| ■ 영문 제목 : EUV Photomask Blanks Market, Global Outlook and Forecast 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : MONT2406B6866 ■ 조사/발행회사 : Market Monitor Global ■ 발행일 : 2024년 6월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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본 조사 보고서는 현재 동향, 시장 역학 및 미래 전망에 초점을 맞춰, EUV 포토마스크 블랭크 시장에 대한 포괄적인 분석을 제공합니다. 본 보고서는 북미, 유럽, 아시아 태평양 및 신흥 시장과 같은 주요 지역을 포함한 전 세계 EUV 포토마스크 블랭크 시장을 대상으로 합니다. 또한 EUV 포토마스크 블랭크의 성장을 주도하는 주요 요인, 업계가 직면한 과제 및 시장 참여자를 위한 잠재적 기회도 기재합니다.
글로벌 EUV 포토마스크 블랭크 시장은 최근 몇 년 동안 환경 문제, 정부 인센티브 및 기술 발전의 증가로 인해 급속한 성장을 목격했습니다. EUV 포토마스크 블랭크 시장은 반도체, IC (집적 회로), 기타를 포함한 다양한 이해 관계자에게 기회를 제공합니다. 민간 부문과 정부 간의 협력은 EUV 포토마스크 블랭크 시장에 대한 지원 정책, 연구 개발 노력 및 투자를 가속화 할 수 있습니다. 또한 증가하는 소비자 수요는 시장 확장의 길을 제시합니다.
글로벌 EUV 포토마스크 블랭크 시장은 2023년에 미화 XXX백만 달러로 조사되었으며 2030년까지 미화 XXX백만 달러에 도달할 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 XXX%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.
[주요 특징]
EUV 포토마스크 블랭크 시장에 대한 조사 보고서에는 포괄적인 통찰력을 제공하고 이해 관계자의 의사 결정을 용이하게하는 몇 가지 주요 항목이 포함되어 있습니다.
요약 : 본 보고서는 EUV 포토마스크 블랭크 시장의 주요 결과, 시장 동향 및 주요 통찰력에 대한 개요를 제공합니다.
시장 개요: 본 보고서는 EUV 포토마스크 블랭크 시장의 정의, 역사적 추이, 현재 시장 규모를 포함한 포괄적인 개요를 제공합니다. 종류(예: 석영 타입, 소다 타입, 기타), 지역 및 용도별로 시장을 세분화하여 각 세그먼트 내의 주요 동인, 과제 및 기회를 중점적으로 다룹니다.
시장 역학: 본 보고서는 EUV 포토마스크 블랭크 시장의 성장과 발전을 주도하는 시장 역학을 분석합니다. 본 보고서에는 정부 정책 및 규정, 기술 발전, 소비자 동향 및 선호도, 인프라 개발, 업계 협력에 대한 평가가 포함되어 있습니다. 이 분석은 이해 관계자가 EUV 포토마스크 블랭크 시장의 궤적에 영향을 미치는 요인을 이해하는데 도움이됩니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 EUV 포토마스크 블랭크 시장내 경쟁 환경에 대한 심층 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 시장 플레이어의 프로필, 시장 점유율, 전략, 제품 포트폴리오 및 최근 동향이 포함됩니다.
시장 세분화 및 예측: 본 보고서는 종류, 지역 및 용도와 같은 다양한 매개 변수를 기반으로 EUV 포토마스크 블랭크 시장을 세분화합니다. 정량적 데이터 및 분석을 통해 각 세그먼트의 시장 규모와 성장 예측을 제공합니다. 이를 통해 이해 관계자가 성장 기회를 파악하고 정보에 입각한 투자 결정을 내릴 수 있습니다.
기술 동향: 본 보고서는 주요기술의 발전과 새로운 대체품 등 EUV 포토마스크 블랭크 시장을 형성하는 주요 기술 동향을 강조합니다. 이러한 트렌드가 시장 성장, 채택률, 소비자 선호도에 미치는 영향을 분석합니다.
