세계의 차세대 메모리 시장 (2024년~2032년) : 비휘발성, 휘발성

■ 영문 제목 : Next Generation Memory Market Report by Technology (Non-Volatile, Volatile), Wafer Size (200 mm, 300 mm, 450 mm), Storage Type (Mass Storage, Embedded Storage, and Others), Application (BFSI, Consumer Electronics, Government, Telecommunications, Information Technology and Others), and Region 2024-2032

IMARC가 발행한 조사보고서이며, 코드는 IMARC24AUG0432 입니다.■ 상품코드 : IMARC24AUG0432
■ 조사/발행회사 : IMARC
■ 발행일 : 2024년 7월
■ 페이지수 : 144
■ 작성언어 : 영문
■ 보고서 형태 : PDF
■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2영업일)
■ 조사대상 지역 : 세계
■ 산업 분야 : 기술 및 미디어
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■ 보고서 개요

세계의 차세대 메모리 시장 규모는 2023년에 61억 달러에 달했습니다. IMARC 그룹은 2024~2032년 동안 23.7%의 연평균 성장률(CAGR)을 보이며 2032년에는 시장 규모가 428억 달러에 이를 것으로 예상하고 있습니다.
차세대 메모리는 실리콘 칩보다 더 많은 데이터를 저장할 수 있는 빠르고 효율적이며 비용 효율적인 스토리지 솔루션을 말합니다. 따라서 세계의의 통신, 정보 기술(IT), 은행, 금융 서비스 및 보험(BFSI) 산업에서 광범위하게 응용되고 있습니다. 현재 인공 지능(AI), 사물 인터넷(IoT), 빅데이터 및 기타 기술에 의존하는 높은 대역폭, 낮은 전력 소비, 확장성이 뛰어난 메모리 장치에 대한 요구가 급증하고 있습니다. 이는 다시 차세대 메모리에 대한 수요를 촉진하고 있습니다.

차세대 메모리 시장 동향:
현재 세계의적으로 범용 메모리의 비중이 크게 증가하고 있습니다. 이는 급성장하는 전자 산업과 맞물려 시장 성장을 강화하는 주요 요인 중 하나입니다. 이 외에도 스마트폰, 태블릿, 범용 직렬 버스(USB) 드라이브, 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)의 판매가 증가하면서 데이터를 유지하는 데 에너지가 필요 없는 비휘발성 저장 기술인 낸드(NAND) 플래시 메모리에 대한 수요도 증가하고 있습니다. 이 외에도 차세대 그래픽용 메모리 기술인 고대역폭 메모리(HBM)는 첨단 그래픽, 네트워킹, 고성능 컴퓨팅(HPC), 인공 지능(AI) 시스템에서 빠르게 사용되고 있습니다. 예를 들어 디코더, 완전 자율 주행 차량, 신경망 설계 및 저전력과 막대한 대역폭을 필요로 하는 기타 고급 애플리케이션에 활용되고 있습니다. 이는 웨어러블 디바이스의 사용 증가와 맞물려 시장의 성장을 촉진하고 있습니다. 커넥티드카의 사용 증가와 IT 산업의 상당한 성장과 같은 다른 요인들도 향후 몇 년 동안 시장에 대한 긍정적인 전망을 만들어낼 것으로 예상됩니다.

주요 시장 세분화:
IMARC Group은 글로벌 차세대 메모리 시장 보고서의 각 하위 세그먼트의 주요 동향에 대한 분석과 함께 2024-2032년까지의 글로벌, 지역 및 국가별 예측을 제공합니다. 이 보고서는 기술, 웨이퍼 크기, 스토리지 유형 및 애플리케이션을 기준으로 시장을 분류했습니다.

기술별 분류:

비휘발성
자기 저항 랜덤 액세스 메모리(MRAM)
강유전체 RAM(FRAM)
저항성 랜덤 액세스 메모리(ReRAM)
3D Xpoint
나노 RAM
기타 비휘발성 기술(상변화 RAM, STT-RAM 및 SRAM)
휘발성
하이브리드 메모리 큐브(HMC)
고대역폭 메모리(HBM)

웨이퍼 크기별 분류

200mm
300mm
450mm

스토리지 유형별 분류:

대용량 스토리지
임베디드 스토리지
기타

용도별 분류:

BFSI
소비자 가전
정부
통신
정보 기술
기타

지역별 분석

북미
미국
캐나다
아시아 태평양
중국
일본
인도
대한민국
호주
인도네시아
기타
유럽
독일
프랑스
영국
이탈리아
스페인
러시아
기타
라틴 아메리카
브라질
멕시코
기타
중동 및 아프리카

경쟁 환경:
업계의 경쟁 환경은 또한 주요 플레이어의 프로필과 함께 Avalanche Technology, Crossbar Inc., Fujitsu Limited, Honeywell International Inc., Infineon Technologies AG, Intel Corporation, Micron Technology Inc., Nantero Inc., Samsung Electronics Co. Ltd., SK hynix Inc., Spin Memory Inc. and Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd.가 포함됩니다.

이 보고서의 주요 질문에 대한 답변
지금까지 글로벌 차세대 메모리 시장의 실적은 어땠으며 향후 몇 년간은 어떻게 될 것인가?
코로나19가 글로벌 차세대 메모리 시장에 미친 영향은 무엇인가요?
주요 지역별 시장은 무엇인가요?
기술별로 시장을 세분화하면 어떻게 되나요?
웨이퍼 크기를 기준으로 시장을 세분화하면 어떻게 되나요?
스토리지 유형에 따른 시장 세분화는 어떻게 되나요?
애플리케이션을 기준으로 시장을 세분화하면 어떻게 되나요?
산업 가치 사슬의 다양한 단계는 무엇인가요?
업계의 주요 추진 요인과 과제는 무엇인가요?
글로벌 차세대 메모리 시장의 구조는 무엇이며 주요 업체는 누구인가?
업계의 경쟁 정도는 어느 정도인가요?

