| ■ 영문 제목 : Global Semiconductor Silicon Carbide (SiC) Power Devices Market Growth 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : LPI2410G6154 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2024년 10월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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LP Information (LPI)사의 최신 조사에 따르면, 글로벌 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 시장 규모는 2023년에 미화 XXX백만 달러로 산출되었습니다. 다운 스트림 시장의 수요가 증가함에 따라 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스은 조사 대상 기간 동안 XXX%의 CAGR(연평균 성장율)로 2030년까지 미화 XXX백만 달러의 시장규모로 예상됩니다.
본 조사 보고서는 글로벌 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 시장의 성장 잠재력을 강조합니다. 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스은 향후 시장에서 안정적인 성장을 보일 것으로 예상됩니다. 그러나 제품 차별화, 비용 절감 및 공급망 최적화는 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스의 광범위한 채택을 위해 여전히 중요합니다. 시장 참여자들은 연구 개발에 투자하고, 전략적 파트너십을 구축하고, 진화하는 소비자 선호도에 맞춰 제품을 제공함으로써 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 시장이 제공하는 막대한 기회를 활용해야 합니다.
[주요 특징]
반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 시장에 대한 보고서는 다양한 측면을 반영하고 업계에 대한 소중한 통찰력을 제공합니다.
시장 규모 및 성장: 본 조사 보고서는 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 시장의 현재 규모와 성장에 대한 개요를 제공합니다. 여기에는 과거 데이터, 유형별 시장 세분화 (예 : 다이오드, 모듈, 트랜지스터, 기타) 및 지역 분류가 포함될 수 있습니다.
시장 동인 및 과제: 본 보고서는 정부 규제, 환경 문제, 기술 발전 및 소비자 선호도 변화와 같은 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 시장의 성장을 주도하는 요인을 식별하고 분석 할 수 있습니다. 또한 인프라 제한, 범위 불안, 높은 초기 비용 등 업계가 직면한 과제를 강조할 수 있습니다.
경쟁 환경: 본 조사 보고서는 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 시장 내 경쟁 환경에 대한 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 업체의 프로필, 시장 점유율, 전략 및 제공 제품이 포함됩니다. 본 보고서는 또한 신흥 플레이어와 시장에 대한 잠재적 영향을 강조할 수 있습니다.
기술 개발: 본 조사 보고서는 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 산업의 최신 기술 개발에 대해 자세히 살펴볼 수 있습니다. 여기에는 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 기술의 발전, 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 신규 진입자, 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 신규 투자, 그리고 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스의 미래를 형성하는 기타 혁신이 포함됩니다.
다운스트림 고객 선호도: 본 보고서는 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 시장의 고객 구매 행동 및 채택 동향을 조명할 수 있습니다. 여기에는 고객의 구매 결정에 영향을 미치는 요인, 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 제품에 대한 선호도가 포함됩니다.
정부 정책 및 인센티브: 본 조사 보고서는 정부 정책 및 인센티브가 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 시장에 미치는 영향을 분석합니다. 여기에는 규제 프레임워크, 보조금, 세금 인센티브 및 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 시장을 촉진하기위한 기타 조치에 대한 평가가 포함될 수 있습니다. 본 보고서는 또한 이러한 정책이 시장 성장을 촉진하는데 미치는 효과도 분석합니다.
환경 영향 및 지속 가능성: 조사 보고서는 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 시장의 환경 영향 및 지속 가능성 측면을 분석합니다.
시장 예측 및 미래 전망: 수행된 분석을 기반으로 본 조사 보고서는 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 산업에 대한 시장 예측 및 전망을 제공합니다. 여기에는 시장 규모, 성장률, 지역 동향, 기술 발전 및 정책 개발에 대한 예측이 포함됩니다.
권장 사항 및 기회: 본 보고서는 업계 이해 관계자, 정책 입안자, 투자자를 위한 권장 사항으로 마무리됩니다. 본 보고서는 시장 참여자들이 새로운 트렌드를 활용하고, 도전 과제를 극복하며, 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 시장의 성장과 발전에 기여할 수 있는 잠재적 기회를 강조합니다.