시장 과제와 기회: 본 보고서는 기술적 병목 현상, 비용 제한, 높은 진입 장벽 등 EUV 포토마스크 블랭크 시장이 직면한 주요 과제를 파악하고 분석합니다. 또한 정부 인센티브, 신흥 시장, 이해관계자 간의 협업 등 시장 성장의 기회에 대해서도 강조합니다.
규제 및 정책 분석: 본 보고서는 정부 인센티브, 배출 기준, 인프라 개발 계획 등 EUV 포토마스크 블랭크에 대한 규제 및 정책 환경을 평가합니다. 이러한 정책이 시장 성장에 미치는 영향을 분석하고 향후 규제 동향에 대한 인사이트를 제공합니다.
권장 사항 및 결론: 본 보고서는 소비자, 정책 입안자, 투자자, 인프라 제공업체 등 이해관계자를 위한 실행 가능한 권고 사항으로 마무리합니다. 이러한 권장 사항은 조사 결과를 바탕으로 EUV 포토마스크 블랭크 시장의 주요 과제와 기회를 해결할 수 있습니다.
참고 데이터 및 부록: 보고서에는 분석 및 조사 결과를 입증하기 위한 보조 데이터, 차트, 그래프가 포함되어 있습니다. 또한 데이터 소스, 설문조사, 상세한 시장 예측과 같은 추가 세부 정보가 담긴 부록도 포함되어 있습니다.
[시장 세분화]
EUV 포토마스크 블랭크 시장은 종류별 및 용도별로 세분화됩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
■ 종류별 시장 세그먼트
– 석영 타입, 소다 타입, 기타
■ 용도별 시장 세그먼트
– 반도체, IC (집적 회로), 기타
■ 지역별 및 국가별 글로벌 EUV 포토마스크 블랭크 시장 점유율, 2023년(%)
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 아시아 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도)
– 남미 (브라질, 아르헨티나)
– 중동 및 아프리카 (터키, 이스라엘, 사우디 아라비아, UAE)
■ 주요 업체
– AGC Inc, Hoya, Toppan Photomasks Inc., S&S Tech, Applied Materials, DNP
[주요 챕터의 개요]
1 장 : EUV 포토마스크 블랭크의 정의, 시장 개요를 소개
2 장 : 매출 및 판매량을 기준으로한 글로벌 EUV 포토마스크 블랭크 시장 규모
3 장 : EUV 포토마스크 블랭크 제조업체 경쟁 환경, 가격, 판매량 및 매출 시장 점유율, 최신 동향, M&A 정보 등에 대한 자세한 분석
4 장 : 종류별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
5 장 : 용도별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
6 장 : 지역 및 국가별 EUV 포토마스크 블랭크 판매량. 각 지역 및 주요 국가의 시장 규모와 성장 잠재력에 대한 정량적 분석을 제공. 세계 각국의 시장 개발, 향후 개발 전망, 시장 기회을 소개
7 장 : 주요 업체의 프로필을 제공. 제품 판매, 매출, 가격, 총 마진, 제품 소개, 최근 동향 등 시장 내 주요 업체의 기본 상황을 자세히 소개
8 장 : 지역별 및 국가별 글로벌 EUV 포토마스크 블랭크 시장규모
9 장 : 시장 역학, 시장의 최신 동향, 시장의 추진 요인 및 제한 요인, 업계내 업체가 직면한 과제 및 리스크, 업계의 관련 정책 분석을 소개
10 장 : 산업의 업 스트림 및 다운 스트림을 포함한 산업 체인 분석
11 장 : 보고서의 주요 요점 및 결론
