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인듐 갈륨 비소(InGaAs) 시장은 2023년에 1,202.3백만 달러의 가치를 가질 것으로 예상되며, 2019년부터 2023년까지 연평균 성장률은 5.6%에 이를 것입니다. 단기적으로는 2024년부터 2027년까지 고속 데이터 전송 및 이미지 응용 분야의 수요 증가로 인해 시장이 꾸준히 성장할 것으로 보입니다. 통신 및 방위 분야에서의 채택이 주도하며, 재료 특성의 개선이 시장 침투를 확대할 것입니다. 중기적으로는 5G 네트워크, 자율주행 자동차, 산업 자동화와 같은 신기술의 채택이 가속화될 것으로 예상됩니다. 장기적으로는 시장이 성숙기에 접어들며 다양한 응용 분야로 세분화될 것입니다. 광전자 부품의 혁신과 R&D 투자 증가는 지속적인 수요를 창출할 것으로 보입니다. InGaAs 수요를 이끄는 주요 요인은 고속 통신 및 데이터 전송에 대한 수요 증가입니다. 통신 기술의 발전으로 인해 더 빠르고 효율적인 전송 시스템에 대한 수요가 높아지고 있으며, InGaAs는 고주파 및 고대역폭 응용 분야에서 이상적인 솔루션을 제공합니다. 또한, 방위 및 항공우주 분야에서의 채택 증가도 시장 성장에 기여하고 있습니다. 그러나 높은 생산 비용과 제한된 채택이 시장 성장의 주요 제약 요인으로 작용하고 있습니다. 미국에서는 통신, 방위, 산업 분야에서의 고성능 응용 분야 채택 증가로 인해 InGaAs 수요가 높습니다. 5G 인프라의 성장과 데이터 센터의 증가는 미국의 시장 성장을 주도하고 있습니다. 반면, 중국은 통신 및 반도체 제조업의 급속한 발전으로 인해 InGaAs 시장에서 가장 빠른 성장률을 보일 것으로 예상됩니다. 정부의 5G 인프라 확장과 국방 역량 강화에 대한 집중이 시장 성장을 촉진하고 있습니다. 제품 유형별로는 PIN 포토다이오드가 고속 응용 분야에서 우수한 성능을 발휘하여 시장에서 선도적인 점유율을 차지하고 있습니다. 통신 산업이 InGaAs 시장에서 최대 시장 점유율을 차지하고 있으며, 이는 5G 구현에 따른 데이터 전송 및 통신 속도 증가에 기인합니다. 경쟁 구도에서는 AXT, Inc., Broadcom, Inc., Epistar Corporation 등 여러 주요 기업들이 활동하고 있으며, 최근에는 LiDAR 및 광통신 응용 분야에서의 성능 향상에 중점을 두고 있습니다. 기업들은 공급망을 간소화하고 첨단 기술을 통합하기 위해 전략적 제휴와 인수를 추진하고 있습니다. 결론적으로, 인듐 갈륨 비소 시장은 앞으로도 지속적인 성장이 예상되며, 2024년에는 1,288.9백만 달러에 달할 것으로 보이고, 2034년까지 25억 8,320만 달러에 이를 것으로 전망됩니다. |
인듐 갈륨 비소(InGaAs) 시장 전망(2024~2034년)
전 세계 인듐 갈륨 비소 시장은 2024년에 미화 1,288.9백만 달러의 가치를 달성할 것으로 예상됩니다. 2034년까지 25억 8,320만 달러에 이를 것으로 예상되며, 2024년부터 2034년까지의 예측 기간 동안 연평균 7.2%의 성장률을 보일 것으로 예상됩니다.
인듐 갈륨 비소 시장은 2024년에 약 400억 달러에 달할 것으로 예상되는 글로벌 복합 반도체 시장의 약 3.2%를 차지합니다.