[시장 세분화]
반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 수량 및 금액 측면에서 제공합니다.
*** 종류별 세분화 ***
다이오드, 모듈, 트랜지스터, 기타
*** 용도별 세분화 ***
EV/ HEV, PV 인버터, UPS, 기타
본 보고서는 또한 시장을 지역별로 분류합니다:
– 미주 (미국, 캐나다, 멕시코, 브라질)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 호주)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 중동 및 아프리카 (이집트, 남아프리카 공화국, 이스라엘, 터키, GCC 국가)
아래 프로파일링 대상 기업은 주요 전문가로부터 수집한 정보를 바탕으로 해당 기업의 서비스 범위, 제품 포트폴리오, 시장 점유율을 분석하여 선정되었습니다.
Cree (Wolfspeed)、II-VI Advanced Materials、ROHM (Sicrystal)、Norstel、SICC Co., Ltd.、Showa Denko、TankeBlue Semiconductor、SK Siltron、Synlight、CENGOL、Epiworld intenational、TYSiC、Mitsubishi Electric
[본 보고서에서 다루는 주요 질문]
– 글로벌 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 시장의 향후 10년 전망은 어떻게 될까요?
– 전 세계 및 지역별 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 시장 성장을 주도하는 요인은 무엇입니까?
– 시장과 지역별로 가장 빠르게 성장할 것으로 예상되는 분야는 무엇인가요?
– 최종 시장 규모에 따라 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 시장 기회는 어떻게 다른가요?
– 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스은 종류, 용도를 어떻게 분류합니까?
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■ 보고서 목차■ 보고서의 범위 ■ 보고서의 요약 ■ 기업별 세계 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 시장분석 ■ 지역별 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스에 대한 추이 분석 ■ 미주 시장 ■ 아시아 태평양 시장 ■ 유럽 시장 ■ 중동 및 아프리카 시장 ■ 시장 동인, 도전 과제 및 동향 ■ 제조 비용 구조 분석 ■ 마케팅, 유통업체 및 고객 ■ 지역별 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 시장 예측 ■ 주요 기업 분석 Cree (Wolfspeed)、II-VI Advanced Materials、ROHM (Sicrystal)、Norstel、SICC Co., Ltd.、Showa Denko、TankeBlue Semiconductor、SK Siltron、Synlight、CENGOL、Epiworld intenational、TYSiC、Mitsubishi Electric – Cree (Wolfspeed) – II-VI Advanced Materials – ROHM (Sicrystal) ■ 조사 결과 및 결론 [그림 목록]반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 이미지 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 판매량 성장률 (2019-2030) 글로벌 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 매출 성장률 (2019-2030) 지역별 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 매출 (2019, 2023 및 2030) 글로벌 종류별 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 종류별 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 매출 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 용도별 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 용도별 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 매출 시장 점유율 기업별 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 판매량 시장 2023 기업별 글로벌 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 판매량 시장 점유율 2023 기업별 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 매출 시장 2023 기업별 글로벌 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 매출 시장 점유율 2023 지역별 글로벌 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 판매량 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 매출 시장 점유율 2023 미주 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 판매량 (2019-2024) 미주 