electronics
Automobile
Motor Drives and Control
Smart Grid Infrastructure
Factory Automation
Aerospace
Others
This report also splits the market by region:
Americas
United States
Canada
Mexico
Brazil
APAC
China
Japan
Korea
Southeast Asia
India
Australia
Europe
Germany
France
UK
Italy
Russia
Middle East & Africa
Egypt
South Africa
Israel
Turkey
GCC Countries
The below companies that are profiled have been selected based on inputs gathered from primary experts and analyzing the company’s coverage, product portfolio, its market penetration.
Texas Instruments
STMicroelectronics
NXP Semiconductors
ON Semiconductor
Toshiba
Vishay Intertechnology
Infineon
Fairchild Semiconductor
Fuji Electric
Diodes
[Key Questions Addressed in this Report]
What is the 10-year outlook for the global MOSFET and IGBT Gate Drivers market?
What factors are driving MOSFET and IGBT Gate Drivers market growth, globally and by region?
Which technologies are poised for the fastest growth by market and region?
How do MOSFET and IGBT Gate Drivers market opportunities vary by end market size?
How does MOSFET and IGBT Gate Drivers break out type, application?
What are the influences of trade war and Russia-Ukraine war?
1 Scope of the Report |
| ※참고 정보 ## MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버의 이해 전력 반도체 소자인 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)과 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)는 현대 전력 전자 시스템에서 핵심적인 역할을 수행합니다. 이들 소자를 효율적이고 안정적으로 구동하기 위해서는 게이트 드라이버라는 별도의 회로가 필수적으로 요구됩니다. 게이트 드라이버는 전력 반도체 소자의 게이트 단자에 적절한 전압과 전류를 빠르고 정확하게 공급하여 스위칭 동작을 제어하는 역할을 합니다. 본 글에서는 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버의 기본적인 개념, 주요 특징, 종류, 그리고 관련 기술들에 대해 상세히 설명하고자 합니다. MOSFET과 IGBT는 모두 게이트 단자에 전압을 인가함으로써 채널을 형성하여 전류의 흐름을 제어하는 원리를 이용합니다. 하지만 이러한 스위칭 동작을 신속하고 효율적으로 수행하기 위해서는 몇 가지 고려해야 할 사항들이 있습니다. 첫째, 전력 반도체 소자의 게이트 단자는 상대적으로 큰 기생 커패시턴스(gate capacitance)를 가지고 있습니다. 이 커패시턴스를 빠르게 충전하거나 방전시키기 위해서는 높은 전류를 순간적으로 공급할 수 있는 능력이 필요합니다. 둘째, 전력 반도체 소자의 스위칭 속도는 전압 및 전류의 급격한 변화를 동반하므로, 게이트 드라이버는 이러한 빠른 전환 과정에서 발생할 수 있는 노이즈나 잘못된 트리거링을 방지해야 합니다. 셋째, 전력 반도체 소자의 종류 및 동작 조건에 따라 요구되는 게이트 전압 레벨이 다릅니다. 예를 들어, MOSFET의 경우 10V 내외의 게이트 전압으로도 충분히 포화 상태에 이를 수 있지만, IGBT는 더 높은 게이트 전압을 요구하는 경우가 많습니다. 게이트 드라이버의 가장 기본적인 역할은 전력 반도체 소자의 게이트 단자에 필요한 구동 전압을 제공하는 것입니다. 이는 일반적으로 마이크로컨트롤러나 DSP와 같은 제어 신호로부터 입력받은 낮은 레벨의 신호를 증폭하여, 전력 반도체 소자를 ON 또는 OFF 시키는 데 필요한 더 높은 전압 레벨로 변환하는 과정을 포함합니다. 또한, 스위칭 시 발생하는 과도 전류를 효율적으로 처리하여 게이트 커패시턴스를 빠르게 충전/방전시킴으로써 스위칭 손실을 최소화하고 스위칭 속도를 향상시키는 것이 게이트 드라이버의 중요한 기능입니다. 게이트 드라이버는 다양한 특징을 가지고 있으며, 이러한 특징들은 특정 응용 분야에 적합한 게이트 드라이버를 선택하는 데 중요한 기준이 됩니다. 주요 특징으로는 다음과 같은 것들이 있습니다. 첫째, **높은 피크 전류(High Peak Current) 제공 능력**입니다. 앞서 언급한 게이트 커패시턴스를 빠르게 충전/방전시키기 위해 순간적으로 수 암페어(A) 이상의 전류를 공급할 수 있어야 합니다. 둘째, **빠른 스위칭 속도(Fast Switching Speed)**입니다. 게이트 드라이버 자체의 응답 속도가 빠를수록 전력 반도체 소자의 스위칭 속도 또한 향상되어 전력 변환 효율을 높일 수 있습니다. 셋째, **낮은 출력 임피던스(Low Output Impedance)**입니다. 