역사적 분석(2019~2023) vs 미래(2024~2034) 경로 분석
인듐 갈륨 비소 시장은 2023년에 미화 1,202.3백만 달러의 가치를 지니게 될 것이며, 2019년부터 2023년까지 연평균 성장률 5.6%로 성장할 것입니다.
단기(2024~2027년): InGaAs 시장의 단기 전망은 고속 데이터 전송 및 이미지 응용 분야의 수요 증가와 함께 꾸준한 성장세를 보일 것으로 예상됩니다. 채택은 통신 및 방위 분야의 대규모 부문에서 주도될 것이며, 재료 특성의 개선은 제품이 더 넓은 시장 침투를 실현할 수 있는 능력을 향상시킬 것입니다.
중기(2027~2030년): 중기에는 5G 네트워크, 자율주행 자동차, 산업 자동화 등 신흥 기술 분야에서 광범위하게 채택되면서 InGaAs 시장이 가속화될 것으로 예상됩니다. 생산 능력의 확대와 함께 기술 발전은 비용 절감을 보장하여 의료 및 가전 제품과 같은 여러 산업 분야에서 InGaAs의 확산을 보장할 것입니다.
장기적 전망(2030~2034년): 장기적으로 보면, InGaAs 시장은 성숙 단계에 접어들고, 응용 분야는 다양한 분야로 세분화될 것으로 예상됩니다. 광전자 부품의 혁신과 R&D에 대한 투자 증가는 지속적인 수요를 창출할 것입니다. 따라서 지속 가능한 에너지 관리와 환경 모니터링을 위한 현대적인 센서 시스템(스마트 시티 개발)에 대한 폭넓은 응용이 시장에 도움이 될 것입니다.
시장 역학
인듐 갈륨 비소(InGaAs) 수요를 이끄는 주요 요인은 무엇입니까?
“고속 통신 및 데이터 전송에 대한 수요 증가”
InGaAs 시장의 주요 원동력은 다양한 비즈니스 분야에서 고속 통신 및 데이터 전송에 대한 높은 수요입니다. 통신 기술의 발전과 함께 통신 분야에서 급증하고 있는 더 빠르고 효율적인 전송 시스템을 활용하려는 수요가 증가하고 있습니다.
이 점에서, InGaAs는 우수한 전자 이동성과 넓은 스펙트럼 범위 덕분에 고주파 및 고대역폭 응용 분야에서 이상적인 솔루션을 제공합니다. 이 모든 재료는 5G와 같은 고속 통신 네트워크와 광섬유에 사용되는 광검출기, 광섬유, 레이저 다이오드에 응용됩니다.
또한, 5G 인프라의 확대와 위성 통신의 발전으로 인해 InGaAs 부품에 대한 수요가 더욱 증가했습니다. 데이터 전송에 대한 수요가 증가함에 따라, InGaAs 기반 장치는 주로 더 높은 데이터 전송률과 더 낮은 신호 손실을 가능하게 함으로써 이 증가하는 시장에서 가장 큰 비중을 차지할 것으로 예상됩니다.
“국방 및 항공 우주 부문에서 채택이 증가하고 있습니다”
InGaAs 시장의 성장을 주도하는 핵심 산업에는 방위산업과 항공우주산업이 포함됩니다. 이 소재는 매우 특수한 응용 분야에 매우 중요한 것으로 판명된 전례 없는 특성을 가지고 있기 때문입니다. 실제로, InGaAs가 NIR 및 SWIR 파장에 최적의 감도를 제공하여 이미징이나 탐지와 같은 여러 작업을 수행할 수 있는 매우 효율적이고 진보된 시스템을 가능하게 한다는 사실이 잘 알려져 있습니다.
이로 인해 정밀성과 정확성이 필수적인 감시, 야시, 표적 획득 시스템에 점점 더 많이 사용되고 있습니다. 높은 수준의 방사선에 대한 내성으로 인해 우주에서의 사용 범위가 위성 기반 센서와 우주 탐사 임무로 확대되고 있습니다.