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 매출 (2019-2024) 아시아 태평양 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 판매량 (2019-2024) 아시아 태평양 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 매출 (2019-2024) 유럽 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 판매량 (2019-2024) 유럽 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 매출 (2019-2024) 중동 및 아프리카 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 판매량 (2019-2024) 중동 및 아프리카 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 매출 (2019-2024) 미국 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 시장규모 (2019-2024) 캐나다 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 시장규모 (2019-2024) 멕시코 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 시장규모 (2019-2024) 브라질 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 시장규모 (2019-2024) 중국 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 시장규모 (2019-2024) 일본 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 시장규모 (2019-2024) 한국 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 시장규모 (2019-2024) 동남아시아 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 시장규모 (2019-2024) 인도 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 시장규모 (2019-2024) 호주 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 시장규모 (2019-2024) 독일 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 시장규모 (2019-2024) 프랑스 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 시장규모 (2019-2024) 영국 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 시장규모 (2019-2024) 이탈리아 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 시장규모 (2019-2024) 러시아 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 시장규모 (2019-2024) 이집트 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 시장규모 (2019-2024) 남아프리카 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 시장규모 (2019-2024) 이스라엘 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 시장규모 (2019-2024) 터키 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 시장규모 (2019-2024) GCC 국가 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 시장규모 (2019-2024) 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스의 제조 원가 구조 분석 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스의 제조 공정 분석 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스의 산업 체인 구조 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스의 유통 채널 글로벌 지역별 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 판매량 시장 전망 (2025-2030) 글로벌 지역별 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 반도체 실리콘 카바이드(SiC) 파워 디바이스는 차세대 전력 반도체 소재로 각광받고 있는 실리콘 카바이드(SiC)를 기반으로 제작된 전력 변환 및 제어용 반도체 소자를 의미합니다. 기존의 실리콘(Si) 기반 파워 디바이스 대비 월등히 우수한 전기적, 열적 특성을 지니고 있어 고효율, 고성능, 소형화, 경량화가 요구되는 다양한 응용 분야에서 혁신을 주도하고 있습니다. SiC는 탄소(C)와 실리콘(Si)이 결합된 화합물 반도체로, 다이아몬드와 유사한 결정 구조를 가지며, 이는 SiC 파워 디바이스가 갖는 독보적인 성능의 근간이 됩니다. SiC 파워 디바이스의 가장 두드러진 특징은 뛰어난 내열성과 내압성입니다. SiC는 실리콘에 비해 약 3배 높은 항복 전압, 약 3배 높은 열 전도율, 그리고 약 9배 높은 임계 전기장 강도를 가집니다. 