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차1. 조사 및 분석 보고서 소개 2. 글로벌 EUV 포토마스크 블랭크 전체 시장 규모 3. 기업 환경 4. 종류별 시장 분석 5. 용도별 시장 분석 6. 지역별 시장 분석 7. 제조업체 및 브랜드 프로필 AGC Inc, Hoya, Toppan Photomasks Inc., S&S Tech, Applied Materials, DNP AGC Inc Hoya Toppan Photomasks Inc. 8. 글로벌 EUV 포토마스크 블랭크 생산 능력 분석 9. 주요 시장 동향, 기회, 동인 및 제약 요인 10. EUV 포토마스크 블랭크 공급망 분석 11. 결론 [그림 목록]- 종류별 EUV 포토마스크 블랭크 세그먼트, 2023년 - 용도별 EUV 포토마스크 블랭크 세그먼트, 2023년 - 글로벌 EUV 포토마스크 블랭크 시장 개요, 2023년 - 글로벌 EUV 포토마스크 블랭크 시장 규모: 2023년 VS 2030년 - 글로벌 EUV 포토마스크 블랭크 매출, 2019-2030 - 글로벌 EUV 포토마스크 블랭크 판매량: 2019-2030 - EUV 포토마스크 블랭크 매출 기준 상위 3개 및 5개 업체 시장 점유율, 2023년 - 글로벌 종류별 EUV 포토마스크 블랭크 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 종류별 EUV 포토마스크 블랭크 매출 시장 점유율 - 글로벌 종류별 EUV 포토마스크 블랭크 판매량 시장 점유율 - 글로벌 종류별 EUV 포토마스크 블랭크 가격 - 글로벌 용도별 EUV 포토마스크 블랭크 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 용도별 EUV 포토마스크 블랭크 매출 시장 점유율 - 글로벌 용도별 EUV 포토마스크 블랭크 판매량 시장 점유율 - 글로벌 용도별 EUV 포토마스크 블랭크 가격 - 지역별 EUV 포토마스크 블랭크 매출, 2023년 VS 2030년 - 지역별 EUV 포토마스크 블랭크 매출 시장 점유율 - 지역별 EUV 포토마스크 블랭크 매출 시장 점유율 - 지역별 EUV 포토마스크 블랭크 판매량 시장 점유율 - 북미 국가별 EUV 포토마스크 블랭크 매출 시장 점유율 - 북미 국가별 EUV 포토마스크 블랭크 판매량 시장 점유율 - 미국 EUV 포토마스크 블랭크 시장규모 - 캐나다 EUV 포토마스크 블랭크 시장규모 - 멕시코 EUV 포토마스크 블랭크 시장규모 - 유럽 국가별 EUV 포토마스크 블랭크 매출 시장 점유율 - 유럽 국가별 EUV 포토마스크 블랭크 판매량 시장 점유율 - 독일 EUV 포토마스크 블랭크 시장규모 - 프랑스 EUV 포토마스크 블랭크 시장규모 - 영국 EUV 포토마스크 블랭크 시장규모 - 이탈리아 EUV 포토마스크 블랭크 시장규모 - 러시아 EUV 포토마스크 블랭크 시장규모 - 아시아 지역별 EUV 포토마스크 블랭크 매출 시장 점유율 - 아시아 지역별 EUV 포토마스크 블랭크 판매량 시장 점유율 - 중국 EUV 포토마스크 블랭크 시장규모 - 일본 EUV 포토마스크 블랭크 시장규모 - 한국 EUV 포토마스크 블랭크 시장규모 - 동남아시아 EUV 포토마스크 블랭크 시장규모 - 인도 EUV 포토마스크 블랭크 시장규모 - 남미 국가별 EUV 포토마스크 블랭크 매출 시장 점유율 - 남미 국가별 EUV 포토마스크 블랭크 판매량 시장 점유율 - 브라질 EUV 포토마스크 블랭크 시장규모 - 아르헨티나 EUV 포토마스크 블랭크 시장규모 - 중동 및 아프리카 국가별 EUV 포토마스크 블랭크 매출 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 