■ 영문 제목 : Conductive Silicon Carbide Wafer Market, Global Outlook and Forecast 2024-2030 | |
![]() | ■ 상품코드 : MONT2406B6326 ■ 조사/발행회사 : Market Monitor Global ■ 발행일 : 2024년 6월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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본 조사 보고서는 현재 동향, 시장 역학 및 미래 전망에 초점을 맞춰, 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 시장에 대한 포괄적인 분석을 제공합니다. 본 보고서는 북미, 유럽, 아시아 태평양 및 신흥 시장과 같은 주요 지역을 포함한 전 세계 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 시장을 대상으로 합니다. 또한 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼의 성장을 주도하는 주요 요인, 업계가 직면한 과제 및 시장 참여자를 위한 잠재적 기회도 기재합니다.
글로벌 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 시장은 최근 몇 년 동안 환경 문제, 정부 인센티브 및 기술 발전의 증가로 인해 급속한 성장을 목격했습니다. 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 시장은 파워 디바이스, 전자 및 광전자, 무선 인프라, 기타를 포함한 다양한 이해 관계자에게 기회를 제공합니다. 민간 부문과 정부 간의 협력은 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 시장에 대한 지원 정책, 연구 개발 노력 및 투자를 가속화 할 수 있습니다. 또한 증가하는 소비자 수요는 시장 확장의 길을 제시합니다.
글로벌 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 시장은 2023년에 미화 XXX백만 달러로 조사되었으며 2030년까지 미화 XXX백만 달러에 도달할 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 XXX%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.
[주요 특징]
전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 시장에 대한 조사 보고서에는 포괄적인 통찰력을 제공하고 이해 관계자의 의사 결정을 용이하게하는 몇 가지 주요 항목이 포함되어 있습니다.
요약 : 본 보고서는 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 시장의 주요 결과, 시장 동향 및 주요 통찰력에 대한 개요를 제공합니다.
시장 개요: 본 보고서는 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 시장의 정의, 역사적 추이, 현재 시장 규모를 포함한 포괄적인 개요를 제공합니다. 종류(예: 4인치 SiC 웨이퍼, 6인치 SiC 웨이퍼), 지역 및 용도별로 시장을 세분화하여 각 세그먼트 내의 주요 동인, 과제 및 기회를 중점적으로 다룹니다.
시장 역학: 본 보고서는 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 시장의 성장과 발전을 주도하는 시장 역학을 분석합니다. 본 보고서에는 정부 정책 및 규정, 기술 발전, 소비자 동향 및 선호도, 인프라 개발, 업계 협력에 대한 평가가 포함되어 있습니다. 이 분석은 이해 관계자가 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 시장의 궤적에 영향을 미치는 요인을 이해하는데 도움이됩니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 시장내 경쟁 환경에 대한 심층 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 시장 플레이어의 프로필, 시장 점유율, 전략, 제품 포트폴리오 및 최근 동향이 포함됩니다.
시장 세분화 및 예측: 본 보고서는 종류, 지역 및 용도와 같은 다양한 매개 변수를 기반으로 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 시장을 세분화합니다. 정량적 데이터 및 분석을 통해 각 세그먼트의 시장 규모와 성장 예측을 제공합니다. 이를 통해 이해 관계자가 성장 기회를 파악하고 정보에 입각한 투자 결정을 내릴 수 있습니다.
기술 동향: 본 보고서는 주요기술의 발전과 새로운 대체품 등 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 시장을 형성하는 주요 기술 동향을 강조합니다. 이러한 트렌드가 시장 성장, 채택률, 소비자 선호도에 미치는 영향을 분석합니다.
시장 과제와 기회: 본 보고서는 기술적 병목 현상, 비용 제한, 높은 진입 장벽 등 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 시장이 직면한 주요 과제를 파악하고 분석합니다. 또한 정부 인센티브, 신흥 시장, 이해관계자 간의 협업 등 시장 성장의 기회에 대해서도 강조합니다.
규제 및 정책 분석: 본 보고서는 정부 인센티브, 배출 기준, 인프라 개발 계획 등 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼에 대한 규제 및 정책 환경을 평가합니다. 이러한 정책이 시장 성장에 미치는 영향을 분석하고 향후 규제 동향에 대한 인사이트를 제공합니다.
권장 사항 및 결론: 본 보고서는 소비자, 정책 입안자, 투자자, 인프라 제공업체 등 이해관계자를 위한 실행 가능한 권고 사항으로 마무리합니다. 이러한 권장 사항은 조사 결과를 바탕으로 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 시장의 주요 과제와 기회를 해결할 수 있습니다.