방위 역량 강화에 대한 압박과 우주 탐사를 위한 신기술 개발이 증가함에 따라, 이 분야에서의 InGaAs 수요도 증가할 것으로 예상됩니다. 정부와 민간 기업의 보안에 대한 투자 증가와 우주 임무가 결합되어 향후 몇 년 동안 InGaAs 기반 솔루션의 채택이 크게 증가할 것입니다.
시장 성장을 제한하는 주요 요인
“높은 생산 비용과 제한된 채택”
InGaAs 시장의 주요 제약 요인은 생산에 높은 비용이 소요된다는 점인데, 이로 인해 광범위한 수용이 제한되었습니다. InGaAs는 제조 공정에 복잡한 과정이 수반되고 특수한 제조 시설이 필요하기 때문에 실리콘이나 게르마늄과 같은 다른 반도체 재료보다 더 비쌉니다.
특히, 높은 비용은 가전 제품이나 산업용 응용 분야와 같이 저렴한 대안을 찾는 민감한 가격 부문의 문제입니다. 원자재의 제한적인 공급은 InGaAs 기반 부품의 전체 비용을 증가시킵니다.
이 때문에 국방, 항공우주, 통신과 같이 고부가가치 산업을 제외한 다른 분야에서의 사용이 제한됩니다. 생산 기술의 획기적인 발전이나 규모의 경제가 달성되지 않는 한, 이러한 비용 장벽은 계속해서 InGaAs 기술을 괴롭히고, 더 넓은 응용 분야와 성장을 방해할 것입니다.
국가별 통찰력
미국에서 인듐 갈륨 비소(InGaAs)에 대한 수요가 높은 이유는 무엇입니까?
“통신, 방위, 산업 분야와 같은 고성능 응용 분야에서 채택이 증가하고 있기 때문입니다”
미국의 InGaAs 시장은 통신, 방위, 산업 분야의 고성능 응용 분야에서 채택이 증가함에 따라 건전한 성장을 보일 것입니다. 이 수요는 첨단 군사 기술에 대한 국가의 집중과 보안 및 감시와 관련된 우수한 이미징 솔루션에 대한 필요성 증가에 의해 주도되고 있습니다. 또한, 5G 인프라의 성장과 데이터 센터의 증가는 고속 광통신 시스템에 적합한 이 소재로 인해 미국 지역의 InGaAs 시장 성장을 주도한 다른 요인들 중 일부입니다.
InGaAs가 적외선 탐지 및 야시 시스템에 사용되는 방위 및 항공우주 분야의 발전을 위한 정부의 지원은 미국의 주요 성장 요인 중 하나입니다. 미국은 본질적으로 혁신 주도형이며 기술 발전에 중점을 두고 있기 때문에, InGaAs의 글로벌 시장 선도적 위치는 미국이 계속 유지할 것입니다.
왜 중국의 인듐 갈륨 비소(InGaAs)가 예측 기간 동안 가장 빠른 CAGR로 상승할까요?
“통신 및 반도체 제조의 급속한 발전”
InGaAs 시장은 중국의 통신 및 반도체 제조업의 급속한 성장에 힘입어 중국에서 경이적인 성장을 보이고 있습니다. 이 부문의 성장에 기여한 주요 요인 중 하나는 중국 내에서 고속 광통신 시스템에 대한 수요가 증가하고 있다는 점입니다.
정부가 5G 인프라를 확장하고 반도체 분야에 막대한 투자를 하는 등 야심 찬 계획을 추진함에 따라, 특히 광검출기 및 이미지 어레이 분야에서 InGaAs의 채택이 확대되고 있습니다. 또한, 국가가 국방 역량 강화에 집중하고 군사 응용 분야에서 야시 시스템 개발이 이루어지면서 InGaAs 시장의 성장이 촉진되고 있습니다.