■ 보고서 목차

1 머리말
2 연구 범위 및 방법론
2.1 연구 목적
2.2 이해관계자
2.3 데이터 출처
2.3.1 1차 출처
2.3.2 보조 출처
2.4 시장 추정
2.4.1 상향식 접근 방식
2.4.2 하향식 접근 방식
2.5 예측 방법론
3 요약
4 소개
4.1 개요
4.2 주요 산업 동향
5 글로벌 차세대 메모리 시장
5.1 시장 개요
5.2 시장 성과
5.3 COVID-19의 영향
5.4 시장 전망
6 기술별 시장 세분화
6.1 비 휘발성
6.1.1 시장 동향
6.1.2 주요 세그먼트
6.1.2.1 자기 저항 랜덤 액세스 메모리 (MRAM)
6.1.2.2 강유전체 RAM (FRAM)
6.1.2.3 저항성 랜덤 액세스 메모리(ReRAM)
6.1.2.4 3D Xpoint
6.1.2.5 나노 RAM
6.1.2.6 기타 비휘발성 기술(상변화 RAM, STT-RAM 및 SRAM)
6.1.3 시장 전망
6.2 휘발성
6.2.1 시장 동향
6.2.2 주요 세그먼트
6.2.2.1 하이브리드 메모리 큐브 (HMC)
6.2.2.2 고대역폭 메모리 (HBM)
6.2.3 시장 예측
7 웨이퍼 크기별 시장 세분화
7.1 200mm
7.1.1 시장 동향
7.1.2 시장 전망
7.2 300mm
7.2.1 시장 동향
7.2.2 시장 예측
7.3 450 mm
7.3.1 시장 동향
7.3.2 시장 전망
8 스토리지 유형별 시장 세분화
8.1 대용량 스토리지
8.1.1 시장 동향
8.1.2 시장 전망
8.2 임베디드 스토리지
8.2.1 시장 동향
8.2.2 시장 예측
8.3 기타
8.3.1 시장 동향
8.3.2 시장 전망
9 애플리케이션 별 시장 세분화
9.1 BFSI
9.1.1 시장 동향
9.1.2 시장 예측
9.2 소비자 가전
9.2.1 시장 동향
9.2.2 시장 전망
9.3 정부
9.3.1 시장 동향
9.3.2 시장 전망
9.4 통신
9.4.1 시장 동향
9.4.2 시장 전망
9.5 정보 기술
9.5.1 시장 동향
9.5.2 시장 예측
9.6 기타
9.6.1 시장 동향
9.6.2 시장 예측
10 지역별 시장 세분화
10.1 북미
10.1.1 미국
10.1.1.1 시장 동향
10.1.1.2 시장 예측
10.1.2 캐나다
10.1.2.1 시장 동향
10.1.2.2 시장 예측
10.2 아시아 태평양
10.2.1 중국
10.2.1.1 시장 동향
10.2.1.2 시장 예측
10.2.2 일본
10.2.2.1 시장 동향
10.2.2.2 시장 예측
10.2.3 인도
10.2.3.1 시장 동향
10.2.3.2 시장 예측
10.2.4 한국
10.2.4.1 시장 동향
10.2.4.2 시장 예측
10.2.5 호주
10.2.5.1 시장 동향
10.2.5.2 시장 전망
10.2.6 인도네시아
10.2.6.1 시장 동향
10.2.6.2 시장 예측
10.2.7 기타
10.2.7.1 시장 동향
10.2.7.2 시장 예측
10.3 유럽
10.3.1 독일
10.3.1.1 시장 동향
10.3.1.2 시장 예측
10.3.2 프랑스
10.3.2.1 시장 동향
10.3.2.2 시장 예측
10.3.3 영국
10.3.3.1 시장 동향
10.3.3.2 시장 예측
10.3.4 이탈리아
10.3.4.1 시장 동향
10.3.4.2 시장 전망
10.3.5 스페인
10.3.5.1 시장 동향
10.3.5.2 시장 예측
10.3.6 러시아
10.3.6.1 시장 동향
10.3.6.2 시장 예측
10.3.7 기타
10.3.7.1 시장 동향
10.3.7.2 시장 예측
10.4 라틴 아메리카
10.4.1 브라질
10.4.1.1 시장 동향
10.4.1.2 시장 예측
10.4.2 멕시코
10.4.2.1 시장 동향
10.4.2.2 시장 예측
10.4.3 기타
10.4.3.1 시장 동향
10.4.3.2 시장 예측
10.5 중동 및 아프리카
10.5.1 시장 동향
10.5.2 국가 별 시장 세분화
10.5.3 시장 예측
11 SWOT 분석
11.1 개요
11.2 강점
11.3 약점
11.4 기회
11.5 위협
12 가치 사슬 분석
13 포터의 다섯 가지 힘 분석
13.1 개요
13.2 구매자의 협상력
13.3 공급자의 협상력
13.4 경쟁의 정도
13.5 신규 진입자의 위협
13.6 대체재의 위협
14 가격 분석
15 경쟁 환경
15.1 시장 구조
15.2 주요 플레이어
15.3 주요 플레이어의 프로필
Avalanche Technology, Crossbar Inc., Fujitsu Limited, Honeywell International Inc., Infineon Technologies AG, Intel Corporation, Micron Technology Inc., Nantero Inc., Samsung Electronics Co. Ltd., SK hynix Inc., Spin Memory Inc. and Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd.

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