참고 데이터 및 부록: 보고서에는 분석 및 조사 결과를 입증하기 위한 보조 데이터, 차트, 그래프가 포함되어 있습니다. 또한 데이터 소스, 설문조사, 상세한 시장 예측과 같은 추가 세부 정보가 담긴 부록도 포함되어 있습니다.
[시장 세분화]
전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 시장은 종류별 및 용도별로 세분화됩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
■ 종류별 시장 세그먼트
– 4인치 SiC 웨이퍼, 6인치 SiC 웨이퍼
■ 용도별 시장 세그먼트
– 파워 디바이스, 전자 및 광전자, 무선 인프라, 기타
■ 지역별 및 국가별 글로벌 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 시장 점유율, 2023년(%)
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 아시아 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도)
– 남미 (브라질, 아르헨티나)
– 중동 및 아프리카 (터키, 이스라엘, 사우디 아라비아, UAE)
■ 주요 업체
– Wolfspeed, SK Siltron, SiCrystal, II-VI Advanced Materials, Showa Denko, Norstel, TankeBlue, SICC, Hebei Synlight Crystal, CETC
[주요 챕터의 개요]
1 장 : 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼의 정의, 시장 개요를 소개
2 장 : 매출 및 판매량을 기준으로한 글로벌 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 시장 규모
3 장 : 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 제조업체 경쟁 환경, 가격, 판매량 및 매출 시장 점유율, 최신 동향, M&A 정보 등에 대한 자세한 분석
4 장 : 종류별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
5 장 : 용도별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
6 장 : 지역 및 국가별 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 판매량. 각 지역 및 주요 국가의 시장 규모와 성장 잠재력에 대한 정량적 분석을 제공. 세계 각국의 시장 개발, 향후 개발 전망, 시장 기회을 소개
7 장 : 주요 업체의 프로필을 제공. 제품 판매, 매출, 가격, 총 마진, 제품 소개, 최근 동향 등 시장 내 주요 업체의 기본 상황을 자세히 소개
8 장 : 지역별 및 국가별 글로벌 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 시장규모
9 장 : 시장 역학, 시장의 최신 동향, 시장의 추진 요인 및 제한 요인, 업계내 업체가 직면한 과제 및 리스크, 업계의 관련 정책 분석을 소개
10 장 : 산업의 업 스트림 및 다운 스트림을 포함한 산업 체인 분석
11 장 : 보고서의 주요 요점 및 결론
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■ 보고서 목차1. 조사 및 분석 보고서 소개 2. 글로벌 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 전체 시장 규모 3. 기업 환경 4. 종류별 시장 분석 5. 용도별 시장 분석 6. 지역별 시장 분석 7. 제조업체 및 브랜드 프로필 Wolfspeed, SK Siltron, SiCrystal, II-VI Advanced Materials, Showa Denko, Norstel, TankeBlue, SICC, Hebei Synlight Crystal, CETC Wolfspeed SK Siltron SiCrystal 8. 글로벌 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 생산 능력 분석 9. 주요 시장 동향, 기회, 동인 및 제약 요인 10. 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 공급망 분석 11. 결론 [그림 목록]- 종류별 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 세그먼트, 2023년 - 용도별 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 세그먼트, 2023년 - 글로벌 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 시장 개요, 2023년 - 글로벌 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 시장 규모: 2023년 VS 2030년 - 글로벌 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 매출, 2019-2030 - 글로벌 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 판매량: 2019-2030 - 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 매출 기준 상위 3개 및 5개 업체 시장 점유율, 2023년 - 글로벌 종류별 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 종류별 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 매출 시장 점유율 - 글로벌 종류별 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 글로벌 종류별 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 가격 - 글로벌 용도별 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 용도별 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 매출 시장 점유율 - 글로벌 