중국의 강력한 제조 생태계와 함께 증가하는 R&D 투자가 결합되어, 중국을 글로벌 InGaAs 시장에서 중요한 플레이어로 만들었습니다. 이 시장은 기술 혁신과 시장 성장의 핵심 동력 중 하나로 자리매김하고 있습니다.
카테고리별 인사이트
어떤 제품 유형이 인듐 갈륨 비소(InGaAs) 시장에서 선도적인 점유율을 차지하고 있습니까?
“PIN 포토다이오드는 고속 응용 분야에서 우수한 성능을 발휘하여 인듐 갈륨 비소 시장을 선도합니다.”
특히 통신 및 데이터 통신 시스템과 같은 고속 응용 분야에서 최고의 성능을 발휘하는 PIN 포토다이오드는 InGaAs 시장에서 선도적인 점유율을 차지하고 있습니다. 특히, 이 포토다이오드는 적외선에 매우 민감하기 때문에 고속 데이터 전송이 필요한 광섬유 통신 관련 응용 분야에 적합합니다.
대역폭에 대한 지속적인 수요와 5G의 출시는 이러한 추세를 더욱 가속화할 것입니다. 그 외에도, PIN 포토다이오드는 비교적 쉽게 제작할 수 있고 비용이 저렴하기 때문에 다른 종류보다 시장에서 더 매력적입니다. 이런 점에서 볼 때, 산업 자동화나 의료와 같은 더 많은 산업 분야에서 폭넓게 활용될 수 있는 길을 쉽게 열 수 있었을 것입니다. 따라서, 산업 내 지속적인 혁신과 업그레이드 추세에 따라, PIN 포토다이오드는 그 중요성을 계속 유지할 가능성이 높습니다.
어떤 산업 분야가 최대 시장 점유율을 차지하고 있습니까?
“최종 사용 산업 부문에서 통신업의 지배력”
데이터 전송 및 통신의 속도가 빠른 기술에 대한 수요가 증가하면서 통신 산업이 InGaAs 시장에서 주도적인 위치를 차지하고 있습니다. 이는 주로 광섬유 통신 시스템의 광검출기용으로 향상된 솔루션을 필요로 하는 5G 구현에 의해 주도되고 있습니다.
특히, InGaAs 포토다이오드, 특히 PIN 타입은 고속 데이터 무결성에 필수적인 효율적인 신호 전송, 높은 감도, 낮은 노이즈 레벨을 가능하게 하는 핵심 요소입니다. 또한, 데이터 센터와 사물인터넷의 확장은 더욱 강력한 통신 인프라에 대한 수요를 계속 증가시키고 있으며, 이 때문에 InGaAs 기술이 산업 발전과 성장의 핵심으로 남아 있는 이유가 되고 있습니다. InGaAs 시장은 디지털 연결의 확장과 함께 통신 부문의 지배력을 계속 유지할 것입니다.
경쟁 구도
인듐 갈륨 비소 서비스 산업의 주요 시장 참여자는 AXT, Inc., Broadcom, Inc, Epistar Corporation, Excelitas Technologies Corporation, First Sensor AG, Hamamatsu Photonics K.K., Horiba Scientific, II-VI Incorporated, IntelliEPI Inc., IQE plc, Jenoptik AG, Laser Components, Macom Technology Solutions, Marktech Optoelectronics Inc.입니다. Nichia Corporation, OSI Optoelectronics, RS Component, University Wafer Inc., Sensors Unlimited, Sumitomo Electric Industries, Ltd., Synopsys, Inc., Teledyne Technologies, Visual Photonics Epitaxy Co., Ltd. (VPEC), Xenics NV 및 기타 주요 업체
최근 인듐 갈륨 비소(InGaAs) 시장의 트렌드는 LiDAR 및 광통신과 같은 응용 분야에서 칩 감도와 성능 향상에 중점을 두고 있음을 보여줍니다. 기업들은 공급망을 간소화하고 첨단 기술을 통합하기 위해 전략적 제휴와 인수를 추진하고 있습니다.