국가별 EUV 포토마스크 블랭크 판매량 시장 점유율 - 터키 EUV 포토마스크 블랭크 시장규모 - 이스라엘 EUV 포토마스크 블랭크 시장규모 - 사우디 아라비아 EUV 포토마스크 블랭크 시장규모 - 아랍에미리트 EUV 포토마스크 블랭크 시장규모 - 글로벌 EUV 포토마스크 블랭크 생산 능력 - 지역별 EUV 포토마스크 블랭크 생산량 비중, 2023년 VS 2030년 - EUV 포토마스크 블랭크 산업 가치 사슬 - 마케팅 채널 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 EUV 포토마스크 블랭크는 극자외선(Extreme Ultraviolet, EUV) 리소그래피 공정에서 패턴을 구현하기 위한 핵심적인 재료입니다. 이 재료는 빛을 투과시키는 일반적인 광학 부품과는 달리, 특정 파장의 EUV 빛을 반사하거나 흡수하여 미세한 패턴을 마스크 웨이퍼에 전사하는 데 사용됩니다. 즉, EUV 포토마스크 블랭크는 EUV 리소그래피 공정의 '원판' 또는 '원부품' 역할을 하며, 이 위에 미세한 회로 패턴이 그려지게 됩니다. EUV 포토마스크 블랭크의 근본적인 개념은 EUV 빛이 공기 중에서 쉽게 흡수되기 때문에, 기존의 불화아르곤(ArF) 리소그래피와 같은 투과형 방식으로는 구현이 어렵다는 점에 있습니다. 대신 EUV 광원은 13.5nm라는 매우 짧은 파장을 사용하며, 이 빛은 대부분의 물질에 의해 흡수됩니다. 따라서 EUV 리소그래피는 반사형 광학 시스템을 사용하게 되는데, 포토마스크 역시 반사형으로 설계됩니다. EUV 포토마스크 블랭크는 이러한 반사형 마스크를 제작하기 위한 기반 재료로서, 여러 층의 박막이 정밀하게 증착된 구조를 가집니다. EUV 포토마스크 블랭크의 핵심적인 특징은 무엇보다도 EUV 빛에 대한 높은 반사율입니다. 13.5nm 파장의 EUV 빛은 일반적으로 물질에 의해 강하게 흡수되므로, 이 파장의 빛을 효율적으로 반사시키기 위해서는 특별한 박막 구조가 필요합니다. 이러한 구조는 몰리브덴(Mo)과 실리콘(Si)의 다층 박막(multilayer)으로 구성됩니다. Mo는 EUV 빛을 흡수하는 경향이 있고, Si은 상대적으로 흡수가 적어 EUV 빛을 반사하는 특성을 가집니다. 이러한 Mo와 Si 박막을 수십 층에서 수백 층까지 주기적으로 쌓아 올리면, 각 계면에서 발생하는 반사가 중첩되어 특정 파장(13.5nm)에서 높은 간섭 반사를 일으키게 됩니다. 이 다층 박막의 두께와 층수는 EUV 빛의 파장에 맞춰 정밀하게 제어되어야 하며, 각 층의 두께 오차는 반사율에 직접적인 영향을 미칩니다. 따라서 수백 나노미터 두께의 다층 박막을 수 나노미터 수준의 정밀도로 증착하는 기술이 매우 중요합니다. 다층 박막 외에도 EUV 포토마스크 블랭크는 몇 가지 중요한 구조적 특징을 가집니다. 가장 하층에는 빛을 반사하는 다층 박막이 자리 잡고 있으며, 이 위에는 패턴을 형성할 흡수막(absorber)이 증착됩니다. 이 흡수막은 EUV 빛을 흡수하여 패턴의 검은색 부분을 형성하는 역할을 합니다. 흡수막으로는 주로 텅스텐(W)이나 탄탈룸(Ta)과 같은 고밀도 금속이 사용됩니다. 흡수막 위에 추가적으로 보호막(passivation layer)이나 반사 방지막(anti-reflection coating) 등이 증착되기도 합니다. 또한, 마스크 전체의 평탄도를 유지하고 공정 중 발생할 수 있는 오염으로부터 다층 박막을 보호하기 위한 코팅층도 중요합니다. 