| ■ 영문 제목 : Global Gallium Antimonide Sputtering Target Market Growth 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : LPI2407D21954 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2024년 5월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 부품/재료 |
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LP Information (LPI)사의 최신 조사에 따르면, 글로벌 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 시장 규모는 2023년에 미화 XXX백만 달러로 산출되었습니다. 다운 스트림 시장의 수요가 증가함에 따라 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟은 조사 대상 기간 동안 XXX%의 CAGR(연평균 성장율)로 2030년까지 미화 XXX백만 달러의 시장규모로 예상됩니다.
본 조사 보고서는 글로벌 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 시장의 성장 잠재력을 강조합니다. 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟은 향후 시장에서 안정적인 성장을 보일 것으로 예상됩니다. 그러나 제품 차별화, 비용 절감 및 공급망 최적화는 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟의 광범위한 채택을 위해 여전히 중요합니다. 시장 참여자들은 연구 개발에 투자하고, 전략적 파트너십을 구축하고, 진화하는 소비자 선호도에 맞춰 제품을 제공함으로써 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 시장이 제공하는 막대한 기회를 활용해야 합니다.
[주요 특징]
갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 시장에 대한 보고서는 다양한 측면을 반영하고 업계에 대한 소중한 통찰력을 제공합니다.
시장 규모 및 성장: 본 조사 보고서는 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 시장의 현재 규모와 성장에 대한 개요를 제공합니다. 여기에는 과거 데이터, 유형별 시장 세분화 (예 : 순도 99%, 순도 99.5%, 순도 99.9%, 순도 99.95%, 순도 99.99%, 순도 99.999%) 및 지역 분류가 포함될 수 있습니다.
시장 동인 및 과제: 본 보고서는 정부 규제, 환경 문제, 기술 발전 및 소비자 선호도 변화와 같은 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 시장의 성장을 주도하는 요인을 식별하고 분석 할 수 있습니다. 또한 인프라 제한, 범위 불안, 높은 초기 비용 등 업계가 직면한 과제를 강조할 수 있습니다.
경쟁 환경: 본 조사 보고서는 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 시장 내 경쟁 환경에 대한 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 업체의 프로필, 시장 점유율, 전략 및 제공 제품이 포함됩니다. 본 보고서는 또한 신흥 플레이어와 시장에 대한 잠재적 영향을 강조할 수 있습니다.
기술 개발: 본 조사 보고서는 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 산업의 최신 기술 개발에 대해 자세히 살펴볼 수 있습니다. 여기에는 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 기술의 발전, 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 신규 진입자, 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 신규 투자, 그리고 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟의 미래를 형성하는 기타 혁신이 포함됩니다.
다운스트림 고객 선호도: 본 보고서는 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 시장의 고객 구매 행동 및 채택 동향을 조명할 수 있습니다. 여기에는 고객의 구매 결정에 영향을 미치는 요인, 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 제품에 대한 선호도가 포함됩니다.
정부 정책 및 인센티브: 본 조사 보고서는 정부 정책 및 인센티브가 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 시장에 미치는 영향을 분석합니다. 여기에는 규제 프레임워크, 보조금, 세금 인센티브 및 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 시장을 촉진하기위한 기타 조치에 대한 평가가 포함될 수 있습니다. 본 보고서는 또한 이러한 정책이 시장 성장을 촉진하는데 미치는 효과도 분석합니다.
환경 영향 및 지속 가능성: 조사 보고서는 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 시장의 환경 영향 및 지속 가능성 측면을 분석합니다.
시장 예측 및 미래 전망: 수행된 분석을 기반으로 본 조사 보고서는 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 산업에 대한 시장 예측 및 전망을 제공합니다. 여기에는 시장 규모, 성장률, 지역 동향, 기술 발전 및 정책 개발에 대한 예측이 포함됩니다.
권장 사항 및 기회: 본 보고서는 업계 이해 관계자, 정책 입안자, 투자자를 위한 권장 사항으로 마무리됩니다. 본 보고서는 시장 참여자들이 새로운 트렌드를 활용하고, 도전 과제를 극복하며, 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 시장의 성장과 발전에 기여할 수 있는 잠재적 기회를 강조합니다.
[시장 세분화]
갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 수량 및 금액 측면에서 제공합니다.
*** 종류별 세분화 ***
순도 99%, 순도 99.5%, 순도 99.9%, 순도 99.95%, 순도 99.99%, 순도 99.999%
*** 용도별 세분화 ***
반도체, 화학 증착, 물리 증착, 기타
본 보고서는 또한 시장을 지역별로 분류합니다:
– 미주 (미국, 캐나다, 멕시코, 브라질)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 호주)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 중동 및 아프리카 (이집트, 남아프리카 공화국, 이스라엘, 터키, GCC 국가)
아래 프로파일링 대상 기업은 주요 전문가로부터 수집한 정보를 바탕으로 해당 기업의 서비스 범위, 제품 포트폴리오, 시장 점유율을 분석하여 선정되었습니다.