이러한 협력은 혁신을 촉진하여 차세대 광검출기 개발과 생산 능력 향상을 가능하게 하며, 이는 자동차 및 통신을 포함한 다양한 분야에서 증가하는 수요를 충족하는 데 필수적입니다. 예를 들어
플럭스 테크놀로지는 2024년 3월에 1550nm 인듐 갈륨 비소 애벌런치 포토다이오드를 수출하는 중요한 계약을 체결했습니다. 경쟁사 제품보다 12배 더 민감한 것으로 알려진 이 “무소음 InGaAs APD”는 특히 북미와 유럽의 고객을 위해 LiDAR 및 광섬유 장비와 같은 시스템의 성능을 즉시 향상시킵니다. 이 회사는 성공적인 시드 펀딩 라운드를 마친 직후 15명의 고객에게 제품을 납품했습니다.
2021년 7월, Luminar Technologies Inc.는 인듐 갈륨 비소 칩 설계에 중요한 역할을 해 온 전략적 파트너인 OptoGration Inc.를 인수한다고 발표했습니다. 이번 인수로 Luminar는 공급망 구성 요소를 확보하는 동시에 이미 자회사로 편입된 칩 설계 자원의 통합을 강화할 수 있게 되었습니다. 이러한 구성 요소는 5세대 Iris LiDAR 센서를 구축하는 데 사용되고 있습니다. 5년간의 파트너십 기간 동안 두 회사는 1550nm 파장의 라이다(LiDAR) 응용 분야에 필수적인 고성능 InGaAs 광검출기 기술 개발을 위해 협력해 왔습니다. InGaAs 칩은 OptoGration의 시설에서 제조될 예정이며, 연간 최대 1백만 개를 생산할 수 있고, 최대 1천만 개까지 생산량을 늘릴 수 있습니다.
인듐 갈륨 비소(InGaAs) 산업의 세분화 연구
제품 유형별:
PIN 포토다이오드
APD 포토다이오드
광전 검출기
이미징 어레이
응용 분야별:
광검출기
포토다이오드
애벌랜치 포토다이오드
태양 전지
레이저 다이오드
적외선 이미징 장치
고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)
최종 용도 산업별:
통신
광섬유 통신
위성 통신
항공우주 및 방위산업
야시 시스템
원격 감지
산업용
분광학
공정 제어
소비자 가전
카메라
센서
의료 및 생명 과학
의료 영상
진단 장비
지역별:
북미
중남미
서유럽
동유럽
동아시아
남아시아 및 태평양 지역
중동 및 아프리카
목차
1. 요약 보고서
2. 분류 및 시장 정의 등 산업 소개
3. 거시경제 요인, 시장 역학, 최근 산업 발전 등 시장 동향 및 성공 요인
4. 과거 분석 및 미래 전망을 포함한 2019-2023년 글로벌 시장 수요 분석 및 2024-2034년 예측
5. 가격 분석
6. 2019-2023년 세계 시장 분석 및 2024-2034년 전망
6.1. 제품 유형
6.2. 응용 분야
6.3. 최종 사용 산업
7. 2019-2023년 세계 시장 분석 및 2024-2034년 전망, 제품 유형별
7.1. PIN 포토다이오드
7.2. APD 포토다이오드
7.3. 광전 검출기
7.4. 이미지 어레이
8. 글로벌 시장 분석 2019~2023년 및 예측 2024~2034년, 응용 분야별
8.1. 광검출기
8.2. 포토다이오드
8.3. 애벌랜치 포토다이오드
8.4. 태양 전지
8.5. 레이저 다이오드
8.6. 적외선 영상 장치
8.7. 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)
9. 최종 용도 산업별 2019~2023년 글로벌 시장 분석 및 2024~2034년 예측
9.1. 통신
9.1.1. 광섬유 통신
9.1.2. 위성 통신
9.2. 항공우주 및 방위산업
9.2.1. 야시 시스템
9.2.2. 원격 탐사
9.3. 산업용
9.3.1. 분광학
9.3.2. 공정 제어
9.4. 소비자 가전
9.4.1. 카메라
9.4.2. 센서