이는 게이트 드라이버의 출력 단자가 낮은 저항 값을 가짐으로써, 게이트 커패시턴스를 효과적으로 충전/방전시키는 데 도움을 줍니다. 넷째, **안정적인 출력 전압(Stable Output Voltage)**입니다. 부하 변동이나 온도 변화에도 불구하고 일정한 게이트 전압을 유지하여 전력 반도체 소자의 안정적인 동작을 보장해야 합니다. 다섯째, **보호 기능(Protection Features)**입니다. 과전압 보호, 저전압 록아웃(Under-Voltage Lockout, UVLO), 단락 회로 보호 등 다양한 보호 기능을 내장하여 전력 반도체 소자 및 시스템의 손상을 방지합니다. 여섯째, **격리 기능(Isolation)**입니다. 제어 회로와 전력 회로 간의 전기적 절연은 감전 위험을 줄이고 노이즈 간섭을 최소화하는 데 필수적입니다. 게이트 드라이버는 크게 **단일 채널(Single-Channel) 게이트 드라이버**와 **이중 채널(Half-Bridge, Full-Bridge) 게이트 드라이버**로 나눌 수 있습니다. 단일 채널 게이트 드라이버는 하나의 전력 반도체 소자를 개별적으로 구동하는 데 사용됩니다. 이는 부스트 컨버터나 승압 컨버터와 같이 하나의 스위치만 사용하는 회로에 적합합니다. 이중 채널 게이트 드라이버는 두 개의 전력 반도체 소자를 상호 보완적으로 구동하는 데 사용됩니다. 예를 들어, 하프 브릿지 컨버터에서는 하나의 상단(high-side) 스위치와 하나의 하단(low-side) 스위치를 구동하는 데 사용되며, 풀 브릿지 컨버터에서는 네 개의 스위치를 구동하기 위해 두 개의 이중 채널 게이트 드라이버가 사용되기도 합니다. 이중 채널 게이트 드라이버는 두 개의 채널 간의 상호 간섭을 방지하고 데드 타임(dead time)을 정밀하게 제어하는 기능이 중요합니다. 게이트 드라이버는 그 적용 분야가 매우 광범위합니다. 가장 대표적인 용도로는 **전력 공급 장치(Power Supplies)**입니다. 서버, 컴퓨터, 통신 장비 등 다양한 전자기기의 전력 공급 장치에 사용되는 스위칭 모드 파워 서플라이(SMPS)에서 MOSFET이나 IGBT를 효율적으로 스위칭하는 데 게이트 드라이버가 활용됩니다. 또한, **모터 드라이브(Motor Drives)** 분야에서도 핵심적인 역할을 수행합니다. 전기 자동차의 구동 모터, 산업용 로봇, 가전제품 모터 등 다양한 모터 제어 시스템에서 MOSFET이나 IGBT를 사용하여 모터의 속도와 토크를 정밀하게 제어하는 데 게이트 드라이버가 필수적입니다. **태양광 인버터(Solar Inverters)**, **풍력 발전 시스템(Wind Power Systems)**과 같은 신재생 에너지 관련 분야에서도 DC 전력을 AC 전력으로 변환하는 과정에서 전력 반도체 소자의 스위칭을 제어하기 위해 게이트 드라이버가 사용됩니다. 이 외에도 **LED 드라이버(LED Drivers)**, **전기차 충전기(EV Chargers)**, **무정전 전원 장치(UPS, Uninterruptible Power Supply)** 등 전력 전자 기술이 적용되는 거의 모든 분야에서 게이트 드라이버를 찾아볼 수 있습니다. 관련 기술 측면에서, 최근에는 **고집적화(High Integration)** 및 **다기능화(Multi-functionality)** 추세가 두드러지고 있습니다. 과거에는 별도의 IC로 제공되던 게이트 드라이버 기능이 이제는 전력 반도체 소자 자체에 통합되거나, 또는 MOSFET이나 IGBT와 함께 패키지 내부에 집적되는 형태로 발전하고 있습니다. 또한, 제어 회로와의 통신 인터페이스를 디지털화하거나, 과도한 온도 상승을 방지하기 위한 열 관리 기능, 스위칭 손실을 최소화하기 위한 최적화된 스위칭 패턴 생성 기능 등을 통합한 고성능 게이트 드라이버가 개발되고 있습니다. 특히, SiC(Silicon Carbide)나 GaN(Gallium Nitride)과 같은 차세대 전력 반도체 소자의 등장과 함께 이러한 소재의 특성을 최대한 활용할 수 있는 고속, 고전압, 고전류 게이트 드라이버에 대한 수요가 증가하고 있습니다. 이러한 차세대 소재들은 기존의 실리콘 기반 소자보다 더 높은 효율과 더 빠른 스위칭 속도를 제공하지만, 동시에 더 높은 스위칭 주파수와 더 가파른 전압/전류 변화율을 수반하므로, 이를 지원할 수 있는 정밀하고 강력한 게이트 드라이버 기술이 필수적입니다. 또한, 통신 및 제어 신호를 효율적으로 전달하기 위한 **광 절연(Optical Isolation)** 기술이나 **자기 절연(Magnetic Isolation)** 기술 역시 게이트 드라이버의 성능과 안정성에 중요한 영향을 미칩니다. 최근에는 디지털 절연 기술 또한 주목받고 있으며, 이는 기존 아날로그 절연 방식에 비해 더 높은 대역폭과 더 낮은 전력 소모를 제공할 수 있습니다. 결론적으로, MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버는 전력 반도체 소자의 효율적이고 안정적인 동작을 보장하는 데 있어 없어서는 안 될 핵심 부품입니다. 다양한 응용 분야의 요구사항을 충족하기 위해 게이트 드라이버 기술은 지속적으로 발전하고 있으며, 고집적화, 다기능화, 그리고 차세대 전력 반도체 소재와의 호환성을 높이는 방향으로 진화해 나갈 것입니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장예측 2025년-2031년] (코드 : LPK23JU1212) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
| ※본 조사보고서 [세계의 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장예측 2025년-2031년] 에 대해서 E메일 문의는 여기를 클릭하세요. |