American Elements, MSE Supplies, ALB Materials Inc, XI’AN FUNCTION MATERIAL GROUP, China Rare Metal Material
[본 보고서에서 다루는 주요 질문]
– 글로벌 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 시장의 향후 10년 전망은 어떻게 될까요?
– 전 세계 및 지역별 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 시장 성장을 주도하는 요인은 무엇입니까?
– 시장과 지역별로 가장 빠르게 성장할 것으로 예상되는 분야는 무엇인가요?
– 최종 시장 규모에 따라 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 시장 기회는 어떻게 다른가요?
– 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟은 종류, 용도를 어떻게 분류합니까?
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■ 보고서 목차■ 보고서의 범위 ■ 보고서의 요약 ■ 기업별 세계 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 시장분석 ■ 지역별 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟에 대한 추이 분석 ■ 미주 시장 ■ 아시아 태평양 시장 ■ 유럽 시장 ■ 중동 및 아프리카 시장 ■ 시장 동인, 도전 과제 및 동향 ■ 제조 비용 구조 분석 ■ 마케팅, 유통업체 및 고객 ■ 지역별 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 시장 예측 ■ 주요 기업 분석 American Elements, MSE Supplies, ALB Materials Inc, XI’AN FUNCTION MATERIAL GROUP, China Rare Metal Material – American Elements – MSE Supplies – ALB Materials Inc ■ 조사 결과 및 결론 [그림 목록]갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 이미지 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 판매량 성장률 (2019-2030) 글로벌 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 매출 성장률 (2019-2030) 지역별 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 매출 (2019, 2023 및 2030) 글로벌 종류별 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 종류별 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 매출 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 용도별 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 용도별 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 매출 시장 점유율 기업별 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 판매량 시장 2023 기업별 글로벌 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 판매량 시장 점유율 2023 기업별 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 매출 시장 2023 기업별 글로벌 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 매출 시장 점유율 2023 지역별 글로벌 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 판매량 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 매출 시장 점유율 2023 미주 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 판매량 (2019-2024) 미주 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 매출 (2019-2024) 아시아 태평양 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 판매량 (2019-2024) 아시아 태평양 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 매출 (2019-2024) 유럽 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 판매량 (2019-2024) 유럽 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 매출 (2019-2024) 중동 및 아프리카 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 판매량 (2019-2024) 중동 및 아프리카 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 매출 (2019-2024) 미국 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 시장규모 (2019-2024) 캐나다 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 시장규모 (2019-2024) 멕시코 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 시장규모 (2019-2024) 브라질 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 시장규모 (2019-2024) 중국 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 시장규모 (2019-2024) 일본 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 시장규모 (2019-2024) 한국 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 시장규모 (2019-2024) 동남아시아 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 시장규모 (2019-2024) 인도 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 시장규모 (2019-2024) 호주 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 시장규모 (2019-2024) 독일 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 시장규모 (2019-2024) 프랑스 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 시장규모 (2019-2024) 영국 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 시장규모 (2019-2024) 이탈리아 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 시장규모 (2019-2024) 러시아 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 시장규모 (2019-2024) 이집트 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 시장규모 (2019-2024) 남아프리카 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 시장규모 (2019-2024) 이스라엘 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 시장규모 (2019-2024) 터키 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 시장규모 (2019-2024) GCC 국가 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 시장규모 (2019-2024) 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟의 제조 원가 구조 분석 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟의 제조 공정 분석 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟의 산업 체인 구조 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟의 유통 채널 글로벌 지역별 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 판매량 시장 전망 (2025-2030) 글로벌 지역별 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 갈륨 안티몬화물(GaSb) 스퍼터링 타겟은 반도체 및 광전자 분야에서 박막 증착에 사용되는 중요한 재료입니다. 갈륨(Ga)과 안티몬(Sb) 원소로 구성된 화합물 반도체인 갈륨 안티몬화물은 그 독특한 전자적, 광학적 특성으로 인해 다양한 첨단 기술 분야에서 핵심적인 역할을 수행합니다. **갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟의 기본 개념** 스퍼터링(Sputtering)은 물리 증착(Physical Vapor Deposition, PVD)의 한 방법으로, 진공 챔버 내에서 불활성 가스(주로 아르곤) 이온을 타겟 재료에 충돌시켜 타겟 표면에서 원자나 분자를 떼어내어 기판 위에 증착시키는 기술입니다. 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟은 바로 이 스퍼터링 공정에서 떼어내어져 박막으로 증착될 갈륨 안티몬화물 재료 자체를 의미합니다. 타겟은 고순도의 갈륨 안티몬화물 결정으로 만들어지며, 스퍼터링 과정에서 목표하는 기판 위에 균일하고 제어된 두께의 GaSb 박막을 형성하게 됩니다. **갈륨 안티몬화물(GaSb)의 특징** 갈륨 안티몬화물은 직접 천이형(Direct Bandgap) 반도체로, 밴드갭 에너지가 약 0.72 eV(상온 기준)로 적외선 영역의 빛과 상호작용하기에 매우 적합한 특성을 지닙니다. 이러한 특성들은 다음과 같은 몇 가지 주요 특징으로 요약될 수 있습니다. * **적외선 광전자 특성:** GaSb는 1.7 마이크로미터(µm) 파장대의 빛을 방출하거나 흡수하는 데 뛰어난 성능을 보여줍니다. 이는 통신, 감지, 이미징 등 적외선 기술이 필수적인 다양한 응용 분야에서 GaSb를 매우 매력적인 재료로 만듭니다. * **높은 전자 이동도:** GaSb는 비교적 높은 전자 이동도를 가지므로 고속 전자 소자 개발에 유리합니다. 또한, 이는 GaSb를 기반으로 하는 트랜지스터나 기타 전자 부품의 성능 향상에 기여합니다. * **인듐 갈륨 비소 안티몬화물(InGaAsSb)과의 조성 조절:** GaSb는 여러 다른 III-V족 화합물 반도체와 고용체(Solid Solution)를 형성할 수 있습니다. 특히 인듐(In)이나 비소(As)와 결합하여 인듐 갈륨 비소 안티몬화물(InGaAsSb)과 같은 복합 반도체를 형성할 때, 밴드갭 에너지와 격자 상수(Lattice Constant)를 정밀하게 조절할 수 있습니다. 이러한 조성 조절 능력은 특정 파장대의 빛을 방출하거나 흡수하도록 박막의 특성을 맞춤화하는 데 결정적인 역할을 합니다. * **우수한 열전 특성:** 갈륨 안티몬화물은 높은 제벡 계수(Seebeck Coefficient)와 낮은 열전도도를 가져 열전 변환 효율이 우수합니다. 이는 폐열을 전기로 변환하는 열전 발전기나 반도체 냉각 소자 개발에 응용될 수 있는 잠재력을 보여줍니다. **갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟의 종류** 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟은 주로 그 조성과 형태에 따라 분류될 수 있습니다. * **순수 GaSb 타겟:** 가장 기본적인 형태의 타겟으로, 1:1의 몰비율로 갈륨과 안티몬이 결합된 순수한 갈륨 안티몬화물로 구성됩니다. 