9.5. 의료 및 생명 과학
9.5.1. 의료 영상
9.5.2. 진단 장비
10. 2019-2023년 세계 시장 분석 및 2024-2034년 전망(지역별)
10.1. 북미
10.2. 중남미
10.3. 서유럽
10.4. 동유럽
10.5. 동아시아
10.6. 남아시아 및 태평양
10.7. 중동 및 아프리카
11. 북미 판매 분석 2019~2023년 및 예측 2024~2034년, 주요 부문 및 국가별
12. 중남미 판매 분석 2019~2023년 및 예측 2024~2034년, 주요 부문 및 국가별
13. 서유럽 판매 분석 2019~2023년 및 예측 2024~2034년, 주요 부문 및 국가별
14. 동유럽 판매 분석 2019~2023년 및 예측 2024~2034년, 주요 부문 및 국가별
15. 2019~2023년 동아시아 판매 분석 및 2024~2034년 전망, 주요 부문 및 국가별
16. 2019~2023년 남아시아 및 태평양 판매 분석 및 2024~2034년 전망, 주요 부문 및 국가별
17. 2019년부터 2023년까지의 MEA 판매 분석 및 2024년부터 2034년까지의 주요 부문 및 국가별 전망
18. 30개국의 제품 유형, 응용 프로그램 및 최종 사용 산업별 2024년부터 2034년까지의 판매 전망
19. 시장 구조 분석, 주요 업체별 회사 점유율 분석 및 경쟁 대시보드를 포함한 경쟁 전망
20. 회사 프로필
20.1. AXT, Inc.
20.2. Broadcom, Inc.
20.3. Epistar Corporation
20.4. Excelitas Technologies Corporation
20.5. First Sensor AG
20.6. Hamamatsu Photonics K.K.
20.7. Horiba Scientific
20.8. II-VI Incorporated
20.9. IntelliEPI Inc.
20.10. IQE plc
20.11. Jenoptik AG
20.12. Laser Components
20.13. Macom Technology Solutions
20.14. Marktech Optoelectronics Inc.
20.15. Nichia Corporation
20.16. OSI Optoelectronics
20.17. RS Component
20.18. University Wafer Inc.
20.19. Sensors Unlimited
20.20. Other Prominent Players
– 자주 묻는 질문 –
글로벌 인듐 갈륨 비소(InGaAs) 시장의 규모는 얼마인가요?
글로벌 인듐 갈륨 비소의 가치는 2024년에 미화 1,288.9백만 달러에 달할 것으로 예상됩니다.
인듐 갈륨 비소(InGaAs) 시장은 앞으로 어떻게 될 것으로 예상됩니까?
2034년 말까지 전 세계 인듐 갈륨 비소 수요는 미화 25억 8,320만 달러에 이를 것으로 예상됩니다.
어떤 지역 인듐 갈륨 비소(InGaAs) 시장이 선도적인 시장 점유율을 차지하고 있습니까?
북미는 2024년 전 세계 인듐 갈륨 비소 시장 점유율 36.2%를 차지하며 1위를 차지했습니다.
시장 점유율이 가장 높은 제품 유형은 무엇입니까?
PIN 포토다이오드는 2024년 전 세계 매출의 42.8%를 차지할 것으로 예상됩니다.
북미 시장 전망은 어떻습니까?
북미 시장의 가치는 2034년에 미화 4억 6,660만 달러에 이를 것으로 예상됩니다.
지난 5년 동안 인듐 갈륨 비소(InGaAs) 시장은 연평균 성장률(CAGR)이 어느 정도였습니까?
인듐 갈륨 비소(indium gallium arsenide)의 역사적 성장률은 2019-2023년 사이 5.6%였습니다.