용도별 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 글로벌 용도별 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 가격 - 지역별 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 매출, 2023년 VS 2030년 - 지역별 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 매출 시장 점유율 - 지역별 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 매출 시장 점유율 - 지역별 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 북미 국가별 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 매출 시장 점유율 - 북미 국가별 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 미국 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 시장규모 - 캐나다 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 시장규모 - 멕시코 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 시장규모 - 유럽 국가별 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 매출 시장 점유율 - 유럽 국가별 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 독일 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 시장규모 - 프랑스 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 시장규모 - 영국 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 시장규모 - 이탈리아 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 시장규모 - 러시아 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 시장규모 - 아시아 지역별 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 매출 시장 점유율 - 아시아 지역별 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 중국 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 시장규모 - 일본 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 시장규모 - 한국 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 시장규모 - 동남아시아 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 시장규모 - 인도 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 시장규모 - 남미 국가별 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 매출 시장 점유율 - 남미 국가별 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 브라질 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 시장규모 - 아르헨티나 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 시장규모 - 중동 및 아프리카 국가별 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 매출 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 국가별 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 터키 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 시장규모 - 이스라엘 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 시장규모 - 사우디 아라비아 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 시장규모 - 아랍에미리트 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 시장규모 - 글로벌 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 생산 능력 - 지역별 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 생산량 비중, 2023년 VS 2030년 - 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 산업 가치 사슬 - 마케팅 채널 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
※참고 정보 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼는 전기 전도성을 가지는 실리콘 카바이드(SiC) 단결정 재료를 기판으로 사용하여 제작된 웨이퍼입니다. 실리콘 카바이드(SiC)는 탄소와 실리콘의 화합물로, 독특한 물리적, 화학적, 전기적 특성을 지니고 있어 차세대 반도체 소재로 각광받고 있습니다. 특히, 높은 내열성, 높은 항복 전계 강도, 우수한 열전도성, 높은 전자 이동도 등의 장점을 바탕으로 고온, 고출력, 고주파 환경에서 동작하는 전자 소자 제작에 적합합니다. 일반적으로 반도체 소자를 제작할 때는 전기적 절연성이 우수한 기판 위에 활성층을 형성하여 소자를 구현합니다. 하지만 고출력, 고전압 등 특정 응용 분야에서는 기판 자체의 전도성이 필수적이며, 전도성 SiC 웨이퍼는 이러한 요구를 충족시키는 핵심 소재입니다. 