이 타겟은 GaSb 단일 물질 박막 증착에 사용됩니다. * **합금 또는 복합 조성 타겟:** 앞서 언급했듯이, GaSb는 InAs, AlSb 등 다른 III-V족 화합물과 고용체를 형성하여 InGaAsSb, AlGaSb와 같은 복합 반도체 박막을 형성할 수 있습니다. 이러한 복합 반도체 박막 증착을 위해서는 해당 조성비를 가진 합금 형태의 스퍼터링 타겟이 필요합니다. 예를 들어, 특정 파장 대역의 레이저를 만들기 위해 InGaAsSb 조성을 가진 타겟을 사용합니다. 이러한 타겟은 원하는 조성비로 여러 원소를 균일하게 혼합하여 제작됩니다. * **다층 타겟:** 복잡한 구조의 소자를 제작하기 위해 여러 종류의 재료가 층층이 쌓인 복합적인 타겟 구조가 사용되기도 합니다. 하지만 GaSb 스퍼터링 타겟의 경우, 단일 물질 또는 특정 조성의 합금 타겟이 주로 사용됩니다. **갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟의 용도** 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟을 이용하여 증착된 GaSb 또는 GaSb 기반 복합 반도체 박막은 다양한 첨단 기술 분야에서 핵심적인 역할을 수행합니다. * **적외선 센서 및 이미저:** GaSb의 우수한 적외선 흡수 및 방출 특성은 열화상 카메라, 광학 센서, 야간 투시 장치 등 적외선 영역의 빛을 감지하거나 이미지를 생성하는 데 필수적인 재료로 활용됩니다. 특히 1.55 µm 파장대의 광통신이나 2 µm 대역의 감지 응용에 매우 중요합니다. * **레이저 다이오드 및 광검출기:** GaSb를 기반으로 하는 InGaAsSb와 같은 복합 반도체는 특정 파장대의 빛을 효율적으로 생성하거나 검출하는 데 사용됩니다. 이는 광통신 시스템의 송수신 모듈, 광학 센서, 의료용 레이저 등 광전자 소자 분야에서 핵심적인 역할을 합니다. * **고성능 트랜지스터:** GaSb의 높은 전자 이동도는 고주파 회로 및 고속 스위칭 소자 개발에 유리합니다. 고성능 무선 통신 장비, 레이더 시스템 등에 사용되는 GaSb 기반 트랜지스터는 뛰어난 속도와 효율을 제공합니다. * **열전 소자:** GaSb는 좋은 열전 특성을 나타내므로, 열전 발전기나 열전 냉각기와 같은 열전 변환 장치에 응용될 수 있습니다. 이는 폐열 회수, 휴대용 냉각 장치 등에 사용될 잠재력을 가지고 있습니다. * **결정 성장 기판:** 때로는 GaSb 자체가 다른 III-V족 반도체 박막을 성장시키기 위한 기판으로 사용되기도 합니다. 이러한 기판 위에 GaSb 기반의 다른 화합물 반도체 박막을 성장시켜 복잡한 집적 회로를 구현할 수 있습니다. **관련 기술 및 고려사항** 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟을 성공적으로 활용하기 위해서는 몇 가지 관련 기술 및 고려사항이 중요합니다. * **스퍼터링 공정 제어:** 박막의 품질은 스퍼터링 공정 변수, 즉 RF 파워, 압력, 가스 유량, 기판 온도, 타겟-기판 거리 등에 의해 크게 영향을 받습니다. GaSb는 비교적 휘발성이 높은 원소를 포함하고 있어, 증착 과정에서 조성비의 변화나 표면 결함이 발생할 수 있습니다. 따라서 이러한 변수들을 정밀하게 제어하여 원하는 조성과 결정성을 가진 고품질 GaSb 박막을 얻는 것이 중요합니다. * **진공 기술:** 스퍼터링 공정은 고진공 환경에서 이루어져야 합니다. 이는 불순물의 혼입을 최소화하고 증착되는 박막의 순도를 높이는 데 필수적입니다. 또한, 스퍼터링 타겟 자체의 제조 및 가공 과정에서도 엄격한 진공 기술이 요구됩니다. * **타겟 재료의 품질 및 준비:** 스퍼터링 타겟의 순도, 균일성, 결정 구조는 증착되는 박막의 품질에 직접적인 영향을 미칩니다. 고순도의 GaSb 재료를 사용하여 기공이 없고 균일한 밀도를 가진 타겟을 제조하는 것이 중요합니다. 또한, 타겟 표면의 처리 및 관리도 스퍼터링 효율과 박막 품질에 영향을 미칠 수 있습니다. * **기판 재료 및 준비:** GaSb 박막이 성장될 기판 역시 중요합니다. 일반적으로 GaAs(갈륨 비소)나 인듐 갈륨 비소(InGaAs)와 같이 격자 상수가 유사한 III-V족 반도체 기판이 사용됩니다. 기판 표면의 깨끗함과 결정성은 GaSb 박막의 결정 성장 모드(예: 완벽한 에피택셜 성장)를 결정하는 데 중요한 요소입니다. * **조성 제어:** 복합 반도체 박막 증착 시, 목표하는 정확한 조성을 얻기 위한 정밀한 스퍼터링 제어가 필수적입니다. 여러 원소로 구성된 타겟을 사용하는 경우, 각 원소의 스퍼터링 수율 차이를 고려하여 공정 변수를 최적화해야 합니다. 때로는 동시 스퍼터링(Co-sputtering) 기술을 사용하여 두 개 이상의 타겟에서 재료를 증착하여 원하는 조성을 얻기도 합니다. * **재료 분석 및 특성 평가:** 스퍼터링 타겟의 조성, 순도뿐만 아니라 증착된 박막의 조성, 결정성, 표면 형상, 전기적/광학적 특성 등을 분석하고 평가하는 것은 공정 최적화 및 제품 개발에 필수적입니다. X선 회절(XRD), 주사 전자 현미경(SEM), 투과 전자 현미경(TEM), 원자간 힘 현미경(AFM), 광학 현미경, 광학 분광법, 전기적 특성 측정 등 다양한 분석 기법이 활용됩니다. 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟은 그 자체로 최종 제품이 아니라, 고성능 반도체 및 광전자 소자를 구현하기 위한 핵심적인 재료입니다. 따라서 타겟의 품질, 이를 활용하는 스퍼터링 기술, 그리고 증착된 박막의 후속 공정 및 소자 설계가 모두 유기적으로 결합될 때 비로소 갈륨 안티몬화물의 잠재력을 최대한 이끌어낼 수 있습니다. 끊임없이 발전하는 첨단 기술 분야에서 GaSb 기반 소자의 수요가 증가함에 따라, 고품질의 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟과 이를 효율적으로 활용하는 스퍼터링 기술의 중요성은 더욱 커질 것으로 예상됩니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 갈륨 안티몬화물 스퍼터링 타겟 시장 2024-2030] (코드 : LPI2407D21954) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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