이러한 모든 박막은 나노미터 수준의 두께와 극도로 높은 평탄도를 요구하며, 각 층간의 계면 역시 깨끗하게 유지되어야 합니다. EUV 포토마스크 블랭크의 종류는 주로 사용하는 기판 재료와 다층 박막의 구조에 따라 구분될 수 있습니다. 가장 기본적인 형태는 석영(quartz) 기판 위에 다층 박막과 흡수막을 증착하는 방식입니다. 석영은 투명하고 안정적인 재료이지만, EUV 빛에 대한 투과율이 낮고 열팽창 계수가 다른 박막과 차이가 있을 수 있습니다. 따라서 일부 고성능 EUV 포토마스크 블랭크에서는 석영 대신 실리콘 카바이드(SiC)와 같이 EUV 광학 특성이 우수하고 열적 안정성이 뛰어난 재료를 기판으로 사용하기도 합니다. 또한, 다층 박막의 재료 구성이나 층수 또한 다양한 연구 개발이 이루어지고 있으며, 이에 따라 특정 파장에서의 반사율이나 대역폭, 그리고 내구성이 달라질 수 있습니다. EUV 포토마스크 블랭크의 주된 용도는 앞서 언급했듯이 EUV 리소그래피 공정을 위한 포토마스크 제작입니다. EUV 리소그래피는 반도체 집적회로(IC)를 제조하는 최첨단 공정으로, 기존의 불화아르곤(ArF) 리소그래피로는 달성하기 어려운 미세한 회로 패턴을 구현할 수 있습니다. 스마트폰, 고성능 컴퓨터, 인공지능(AI) 관련 칩 등 최신 반도체 생산에 필수적으로 사용되는 기술입니다. EUV 포토마스크 블랭크는 이러한 EUV 포토마스크의 기초 재료가 되며, 마스크 제조 업체는 이 블랭크 위에 전자빔 리소그래피(E-beam lithography)와 같은 정밀한 패터닝 기술을 이용하여 회로 패턴을 그려 넣습니다. 이렇게 완성된 포토마스크를 통해 웨이퍼에 미세한 회로를 전사하게 됩니다. EUV 포토마스크 블랭크 제작과 관련된 기술은 매우 다양하고 복잡합니다. 가장 핵심적인 기술은 EUV 빛에 대한 높은 반사율을 구현하는 다층 박막 증착 기술입니다. 이는 스퍼터링(sputtering)과 같은 물리적 증착(Physical Vapor Deposition, PVD) 방식을 통해 이루어지는데, 수백 개의 박막을 수 나노미터의 정밀도로 균일하게 증착하는 것이 핵심입니다. 박막의 두께, 조성, 그리고 계면 품질이 반사율에 직접적인 영향을 미치기 때문에, 증착 과정에서의 온도, 압력, 가스 유량 등을 정밀하게 제어하는 것이 중요합니다. 또한, 마스크의 평탄도를 유지하기 위한 표면 처리 기술, 그리고 흡수막 패턴을 형성하기 위한 전자빔 리소그래피 및 식각(etching) 기술도 필수적입니다. EUV 광원 자체의 성능 향상 및 마스크 검사, 보수 기술 또한 EUV 리소그래피의 효율성과 정확성을 높이는 데 중요한 역할을 합니다. 최근에는 다층 박막의 내구성을 높여 마스크의 수명을 연장하려는 연구도 활발히 진행되고 있습니다. 요약하자면, EUV 포토마스크 블랭크는 EUV 리소그래피라는 혁신적인 반도체 제조 기술을 가능하게 하는 핵심 소재입니다. 13.5nm의 EUV 빛을 효율적으로 반사하는 다층 박막 구조를 기반으로 하며, 극도로 높은 정밀도와 품질을 요구하는 첨단 기술의 집약체라고 할 수 있습니다. 이 재료의 발전은 반도체 기술의 한계를 극복하고 더욱 작고 성능이 뛰어난 전자 제품을 만드는 데 결정적인 역할을 하고 있습니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 EUV 포토마스크 블랭크 시장예측 2024-2030] (코드 : MONT2406B6866) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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