전도성 SiC 웨이퍼는 웨이퍼 자체를 전극으로 활용하거나, 혹은 기판으로부터 소자 내의 전하를 효율적으로 빼내는 데 사용될 수 있습니다. 이는 기존의 절연성 SiC 웨이퍼 기반 소자에서 불가피하게 발생했던 기판 손실이나 열 발생 문제를 개선하는 데 크게 기여합니다. 전도성 SiC 웨이퍼는 주로 전기 전도도를 높이기 위해 도펀트(dopant)를 첨가하여 성장됩니다. 대표적인 도펀트로는 n형 전도성을 부여하는 질소(N)나 인(P), 그리고 p형 전도성을 부여하는 알루미늄(Al)이나 붕소(B) 등이 있습니다. 이러한 도펀트의 종류와 농도를 조절함으로써 원하는 수준의 전기 전도도를 구현할 수 있습니다. 웨이퍼의 전기 전도도는 일반적으로 비저항(resistivity) 값으로 표현되며, 낮은 비저항 값을 가질수록 전도성이 높다고 할 수 있습니다. 전도성 SiC 웨이퍼의 가장 중요한 특징은 앞서 언급한 SiC 소재 자체의 우수한 물성과 함께, 웨이퍼 자체의 전도성을 갖는다는 점입니다. 이는 고전력 스위칭 소자, 다이오드, 모스펫(MOSFET) 등에서 쇼트키 접합이나 p-n 접합의 양극 또는 음극으로 직접 활용될 수 있음을 의미합니다. 또한, SiC는 높은 열 전도성을 가지고 있어 소자 동작 시 발생하는 열을 효과적으로 방출할 수 있으며, 이는 소자의 신뢰성과 성능 향상에 직접적인 영향을 미칩니다. 높은 항복 전계 강도는 높은 전압에서도 절연 파괴 없이 안정적으로 동작할 수 있게 하여, 고전압 소자 구현에 필수적인 특성입니다. 또한, 높은 전자 이동도는 고주파에서도 빠르게 스위칭될 수 있는 고속 소자 구현을 가능하게 합니다. 전도성 SiC 웨이퍼는 전도성 방식에 따라 크게 n형 전도성 웨이퍼와 p형 전도성 웨이퍼로 구분될 수 있습니다. n형 전도성 SiC 웨이퍼는 질소 또는 인과 같은 n형 도펀트를 첨가하여 전자 농도를 높인 웨이퍼입니다. 일반적으로 고출력 전력 반도체 소자에서 소스(source)나 드레인(drain) 전극으로 연결되는 부분이나 기판 자체를 전도성으로 만들기 위해 사용됩니다. p형 전도성 SiC 웨이퍼는 알루미늄이나 붕소와 같은 p형 도펀트를 첨가하여 정공 농도를 높인 웨이퍼입니다. 이는 주로 게이트(gate) 전극이나 소스 전극의 일부, 또는 소자 내에서 특정 전하 수송 경로를 형성하기 위해 사용됩니다. 이러한 n형 및 p형 웨이퍼의 조합 또는 각기 다른 도핑 레벨을 가진 웨이퍼를 사용하여 다양한 구조의 SiC 반도체 소자를 제작할 수 있습니다. 전도성 SiC 웨이퍼의 주요 용도는 고성능 전력 반도체 소자 제작에 있습니다. 예를 들어, 전기 자동차의 전력 변환 장치, 고효율 태양광 발전 시스템의 인버터, 전력 공급 장치, 고속 열차의 전력 제어 장치, 그리고 레이더 시스템과 같은 고주파 응용 분야에서 SiC 전력 소자는 기존의 실리콘(Si) 기반 소자를 대체하며 에너지 효율 향상과 소형화에 크게 기여하고 있습니다. 특히, SiC MOSFET은 낮은 온저항(on-resistance)과 빠른 스위칭 속도를 바탕으로 전력 변환 손실을 크게 줄여, 차량의 주행 거리 증가나 전력 소비 감소에 직접적인 영향을 미칩니다. 또한, SiC 쇼트키 다이오드는 빠른 복구 시간과 낮은 순방향 전압 강하를 특징으로 하여 전력 변환 효율을 더욱 높이는 데 사용됩니다. 이러한 전력 소자들은 고온 환경에서도 안정적으로 동작할 수 있기 때문에 기존의 냉각 시스템을 단순화하거나 생략할 수 있다는 장점도 있습니다. 전도성 SiC 웨이퍼의 제작과 관련된 핵심 기술로는 주로 벌크 성장법(bulk growth method)이 사용됩니다. 가장 대표적인 벌크 성장법으로는 승화법(Sublimation method)과 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD)을 기반으로 하는 액상 에피탁시법(Liquid Phase Epitaxy, LPE) 등이 있습니다. 승화법은 고온에서 SiC 전구체를 승화시켜 종자 웨이퍼(seed wafer) 위에 SiC 결정을 성장시키는 방식입니다. 이 방법은 비교적 높은 품질의 벌크 SiC 결정을 성장시킬 수 있지만, 성장 속도가 느리고 높은 온도 제어가 요구된다는 단점이 있습니다. 최근에는 다양한 개량된 승화법이 개발되어 성장 속도를 높이고 결정 결함을 줄이는 연구가 활발히 진행되고 있습니다. LPE는 용융된 금속 용액에 SiC 전구체를 녹여 종자 웨이퍼 위에 SiC 결정을 성장시키는 방법으로, 비교적 낮은 온도에서 성장이 가능하며 높은 도핑 농도 구현에 유리한 특징을 가집니다. 웨이퍼 제작 이후에는 전도성 SiC 웨이퍼의 품질을 확보하는 것이 중요합니다. 결정 결함(crystal defects), 표면 거칠기(surface roughness), 도펀트 농도 분포 균일성 등이 소자의 성능에 직접적인 영향을 미치기 때문입니다. 따라서 고품질의 전도성 SiC 웨이퍼를 생산하기 위해서는 정밀한 성장 조건 제어 기술과 함께, 표면 연마(polishing) 및 세정(cleaning) 기술 또한 매우 중요합니다. 특히, 전자 소자 제작 공정에서 웨이퍼 표면의 미세한 결함이나 오염은 소자의 수명과 신뢰성을 크게 저하시킬 수 있으므로, 화학적 기계 연마(Chemical Mechanical Polishing, CMP)와 같은 고도의 표면 처리 기술이 요구됩니다. 또한, 전도성 SiC 웨이퍼의 기술 발전은 끊임없이 이루어지고 있습니다. 더 낮은 비저항을 가지면서도 결정 품질이 우수한 웨이퍼를 성장시키기 위한 도핑 기술 및 성장 메커니즘 연구가 진행되고 있으며, 이는 더 높은 전력 밀도와 효율을 갖는 SiC 소자 개발로 이어질 것입니다. 더불어, 양면 전도성(double-side conductive) 웨이퍼나 특정 영역에만 선택적으로 전도성을 부여하는 기술 등도 연구 개발되고 있어, 향후 SiC 기반 소자의 설계 유연성을 더욱 높일 것으로 기대됩니다. 이러한 기술적 진보는 SiC 소재의 잠재력을 최대한 활용하여 에너지 효율을 극대화하고 첨단 전자 시스템의 성능을 향상시키는 데 크게 기여할 것입니다. |
※본 조사보고서 [글로벌 전도성 실리콘 카바이드 웨이퍼 시장예측 2024-2030] (코드 : MONT2406B6326) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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