이러한 특성들은 SiC 파워 디바이스가 훨씬 높은 전압을 더 낮은 손실로 처리할 수 있게 하며, 고온 환경에서도 안정적으로 작동할 수 있도록 합니다. 또한, SiC는 실리콘보다 훨씬 작은 바디 다이오드 역회복 전하량을 가지고 있어 스위칭 손실을 크게 줄일 수 있습니다. 이는 전력 변환 효율을 극대화하고, 방열 설계 부담을 완화하는 데 결정적인 기여를 합니다. 결과적으로 시스템 전체의 에너지 소비를 줄이고, 장치의 수명을 연장하는 효과를 가져옵니다. 이러한 장점들은 기존 실리콘 파워 디바이스로는 구현하기 어려웠던 고효율, 고성능, 소형화 요구를 충족시키는 데 중요한 역할을 합니다. SiC 파워 디바이스는 주로 전력 변환 과정에서 효율성을 높이고 손실을 줄이기 위한 스위칭 소자로 사용됩니다. 그 종류로는 대표적으로 SiC MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)과 SiC 쇼트키 다이오드(Schottky Diode)가 있습니다. SiC MOSFET은 기존 실리콘 MOSFET의 장점을 계승하면서도 훨씬 높은 전압, 전류, 그리고 스위칭 주파수에서 동작이 가능하도록 설계되었습니다. 낮은 온저항과 빠른 스위칭 속도를 통해 전력 변환 효율을 비약적으로 향상시키며, 고온 동작이 가능하여 냉각 시스템의 부담을 줄여줍니다. SiC 쇼트키 다이오드는 실리콘 PN 접합 다이오드 대비 매우 낮은 순방향 전압 강하와 거의 없는 역회복 전하량을 특징으로 합니다. 이는 다이오드에서 발생하는 스위칭 손실을 거의 제거하여 전력 변환 효율을 한 단계 더 끌어올립니다. 이 두 가지 소자는 함께 사용되어 전력 변환 시스템의 효율을 극대화하는 데 핵심적인 역할을 합니다. 최근에는 SiC IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 등 다양한 형태의 SiC 파워 디바이스도 개발 및 상용화되고 있으며, 각 소자의 특성과 장점을 살려 특정 응용 분야에 최적화된 솔루션을 제공하고 있습니다. SiC 파워 디바이스의 응용 분야는 매우 광범위합니다. 전기차(EV) 분야에서는 배터리 충전 시스템, 온보드 충전기(OBC), DC-DC 컨버터, 그리고 전기 모터 구동 시스템 등에 적용되어 차량의 주행 거리를 늘리고 충전 시간을 단축하는 데 크게 기여하고 있습니다. 고효율 전력 변환은 에너지 손실을 최소화하여 배터리 사용 효율을 높이고, 소형화 및 경량화는 차량 설계의 유연성을 증대시킵니다. 또한, SiC 파워 디바이스의 뛰어난 내열성은 고온의 엔진룸이나 배터리 팩 근처에서도 안정적인 작동을 보장합니다. 재생 에너지 분야에서도 SiC 파워 디바이스의 중요성은 점점 커지고 있습니다. 태양광 발전 시스템의 인버터, 풍력 발전 시스템의 컨버터 등에 적용되어 전력 변환 효율을 높이고 시스템의 신뢰성을 향상시킵니다. 이는 발전된 전력을 더욱 효율적으로 생산하고 송전 손실을 줄이는 데 중요한 역할을 합니다. 또한, 데이터 센터의 전원 공급 장치(PSU), 산업용 전원 공급 장치, 그리고 고압 직류 송전(HVDC) 시스템 등 다양한 고효율 전력 변환이 요구되는 산업 분야에서도 SiC 파워 디바이스가 속속 도입되고 있습니다. 고전압, 고전류 환경에서의 뛰어난 성능은 이러한 시스템의 안정성과 효율성을 극대화하는 데 필수적입니다. 최근에는 더 높은 효율과 성능을 달성하기 위해 SiC 하이브리드 모듈 형태로도 개발되고 있으며, 이는 단일 소자로는 구현하기 어려운 복합적인 요구 사항을 충족시키는 데 기여합니다. SiC 파워 디바이스의 발전과 함께 관련 기술 또한 빠르게 진화하고 있습니다. SiC 웨이퍼의 품질 향상은 소자의 성능과 수율을 결정하는 중요한 요소입니다. 결정 결함, 표면 거칠기 등의 문제를 해결하여 더욱 순수하고 균일한 SiC 웨이퍼를 생산하는 기술은 SiC 파워 디바이스의 상용화를 앞당기는 데 핵심적인 역할을 합니다. 또한, SiC 소자의 설계 및 공정 기술 역시 지속적으로 발전하고 있습니다. 채널 저항을 낮추고 스위칭 속도를 높이기 위한 새로운 소자 구조 개발, 게이트 산화막의 품질 개선, 그리고 고온 패키징 기술 등은 SiC 파워 디바이스의 성능을 한층 더 끌어올리는 데 기여하고 있습니다. 예를 들어, Trench MOSFET 구조는 기존 Planar MOSFET 대비 온저항을 크게 감소시켜 고효율화를 달성할 수 있게 합니다. SiC 파워 디바이스의 신뢰성 확보 또한 중요한 과제입니다. 고온, 고전압, 고전류 환경에서 장기간 안정적으로 동작하기 위한 패키징 기술, 열 관리 기술, 그리고 소자 보호 기술 등에 대한 연구가 활발히 진행되고 있습니다. 특히 고온 환경에서의 반도체 소자 패키징은 일반적인 플라스틱 몰딩으로는 한계가 있어 세라믹 기반의 고온 패키징 기술이 중요하게 부각되고 있습니다. 이러한 관련 기술의 발전은 SiC 파워 디바이스의 상용화 범위를 넓히고 새로운 응용 분야를 개척하는 데 필수적입니다. 궁극적으로 SiC 파워 디바이스는 에너지 효율 향상, 탄소 배출량 감소, 그리고 시스템 성능 향상이라는 현대 사회의 주요 과제를 해결하는 데 중요한 역할을 할 것으로 기대됩니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 반도체 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 디바이스 시장 2024-2030] (코드 : LPI2410G6154) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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